英飞凌科技推出汽车封装无铅功率MOSFET

　　英飞凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽车封装类型的合格100%无铅功率MOSFET。结合创新的包装技术和英飞凌的薄晶圆的工艺技术，新的40V的OptiMOS™T2的功率MOSFET。英飞凌采用扩散焊接模具附加的方法来生产的无铅封装，包括TO - 220，TO - 262和TO - 263。由于在封装几何方面的具体要求，模具垫厚度和芯片尺寸的扩散焊接模具适合这三种封装类型，英飞凌能够提供他们的OptiMOS T2的包在这些产品的生产准备。

　　随着新的MOSFET系列，英飞凌超过目前符合RoHS(有害物质限制)与铅基焊料，用来连接硅芯片令。待2014年实施后，可能需要100%无铅封装。由于在同行业中第一个MOSFET，英飞凌新设备使客户能够满足这些严格的要求。

　　“英飞凌是在功率半导体和相关封装技术的领导者。引进无铅封装，英飞凌是世界上第一个芯片供应商，目前我们的汽车客户未来的证明，符合RoHS标准，环保MOSFET，以发展高效节能的“绿色”产品。“

　　英飞凌专利的无铅芯片连接(包芯片和引线框架之间的互联)使用扩散焊接方法，它可以更好的电气性能和热性能，制造和质量。

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英飞凌StrongIRFET 2：提供高效可靠的功率开关解决方案

TO-220和TO-220 FullPack 封装的StrongIRFET 2是新一代功率MOSFET技术，它解决了广泛的应用，如适配器，电视、电机驱动、电动滑板车、电池管理、轻型电动汽车、机器人、电源和园艺工具。

2023-07-19 10:44:25

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英飞凌与赛米控签署多年期批量供应硅基电动汽车芯片协议

据分析师预测，到2028年，采用完全或部分电气化动力传动系统的汽车将占汽车产量的三分之二。电动汽车的快速增长推动了功率半导体的需求。在此背景下，英飞凌科技股份有限公司（FSE: IFX

2023-07-17 15:33:06

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英飞凌与赛米控丹佛斯达成车用功率芯片供货协议

英飞凌汽车部门总经理Peter Schiefer表示：“作为汽车半导体领域的全球领军人物，英飞凌为干净、安全的乘车券提供改变格局的解决方案。今天，igbt和二极管通过电力动力系统的有效电力转换，对电动汽车产业的转换起到了重要的作用。

2023-07-14 10:50:02

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功率场效应管的基本特性，如何提高功率MOSFET的动态性能

MOSFET的漏伏安特性（输出特性）：截止区（对应GTR的截止区）;饱和区（对应于GTR的放大区）;非饱和区（对应于GTR的饱和区）。功率MOSFET在开关状态下工作，即截止区域和不饱和区之间的转换

2023-07-04 16:46:37

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功率MOSFET基本结构：平面结构

功率 MOSFET 即金属氧化物半导体场效应晶体管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三个管脚，分别为栅极（ Gate

2023-06-28 08:39:35

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耗尽型功率MOSFET：被忽略的MOS产品

功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。

2023-06-27 17:41:20

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英飞凌推出新一代面向汽车应用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列

英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。

2023-06-26 13:10:00

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行业应用||安森德SJ MOSFET产品在充电桩上的应用

广，不管是在居民区、商业区或是高速公路服务区，都能使用充电桩为新能源电动汽车便捷充电。安森德凭借在半导体功率器件和封装领域的技术积累，研发出同类别性能优异的超级结MOSFET，具备更高性能、能效和更低

2023-06-13 16:30:37

英飞凌推出新一代双通道隔离栅极驱动器IC，提升SMPS设计的系统性能

【 2023 年 5 月 15 日，德国慕尼黑讯】如今，3.3 kW的开关电源（SMPS）通过采用图腾柱PFC级中的超结（SJ硅）功率MOSFET和碳化硅（SiC）功率MOSFET，以及能够满足

2023-06-07 15:16:56

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英飞凌推出面向汽车应用的新型 OptiMOS™ 7 40V MOSFET系列，改进导通电阻、提升开关效率和设计鲁棒性

最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS™ 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有

2023-06-06 11:01:36

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PRISEMI芯导产品推荐 | TOLL封装MOSFET系列

PRISEMI芯导产品推荐 | TOLL封装MOSFET系列

2023-06-06 10:02:58

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功率MOSFET基本结构：平面结构

功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate

2023-06-05 15:12:10

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分立3.3 kV SiC MOSFET关键指标的分析

理由相信潮流正在转变。正如TechInsights在不久前发布的PCIM Europe 2023 -产品公告和亮点博客[4]文章中所讨论的那样，英飞凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模块[5]。

2023-06-03 12:30:58

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功率模组封装代工

功率模组封装代工功率模块封装是指其中在一个基板上集成有一个或多个开关元件的功率半导体产品，所述开关元件包括绝缘栅双极晶体管(IGBT)、二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、晶闸管

2023-05-31 09:32:31

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芯导科技推出的一系列TOLL封装的MOSFET产品

TOLL（Transistor Outline Leadless）封装的MOSFET，由于其封装形式具有小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点，已经在电动自行车、电动摩托车、锂电保护、通信电源等终端客户得到广泛使用。

2023-05-26 09:52:42

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功率MOSFET驱动保护电路方案大全

分享功率MOSFET驱动保护电路方案大全，希望能帮助大家

2023-05-24 10:22:02

采用增强互连封装技术的1200 V SiC MOSFET单管设计高能效焊机

的TO-247封装，其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。文：英飞凌科技高级应用工程师Jorge Cerezo 逆变焊机通常是通过功率模块解决方案设计来实现更高输出功率，从而帮助降低节能焊机的成本、重量和尺寸[1]。在焊机行业，诸如提高效率、降

2023-05-23 17:14:18

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功率MOSFET怎样关断？能否用PWM实现？

功率MOSFET怎样关断？能否用PWM实现？怎样实现？

2023-05-08 16:16:27

功率器件顶部散热封装技术的优势及普及挑战

不久前，英飞凌科技股份公司宣布其适用于高压MOSFET的QDPAK和DDPAK顶部散热（TSC）封装技术正式注册为JEDEC标准。

2023-04-29 03:28:00

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英飞凌推出业界首款 LPDDR 闪存，助力打造下一代汽车电子电气架构

【 2023 年 4 月 25 日，德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出业界首款 LPDDR 闪存，助力打造下一代汽车电子电气

2023-04-26 11:10:57

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英飞凌适合高功率应用的QDPAK和DDPAK顶部冷却封装注册为JEDEC标准

为了应对相应的挑战，英飞凌科技股份公司宣布其高压MOSFET 适用的 QDPAK 和 DDPAK 顶部冷却 (TSC) 封装已成功注册为 JEDEC 标准。

2023-04-13 16:54:25

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英飞凌与台达电子签署电动汽车合作备忘录

日前，英飞凌与台达电子宣布将其长期合作范围由工业拓展至汽车应用。同时双方已签署一份长期合作备忘录，旨在深化双方的合作与创新，为飞速增长的电动汽车市场提供更高功率密度与能源效率的解决方案

2023-04-06 11:56:30

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KUU推出SOT-723封装MOSFET

KUU推出超小型SOT-723封装MOSFET，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代MOSFET，这些新低阈值电压MOSFET采用KUU先进的沟槽工艺技术来取得能够和SOT-523等大上许多封装

2023-04-04 16:10:39

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英飞凌科技推出汽车封装无铅功率MOSFET

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