解决这些问题来的。这款600V、4A输出的驱动器,用更强的抗干扰、更高的效率以及更简洁的高边驱动设计,能让高压驱动设计变得更省心、更可靠。它主要有哪些特点?
扛得住干扰,稳得住高压:能承受600V
2026-01-04 08:59:29
WD6208A是一款专为安防摄像头设计的IR-CUT驱动芯片,集成双向马达驱动功能。支持TTL逻辑控制电机正反转、强制制动及待机模式,提供200mA持续/500mA峰值驱动电流,适配2V-18V宽
2025-12-31 16:18:39
214 
边驱动设计,以更少的元件实现稳定高效的高压驱动。核心特性
高集成度设计:芯片内部集成了自举二极管,省去了外部添加该分立器件的需要,简化了电路布局并提升了可靠性。
高压耐受与强抗扰:支持最高600V
2025-12-31 08:22:18
IR21592和IR21593是集调光镇流器控制和600V半桥驱动功能于一体的集成电路。其独特的架构采用了无变压器的灯功率传感和调节相位控制
2025-12-30 17:25:19
422 自适应镇流器控制IC,深入了解它的特性、参数、工作模式以及保护功能。 文件下载: IR2520DSTRPBF.pdf 一、产品特性概述 IR2520D(S)是将完整的自适应镇流器控制器和600V半桥驱动
2025-12-28 15:50:12
404 全方位保护功能的600V镇流器控制芯片,专为驱动各类荧光灯而设计。其最大的亮点在于将PFC(功率因数校正)、
2025-12-24 17:25:09
474 主流产品。如今,国产替代趋势加速,深圳争妍微电子推出的600V快恢复二极管TO-220封装型号,凭借精准的参数匹配与稳定的供货能力,成为BYV26C的优质替代选择
2025-12-23 14:43:34
948 
在工业电机、新能源逆变器或大功率电源中,驱动电路的可靠性直接决定整体性能。面对高压环境下的噪声干扰、开关损耗以及高边驱动设计复杂等实际挑战,SiLM22868提供了一种扎实的解决方案。这款600V
2025-12-23 08:36:15
。
主流芯片选型与关键参数
芯片型号
类型
耐压/供电
输出能力
核心特性
适用场景
IR2130(英飞凌)
三相栅极驱动器
母线≤600V;VCC 10–20V
源0.25A/灌0.5A
自举浮动通道
2025-12-08 03:54:37
高压滤波车规电容在600V耐压条件下的应用与换电站接口电压稳定性保障 随着新能源汽车产业的快速发展,换电模式作为重要的能源补给方式正获得广泛应用。在换电站系统中,高压滤波电容作为关键电子元件,其性能
2025-12-05 15:11:03
269 这些挑战的核心。概述:专为高压高效应用优化的驱动核心SiLM22868是一款面向工业与新能源领域的单芯片半桥门极驱动器。其核心价值在于,在标准的SOP8封装内,集成了600V耐压、4A对称驱动电流
2025-12-03 08:25:35
ES1J SMA/DO-214AC特快恢复二极管,电流:1A 600V
2025-11-26 17:02:47
0 英集芯IP2332N是一款应用于TWS耳机充电仓、智能穿戴设备、无人机、电动工具的单节锂电池DC-DC充电芯片。支持标准锂电池(4.20V)及磷酸铁锂电池(3.5V~4.4V定制电压),输入耐压高达30V,最大充电电流2.4A。
2025-11-25 11:42:09
353 
钧敏科技主推之一的PT5606/PT5607 600V 高压栅极驱动 IC,凭借高耐压、强驱动、全保护的核心优势,成为高压功率系统设计的优选方案。
2025-11-24 15:55:20
1808 ,配合290ns死区时间从硬件层面防止桥臂直通。2.高可靠性设计600V耐压为380V工业系统提供充足余量,瞬态负压耐受能力抑制电机反电动势引起的电压尖峰。低di/dt栅极驱动增强抗干扰能力,适应嘈杂
2025-11-24 08:31:44
一、概述:高性能半桥驱动SLM2181CA-DG是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高边和低边参考输出通道。核心优势在于600V的高耐压能力、450mA/950mA的非对称
2025-11-21 08:35:25
的可靠性600V耐压为380V工业母线系统提供充足余量,其负压耐受能力可抑制寄生电感引起的电压尖峰。2.集成化与成本优化相比分立方案,单芯片集成高低边驱动可减少光耦或隔离电源数量,降低BOM复杂度和布板
2025-11-20 08:47:23
栅极驱动器是连接控制芯片和功率开关、实现高低压隔离的安全桥梁。在电子电力系统中,无论是新能源汽车的电驱电控、光伏逆变器、工业变频器,其核心都离不开栅极驱动器的精准控制。
2025-11-18 14:30:16
998 
