Diodes 公司推出一款符合汽车规格* 的新型线性 LED 驱动器，让用户能独立控制三个通道的亮度和色彩。
2024-03-12 14:38:31
640 【2024 年 03月 11日美國德州普拉諾訊】 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出一款符合汽車規格* 的新型線性 LED 驅動器，讓使用者能獨立控制三個通道的亮度
2024-03-12 14:30:46195 
意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08353 
Diodes公司近日宣布推出三款符合汽车标准的新型双通道高侧电源开关，分别为ZXMS82090S14PQ、ZXMS82120S14PQ和ZXMS82180S14PQ。这些新品进一步丰富了其IntelliFET自我保护型MOSFET产品组合，为汽车行业带来了更强大的电源管理解决方案。
2024-02-03 11:03:25347 【 2024 年 1 月 31 日美国德州普拉诺讯】 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出首款符合汽车标准的双通道高侧电源开关 — ZXMS82090S14PQ
2024-02-01 18:01:201090 
漏极外接二极管（Drain-Source Diode，简称D-S二极管）在MOSFET电路中起到了重要的作用，本文将介绍MOSFET源极和漏极之间的区别。 首先，让我们一起了解一下MOSFET
2024-01-31 13:39:45300 真我Note50发布 搭载紫光展锐T612芯片组 日前真我手机首款Note系列机型真我Note 50正式发布，真我Note50售价是3599菲律宾比索，约合人民币459元。值得我们肯定的是，真我
2024-01-25 17:31:49237 根据签署的协议，国芯科技的一级总代文芯科技与代理经销商诺信微签订了共计50万颗芯片的销售合同，其中包括CCFC3008PTT64B2和CCFC3008PTT64B4两种IC芯片各25万颗。这批产品当前正在由诺信微进行采购与销售活动。
2024-01-23 11:35:21329 请问一下ADP1850/ADP1851 外部的DL/DH MOSFET为什么需要各摆2颗MOSFET,主要用途为何?为什么需要DL/DH需要各摆2颗?就以ADP1850的BSC0902NS
2024-01-09 07:33:10
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 将 AH371xQ 系列高电压霍尔效应锁存器加入产品组合。
2024-01-05 13:52:22334 目前在使用上发现三例功率MOSFET（SIR442DP） Q5损坏且芯片EXTVCC管脚与GND短路
损坏后的MOSFET呈以下特性
：1、用万用表二极管档测量：VDD-S 为无穷大，VDS-D
2024-01-05 07:30:21
研究人员首次在标准芯片上放置光子滤波器和调制器 来源：Spectrum IEEE 悉尼大学纳米研究所的Alvaro Casas Bedoya（手持新型光子芯片）和Ben Eggleton。 悉尼大学
2023-12-28 16:11:03206 近日，“芯向亦庄”汽车芯片大赛在北京圆满落幕，此次大赛吸引了来自全国各地的优秀汽车芯片企业参加。经过激烈的角逐，睿创微纳凭借着卓越的技术实力和市场表现，最终荣膺“芯向亦庄·2023汽车芯片50强”。
2023-12-28 15:19:20323 在北京市举办的“芯向亦庄”汽车芯片大赛中，瑞芯微的RK3588M旗舰级车规芯片凭借其卓越的性能和高度的市场认可度，荣获了“2023汽车芯片50强”的荣誉。这无疑是对瑞芯微在汽车芯片领域的技术实力和市场影响力的肯定。
2023-12-28 15:14:12392 SiC具有高效节能、稳定性好、工作频率高、能量密度高等优势，SiC沟槽MOSFET（UMOSFET）具有高温工作能力、低开关损耗、低导通损耗、快速开关速度等特点
2023-12-27 09:34:56466 
SIC MOSFET在电路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅场效应晶体管）是一种新型的功率晶体管，具有较高的开关速度和功率密度，广泛应用于多种电路中。 首先，让我们简要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686 碳化硅MOSFET在高频开关电路中的应用优势 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件，具有在高频开关电路中广泛应用的多个优势。 1. 高温特性： 碳化硅MOSFET具有极低的本征载流子浓度
