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电子发烧友网>新品快讯>IR推出600V车用栅极驱动芯片AUIRS2332J

IR推出600V车用栅极驱动芯片AUIRS2332J

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2025-05-19 11:33:300

新品 | 驱动无刷直流 (BLDC) 电机三相栅极驱动器评估板

新品驱动无刷直流(BLDC)电机三相栅极驱动器评估板评估板EVAL-6EDL04I065PR采用英飞凌最新的采SOI技术的EiceDRVIER栅极驱动器6EDL04I065PR
2025-04-25 17:05:074661

川土微电子推出CA-IS3223EHS-Q1半桥栅极驱动

川土微电子全新推出全国产化CA-IS3223EHS-Q1半桥栅极驱动器,支持±800V高压隔离与20V宽电源供电,兼具驱动能力(+1.9A/−2.2A)与低延时(70ns)特性,为中小功率场景提供高性价比解决方案。
2025-04-09 15:01:231129

新品 | CIPOS™ Mini IPM 600V 15A 20A 30A TRENCHSTOP™ IGBT 7

新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列在600V等级中提供15A、20A和30A三个型号,额定功率高达
2025-04-01 17:34:231257

新品上市,华普微推出600V半桥驱动器HPD2606X

HPD2606X拥有配合自举电路操作的浮动通道设计,可稳定驱动高压侧的功率器件。HPD2606X能耐受负向瞬态电压,抗dV/dt干扰。HPD2606X支持10V~20V栅极驱动电压,具备欠压锁定功能,可兼容3.3V、5V、15V逻辑电平。
2025-03-26 11:33:37828

驱动电路设计(七)——自举电源在5kW交错调制图腾柱PFC应用

随着功率半导体IGBT,SiCMOSFET技术的发展和系统设计的优化,电平位移驱动电路应用场景越来越广,电压从600V拓展到了1200V。英飞凌1200V电平位移型颈驱动芯片电流可达+/-2.3A
2025-03-24 17:43:4010957

芯朋微代理商高低侧栅极电机驱动芯片-PN7114

芯朋微代理商高低侧栅极电机驱动芯片-PN7114 一、概述PN7114是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动芯片,其具有独立的高低侧输出通道。PN7114浮地通道能在600V
2025-03-18 14:28:16

芯朋微代理高低侧栅极驱动IC--PN7113

芯朋微代理高低侧栅极驱动IC--PN7113 一 概述PN7113是一款基于P_SUBP_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压
2025-03-18 10:43:17

芯朋微高压高低侧栅极电机驱动芯片-ID5S609

地通道能工作在600V的高压下。可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号,逻辑输入电平低至3.3V
2025-03-17 11:09:55

栅极驱动芯片LM5112失效问题

请大佬看一下我这个LM5112驱动碳化硅MOS GC3M0065090D电路。负载电压60V,电路4A以下时开关没有问题,电流升至5A时芯片失效,驱动输出电压为0。 有点无法理解,如果电流过大为什么会影响驱动芯片的性能呢? 请多指教,谢谢!
2025-03-17 09:33:06

EG2125带过流保护功能全桥驱动芯片数据手册

的工作电压可达 600V,低端 VCC 的电源电压范围宽 10V~25V,静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建
2025-03-10 09:30:330

微源半导体推出650V半桥栅极驱动芯片LPD2106

LPD2106是一款高耐压的半桥栅极驱动芯片,具有0.3A拉电流和1.0A灌电流能力,专用于驱动N沟道MOSFET或IGBT组成的半桥。LPD2106集成了输入逻辑信号处理电路,支持3.3V~15V
2025-03-08 10:11:281248

纯净电力,稳定运行——600V变380V隔离变压器,半导体设备的最佳选择!

在工业生产和半导体设备运行中,电网中的杂质和谐波问题常常导致设备运行不稳定,甚至引发安全隐患。为了解决这一问题,卓尔凡电力科技有限公司推出600V变380V加拿大三相隔离变压器,为您的设备提供高效
2025-03-05 08:58:06577

加拿大设备电压不匹配?600V变380V隔离变压器来助力!

卓尔凡电力科技变压器,当进口的加拿大380V半导体设备在国内600V电网环境下运行时,电压不匹配问题常常导致设备无法正常工作,甚至可能损坏设备。为解决这一难题,卓尔凡电力科技有限公司推出600V
2025-03-05 08:50:52547

栅极驱动芯片,如何高效驱动工业自动化?

栅极驱动芯片是电子设备核心元件,用于放大控制信号,保障稳定运行。在多个领域有广泛应用,市场前景好。华普微将推出高性能非隔离式半桥驱动芯片HPD2606X。
2025-03-04 14:34:15146

600V变380V变压器:CSA认证,卓尔凡开启工业设备出口新时代!