的CMTI确保了在极高的dV/dt噪声环境下,驱动信号依然干净、无毛刺,从根本上避免误触发。10A的峰值电流则能应对SiC/GaN器件更高的开关频率和栅极电容需求,确保其快速、高效开关。
“车规级”可靠性
2025-11-15 10:00:15
Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和极快整流器将低导通和低开关损耗完美结合在一起。该整流器设计用于提高高频转换器和软开关或谐振设计的效率。Gen 5 600V超快和极快整流器与采用SOT-227封装的铜基板隔离,有助于构建常见散热片和紧凑型组件。
2025-11-14 17:12:22
1224 
US2J SMA/DO-214AC超快恢复二极管,电流:2A 600V
2025-11-12 17:18:25
0 US1J SMA/DO-214AC超快恢复二极管,电流:1A 600V
2025-11-12 16:44:05
0 Vishay VLMB2332和VLMTG2332标准SMD MiniLED采用预成型 封装,引线框架封装在明亮的白色热塑性塑料中。Vishay VLMB2332和VLMTG2332具有2.2mmx1.3mmx1.4mm的紧凑尺寸。迷你LED非常适用于设计用于苛刻环境的小型大功率产品,可靠性高。
2025-11-12 16:32:16
516 RS1J SMA/DO-214AC快恢复二极管,电流:1A 600V
2025-11-10 17:10:45
0 RS2J SMA/DO-214AC快恢复二极管电流:2A 600V
2025-11-07 17:23:12
0 ES2J SMA/DO-214AC特快恢复二极管,电流:2A 600V
2025-11-06 17:22:52
0 STMicroelectronics STEVAL-CTM011V1主流压缩机解决方案是一款基于STSPIN32F0601Q控制器的三相逆变器。该解决方案内置一个三相600V栅极驱动器和一个Arm
2025-10-31 11:45:59
429 
® Cortex®-M0 + CPU的STM32G031x8x3 MCU。该器件还包括一个600V三半桥栅极驱动器和一个smartSD比较器,用于快速过载和过流保护。该控制器集成了高压自举二极管、防交叉
2025-10-22 11:29:19
4442 
栅极驱动器是连接控制芯片和功率开关、实现高低压隔离的安全桥梁。在电子电力系统中,无论是新能源汽车的电驱电控、光伏逆变器,,还是工业变频器,其核心都离不开栅极驱动器的精准控制。
2025-10-21 11:50:04
1972 
600V、4A/4A 半桥门极驱动SiLM2285,超强抗干扰、高效驱动、高边直驱设计三大核心优势,解决工业开关电源、电机拖动、新能源逆变及储能设备中的驱动难题,实现对高压、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18
STDRIVEG610具有 单输入控制 和 引导操作,只需极少的外部组件即可实现高效的高侧和低侧切换。该设备支持高达600V 的高侧驱动器,并在低端和高端均包含欠压锁定 (UVLO) 保护,以确保安全运行
2025-10-17 14:12:56
390 
STMicroelectronics STDRIVEG611半桥栅极驱动器是用于N沟道增强模式GaN的高压半桥栅极驱动器。高侧驱动器部分设计能够承受高达600V的电压轨,并且可以轻松由集成自举二极管
2025-10-16 17:42:30
655 
DRV8300是100V三半桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。该DRV8300D使用集成自举二极管和用于高侧 MOSFET 的外部电容器产生正确的栅极驱动电压。该
2025-10-14 15:30:54
798 
DRV8770器件提供两个半桥栅极驱动器,每个驱动器能够驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。集成自举二极管和外部电容器为高侧 MOSFET 产生正确的栅极驱动电压,而 GVDD 驱动低侧 MOSFET 的栅极。栅极驱动架构支持高达 750mA 的栅极驱动电流和 1.5A 的灌电流。
2025-10-14 11:42:20
524 
DRV3233-Q1 是一款集成式智能栅极驱动器,适用于 12V 和 24V 汽车三相 BLDC 应用。该器件提供三个半桥栅极驱动器,每个驱动器能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET
2025-10-11 13:53:05
1209 
DRV8363-Q1 是一款集成式智能栅极驱动器,适用于 48V 汽车三相 BLDC 应用。该器件提供三个半桥栅极驱动器,每个驱动器能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET
