JW7109是一款具有可编程导通上升时间的低导通电阻双通道负载开关，且支持较快的上升斜率，以满足快速时序的要求。它包含两个N沟道MOSFET，每个沟道可以提供6A的最大连续电流。每个通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可编程导通上升时间的低导通电阻双通道负载开关。它包含两个N沟道MOSFET，每个沟道可以提供6A的最大连续电流。每个通道可以在0.8V到5.5V的输入电压范围内工作。 每个
2024-03-18 14:36:43
±0.50%和±10%，工作温度范围为-65°C至+150°C。TO-220 封装为需要更多功率、更小封装的客户提供了出色的替代方案。
特征：
1.电气隔离外壳。
2.TO-220 型电源封装。
3.低欧姆值
2024-03-18 08:21:47
MOSFET集成在紧凑的3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3 x 3FS单体封装中，为工业和通信应用的功率转换带来了显著的性能提升。
2024-03-12 10:32:02
93 电子发烧友网站提供《采用1.5mm × 2mm QFN封装的TPS62903 3V 至 17V、高效率和低IQ降压转换器数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-11 09:42:02
0 电子发烧友网站提供《采用1.5mm × 2mm QFN封装的TPS62902 3V 至 17V、高效率和低IQ降压转换器数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-08 13:59:400 电子发烧友网站提供《采用1.5mm×2mm QFN封装的3V至17V、高效率、低IQ降压转换器TPS62901数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-08 13:49:340 如何区别普通电阻和保险电阻？如何检验保险电阻好坏？ 普通电阻和保险电阻是两种不同的电子元件，下面将详细介绍如何区分普通电阻和保险电阻，并说明如何检验保险电阻的好坏。 1. 普通电阻和保险电阻的定义
2024-03-05 15:48:06201 【米尔-瑞萨RZ/G2UL开发板】3.杂项测试
不知道为啥我这板子好多奇奇怪怪的调试信息蹦出来，临时抑制办法
echo 1 4 1 7 > /proc/sys/kernel
2024-02-28 15:25:13
“功率电感和普通电感的区别”这是一个讨论度非常高的话题。功率电感是一种专门为应对高功率应用而被设计出来的一种电感产品，而普通电感则是用于一般的普通电路中。那么，它们之间究竟有哪些区别呢？本篇我们就来
2024-02-27 22:02:070 在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。
2024-02-23 09:38:53343 
“功率电感和普通电感的区别”这是一个讨论度非常高的话题。功率电感是一种专门为应对高功率应用而被设计出来的一种电感产品，而普通电感则是用于一般的普通电路中。那么，它们之间究竟有哪些区别呢？本篇我们就来
2024-02-19 10:30:52156 和限制。它们通常具有较小的尺寸和较低的功率容量。低功率电阻器通常以小型电阻器的形式存在，如普通电阻器、电位器、烧线等。 低功率电阻器的主要特点如下： 1. 高精度：低功率电阻器通常具有高精度的阻值，能够提供稳定的电阻
2024-02-19 09:25:13299 【米尔-瑞萨RZ/G2UL开发板】1.开箱
开箱视频
开箱也许会迟到，但是绝对不会缺席。今天开箱的是米尔-瑞萨 RZ/G2UL 开发板，这是目前笔者接触到的第二款米尔开发板。那么这块板子又会给大家
2024-02-04 23:38:07
碳膜电阻器是将炭在真空高温条件下分解的结晶炭蒸镀沉积在陶瓷骨架上制成的,。这种电阻器的电压稳定性好，造价低，在普通电子产品中应用非常广泛。
2024-01-21 09:58:07136 
主要用于对电路中的浪涌电流进行限制和抑制，以保护其他电子元件不受到电流过大的损害。普通电阻则主要用于电路分压、限流、衰减等基本电阻功能。 2. 结构区别: 抗浪涌电阻通常由金属氧化物电阻体、导体引线和封装材料组成。金属氧化
2024-01-18 16:16:58559 功率MOSFET是一种广泛应用于电力电子转换器的高性能开关器件。它具有高输入阻抗、低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性等特点，因此在各种高压、高频、高效率的电源系统中发挥着重要作用。 结构
2024-01-17 17:24:36294 
开发板简介 MYC-YG2UL核心板及开发板基于RZ/G2UL处理器，通用64位工业MPU
RZ/G2UL是瑞萨一款高性能处理器；
内核Cortex-A55@1.0GHz CPU
2024-01-14 13:25:52
近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316 引脚浮动，输出通常会上升时间为0.4ms。可以使用外部电阻器设置电流限制水平从ISET引脚到接地。内部充电泵驱动功率FET的栅极，允许导通电阻非常低，仅为28mΩ。当输出电流超过电流限制设置器件调节
2023-12-25 18:50:25
用万用表如何检测普通电阻器？ 万用表是一种多功能测量工具，用于测量电流、电压和电阻。它可以用于检测各种类型的电阻器，包括普通电阻器。在本文中，我们将介绍如何使用万用表来检测普通电阻器的详细步骤
