无人机在无刷电机MOS管上的应用，推荐瑞森半导体低压MOS-SGT系列，具有极低导通电阻，低损耗，高雪崩耐量，高效率，满足不同方案需求的选型。
2024-03-21 10:47:53
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无人机在无刷电机MOS管上的应用，推荐瑞森半导体低压MOS-SGT系列，具有极低导通电阻，低损耗，高雪崩耐量，高效率，满足不同方案需求的选型。
2024-03-21 10:20:5845 
JW7109是一款具有可编程导通上升时间的低导通电阻双通道负载开关，且支持较快的上升斜率，以满足快速时序的要求。它包含两个N沟道MOSFET，每个沟道可以提供6A的最大连续电流。每个通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可编程导通上升时间的低导通电阻双通道负载开关。它包含两个N沟道MOSFET，每个沟道可以提供6A的最大连续电流。每个通道可以在0.8V到5.5V的输入电压范围内工作。 每个
2024-03-18 14:36:43
JW7106是一款具有可编程导通上升时间的低25毫欧电阻单通道负载开关。它包含n沟道MOSFET，可以提供6A的最大连续电流。JW7106可以在0.8V到5.5V的输入电压范围内工作。 在
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，根据(2-27)式可绘制关系曲线，如图2-14所示。
可见，当fCR.≤0,1时，R;IR与频率无关，并日R，R.;当/GRD0,1时，R;将随频率的增高而逐渐减小。
2.低阻值情况
低阻值电阻器，R
2024-03-15 07:46:12
。这些电阻器体积小，成本低，而且数量大，在混合电路和集成电路中尤为重要，因为电阻器可以印刷在基板上，省去了电路板加载和焊接步骤，同时也很大程度上提高了散热，提升了功率和性能。
标准元件使用镍/锡端接
2024-03-15 07:17:56
和安装片分开。
EAK模压TO-247厚膜功率电阻器
这种结构提供了非常低的热阻，同时确保了端子和金属背板之间的高绝缘电阻。因此，这些电阻器具有非常低的电感，使其成为高频和高速脉冲应用。
电阻
2024-03-15 07:11:45
物置的电阻温度系数(a)的定义由下式表出:
a =(R,-R)/Rt。
式中R，R。分別为該物質在:C和0℃时的阻值，0℃C创冰融化时的温度。大多种金腐的a值为0.0038/C并且是正的。
如一物質
2024-03-14 07:30:45
一个电阻器除了电阻值外，由于它精构上的原因。必然存在一定的电容量和电威量。电阻器的里的等效电路如3.15所示。
R是电阻器的阻值，C是沿整个电阻体的分布电容量的总和。乙是导越电感，它包括电阻結构所
2024-03-12 07:49:06
如何区别普通电阻和保险电阻？如何检验保险电阻好坏？ 普通电阻和保险电阻是两种不同的电子元件，下面将详细介绍如何区分普通电阻和保险电阻，并说明如何检验保险电阻的好坏。 1. 普通电阻和保险电阻的定义
2024-03-05 15:48:06201 总体描述:CS25N50F A9R硅n通道增强型VDMOSFET是由平面自对准技术获得的降低导通损耗，提高开关性能性能和增强雪崩能量。晶体管可用于各种功率开关电路的系统小型化，效率更高。包裹表格
2024-03-01 10:49:29
罗德与施瓦茨 NRX 功率计的规格包括： 罗德与施瓦茨R&S NRX 功率计是一款高性能的功率测量仪器，广泛应用于通信、雷达、电子战和射频微波等领域。这款功率计采用了最先进的技术
2024-03-01 08:41:04
“功率电感和普通电感的区别”这是一个讨论度非常高的话题。功率电感是一种专门为应对高功率应用而被设计出来的一种电感产品，而普通电感则是用于一般的普通电路中。那么，它们之间究竟有哪些区别呢？本篇我们就来
2024-02-27 22:02:07
0 “功率电感和普通电感的区别”这是一个讨论度非常高的话题。功率电感是一种专门为应对高功率应用而被设计出来的一种电感产品，而普通电感则是用于一般的普通电路中。那么，它们之间究竟有哪些区别呢？本篇我们就来
2024-02-19 10:30:52156 和限制。它们通常具有较小的尺寸和较低的功率容量。低功率电阻器通常以小型电阻器的形式存在，如普通电阻器、电位器、烧线等。 低功率电阻器的主要特点如下： 1. 高精度：低功率电阻器通常具有高精度的阻值，能够提供稳定的电阻
2024-02-19 09:25:13299 5050灯珠与5730灯珠区别 5050灯珠与5730灯珠是两种常见的LED灯珠规格，它们在尺寸、亮度、功耗等方面有很多不同之处。本文将详细介绍5050灯珠与5730灯珠的区别。 首先，我们可以
2024-01-31 15:24:54728 MOS管导通电流能否反着流？MOS管体二极管能过多大的电流？ MOS管是一种主要用于电子设备中的半导体器件。它是一种特殊的场效应晶体管，具有晶体管的放大功能和二极管的保护功能。在正常工作状态下
2024-01-23 13:52:55544 MOS 门控晶闸管 ( MOS Controlled Thyristor, MCT）是结合双极功率晶体管和MOS 功率晶体管于一体的功率器件，主要利用两个 MOS 栅极来控制晶闸管的导通电流以获得较好的关断特性。
2024-01-22 14:02:42266 
碳膜电阻器是将炭在真空高温条件下分解的结晶炭蒸镀沉积在陶瓷骨架上制成的,。这种电阻器的电压稳定性好，造价低，在普通电子产品中应用非常广泛。
2024-01-21 09:58:07136 