2025-10-11 09:40:32
656 
BM64378S-VA是将栅极驱动器、自举二极管、IGBT、再生用快速反向恢复二极管一体化封装的智能电源模块(IPM),集成 600V/35AIGBT、栅极驱动器(HVIC/LVIC)、自举二极管
2025-10-05 16:14:00
1253 
BM63377S-VA是将栅极驱动器、自举二极管、IGBT、再生用快速反向恢复二极管一体化封装的智能电源模块(IPM)。集成 600V/30AIGBT、栅极驱动器(HVIC/LVIC)、自举二极管
2025-10-05 15:47:00
1267 
英集芯IP2332是一个应用于无人机、电动工具、TWS耳机、智能穿戴设备的单节锂电池同步降压充电管理SOC芯片。最大充电电流2.4A,5V输入、3.7V/2A条件下转换效率达92%。支持标准锂电池及磷酸铁锂电池。
2025-09-29 12:33:50
754 
限制栅极驱动电流:防止驱动芯片输出过大电流损坏MOSFET栅极氧化层(通常栅极电压不超过±20V)2.控制开关数度:通过调节Rg阻值改变栅极充电/放电速度,影响MO
2025-09-27 10:17:54
794 
栅极驱动器是连接控制芯片和功率开关、实现高低压隔离的安全桥梁。在电子电力系统中,无论是新能源汽车的电驱电控、光伏逆变器、工业变频器,其核心都离不开栅极驱动器的精准控制。
2025-09-26 11:45:20
2365 
如何在栅极驱动板中,将隔离侧的-15v电源转为可调的-15至-4v输出呢?
2025-09-22 17:20:01
Texas Instruments DRV832860V三相栅极驱动器是一款集成栅极驱动器,用于三相应用。该器件提供三个半桥栅极驱动器,每个驱动器可驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。该器件
2025-09-22 13:58:18
729 
SiLM2234 600V半桥门极驱动器,支持290mA拉电流和600mA灌电流输出能力,专为高压、高功率MOSFET和IGBT驱动设计,内部集成自举二极管,显著简化外部电路设计,具备优异的抗负向
2025-09-11 08:34:41
在工业电机控制、新能源逆变器及大功率开关电源等高压应用领域,系统设计长期面临着高压干扰、驱动效率低下以及高边驱动设计复杂的核心痛点。为应对这些挑战,600V半桥门极驱动芯片SiLM2285
2025-09-05 08:31:35
国硅集成NSG2153D 600V自振荡半桥MOSFET/IGBT电机驱动芯片一、概述NSG2153D是一款高压、高速功率MOSFET自振荡半桥驱动芯片。NSG2153D其浮动通道可用于驱动高低侧N
2025-09-04 10:10:41
在工业高压电源系统中,电解电容作为关键元器件,其性能直接关系到整个系统的稳定性和可靠性。冠坤电解电容600V高耐压系列凭借其卓越的性能和稳定的表现,成为高压电路中的"扛把子",为工业高压电源系统提供
2025-09-02 15:44:42
630 数明半导体即将推出 SiLM2234、SiLM2206 和 SiLM2207 三款 600V、290mA/600mA 半桥门极驱动换新系列产品。
2025-08-28 11:20:59
1932 
在跨国工业供电、数据中心及精密设备场景中,电压不匹配与电网干扰是核心痛点——美国本土常见的600V级电网(480V线电压)与全球通用的380V工业电机、208V服务器、220V精密仪器存在电压壁垒
2025-08-27 10:42:19
800 
,是各种高压半桥和全桥拓扑的简洁解决方案。核心优势解析:
高压与强驱动力: 芯片的浮动通道设计支持高达600V的工作电压,并能耐受负压瞬变,抗dV/dt性能好。提供450mA拉电流和950mA灌电流
2025-08-26 09:15:40
代替IR2186,为600V以下的MOSFET和IGBT应用提供高性价比的单芯片驱动方案。核心优势:高压驱动与可靠保护的完美结合SiLM2186CA-DG的核心价值在于其卓越的电气性能和强大的系统保护
2025-08-23 09:36:06
AiP44273L是一款低侧单通道的栅极驱动电路。该电路主要用于驱动低压功率MODFET和IGBT。输入兼容CMOS和TTL电平,输入电压范围能兼容-5V~15V。
2025-08-13 11:36:20
1847 
600V/4A/4A半桥门极驱动器(SOP8封装),正是为解决这些难题而生,为工业与新能源应用提供高效、可靠的驱动解决方案。核心技术突破,直击行业痛点:
超强抗干扰能力: 卓越的抗负向瞬态电压与dV/dt
2025-08-08 08:46:25
IR600 CLI 如何保存配置?