2023-12-21 10:51:03356 MOSFET的并联使用
2023-12-19 09:40:33308 
IBM 的新型模拟内存芯片证明了 AI 操作的性能和能源效率都是可能的。
2023-12-18 10:09:30268 帝奥微DIA57100荣登“2023汽车芯片50强”榜单 日前由北京市科学技术委员会、北京市经济和信息化局指导，北京经济技术开发主办，盖世汽车承办的“芯”向亦庄--2023汽车芯片产业大会在北京圆满
2023-12-17 17:28:481039 
目前想设计一个关于MOSFET的DG极驱动方案，存在问题为MOSFET可以正常开通，但无法关断，带负载时GS极始终存在4V电压无法关断MOSFET 。
电路图如下：
空载时，GS极两端电压：
是可以
2023-12-17 11:22:00
【科普小贴士】MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:16410 
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承诺短路能力，有少数在数据手册上标明短路能力的几家，也通常把短路耐受时间（SCWT：short circuit withstand time）限制在3us内。
2023-12-13 11:40:56890 
恩智浦的 电池管理芯片DNB1168 (应用于新能源汽车BMS系统) 凭卓越的性能及高市场认可度 荣获 “芯向亦庄”2023汽车芯片50强! 2023“芯向亦庄”汽车芯片大赛，此次大赛有近百家企业入围，约数十万行业人士关注，由北京市科学技术委员会、北京市经济和信息化局
2023-12-11 15:06:54263 
在刚刚结束的“芯向亦庄”汽车芯片大赛上，Melexis凭借高性能线性行程磁位置传感器芯片荣获“2023汽车芯片50强”。
2023-12-08 13:59:13250 2023年11月28日，瞻芯电子在北京举办的“芯向亦庄”汽车芯片大赛中脱颖而出，凭借其车规级碳化硅(SiC)MOSFET产品的卓越性能和创新特点，荣获“汽车芯片50强”奖项，展现了瞻芯电子在汽车芯片
2023-12-01 13:41:19241 
2023年11月28日，瞻芯电子在北京举办的“芯向亦庄”汽车芯片大赛中脱颖而出，凭借其车规级碳化硅(SiC)MOSFET产品的卓越性能和创新特点，荣获“汽车芯片50强”奖项，展现了瞻芯电子在汽车芯片领域的技术水平和发展潜力。
2023-12-01 09:56:581018 加拿大蒙特利尔 - 11月27日 - 全球知名的电子元器件分销商富昌电子最近荣获 Diodes 公司颁发的2023年最佳全球分销商奖。 Diodes公司是全球领先的高品质模拟、分立、逻辑和混合信号
2023-11-30 15:52:51131 
原文标题：紫光同芯荣获“2023汽车芯片50强”称号 文章出处：【微信公众号：紫光同芯】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
2023-11-30 14:25:02217 
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出一款低功耗、高性能且符合 MIPI D-PHY 1.2 协议的信号 ReDriver。
2023-11-30 14:04:49370 NEWS奖项：2023汽车芯片50强2023年11月28日，由北京市科学技术委员会、北京市经济和信息化局指导，由北京经开区管委会主办，盖世汽车承办，国家新能源汽车技术创新中心提供支持
2023-11-30 08:15:30558 
MOSFET栅极电路常见的作用有哪些？MOSFET栅极电路电压对电流的影响？ MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种非常重要的电子器件，广泛应用于各种电子电路中。MOSFET的栅极电路
2023-11-29 17:46:40571 热 烈 祝 贺 捷报频传 再获佳绩 扬杰科技荣获“2023汽车芯片50强” 捷报频传，再获佳绩！2023年11月28日，由北京市科学技术委员会、北京市经济和信息化局指导，由北京经开区管委会主办，盖世
2023-11-29 16:20:01305 
2023年11月28日，“芯向亦庄”汽车芯片大赛颁奖典礼在北京隆重举行，国民技术N32A455车规MCU凭借其高性能、高集成、高可靠、硬件安全等独特优势以及出色的市场表现，成功入选“2023汽车芯片50强”。
