JW7109是一款具有可编程导通上升时间的低导通电阻双通道负载开关，且支持较快的上升斜率，以满足快速时序的要求。它包含两个N沟道MOSFET，每个沟道可以提供6A的最大连续电流。每个通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可编程导通上升时间的低导通电阻双通道负载开关。它包含两个N沟道MOSFET，每个沟道可以提供6A的最大连续电流。每个通道可以在0.8V到5.5V的输入电压范围内工作。 每个
2024-03-18 14:36:43
全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 在电子元件领域不断创新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正温度系数（PTC）热敏电阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。这款新型热敏电阻以其宽阻值范围、高电压处理能力和高能量吸收能力，为汽车和工业应用中的有源充放电电路带来了显著的性能提升。
2024-03-12 10:34:11105 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 另外，CoolSiC MOSFET产品组合还成功实现了SiC MOSFET市场中的最低导通电阻值（Rdson），这大大提高了能效、功率密度，以及在电力系统中的可靠性，降低了零件使用数量。
2024-03-10 12:32:41502 如何区别普通电阻和保险电阻？如何检验保险电阻好坏？ 普通电阻和保险电阻是两种不同的电子元件，下面将详细介绍如何区分普通电阻和保险电阻，并说明如何检验保险电阻的好坏。 1. 普通电阻和保险电阻的定义
2024-03-05 15:48:06201 Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08353 
碳膜电阻器是将炭在真空高温条件下分解的结晶炭蒸镀沉积在陶瓷骨架上制成的,。这种电阻器的电压稳定性好，造价低，在普通电子产品中应用非常广泛。
2024-01-21 09:58:07136 
抗浪涌电阻和普通电阻的区别 抗浪涌电阻和普通电阻虽然都属于电阻器件，但在功能、结构和特性方面有很大的区别。本文将详尽、详实、细致地从多个方面对这两种电阻进行比较分析。 1. 功能区别: 抗浪涌电阻
2024-01-18 16:16:58559 近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316 用万用表如何检测普通电阻器？ 万用表是一种多功能测量工具，用于测量电流、电压和电阻。它可以用于检测各种类型的电阻器，包括普通电阻器。在本文中，我们将介绍如何使用万用表来检测普通电阻器的详细步骤
2023-12-20 10:46:24669 功耗，走红了全球。
今天给大家分享的是 TI 新一代明星CPU——AM62x，它相比上一代AM335x在工艺、外设、性能等多方面都有很大提升。
这里结合米尔电子的“MYC-YM62X核心板及开发板”给
2023-12-15 18:59:50
惠斯通电桥测电阻的基本原理和方法 惠斯通电桥是一种常用的电阻测量工具，广泛应用于实验室和工业控制领域。本文将详细介绍惠斯通电桥的基本原理和方法，并说明其测量电阻的优势和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:392754 的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电 路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻
2023-11-20 01:30:56189 2023 年 11 月 15 日，位于荷兰奈梅亨 ITEC 的 ADAT3 XF Tagliner 刷新了业内嵌体贴片机的最高速度和最高精度贴装记录。
2023-11-16 16:23:32210 2023年11月15日，位于荷兰奈梅亨ITEC的ADAT3 XF Tagliner刷新了业内嵌体贴片机的最高速度和最高精度贴装记录。 该贴片机每小时可贴装48,000颗产品，而位置精度和旋转精度
2023-11-15 09:24:12530 
电子发烧友网站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源.pdf》资料免费下载
2023-11-13 15:11:29
0 精密电阻和普通电阻的区别 普通电阻能否代替精密电阻？ 电阻是电子工程中一个常见的元件，它被用来控制电流和电压。精密电阻和普通电阻是电阻中的两个主要类别，它们之间的区别在于精度和稳定性。本文将详细介绍
2023-10-29 11:21:55933 电力MOSFET的反向电阻工作区 电力MOSFET在很多电子设备中都有广泛的应用，例如电源、驱动电路、LED控制等。MOSFET是一种基于场效应管的晶体管，其主要功能是根据输入电压控制输出电流。然而
2023-10-26 11:38:19435 MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中，栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121367 稳压，不是本帖的讨论范围，我要探究的，是普通电阻与非线性电阻 对运放状态的影响。
2023-10-10 23:32:52
1、超级结构 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压
2023-10-07 09:57:362772 
ZXMN6A11Z 产品简介DIODES 的 ZXMN6A11Z这款新一代沟槽 MOSFET 具有独特的结构，结合了低导通电阻和快速开关的优点，使其成为高效电源管理应用的理想
2023-09-22 16:56:46
ZXMN6A08G 产品简介DIODES 的 ZXMN6A08G这款新一代沟槽 MOSFET 具有独特的结构，结合了低导通电阻和快速开关的优点，使其成为高效电源管理应用的理想选择
2023-09-22 15:24:32
ZXMN2A01F 产品简介DIODES 的 ZXMN2A01F 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））并且仍然保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理
2023-09-21 19:38:29
DMTH4008LFDFW 产品简介DIODES 的 DMTH4008LFDFW 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））并且仍然保持优异的开关性能，使其
2023-09-19 15:13:45
DMT8008SCT 产品简介DIODES 的 DMT8008SCT 这款新一代 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关的特点，非常适合高效电源管理应用。 产品规格
2023-09-19 09:59:55
DMT6012LFDF 产品简介DIODES 的 DMT6012LFDF 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源
2023-09-18 15:35:51
DMT6010SCT 产品简介DIODES 的 DMT6010SCT 这款新一代 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关的特点，非常适合高效电源管理应用。 产品规格
2023-09-18 15:23:40
DMP4065SK3 产品简介DIODES 的 DMP4065SK3 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理
2023-09-15 10:35:06
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
DMP4013SPS 产品简介DIODES 的 DMP4013SPS 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理
2023-09-14 18:21:50
DMP4011SK3 产品简介DIODES 的 DMP4011SK3 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理
2023-09-14 12:04:06
