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电子发烧友网>新品快讯>飞兆半导体小体积低导通阻抗单一P沟道PowerTrench MOSFET

飞兆半导体小体积低导通阻抗单一P沟道PowerTrench MOSFET

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2023-06-12 09:29:18699

安世半导体宣布推出最低导通阻抗,且优化关键性能的LFPAK56和LFPAK33封装MOSFET

兰奈梅亨--(美国商业资讯)--Nexperia(安世半导体),分立器件、逻辑器件和 MOSFET 器件的全球领导者,今日宣布其已采用 Trench 11 技术实现具有史上最低导通阻抗
2023-06-08 13:57:21441

请教下P沟道mos管恒压电源电路

*附件:power1.pdf 遇到个电源板无法供电故障,此电源电路采用P沟道MOS限流保护设计。正常启动时Q14栅极上电慢,低于源极,MOS管通,经过后级U9基准和U27运放组成恒压源电路,限制
2023-06-05 22:50:12

半导体企业如何决胜2023秋招?

;amp;做高ROI秋招策略 2、半导体行业人才资源趋势 3、高端人才校招:雇主品牌与效能提升! 未来年赢在高端人才校招! 主讲人介绍 黄博同 复醒科技CEO·复旦大学微电子博士 主讲人黄博同先生
2023-06-01 14:52:23

Nexperia | 推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合

日:基础半导体器件领域的专家 Nexperia(安世半导体)推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET (ASFET) 新产品组合,重点发布的 BUK9M20-60EL 为单 N 沟道 60 V、13 m
2023-05-29 10:35:11372

2023年中国半导体分立器件销售将达到4,428亿元?

场效应管是由多数载流子参与导电的半导体器件,也称为单极型晶体管。它是种电压控制型半导体器件,具有噪声小、功耗、开关速度快、不存在二次击穿问题,主要具有信号放大、电子开关、功率控制等功能,广泛应用
2023-05-26 14:24:29

意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管,优值系数提高40%

中国—— 意法半导体的STL120N10F8N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on),优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。
2023-05-25 10:08:23330

小体积温控开关你了解吗?--HCET海川温控

小体积温控开关具有体积优势、轻量化优势、安装方式优势和空间利用优势,能够更好地满足特定应用场景的需求。
2023-05-22 10:48:48210

IGBT和MOSFET该用谁?你选对了吗?

型功率管,是由双极型三极管 (BJT) 和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式半导体功率器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降两方面的优点。随着新能源汽车、智能家电、5G、轨道交通等行业的兴起,MOSFET和IGBT也迎来了发展的春天。
2023-05-18 09:51:583446

兼容NSR20F30NXT5G的小体积肖特基二极管

在苹果的MagSafe磁吸无线充电器选用了以上器件,该器件的小体积吸引了众多应用工程师的爱好,在DFN1608的体积下,0603大小,可以满足2A的持续电流,并满足低VF的肖特基产品。
2023-05-10 10:25:42137

如何使用P/N沟道MOSFET构建通用全桥或H桥MOSFET驱动电路

在本文中,我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路,该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288

国内功率半导体需求将持续快速增长,欢迎广大客户通过华秋商城购买晶微系列产品

占有率达到8.87%,位居行业第二。作为家专业从事半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业,晶微拥有国际领先的GPP芯片生产工艺和先进的SMD封装技术,形成了从分立器件芯片和框架的研发设计、制造
2023-04-14 16:00:28

国内功率半导体需求将持续快速增长

占有率达到8.87%,位居行业第二。作为家专业从事半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业,晶微拥有国际领先的GPP芯片生产工艺和先进的SMD封装技术,形成了从分立器件芯片和框架的研发设计、制造
2023-04-14 13:46:39

全自动半导体激光COS测试机

全自动半导体激光COS测试机TC 1000      COS(chip on submount)是主流的半导体激光器封装形式之,对COS进行全功能的测试必不可少
2023-04-13 16:28:40

以工艺见长的东芝N沟道功率MOSFET为电源效率赋能

MOSFET是以金属层(M)栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同,MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型,通常又称为N型MOSFET(NMOSFET)和P型MOSFET(PMOSFET)。
2023-04-13 09:40:30691

碳化硅SiC MOSFET:通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管

Toshiba研发出种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成格子花纹(check-pattern embedded SBD),以降低通电
2023-04-11 15:29:18

LTC7001 N沟道MOSFET栅极驱动器参数介绍

LTC7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器,选用高达 135V 的输入电压作业。该器材包括一个担任全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵,因此使其可以无限期地坚持导通。
2023-03-23 09:46:45514

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