抗浪涌电阻和普通电阻的区别 抗浪涌电阻和普通电阻虽然都属于电阻器件，但在功能、结构和特性方面有很大的区别。本文将详尽、详实、细致地从多个方面对这两种电阻进行比较分析。 1. 功能区别: 抗浪涌电阻
2024-01-18 16:16:58559 舞台灯电源的PFC与LLC线路，推荐使用多层外延超结MOS系列，具有低导通电阻，提升功率密度，有效降低电源电路开关损耗，提高整个电源系统的效率
2024-01-17 17:31:28126 
舞台灯电源的PFC与LLC线路，推荐使用多层外延超结MOS系列，具有低导通电阻，提升功率密度，有效降低电源电路开关损耗，提高整个电源系统的效率
2024-01-17 17:09:45150 
通，请教一下，为什么Q1会在上电瞬间导通一下？而且这样接入一段时间后，也会突然导通一下，感觉是MOS管故障
2024-01-10 15:46:04
应用领域具有很大的潜力。 以下是一些常见的氮化镓MOS管型号： EPC2001：EPC2001是一种高性能非晶硅氮化镓MOS管，具有低导通电阻、高开关速度和优秀的热特性。它适用于电源转换器、锂电池充电器和无线充电应用等领域。 EPC601：EPC601是一种低电阻非晶硅氮化镓
2024-01-10 09:32:15362 氮化镓MOS管（GaN MOSFET）是一种基于氮化镓材料的金属氧化物半导体场效应管。它结合了氮化镓的高电子迁移率和MOS管的优良特性，具有高速开关速度、低导通电阻、高温工作能力等优点，广泛应用
2024-01-10 09:30:59366 氮化镓（GaN）MOS管是一种新型的功率器件，它具有高电压、高开关速度和低导通电阻等优点，逐渐被广泛应用于功率电子领域。为了充分发挥氮化镓MOS管的优势，合理的驱动方法是至关重要的。本文将介绍氮化
2024-01-10 09:29:02412 使用LTC4013充电，输入24V，5A充电，没有使用MPPT功能，输出接12V铅蓄电池。
目前现象是可以产生5A电流充电，但Vinfet比Vdcin小，导致MOS管没有进行低阻抗导通，比较热，请问有关INFET管脚正常工作的设置条件（电路按照应用电路设计）
2024-01-05 07:24:28
近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316 Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常见的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。在实际应用中，我们需要了解MOS管的型号和功率参数，以便选择合适的MOS管。本文将介绍如何查看
2023-12-28 16:01:421919 用万用表如何检测普通电阻器？ 万用表是一种多功能测量工具，用于测量电流、电压和电阻。它可以用于检测各种类型的电阻器，包括普通电阻器。在本文中，我们将介绍如何使用万用表来检测普通电阻器的详细步骤
2023-12-20 10:46:24669
ad7699评估板电路图 ADC BUFFERS中 R46的作用是什么，R53与C58的作用是低通滤波吗
ad7699评估板电路图EXTERNAL REFERENCE OPTIONS中R26、C38、R28的作用是什么
2023-12-18 07:45:10
1.5V左右），在输入通道接地的情况下，输出高字节的最低位都会出现1，希望能够提供帮助？！
图纸如下：其中R20去掉，R19焊接0R，C39/C40焊接零欧电阻，C35/C36/C37/C38使用0R电阻
2023-12-18 06:32:01
惠斯通电桥测电阻的基本原理和方法 惠斯通电桥是一种常用的电阻测量工具，广泛应用于实验室和工业控制领域。本文将详细介绍惠斯通电桥的基本原理和方法，并说明其测量电阻的优势和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:392754 来满足其特殊的要求。 GaN MOS管具有较大的开关速度和较低的导通电阻，使其能够高效地工作于高频和高功率条件下。这使得它们在许多领域中得到广泛应用，例如电力转换器、无线通信、雷达系统等。 然而，由于GaN MOS管的工作特性较为特殊，普通的驱动芯片往
2023-11-22 16:27:58854 直流电源MOS管GS之间的电阻有什么用呢？ 直流电源MOS管的GS之间的电阻在电路中发挥着重要的作用。GS电阻可以被视为是MOS管的输入阻抗，可以影响电路的整体性能。下面将详细讨论GS电阻的功能
2023-11-16 14:33:391023 这个MOS管在这里的作用是什么？是不是刚上电，MOS管是导通的，C115和R255是充电嘛？到上电稳压后MOS就不导通了嘛？
2023-11-11 11:32:45
功率MOS管为什么会烧？原因分析 功率MOS管，作为半导体器件的一种，被广泛应用于电源、变频器、马达驱动等领域。但在使用中，我们有时会发现功率MOS管会出现烧毁的情况。那么，功率MOS
2023-10-29 16:23:501018 精密电阻和普通电阻的区别 普通电阻能否代替精密电阻？ 电阻是电子工程中一个常见的元件，它被用来控制电流和电压。精密电阻和普通电阻是电阻中的两个主要类别，它们之间的区别在于精度和稳定性。本文将详细介绍
2023-10-29 11:21:55933 烧坏，所以要加一个上拉或者下拉电阻，就是给我们这个GS间的寄生电容提供一个放电的路径。这样MOS管断电就会是一个稳定的关闭状态。
2023-10-21 10:38:16998 