DMP4006SPSW 产品简介DIODES 的 DMP4006SPSW 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源
2023-09-14 11:27:16
DMP2900UDW 产品简介DIODES 的 DMP2900UDW 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源
2023-09-12 18:02:23
DMP2040UND 产品简介DIODES 的 DMP2040UND 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源
2023-09-12 10:31:43
DMP2035UFCL 产品简介DIODES 的 DMP2035UFCL 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效
2023-09-12 10:08:45
DMP1045UFY4 产品简介DIODES 的 DMP1045UFY4 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(on) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效
2023-09-11 11:43:51
DMP1009UFDF 产品简介DIODES 的 DMP1009UFDF 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））并且仍然保持优异的开关性能，使其成为高效
2023-09-11 10:55:09
DMNH4005SPS 产品简介DIODES 的 DMNH4005SPS 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源
2023-09-11 09:37:09
DMN68M7SCT 产品简介DIODES 的 DMN68M7SCT 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理
2023-09-10 14:08:00
DMN53D0LDW 产品简介DIODES 的 DMN53D0LDW这种新一代MOSFET的设计目的是将导通电阻（RDS（on）），同时保持卓越的切换性能，是高效电源管理的理想选择应用程序
2023-09-10 11:14:24
DMN39M1LK3产品简介DIODES 的 DMN39M1LK3 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想
2023-09-08 11:45:49
DMN3300U 产品简介DIODES 的 DMN3300U 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通电阻（RDS（on）），同时保持卓越的切换性能，是高效电源管理的理想选择
2023-09-08 09:35:58
DMN3061S 产品简介DIODES 的 DMN3061S 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））同时保持优异的开关性能
2023-09-07 12:36:15
DMN3042LFDF 产品简介DIODES 的 DMN3042LFDF 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON）），同时保持卓越的切换性能
2023-09-07 12:26:05
DMN3023L 产品简介DIODES 的 DMN3023L 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON）），同时保持卓越的切换性能，是高效电源管理的理想选择
2023-09-07 10:53:20
DMN3022LFG 产品简介DIODES 的 DMN3022LFG 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））并且仍然保持优异的开关性能，使其成为高效
2023-09-07 10:44:54
，被称为“新一代人造太阳”的“中国环流三号”托卡马克装置，于8月25日首次实现100万安培等离子体电流下的高约束模式运行。这一重大进展再次刷新我国磁约束聚变装置运行纪录，标志着我国磁约束核聚变研究向高性能
2023-09-07 10:39:35
DMN3022LDG 产品简介DIODES 的 DMN3022LDG 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））并且仍然保持优异的开关性能，使其成为高效
2023-09-07 10:38:08
DMN3016LPS 产品简介DIODES 的 DMN3016LPS 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源
2023-09-06 15:14:29
DMN3016LDV 产品简介DIODES 的 DMN3016LDV 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））并且仍然保持优异的开关性能，使其成为高效
2023-09-06 13:55:08
DMN3016LDN 产品简介DIODES 的 DMN3016LDN 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））并且仍然保持优异的开关性能，使其成为高效电源
2023-09-06 13:46:19
DMN3013LDG 产品简介DIODES 的 DMN3013LDG 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））并且仍然保持优异的开关性能，使其成为高效电源
2023-09-06 13:26:03
DMN3010LK3 产品简介DIODES 的 DMN3010LK3 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））并且仍然保持优异的开关性能，使其成为高效电源
2023-09-06 13:14:32
DMN3010LFG 产品简介DIODES 的 DMN3010LFG 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））并且仍然保持优异的开关性能，使其成为高效电源
2023-09-06 13:07:45
DMN3009SK3 产品简介DIODES 的 DMN3009SK3 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））并且仍然保持优异的开关性能，使其成为高效电源
2023-09-06 12:58:53
DMN29M9UFDF 产品简介DIODES 的 DMN29M9UFDF 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源
2023-09-06 12:08:53
DMN2991UDR4 产品简介DIODES 的 DMN2991UDR4 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS ( ON ))，同时保持卓越的开关性能，使其成为
2023-09-05 12:50:06
DMN2710UT 产品简介DIODES 的 DMN2710UT 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理
2023-09-05 10:36:54
STM32U599平衡图显性能与功耗的新一代产品，内容包含： STM32U5x9 的高性能与高阶图形加速器 、STM32U5的矢量图形 、STM32U5x9 的低功耗设计 、LPBAM - sensor hub等。
2023-09-05 07:21:11
DMN2710UDWQ 产品简介DIODES 的 DMN2710UDWQ 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源
2023-09-04 10:55:49
DMN2710UDW 产品简介DIODES 的 DMN2710UDW 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理
2023-09-04 10:42:07
射频电阻和普通电阻区别 随着科技的不断进步和应用范围的扩大，射频技术在越来越多领域被广泛使用。在射频电路中使用的电阻，被称为射频电阻，而普通电路中使用的电阻，被称为普通电阻。射频电阻和普通电阻之间
