盛美半导体推出12英寸单片兆声波清洗设备Ultra C

　　盛美半导体设备(上海)有限公司近日宣布第一台Ultra C 12英寸单片兆声波清洗设备已经销售给韩国存储器制造巨头。采用盛美的空间交变相移兆声波技术(SAPS)，Ultra C无需用高浓度的化学药液，而是采用极低浓度的功能水即可实现优越的颗粒去除率(PRE)，并且使材料的流失降到最低。该设备将用于客户最先进器件的制造工艺上，该设备现已运出，最终验收预计在近期完成。

　　这是中国本土的半导体设备厂商第一次能够进入国际主流半导体厂商的供应链中，而且还是对新工艺新技术最最敏感的存储器厂商，就更加不容易。相信进入这家存储巨头的供应链以后，会有更多国际半导体制造商敢于采用来自这家公司的设备，而中国半导体行业的最大短板——半导体制造设备终于有了巨大的突破。

　　Ultra C定位于高端的清洗工艺。通过客户端大生产线验证，Ultra C清洗后的PRE在65nm及以上颗粒达到96%，在44nm至65nm颗粒之间PRE达到74%，单道清洗后的材料损失控制在0.2 Å之内，而竞争对手只能做到PRE在65nm及以上颗粒做到84%，44nm至65nm颗粒之间仅为13%，清洗效果显著优于其它与之竞争的技术。在45nm技术节点，Ultra C的单道清洗将生产良率提高了1.3%。

　　对于大型半导体制造公司来说，每提高1%的良率都可增加一亿美元的净收入，所以Ultra C给客户带来的巨大良率提升是盛美能够打入半导体巨头设备供应链的根本原因，因为半导体制造企业对于设备的采购与更改供应商会极端谨慎，如果没有巨大的技术创新，你不可能说服他们更改设备供应商。盛美的创始人及CEO王晖说，“这台订单证明市场认可了我们的SAPS清洗技术，越小器件的技术节点对材料流失的工艺参数要求越高，并且影响最终良率的特征颗粒尺寸趋小，因而更难以清洗。我们的SAPS声波清洗技术已被半导体制造业巨头接受，成为去除这些纳米级颗粒的可行方案。在45nm及以下技术节点，Ultra C将成为取代现有清洗技术的突破性技术。” 盛美拥有自主知识产权的技术“SAPS”可以控制兆声波能量在硅片面内以及硅片到硅片之间的非均匀度都小于2%。而目前在市面上的单片兆声波清洗设备只能控制兆声波能量非均匀度在10-20%。

　　同时，盛美也推出了其无应力抛光集成设备(the Ultra iSFP)。该设备能够对65nm及以下的铜互联结构进行无应力、无损伤抛光。该设备整合了无应力抛光技术(SFP)、热气相蚀刻技术 (TFE)以及低下压力化学机械平坦化技术(ULDCMP)，利用其各自独特的技术优点，确保在整个抛光过程中对铜互连结构无任何损伤。使用无应力抛光设备制造以二氧化硅(SiO2)为基体的空气穴互连结构有诸多优点。其工艺简单，可以使用传统的二氧化硅介电质及大马士革工艺，因此不需要开发新材料和新工艺。该工艺对于窄的铜线和极小的互联结构没有任何损伤，具有自动对准功能，不需要硬光掩膜，并只在小线距区域选择性的形成空气穴，而不在大线距区域形成空气穴，这样既能在小线距区域提供低于2.2的有效超低k特性，又能给互连结构提供出色的机械强度及良好的散热特性，以此抵挡封装时带来的机械压力，并解决器件运行时的发热问题。“无应力抛光技术的问世代表着铜/超低k介质互联的整合工艺取得了重大突破，特别是在以二氧化硅(SiO2)为基体的空气穴互联结构的应用解决了三维封装TSV遇到的发热难题。”王晖补充道。据悉，盛美所掌握的是独家技术，目前在全世界无直接竞争对手，连应用材料公司等世界前三大半导体设备商和IBM和Intel等公司都未能掌握。