2025-08-06 07:51:09
:SLM21867CA-DG是一款高压(600V)、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器,专为驱动半桥或类似拓扑中的高边和低边开关而设计。其最大亮点在于直接兼容替代IRS21867S,且封装同为紧凑的SOP8
2025-07-29 08:46:54
2153X系列是高压、高速功率自振荡半桥驱动产品线。 2153X浮动通道可用于驱动高低侧N沟道功率MOSFET/IGBT,浮地通道最高工作电压可达600V。内置死区保护电路,可以有效防止高低侧功率管直通。2153X全系列内置自举电路,可以简化芯片外围电路。
2025-07-28 14:02:55
1912 
IP2332V采用同步降压架构,相较于传统线性充电方案,其转换效率最高可达95%,显著降低充电过程中的能量损耗。芯片支持4.5V至18V宽电压输入范围,兼容多种电源适配器,包括QC3.0/PD快充
2025-07-26 16:31:34
1091 、接触器、电机控制器等多种场景,为电路提供可靠的保护。该产品具备快速响应特性,能在电路出现过载或短路情况时迅速切断电路,有效保障用电安全。其额定电压为 600V A
2025-07-16 08:48:52
运行。
坚固耐用可靠: “模拟二极管”无老化、宽温工作、高隔离等级(SMP8封装,CTI>600V)及关键安规认证。
#SLMi350DB-DG #SLMi350 #隔离驱动器 #门极驱动器
2025-07-11 09:51:26
600V/0.5A快恢复二极管
省去外部器件,BOM成本降低15%
负压导致栅极击穿
VS端耐受-7V瞬态电压
电机堵转时保护栅氧层完整性
地弹引起误触发
施密特触发+ -5V逻辑容限
在焊接设备等强EMI
2025-06-25 08:34:07
设计,工作电压范围6V 至 50V,设计人员可以通过两个模拟引脚轻松配置驱动器,用一个简单的电阻分压器设置栅极驱动器的驱动电流,
2025-06-24 15:04:35
1931 圣邦微电子推出 36V 车规级电源电压监测芯片 SGM880xQ,凭借其高精度、低功耗及车规级可靠性,成为汽车电子和工业电源监控的理想选择。
2025-06-12 12:50:19
1688 
一、 概述: D2104M是一款高压、大电流的PWM半桥栅极驱动芯片,只需要8~20V的低测供电,HO/LO端即可输出0.4的源电流/0.6A的灌电流,驱动功率MOSFET或IGBT
2025-06-11 10:16:11
908 
栅极驱动IC
矽塔的栅极驱动解决方案具有全系统化、性能高效稳定的产品特点,同时可为客户有效降低方案成本, 可用于60-900V 双NMOS栅极驱动,P+N MOS驱动和单NMOS驱动。我矽塔的栅极
2025-06-07 11:26:34
意法半导体推出两款高压GaN半桥栅极驱动器,为开发者带来更高的设计灵活性和更多的功能,提高目标应用的能效和鲁棒性。
2025-06-04 14:44:58
1135 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“ BM6GD11BFJ-LB ”。通过与本产品组合使用,可使GaN器件
2025-06-04 14:11:46
46770 
栅极驱动IC
矽塔的栅极驱动解决方案具有全系统化、性能高效稳定的产品特点,同时可为客户有效降低方案成本, 可用于60-900V 双NMOS栅极驱动,P+N MOS驱动和单NMOS驱动。我矽塔的栅极