2023-09-02 10:25:431207 SLH60R028E7是一款600VN沟道多层外延工艺的超结MOS，由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，故在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要
2023-08-18 08:32:56513 
DMN24H11DS 产品简介DIODES 的 DMN24H11DS 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通电阻（RDS（on）），同时保持卓越的切换性能，使其成为高效电源管理的理想选择
2023-07-06 16:27:46
Q A 问： Vishay热敏电阻的计算工具 (阻值-温度表) Vishay 热敏电阻的计算工具为Vishay 的许多 NTC 热敏电 提供了一个电阻-温度表。此免费工具可下载到任何一台
2023-07-05 20:05:09295 
DMN2400UV 产品简介DIODES 的 DMN2400UV 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通电阻（RDS（on）），同时保持卓越的切换性能，使其成为高效电源管理的理想选择
2023-07-02 20:54:17
DMN2310UFD 产品简介DIODES 的 DMN2310UFD 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理
2023-07-02 20:38:54
DMN2020UFCL产品简介 DIODES 的 DMN2020UFCL这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能
2023-06-30 23:20:16
DMN2016LFG产品简介DIODES 的DMN2016LFG这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(on) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想
2023-06-30 16:40:19
DMN2013UFX 产品简介DIODES 的DMN2013UFX 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源
2023-06-30 15:50:09
DMN2011UFDE 产品简介DIODES 的DMN2011UFDE 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效
2023-06-30 12:07:37
DMN15H310SK3 产品简介DIODES 的DMN15H310SK3 这款新一代 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关的特点，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
2023-06-30 10:04:22
DMN14M8UFDF 产品简介DIODES 的DMN14M8UFDF 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源
2023-06-29 23:25:19
DMN10H120SE 产品简介DIODES 的 DMN10H120SE这种新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关，使其成为高效电源管理的理想选择应用程序。 产品规格
2023-06-29 14:43:45
DMN10H099SK3 产品简介DIODES 的 DMN10H099SK3这款新一代互补 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关的特点，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
2023-06-29 14:03:41
DMHT10H032LFJ 产品简介DIODES 的 DMHT10H032LFJ 这款新一代互补 MOSFET H 桥具有低导通电阻，可通过低栅极驱动实现。 产品规格
2023-06-28 23:50:13
DMHC4035LSD产品简介DIODES 的 DMHC4035LSD 这款新一代互补 MOSFET H 桥具有低导通电阻，可通过低栅极驱动实现。 产品规格 品牌
2023-06-28 23:39:06
DMGD7N45SSD 产品简介DIODES 的 DMGD7N45SSD 这款新一代互补 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关的特点，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
2023-06-28 23:14:57
DMG302PU产品简介DIODES 的 DMG302PU 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择
2023-06-27 16:42:50
DMG301NU 产品简介DIODES 的 DMG301NU 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理
2023-06-27 16:35:04
DMC4047LSD 产品简介DIODES 的 DMC4047LSD 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理
2023-06-26 22:26:06
DMC4029SSD 产品简介DIODES 的 DMC4029SSD 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源
2023-06-26 22:18:58
DMC3060LVT 产品简介DIODES 的 DMC3060LVT 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理
2023-06-26 19:25:28
DMC3028LSDX 产品简介DIODES 的 DMC3028LSDX 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源
2023-06-26 19:13:29
两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部，挖出来的沟槽里面，叫做沟槽型MOSFET。针对两种不同的结构，对其导通电阻的构成进行简单的分析介绍。
2023-06-25 17:19:021448 
Vishay VOMDA1271 器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平 Vishay 推出一款业内先进的新型汽车级光电压输出光耦，用于 MOSFET
2023-06-09 10:10:01426 
Vishay VOMDA1271 器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平 Vishay 推出一款业内先进的新型汽车级光伏 MOSFET 驱动器
2023-06-08 19:55:02374 
第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和
2023-05-29 10:16:48
列产品的参考资料，助力您快速了解产品各项信息。 点击下载产品参考资料 与Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎
2023-05-17 13:35:02471 
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33:51
增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡，是否栅极电阻越大越好，为什么？请你分析一下增大栅极电阻能消除高平震荡的原因
2023-05-16 14:32:26
新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电阻
2023-04-11 15:29:18
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