2023-11-29 15:07:13524 Diodes的反激电源控制器芯片AP3302，AP3302是一款峰值电流控制，准谐振(QR) PWM控制器，针对高性能，低待机功率和低成本的离线反激变换器进行了优化。在空载或轻载时，IC将进入突发模式，以最大限度地降低待机功耗。设置最小开关频率(约22kHz)以避免可听噪声。
2023-11-23 08:27:01205 
mosfet工作原理 jfet和mosfet的区别 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种现代电子器件，常用于电子电路中的开关和放大器。它的工作原理与JFET（结型场效应晶体管）有很大
2023-11-22 17:33:301060 管理应用的 MRigidCSP™ 封装技术。AOS首颗应用该新型封装技术的12V 共漏极双 N 沟道 MOSFET——AOCR33105E，实现在降低导通电阻的同时提高CSP产品的机械强度。这项新升级
2023-11-13 18:11:28219 
金氧半场效晶体管（MOSFET）凭借其通用性和广泛用途跻身于最受欢迎的晶体管之列。欧时电子指南将详述这类晶体管的工作机制，并提供关于使用和选择恰当MOSFET类型的实用建议。
2023-10-26 10:36:16481 
Littelfuse宣布推出首款汽车级PolarP P通道功率MOSFET产品 IXTY2P50PA。这个创新的产品设计能满足汽车应用的严苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中，栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121367 美格纳半导体公司 宣布推出两款基于其第8代沟槽MOSFET技术的新型150V MXT MV 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格纳极限沟槽
2023-10-12 17:15:09736 （BCM）下工作，以简化EMI/EMC设计和测试，以满足最新的监管标准。AL1697具有内置MOSFET解决方案，通过消除辅助绕组和外部高压MOSFET的需要，降低了材料清单（BOM）成本。AL1697
2023-10-12 15:09:18
的隔离电源。
VPS8702内部集成两个N沟道功率MOSFET和两个P沟道功率MOSFET，并组成桥式连接方式。芯片内部集成振荡器提供一对高精度互补信号，能有效确保两路功率MOSFET驱动的高度对称性
2023-10-12 10:23:07
1~~2W的隔离电源。
VPS8701B内部集成两个N沟道功率MOSFET和两个P沟道功率MOSFET，并组成桥式连接方式。芯片内部集成振荡器提供一对高精度互补信号，能有效确保两路功率MOSFET驱动
2023-10-12 10:04:51
、输出功率1~2W的隔离电源。
VPS6501芯片内部集成振荡器，提供一对高精度互补信号以驱动两个N沟道MOSFET。芯片内部按照对称结构设计，能有效确保两个功率MOSFET的高度对称性，避免电路在工作过程发生偏磁。芯片内部设计有高精度的死区控制电路确保在各种工作条件下不出现共通现象。
2023-10-12 09:52:32
、输出功率1~~3W的隔离电源。
VPS8505芯片内部集成振荡器，提供一对高精度互补信号以驱动两个N沟道MOSFET。芯片内部按照对称结构设计，能有效确保两个功率MOSFET的高度对称性，避免电路在
2023-10-12 09:49:26
、输出功率13W的隔离电源。
VPS8504C内部集成振荡器，提供一对高精度互补信号以驱动两个N沟道MOSFET。芯片内部按照对称结构设计，能有效确保两个功率MOSFET的高度对称性，避免电路在工作
2023-10-12 09:43:02
输出、输出功率1~~3W的隔离电源。
VPS8504B内部集成振荡器，提供一对高精度互补信号以驱动两个N沟道MOSFET。芯片内部按照对称结构设计，能有效确保两个功率MOSFET的高度对称性，避免电路在
2023-10-12 09:30:19
本帖最后由 hzeeng 于 2023-12-1 00:40 编辑
Si3262是一款高度集成的低功耗SOC芯片，其集成了基于RISC-V核的低功耗MCU和工作在13.56MHz的非接触式
2023-10-08 16:01:27
BW3598-50B1 是一款高度集成的模块，支持 2T2R 802.11 a/b/g/n/ac，带有无线局域网 (WLAN) SDIO3.0 接口控制器和蓝牙 5.2 HS-UART 接口控制器
