英飞凌推出车用全新650V CoolMOS CFDA整合高速本体二极体

　　英飞凌科技股份有限公司扩展其车用功率半导体系列产品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。这是业界首创整合高速本体二极体技术的超接面 MOSFET 解决方案，符合最高的汽车认证标準 AEC-Q101。650V CoolMOS CFDA 专为谐振拓朴所设计，例如混合动力车和电动车的电池充电、DC／DC 转换器和 高强度气体放电灯 （HID）。

　　英飞凌新推出的解决方案结合了快速切换超接面 MOSFET 的所有优点：更出色的轻载效率、降低闸端电荷、降低切换损失、易于建置，以及卓越的可靠性。英飞凌推出的优异解决方案，满足汽车产业应用对能源效率的更高需求：全新 650V CoolMOS CFDA 提供更低的区域特定导通电阻，同时还拥有可轻易控制切换特性，以及最耐用的本体二极体。本体二极体重复性整流的 Qrr 和 Qoss 较低，可以减少切换损耗，并缩短开关延迟时间。

　　英飞凌高压功率转换产品部门主管 Jan-Willem Reynaerts 表示：「英飞凌推出革命性的 CoolMOS™ 技术，在能源效率和功率密度领域成为市场的领导者。650V CoolMOS CFDA 产品让 CoolMOS™ CFD 产品系列更臻完备，为快速成长的汽车电气化立下了全新的效能标準。」

　　快速电流和电压瞬变的完善控制能力，及更为出色的软性换流行为，能够降低电磁干扰 （EMI） 现象，使得此一全新产品系列显着胜出竞争产品。本体二极体在硬式换流时会对电压过衝加以限制，让实作配置及设计时变得更简单。CoolMOS™ CFDA 提供 650V 崩溃电压，亦即其边际安全性比 600V 更高。

　　目前已开始供应 IPW65R150CFDA 样品（650V，150mOhm Rdson，TO247 封装），单位定价为 1.8529 欧元 （以一万个单位为批量）。