2025-05-30 15:20:34
BDR6300 是一款三相栅极驱动芯片。可直接驱动三路NIOS+PMOS 半桥。电路内部集成了稳定的 5V 输出电源。 BDR6300 驱动级 MOS 选型更方便。该电路
2025-05-27 17:37:01
0 BDR6307B是一款耐压600V的半桥栅极驱动芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路,用来驱动双 N型 MOS 半桥
2025-05-27 17:21:03
1 内容概要:HPD2606X是一款600V半桥栅极驱动器,采用专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,能够稳定驱动高压MOSFET和IGBT。其主要特性包括悬浮通道设计、抗dV/dt瞬态负电压能力、宽门
2025-05-19 11:33:30
0 新品驱动无刷直流(BLDC)电机用三相栅极驱动器评估板评估板EVAL-6EDL04I065PR采用英飞凌最新的采SOI技术的EiceDRVIER栅极驱动器6EDL04I065PR
2025-04-25 17:05:07
4661 
川土微电子全新推出全国产化CA-IS3223EHS-Q1半桥栅极驱动器,支持±800V高压隔离与20V宽电源供电,兼具驱动能力(+1.9A/−2.2A)与低延时(70ns)特性,为中小功率场景提供高性价比解决方案。
2025-04-09 15:01:23
1129 
新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列在600V等级中提供15A、20A和30A三个型号,额定功率高达
2025-04-01 17:34:23
1257 
HPD2606X拥有配合自举电路操作的浮动通道设计,可稳定驱动高压侧的功率器件。HPD2606X能耐受负向瞬态电压,抗dV/dt干扰。HPD2606X支持10V~20V的栅极驱动电压,具备欠压锁定功能,可兼容3.3V、5V、15V逻辑电平。
2025-03-26 11:33:37
828 
随着功率半导体IGBT,SiCMOSFET技术的发展和系统设计的优化,电平位移驱动电路应用场景越来越广,电压从600V拓展到了1200V。英飞凌1200V电平位移型颈驱动芯片电流可达+/-2.3A
2025-03-24 17:43:40
10957 
芯朋微代理商高低侧栅极电机驱动芯片-PN7114 一、概述PN7114是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动芯片,其具有独立的高低侧输出通道。PN7114浮地通道能在600V
2025-03-18 14:28:16
芯朋微代理高低侧栅极驱动IC--PN7113 一 概述PN7113是一款基于P_SUBP_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压
2025-03-18 10:43:17
地通道能工作在600V的高压下。可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号,逻辑输入电平低至3.3V
2025-03-17 11:09:55
请大佬看一下我这个LM5112驱动碳化硅MOS GC3M0065090D电路。负载电压60V,电路4A以下时开关没有问题,电流升至5A时芯片失效,驱动输出电压为0。
有点无法理解,如果电流过大为什么会影响驱动芯片的性能呢?
请多指教,谢谢!