。加拿大作为重要的工业市场,对电气设备的安全性和可靠性有着严格要求。卓尔凡电力科技有限公司推出600V变380V CSA认证变压器,凭借其卓越的性能和权威认证,为工业设备出口加拿大提供了有力支持。 ### 一、CSA认证:开启加拿大市场大门 CSA(加拿大标
2025-03-03 15:30:41698

外贸热销!卓尔凡 600V变380V变压器:无零线设计,开启安全电力新时代!

在工业电力系统中,变压器的安全性和可靠性一直是核心关注点。随着工业设备的国际化需求增加,电压转换设备的性能和安全性显得尤为重要。卓尔凡电源推出600V变380V无零线变压器,凭借其创新的无零线
2025-03-03 15:25:48674

600V变380V变压器:如何助力工业设备走向全球市场?

在全球化背景下,工业设备的国际化适配成为企业拓展海外市场的重要挑战之一。尤其是在电力系统标准差异显著的地区,如北美、欧洲和亚洲,电压不匹配问题常常阻碍设备的顺利出口。600V变380V变压器凭借其
2025-03-03 15:23:03628

产品概述#UCC27714 4A、600V 半桥栅极驱动

UCC27714 是一款 600V 高侧、低侧栅极驱动器,具有 4A 拉电流和 4A 灌电流能力,旨在驱动功率 MOSFET 或 IGBT。该器件由一个以地为参考的通道 (LO) 和一个浮动通道
2025-02-26 10:52:531307

技术资料#LMG3422R030 具有集成驱动器、保护和温度报告的 600V 30mΩ GaN FET

150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装相结合,可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和最小的振铃。可调
2025-02-25 14:07:161148

技术资料#LMG3425R050 具有集成驱动器、保护、温度报告和理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET

该LMG3425R050集成了硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装相结合,可在硬
2025-02-25 13:38:011017

技术文档#LMG3426R030 600V 30mΩ GaN FET,带集成驱动器、保护和零电压检测

LMG342xR030 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装
2025-02-24 10:12:19969

技术资料#LMG3426R050 600V 50mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和零电压检测

LMG342xR050 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装
2025-02-24 09:55:24940

基于e-Compressor SiC 方案 onsemi NCV57100 栅极驱动器简介

世平集团基于onsemi的栅极驱动器和SiC技术,开发了一款适用于800V用电空调压缩机的解决方案。本文将以世平集团的800Ve-CompressorSiC方案为例,深入解析其中采用的安森美(onsemi)栅极驱动器NCV57100的核心特性及其应用。
2025-02-21 16:34:51627

CSA材料认证标准600V变380V 600V变480V变压器 卓尔凡

600V 变 380V 以及 600V 变 480V 的变压器,凭借卓越性能与可靠品质,成为众多行业的理想选择。 CSA 认证:品质与安全的坚实背书 CSA,即加拿大标准协会认证,在加拿大电气设备市场拥有至高权威性。对于变压器而言,获得 CSA 认证绝非易事。从设计
2025-02-21 14:56:40797

LMG3422EVM-043评估模块LMG3422R030 600V 30mΩ 半桥子卡概述

LMG342XEVM-04X具有两个LMG342XR0X0 600-V GaN FET,采用半桥配置,具有集成驱动器和保护功能,并具有所有所需的偏置电路和逻辑/功率电平转换。基本的功率级和栅极驱动
2025-02-21 11:10:42822

600V高压半桥驱动芯片BDR6307B

BDR6307B 是一款耐压 600V 的半桥栅极驱动芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路,用来驱动双 N 型 MOS 半桥。 BDR6307B 的逻辑
2025-02-20 10:22:03

EG2126屹晶微600V两路半桥驱动无刷电机驱动芯片

滤波电路及输出驱动电路,更适合用于全桥拓扑电路。EG2126 高端的工作电压可达 600V,低端 VDD 的电源电压范围宽 3V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输
2025-02-19 08:54:50

新品 | 2EP1xxR - 频率和占空比可调的驱动电源20V全桥变压器驱动

新品2EP1xxR-频率和占空比可调的驱动电源20V全桥变压器驱动器2EP1xxR是IGBT,GaN和SiC驱动电源全桥变压器驱动器IC系列,采用紧凑型TSSOP8引脚封装,具有功率集成和优化
2025-01-24 17:04:39944

栅极驱动芯片最大开关频率的估算方法

最大开关频率是栅极驱动芯片的重要性能指标,其表现会受到驱动芯片的封装、负载条件、散热等多方面因素的制约。此外,如果半桥驱动集成了自举二极管,功耗的计算方式也会有所不同。本应用手册以NSD1026V为例,详细说明了栅极驱动芯片在不同条件下最大开关频率的估算方法及相关注意事项。
2025-01-24 09:12:233987

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