2023-12-20 10:46:24669 惠斯通电桥测电阻的基本原理和方法 惠斯通电桥是一种常用的电阻测量工具，广泛应用于实验室和工业控制领域。本文将详细介绍惠斯通电桥的基本原理和方法，并说明其测量电阻的优势和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:392754 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 
AO6801 (VB4290)参数说明：2个P沟道，-20V，-4A，导通电阻75mΩ@4.5V，100mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压-1.2~-2.2V，封装：SOT23-6
2023-12-06 12:01:38
：AO3407适用于功率开关和稳压应用的P沟道MOSFET。其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高效率。优势与适用领域：具有低导通电阻，适用于要求低功率损耗和高效率的领域，如电
2023-12-06 11:52:49
模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统
2023-12-05 17:03:49446 
现代功率MOSFETs的发展趋势是向着更高开关频率和更低导通电阻发展，因此现代的功率MOSFETs相较于10年前的功率MOSFETs
2023-12-04 16:10:051481 
的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电 路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻
2023-11-20 01:30:56189 管理应用的 MRigidCSP™ 封装技术。AOS首颗应用该新型封装技术的12V 共漏极双 N 沟道 MOSFET——AOCR33105E，实现在降低导通电阻的同时提高CSP产品的机械强度。这项新升级
2023-11-13 18:11:28219 
的 SOT-23-5、SOT-23-6 和 TDFN-6 （2mm x 2mm） 封装。
特征
●固定频率1MHz电流模式PWM操作
●可调输出电压高达24V
●自动切换到PSM模式以改善轻负载时的效率
●3V至
2023-11-11 11:49:32
MYC-YG2UL核心板及开发板基于RZ/G2UL处理器，通用64位工业MPURZ/G2UL是瑞萨一款高性能处理器；内核Cortex-A55@1.0GHz CPU、Cortex-M33@200MHz
2023-11-10 11:01:36
高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长，导通电阻急剧增大，电流额定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
型号 2SJ668丝印 VBE2610N品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 38A 导通电阻 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V
2023-10-30 15:13:18
请教大侠们 瑞萨的集成LO芯片8V97051，8V97051 L,8V97051 A
这三款有没有区别？？
2023-10-30 12:36:41
精密电阻和普通电阻的区别 普通电阻能否代替精密电阻？ 电阻是电子工程中一个常见的元件，它被用来控制电流和电压。精密电阻和普通电阻是电阻中的两个主要类别，它们之间的区别在于精度和稳定性。本文将详细介绍
2023-10-29 11:21:55933 瑞萨RX130在时钟频率32MHz时，指令最短执行时间是多少？
2023-10-28 07:01:18
1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 
5mm × 5 mm，28-PinQFN 封装，带外露热传导垫片。该小型封装为无铅产品，引线框架采用 100%雾锡电镀
2023-10-27 09:30:29
电力MOSFET的反向电阻工作区 电力MOSFET在很多电子设备中都有广泛的应用，例如电源、驱动电路、LED控制等。MOSFET是一种基于场效应管的晶体管，其主要功能是根据输入电压控制输出电流。然而
2023-10-26 11:38:19435 STC89C52的直插封装和贴片封装为什么引脚数会不一样，有什么新的功能吗
2023-10-25 07:03:15
MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中，栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121367 众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率
2023-10-18 09:11:42621 
MOSFET也已经发展到了第3代，新推出的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单，可靠性得到进一步的提高。 碳化硅MOSFET的优势 相同功率等级的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，
2023-10-17 23:10:02268 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 稳压，不是本帖的讨论范围，我要探究的，是普通电阻与非线性电阻 对运放状态的影响。
