罗姆开发1000A/600V的SiC功率模块

　　罗姆开发了采用SiC功率元件的功率模块，额定电压和电流分别为600V和1000A。该产品是与美国Arkansas Power Electronics International公司共同开发的。之所以能承受1000A的大电流，是因为采用了沟道型SiC MOSFET。“如果采用原来的SiC DMOS，只能承受200～300A左右的电流”。

　　该产品未使用SiC肖特基势垒二极管(SBD)，仅沟道型MOSFET就配备了16枚芯片。该模块通过改变端子连接方法，可用于半桥接方式、全桥接方式以及序列方式的电源。1000A的额定电流是将该模块作为半桥接利用时的值。用于半桥接时，用等效电路来表示，就是作为配备了双元件MOSFET的模块工作。此时，会并联利用每个元件8枚芯片的MOSFET。也就是说，MOSFET的每枚芯片会流经超过100A的电流。用于全桥接方式电源电路时，额定电流为500A。

　　开关速度快也是该产品的一大特点。除了较原来减小了配备的沟道型MOSFET的栅极容量外，还降低了模块的寄生电感成分等。由此，可实现开关速度的高速化。打开时间约为35ns，关闭时间约为42ns。开关时间均只有“SiC DMOS的约一半”。