2025-03-17 09:33:06
的工作电压可达 600V,低端 VCC 的电源电压范围宽 10V~25V,静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建
2025-03-10 09:30:33
0 LPD2106是一款高耐压的半桥栅极驱动芯片,具有0.3A拉电流和1.0A灌电流能力,专用于驱动N沟道MOSFET或IGBT组成的半桥。LPD2106集成了输入逻辑信号处理电路,支持3.3V~15V
2025-03-08 10:11:28
1248 
在工业生产和半导体设备运行中,电网中的杂质和谐波问题常常导致设备运行不稳定,甚至引发安全隐患。为了解决这一问题,卓尔凡电力科技有限公司推出600V变380V加拿大三相隔离变压器,为您的设备提供高效
2025-03-05 08:58:06
577 
卓尔凡电力科技变压器,当进口的加拿大380V半导体设备在国内600V电网环境下运行时,电压不匹配问题常常导致设备无法正常工作,甚至可能损坏设备。为解决这一难题,卓尔凡电力科技有限公司推出了600V变
2025-03-05 08:50:52
547 
栅极驱动芯片是电子设备核心元件,用于放大控制信号,保障稳定运行。在多个领域有广泛应用,市场前景好。华普微将推出高性能非隔离式半桥驱动芯片HPD2606X。
2025-03-04 14:34:15
146 
。加拿大作为重要的工业市场,对电气设备的安全性和可靠性有着严格要求。卓尔凡电力科技有限公司推出的600V变380V CSA认证变压器,凭借其卓越的性能和权威认证,为工业设备出口加拿大提供了有力支持。 ### 一、CSA认证:开启加拿大市场大门 CSA(加拿大标
2025-03-03 15:30:41
698 
在工业电力系统中,变压器的安全性和可靠性一直是核心关注点。随着工业设备的国际化需求增加,电压转换设备的性能和安全性显得尤为重要。卓尔凡电源推出的600V变380V无零线变压器,凭借其创新的无零线
2025-03-03 15:25:48
674 
在全球化背景下,工业设备的国际化适配成为企业拓展海外市场的重要挑战之一。尤其是在电力系统标准差异显著的地区,如北美、欧洲和亚洲,电压不匹配问题常常阻碍设备的顺利出口。600V变380V变压器凭借其
2025-03-03 15:23:03
628 
UCC27714 是一款 600V 高侧、低侧栅极驱动器,具有 4A 拉电流和 4A 灌电流能力,旨在驱动功率 MOSFET 或 IGBT。该器件由一个以地为参考的通道 (LO) 和一个浮动通道
2025-02-26 10:52:53
1307 
150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装相结合,可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和最小的振铃。可调
2025-02-25 14:07:16
1148 
该LMG3425R050集成了硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装相结合,可在硬
2025-02-25 13:38:01
1017 
LMG342xR030 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装
2025-02-24 10:12:19
969 
LMG342xR050 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装
2025-02-24 09:55:24
940 
世平集团基于onsemi的栅极驱动器和SiC技术,开发了一款适用于800V车用电空调压缩机的解决方案。本文将以世平集团的800Ve-CompressorSiC方案为例,深入解析其中采用的安森美(onsemi)栅极驱动器NCV57100的核心特性及其应用。
2025-02-21 16:34:51
627 
600V 变 380V 以及 600V 变 480V 的变压器,凭借卓越性能与可靠品质,成为众多行业的理想选择。 CSA 认证:品质与安全的坚实背书 CSA,即加拿大标准协会认证,在加拿大电气设备市场拥有至高权威性。对于变压器而言,获得 CSA 认证绝非易事。从设计
2025-02-21 14:56:40
797 
LMG342XEVM-04X具有两个LMG342XR0X0 600-V GaN FET,采用半桥配置,具有集成驱动器和保护功能,并具有所有所需的偏置电路和逻辑/功率电平转换。基本的功率级和栅极驱动
2025-02-21 11:10:42
822 
BDR6307B 是一款耐压 600V 的半桥栅极驱动芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路,用来驱动双 N 型 MOS 半桥。
BDR6307B 的逻辑
2025-02-20 10:22:03
滤波电路及输出驱动电路,更适合用于全桥拓扑电路。EG2126 高端的工作电压可达 600V,低端 VDD 的电源电压范围宽 3V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输
2025-02-19 08:54:50
新品2EP1xxR-频率和占空比可调的驱动电源用20V全桥变压器驱动器2EP1xxR是IGBT,GaN和SiC驱动电源用全桥变压器驱动器IC系列,采用紧凑型TSSOP8引脚封装,具有功率集成和优化
2025-01-24 17:04:39
944 
最大开关频率是栅极驱动芯片的重要性能指标,其表现会受到驱动芯片的封装、负载条件、散热等多方面因素的制约。此外,如果半桥驱动集成了自举二极管,功耗的计算方式也会有所不同。本应用手册以NSD1026V为例,详细说明了栅极驱动芯片在不同条件下最大开关频率的估算方法及相关注意事项。
2025-01-24 09:12:23
3987 
评论