2023-10-10 23:32:52
1、超级结构 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压
2023-10-07 09:57:362772 
MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09:39
钻孔主轴在铝铸件微小孔加工中具有高效性、高精度性、高稳定性和长寿命等优点。使用SycoTec高速电主轴4060ER-S，可实现高精度铝铸件微小孔φ2mm钻孔加工。
2023-09-25 13:33:32410 
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 08:28:24
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 08:09:45
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:47:35
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:08:07
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-15 08:16:35
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:08:54
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 07:55:12
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:55:35
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-15 06:17:30
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-15 06:09:58
波动，起到开关作用的MOSFET需要具备100V的耐压能力。而另一方面，提高耐压意味着与其存在权衡关系的导通电阻也会提高，效率会变差，因此，如何同时兼顾更高耐压和更低导通电阻，是一个很大的挑战。风扇电机通常会使用多个MOSFET进行驱动，为了节
2023-09-14 19:12:41305 
和功率水平。这些快速恢复硅基功率MOSFET的器件适用于工业和汽车应用，提供广泛的封装选项，包括长引线TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封装。
2023-09-08 06:00:53
。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431202 
射频电阻和普通电阻区别 随着科技的不断进步和应用范围的扩大，射频技术在越来越多领域被广泛使用。在射频电路中使用的电阻，被称为射频电阻，而普通电路中使用的电阻，被称为普通电阻。射频电阻和普通电阻之间
2023-09-02 10:25:431207 为了划分所涉及的功率并创建可以承受更多功率的器件，开关、电阻器和 MOSFET 并联连接。
2023-08-29 11:47:48302 
。超结MOSFET兼具高耐压特性和低电阻特性，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。封装特性美浦森S
2023-08-18 08:32:56513 
产品推荐 | TOLL封装MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
贴片电阻10种封装表示法以及对应功率我们在工作的时候，经常会把贴片电阻这些型号尺寸弄错，我们为了让客户更加快速便捷的查询。为此我们将贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸和对应功率制定成表格以便查询。
2023-08-08 14:29:251104 
呢? 1、0402封装 0402封装是目前最小的塑封贴片压敏电阻封装之一，其尺寸仅为1.0mm*0.5mm。由于0402封装尺寸小，因此适用于电子产品中空间有限的场景，如手机、平板电脑等电子产品的电路板上。 2、0603封装 0603封装是目前应用最为广泛的塑
2023-07-31 11:02:31927 解一下米尔瑞萨RZ/G2L开发板的核心板：
MYC-YG2LX核心板采用高密度高速电路板设计，在大小为43mm*45mm的板卡上集成了RZ/G2L、DDR4、eMMC、E2PROM、PMIC电源管理等电路
2023-07-29 00:21:11
。功率MOSFET的漏极之间有一个寄生二极管，当漏极与反向电压连接时，器件连接。功率MOSFET的导通电阻具有正温度系数，有利于并联器件时的均流。
2023-07-04 16:46:37975 
两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部，挖出来的沟槽里面，叫做沟槽型MOSFET。针对两种不同的结构，对其导通电阻的构成进行简单的分析介绍。
2023-06-25 17:19:021448 
收到的米尔瑞萨RZ/G2L开发板上电测试一下SSH登录方式和其它测试！
SSH登录
在使用之前，需要事先连接网络，笔者这里使用的是以太网，事先需要使用串口的登录，然后输入以下命令查看IP地址
2023-06-11 21:47:39