2023-09-28 10:26:05663 在过去的十几年中，大功率场效应管引发了电源工业的革命，而且大大地促进了电子工业的发展。由于MOSFET管具有更快的开关速度,电源开关频率可以做得更高,可以从50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
电子发烧友网站提供《BUK4D50-30P P沟道沟槽式MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-27 11:35:37
0 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出一款适用于各种车用 LED 产品应用的升压/单端初级电感转换器 (SEPIC) 控制器。
2023-09-26 14:13:26586 这个50瓦音频放大器电路电子项目使用TDA7850集成电路设计，这是一种非常简单的AB类功率放大器，采用MOSFET技术设计，仅使用很少的外部元件。
50 瓦音频放大器电路通常必须由 14.4 伏
2023-09-08 17:05:37
MOSFET处于导通状态下的阻抗。导通阻抗越大，则开启状态时的损耗越大。因此，要尽量减小MOSFET的导通阻抗。
2023-09-06 10:47:40590 
为何华为P50系列采用5G芯片却是4G手机？ 随着5G时代的到来，越来越多的手机在设计中采用了5G芯片，华为P50系列作为华为旗下的新品，也使用了5G芯片。但是，却引起了许多人的疑惑，为何华为
2023-09-01 16:12:462543 功率半导体自20世纪50年代开始发展起来，至今形成以二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等为代表的多世代产品体系。新技术、新产品的诞生拓宽了原有产品和技术的应用范围，适应更多终端产品的需求，MOSFET同样衍生出GaN，SiC新型材料的产品去覆盖更高功率密度、更高电压、以及高开关速度的应用场景。
2023-08-31 14:14:071044 
**华为p50搭载的是高通骁龙888 4G芯片，** 高通骁龙888 4G芯片基于三星5nm制程工艺，集成了一个2.84GHz的全新ARM Cortex-X1超大核，三个2.4GH在A78中核，四个1.8GHz A55小核。GPU是Adreno 660性能提升了35%。
2023-08-31 10:06:412252 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:10600 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-22 11:03:21557 
全志A40和A50的区别 全志是一家致力于开发和销售中小尺寸智能多媒体芯片的公司，其在市场上推出了众多的芯片产品，其中包括全志A40和A50。这两款处理器都是基于ARM Cortex-A7架构
2023-08-16 11:16:191413 碳化硅（SiC）技术的新兴机遇是无限的。只要需要高度可靠的电源系统，SiC MOSFET就能为许多行业的许多不同应用提供高效率，包括那些必须在恶劣环境中运行的应用。
2023-08-16 10:28:21656 50瓦Mosfet放大器的第一级是基于晶体管Q1和Q2的差分放大器。电容器 C8 是直流输入去耦，C1 R1 限制输入电流，并且电容器旁路不需要的高频。第二级由导频相晶体管Q3和Q4组成。输出级是基于MOSFET IRF9530和IRF530的互补推挽级。
2023-08-11 17:44:50978 
随着国内对碳化硅技术的日益重视和不断加大的研发投入，国内碳化硅MOSFET芯片设计的水平逐步提升，研究和应用领域也在不断扩展。
2023-08-10 18:17:49853 
对于SiC功率MOSFET技术，报告指出，650-1700V SiC MOSFET技术快速迭代，单芯片电流可达200A。提升电流密度同时，解决好特有可靠性问题是提高技术成熟度关键。
2023-08-08 11:05:57428 据供应链消息，英伟达特供的A800和H800芯片已经从原来的12万人民币左右，涨至了25万甚至30万，甚至有高达50万一片。
2023-08-01 11:38:14893 碳化硅(SiC)技术的新兴机遇是无限的。只要需要高度可靠的电源系统，SiC MOSFET就能为许多行业的许多不同应用提供高效率，包括那些必须在恶劣环境下运行的应用。
2023-07-21 11:42:14623 MOSFET是电路中非常常见的元件，常用于信号开关、功率开关、电平转换等各种用途。由于MOSFET的型号众多，应用面广，本文将详细介绍MOSFET选型原则以及mosfet选型要考虑的因素。