AW35321QNR是艾为电子推出的双通道单刀双掷模拟开关。0.5Ω（典型值）超低导通电阻以及只需要单电源供电即可支持负摆幅信号的特性使其非常适合应用于音频领域。
2023-10-18 09:21:40786 
稳压，不是本帖的讨论范围，我要探究的，是普通电阻与非线性电阻 对运放状态的影响。
2023-10-10 23:32:52
1、超级结构 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压
2023-10-07 09:57:362772 
为什么电阻、MOS管的单位cell要做成偶数个？ 电阻和MOS管是电子电路设计中经常使用的基本元件之一，而它们的单位cell通常都需要设计成偶数个。这样的设计并非是偶然的，而是有其合理的原因。在本文
2023-09-20 16:23:38336 DMT10H9M9LCT 产品简介DIODES 的 DMT10H9M9LCT 这款新一代 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关的特点，非常适合高效电源管理应用。 产品规格
2023-09-18 13:29:11
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 08:28:22
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 08:09:45
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-18 07:44:11
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-18 07:42:05
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SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-18 06:56:21
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:28:58
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-15 08:16:35
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superp&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-15 08:12:36
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:08:54
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 07:55:12
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-15 07:17:57
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-15 07:12:49
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-15 07:06:08
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:55:35
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-15 06:17:30
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-15 06:09:58
射频电阻和普通电阻区别 随着科技的不断进步和应用范围的扩大，射频技术在越来越多领域被广泛使用。在射频电路中使用的电阻，被称为射频电阻，而普通电路中使用的电阻，被称为普通电阻。射频电阻和普通电阻之间
2023-09-02 10:25:431207 MOS管具有三个内在的寄生电容：Cgs、Cgd、Cds。这一点在MOS管的规格书中可以体现（规格书常用Ciss、Coss、Crss这三个参数代替）。MOS管之所以存在米勒效应，以及ＧＳ之间要并电阻
2023-08-26 08:12:55915 
管型号大全，供读者参考。 1. IRF510: 这是一款N沟道MOS场效应管，主要应用于低电压、低功率的开关电源中。其最大漏极电压为100V，最大漏电流为5.6A，可靠性高、性价比较高。 2. IRF540: 这也是一款N沟道MOS管，具有较高的开关速度和较低的导通电阻，适用于
2023-08-18 14:35:337571 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。MOS管导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
2023-08-03 09:19:38344 
mos导通电压不等于0，而是输入电压的二分之一，磁化电感电压反而为0了，这是为啥？
2023-07-31 14:30:01
灯珠的一致性和可靠性。5050RGBW灯珠采用品牌芯片，陶瓷基板带 lens 封装结构，具有低热阻、高光效、高可靠性等特点。半功率角度达120° ，还可以无限调光，配色，光线更柔和，调光更均匀，使用时间更长。 1. 高品质： 采用高品质氮化铝陶瓷基板，热阻低
2023-07-17 14:36:25567 
今天学习LED开关电源里面一个细节：MOS管的驱动电阻为啥要并联一个二极管。