最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS™ 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有
2023-06-06 11:01:361026 
【瑞萨RA MCU创意氛围赛】1. PWM驱动LED以及STLINK下载配置【瑞萨RA MCU创意氛围赛】2. KEIL下串口重定向printf和scanf
前言
OLED是单片机开发中会
2023-05-26 14:06:17
今天刚刚收到米尔瑞萨RZ/G2L开发板，拆开包裹后给人的感觉是惊艳，板卡设计真的很棒，来看看视频做个简单了解吧。
更多板卡可以登录官网了解哦。https://www.myir.cn/
2023-05-22 21:58:13
刚收到米尔瑞萨RZ/G2L开发板打开包装后看到的很大的一块黑色PCB，做工精美的开发板，给人眼前一亮的感觉。
首先来介绍以下这家公司：
深圳市米尔电子有限公司，是一家专注于嵌入式处理器模组设计研发
2023-05-22 21:53:44
实验器材
1、米尔瑞萨RZ/G2L开发板
2、MY-TFT070-K显示屏
实现步骤
1、连接开发板与显示屏，这次配的数据线有点特殊，大家一定要按我这样的接，还有就是线接上以后一定要用万用表量一下
2023-05-22 19:26:15
引言
很高兴能有机会参加【瑞萨RA MCU创意氛围赛】，在以前学习stm32的时候，就是野火的开发板、文档以及视频带我入门的。现在有空体验一下野火的产品——瑞萨系统的 启明4M2 ，主控
2023-05-21 17:02:36
感谢
感谢电子发烧友论坛、感谢米尔电子，把米尔瑞萨RZ/G2L开发板试用话动的机会给了我。最近事情比较多，赶在这个空挡时间完成开箱报告。
开箱
第一次拿到米尔电子的试用机会，简约的包装盒透着电子行业
2023-05-18 19:33:10
。“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参数，但对于普通的MOSFET而言，由于导通电阻与芯片尺寸成反比，
2023-05-17 13:35:02471 
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33:51
增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡，是否栅极电阻越大越好，为什么？请你分析一下增大栅极电阻能消除高平震荡的原因
2023-05-16 14:32:26
感谢
感谢电子发烧友论坛、感谢米尔电子，把米尔瑞萨RZ/G2L开发板试用话动的机会给了我。虽然周五就收到了开发板，但是由于复阳了，为了能及时的完成试用活动，所以今天努力的爬起来完成开箱报告。
开箱
2023-05-14 19:41:46
TOLL（Transistor Outline Leadless）封装的MOSFET，由于其封装形式具有小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点，已经在电动自行车、电动摩托车、锂电保护、通信电源等终端客户得到广泛使用。
2023-05-13 17:38:521981 
新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
功率MOSFET怎样关断？能否用PWM实现？怎样实现？
2023-05-08 16:16:27
、灵活性较差。为此，RT-Thread 联合 瑞萨 推出了全新的 HMI Board 开发模式，取代传统的 HMI + 主控板 硬件，一套硬件即可实现 HMI + IoT + 控制 的全套能力。依托于瑞萨
2023-05-08 08:22:12
ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
香蕉派 BPI-W3采用瑞芯微RK3588开源硬件开发板公开发售
香蕉派BPI-W3 开发板[]()
香蕉派BPI-W3 开发板是由bananapi开源社区最新设计的一款开源硬件开发板，采用瑞芯芯片
2023-04-24 09:29:06
瑞萨RH850 R7F7010693 谁能破解？可以的加我V：13520223020
2023-04-22 14:29:33
并提高可靠性。东芝实验证实，与现有SiC MOSFET相比，这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1]，可将导通电阻[2]（RonA）降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能，降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18
KUU推出超小型SOT-723封装MOSFET，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代MOSFET，这些新低阈值电压MOSFET采用KUU先进的沟槽工艺技术来取得能够和SOT-523等大上许多封装
2023-04-04 16:10:39987 
1 比赛历程总结我是在RA4M2测评活动第一次深入接触瑞萨，瑞萨的产品真的是非常丰富，而且生态也做得非常好，有专业的开发工具，比如e2Studio，Renesas RA Smart
2023-04-02 21:56:47
感言有幸参加瑞萨举办的RA4M2网关设计挑战赛，了解了瑞萨RA系列单片机布局，工具链支持等。因为工具链的完美支持，RA4M2作品开发起来事半功倍，用户可以只专注于功能逻辑的开发而不需要了解底层硬件
2023-03-31 16:07:32
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