2023-07-20 16:33:44734 DMWSH120H28SM4Q 可在最高 1200VDS、+15/-4Vgs 的条件下运作，且在 15Vgs 时具有较低的 20mΩ (典型值) RDS(ON)。此MOSFET 适用于其他 EV
2023-07-20 15:43:45374 7月5日，荣耀重磅发布了荣耀X50暨全场景新品，其中荣耀X50主屏幕搭载了集创北方OLED显示驱动芯片ICNA3512。
2023-07-19 16:02:16834 京微齐力的新型加速芯片是将FPGA、CPU、AI等多种异构计算单元集成在同一个芯片上，采用了领域自适应与逻辑可重构的计算模式，具有“软件可编程、硬件可重构”的特性。
2023-07-12 09:56:49442 シリコン NチャネルMOSFET シリーズ 電力スイッチング
2023-07-07 19:38:430 三菱电机集团近日（2023年6月1日）宣布，其开发出一种集成SBD的SiC-MOSFET新型结构，并已将其应用于3.3kV全SiC功率模块——FMF800DC-66BEW，适用于铁路、电力系统等大型
2023-06-09 11:20:09365 
当前量产主流SiC MOSFET芯片元胞结构有两大类，是按照栅极沟道的形状来区分的，平面型和沟槽型。
2023-06-07 10:32:074304 
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件，其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 MOSFET的种类有哪些 1. Enhancement MOSFET（增强型MOSFET） 2. Depletion MOSFET（耗尽型MOSFET） 3. MOSFET
2023-06-02 14:15:36937 这篇文章解释了一种高度稳压的 DIY 实验室级电源，具有双 0-50 伏电压。电压和电流范围分别在 0 至 50 V 和 0 至 5
安培之间独立变化。
2023-05-26 17:11:56494 
MOSFET(MOS管)中的“开关”时间可以改变电压吗？
2023-05-16 14:26:16
天线发出的电波向下传输到地面，并被地面垂直反射回去，在向上传播回天线的过程中，会产生一个感应电压。由该感应电压导致的感应电流的相位和幅度取决于天线与反射面之间的高度。
天线中总的电流由两个
2023-05-15 17:19:59
Diodes 公司（Diodes） （Nasdaq：DIOD） 宣布推出同步降压转换器产品组合的新产品。AP62500和AP62800 的连续输出电流额定值分别为5A 和8A，让工程师在开发针对效率或尺寸进行优化的负载点（POL） 解决方案时，更具弹性。
2023-05-15 16:11:29556 该 50 W Mosfet 放大器电路包括一个由 Q1 和 Q2 组成的差分放大器。用作去耦电容C8，以便不超过直流电压。而C1和R1将去除不需要的高频。
2023-05-13 17:31:391953 
功率MOSFET怎样关断？能否用PWM实现？怎样实现？
2023-05-08 16:16:27
我正在尝试使用 ESP-01 驱动 MOSFET 来控制 12V 电源。附上原理图。这是我的简单代码 -
代码：全选#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288 
沟槽栅结构是一种改进的技术，指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小，与平面栅相比，沟槽栅MOSFET消除了JFET区
2023-04-27 11:55:023035 
MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18
Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
2023-04-13 16:30:16215 近日，兆元光电在企查查披露了“一种可导热的MiniLED芯片”的新型实用专利申请现状。
2023-04-01 14:20:491381 您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片内部使用的 MOSFET 的 IV 特性，该 MOSFET 开关用于数据输出链中的反向散射。有人可以提供这些数据吗？非常感谢~
2023-03-31 07:53:20
为什么60hz的整流器比50hz的有时候在线圈匝数上要少呢？是什么原因呢？
2023-03-24 10:13:44
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