2023-07-04 11:03:515763 
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布， 推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
管在导通状态下消耗的功率为I*I*RDS（on）。比如MOS管的导通电阻是100毫欧，负载电流为10A，则MOS管消耗的功率高达10W。
2023-06-26 17:26:231579 
对于小功率电源（50W以内）MOS管的驱动电路设计相对简单，只需要一个驱动电阻Rg即可对MOS管进行驱动。此时的驱动开通电阻和关断电阻阻值一致。
2023-06-19 10:41:332170 
MOS的参数选择以及导通速度的计算
根据MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的导通速度，这个方法对不对？
有没有相近的NMOS推荐！VDS≥60V，ID≥15A，导通内阻≤20m
2023-06-03 09:35:35
电压，增加Cgs的充电时间，从而降低上MOS管导通时的电压电流的变化率和SW波尖峰。
图注：自举电阻为0Ω时，SW的测试波形
将电阻增大到45Ω时，可以明显看出自举电阻越大，SW波上升斜率越小，同时SW的尖峰越小，验证了前面的结论。
图注：电阻增大到45Ω时，SW的测试波形
2023-05-22 12:54:42
。“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参数，但对于普通的MOSFET而言，由于导通电阻与芯片尺寸成反比，
2023-05-17 13:35:02471 
在开关电源里MOS导通时D—S之间的电压为什么接近于0呢？
2023-05-16 14:29:20
9 至 16 dB，输入功率为 1 至 10 W，幅度平衡为 ±0.25 至 ±1 dB。标签：带连接器的模块，Wilkinson 功率分配器。PD4-0R53
2023-05-15 17:22:57
Marki Microwave 的 PD-0R510 是一款功率分配器，频率为 500 MHz 至 10 GHz，插入损耗为 0.9 至 1.8 dB
2023-05-15 17:16:33
Marki Microwave 的 C09-0R426 是一种定向耦合器，频率为 450 MHz 至 26.5 GHz，耦合 9 dB，方向性 12
2023-05-12 11:47:38
Marki Microwave 的 C09-0R412 是一种定向耦合器，频率为 450 MHz 至 12 GHz，耦合 9 dB，方向性 15 至
2023-05-12 11:45:58
Marki Microwave 的 C09-0R418 是一种定向耦合器，频率为 450 MHz 至 18 GHz，耦合 9 dB，方向性 15 至
2023-05-11 17:42:52
Marki Microwave 的 C09-0R430 是一种定向耦合器，频率为 450 MHz 至 30 GHz，耦合 9 dB，幅度
2023-05-11 16:52:27
新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
保险电阻在正常情况下具有普通电阻的功能，一旦电路出现故障，超过其额定功率时，它会在规定时间内断开电路，从而达到保护其它元器件的作用。保险电阻分为不可修复型和可修复型两种。
2023-05-09 15:12:28405 MOS管具有三个内在的寄生电容：Cgs、Cgd、Cds。这一点在MOS管的规格书中可以体现（规格书常用Ciss、Coss、Crss这三个参数代替）。MOS管之所以存在米勒效应，以及ＧＳ之间要并电阻，其源头都在于这三个寄生电容。
2023-05-08 09:08:543211 
额定功率是在额定环境温度中可在连续工作状态下使用的最大功率值。 当贴片电阻器通电后将会发热。此外，由于使用温度的上限是确定的， 因此在高于额定环境温度的条件下使用时，需要按照以下的功率降额曲线来降低
2023-04-30 15:29:001044 
输出电阻rds和互导gm都会受到输出电压vgs的影响，那么在mos场效应管的小信号模型中，输出电阻和互导是否会受到交流信号的影响不断变化？
2023-04-28 14:32:13
并提高可靠性。东芝实验证实，与现有SiC MOSFET相比，这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1]，可将导通电阻[2]（RonA）降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能，降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18
os是电压驱动型器件，只要栅极和源级间给一个适当电压，源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为mos内阻，就是导通电阻<Rds(on)>。
2023-04-08 10:11:381348 硅二极管的死区电压和导通电压分别为多少？反向饱和电流为多少数量级？
2023-03-31 11:45:58
共射放大电路的输出电阻R0为什么不算上负载电阻RL？要考试了 ，求大神帮个小忙！！感激不尽
2023-03-24 10:18:50
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