透镜 透明 非对称 粘合剂，螺钉
2024-03-14 23:11:33
透镜 透明 非对称 螺钉
2024-03-14 23:11:32
仅透镜，需固定座 透明 非对称
2024-03-14 23:11:32
透镜 透明 非对称 胶带
2024-03-14 23:11:32
透镜条 白色 非对称 卡入式
2024-03-14 23:11:32
G473使用TIM1非对称模式做移相，用TIM8Combined PWM模式做对角的移相与门输出，为啥占空比对了时序不对？
2024-03-14 07:49:55
为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度 SiC 功率模块的需求，进行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全桥 SiC 功率模块设计与开发，提出了一种基于多叠层直接键合铜单元的功率模块封装方法来并联更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03
376 
近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 为什么三相短路是对称故障？单相短路是非对称故障呢？ 三相短路是对称故障，而单相短路是非对称故障，其根本原因在于电网中的相量关系和电压分布。 首先，对称故障指的是三相之间的关系相同，而非对称故障指的是
2024-02-18 11:41:26341 时导电沟道是低阻状态，加上控制电压沟道电阻逐渐变大。
为使P沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加正向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间加正向电压，以形成漏极电流。N沟道场效应管在不加控制
2024-01-30 11:38:27
的设备提供全面安全防护。采用恒定电流/恒定电压线性控制，与内部P沟道功率MOSFET结合，确保充电过程稳定可靠，杜绝电池损伤风险。
便捷轻松应用：
ZCC1130T设计简洁，只需极少外部元器件，使其
2024-01-08 15:55:16
场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件。根据导电沟道的类型，场效应晶体管可以分为N沟道和P沟道两种类型。本文将对N沟道和P沟道
2023-12-28 15:47:152269 
场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。根据导电沟道的类型，场效应晶体管可以分为n沟道和p沟道两种类型。本文将对n沟道MOS
2023-12-28 15:28:282843 
加密芯片是对内部集成了各类对称与非对称算法，自身具有极高安全等级，可以保证内部存储的密钥和信息数据不会被非法读取与篡改的一类安全芯片的统称。
2023-12-20 09:28:54402 
AD5290的datasheet中有写其供电电压范围：+20 V to +30 V single-supply operation 或者±10 V to ±15 V dual-supply operation，对于双电源供电，我的应用是正电源是12V，负电源是-3V。这样的非对称电源供电是否可以？
2023-12-15 08:19:27
、实现方式和安全性等方面。 一、加密芯片的功能 数据加密：加密芯片采用对称或非对称加密算法，对数据进行加密操作。对称加密算法使用相同的密钥进行加密和解密，而非对称加密算法使用公钥和私钥进行加密和解密。加密芯片可以支持多种加密算法
2023-12-13 15:03:14688 通过非对称有机-无机复合固态电解质的协同效应，改善了不同阴极（LiFePO4和LiNi0.8Mn0.1Co0.1O2）/锂电池的循环稳定性，显著拓宽了电化学稳定窗口（5.3 V）并大大增强了锂枝晶的抑制。
2023-12-10 09:23:42522 
;应用简介：FR3505是一款高功率N沟道MOSFET，适用于高电流、高功率的应用，常见于电机驱动、电源开关和电池管理等领域模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其
2023-12-06 15:31:48
的管理和传递困难。 非对称加密 非对称加密算法使用一对密钥，即公钥和私钥。公钥用于加密，私钥用于解密。常见的非对称加密算法有RSA、DSA、ECC。非对称加密算法的优点是密钥的管理和传递相对容易，缺点是加密解密速度较慢。 哈希加密 哈希加密算法
2023-12-04 15:32:46235 本帖最后由 Tronlong创龙科技 于 2023-12-1 09:36 编辑
“非对称AMP”双系统是什么
AMP(Asymmetric Multi-Processing)，即非对称
2023-12-01 09:35:26
p沟道和n沟道的区别 n沟道和p沟道怎样区分？ 区分p沟道和n沟道的关键在于材料的杂质掺入和本征类型。在材料中掺入不同类型的杂质能够改变材料的导电性质，从而使其成为p沟道或n沟道。 首先，让我们来了
2023-11-23 09:13:422314 USB
电源和适配器电源工作。
由于采用了内部 PMOSFET 架构，加上防倒充电
路，所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热
反馈可对充电电流进行自动调节，以便在大功率操
作或高环境温度条件下
2023-10-27 10:46:26
电流应用，如电源开关和电机驱动。其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高效率和降低功率损耗。适用领域与模块：适用于高电流电源开关、电机驱动和功率放大器等领域模块。
2023-10-26 16:36:04
功率芯片通过封装实现与外部电路的连接，其性能的发挥则依赖着封装的支持，在大功率场合下通常功率芯片会被封装为功率模块进行使用。芯片互连（interconnection）指芯片上表面的电气连接，在传统模块中一般为铝键合线。
2023-10-24 10:52:091783 
DGD0597FUQ 产品简介DIODES 的DGD0597FUQ这是一款高频高侧和低侧栅极驱动器，能够驱动半桥配置中的 N 沟道 MOSFET。浮动高侧驱动器的额定电压高达
2023-10-24 10:45:14
DGD05473FNQ 产品简介DIODES 的DGD05473FNQ这是一款能够驱动 N 沟道 MOSFET 的高频栅极驱动器。浮动高侧驱动器的额定电压高达 50V
2023-10-24 10:17:47
传统的功率模块基本结构分层图来说说其构成：可见，我们前面聊的很多的半导体芯片，只是功率模块中的一部分，除此之外还包括其他的成分。而这些成分的选择和搭配，再结合半导体芯片的特性，将决定功率模块的整体性
2023-10-24 09:45:033032 
在商业应用中利用宽带隙碳化硅（SiC）的独特电气优势需要解决由材料机械性能引起的可靠性挑战。凭借其先进的芯片粘接技术，Vincotech 处于领先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模块可能会
2023-10-23 16:49:36372 
AS7202是一种次级侧同步整流器回程转换器。它集成了超低导通状态电阻45V功率MOSFET，即可替代肖特基二极管的高效率。AS7202支持高侧和低侧应用。AS7202内置高压电源的VDD电容器
2023-10-17 17:53:58
， 电感电流检测单元,电池电压检测电路和内置场效应晶体管驱动电路等，具有外部元件少， 电路简单等优点。
当电池电压低于输入电压或电池短路时,YB5082 在内部N沟道MOSFET和P沟道MOSFET
2023-10-12 15:36:55
的隔离电源。
VPS8702内部集成两个N沟道功率MOSFET和两个P沟道功率MOSFET，并组成桥式连接方式。芯片内部集成振荡器提供一对高精度互补信号，能有效确保两路功率MOSFET驱动的高度对称
2023-10-12 10:23:07
1~~2W的隔离电源。
VPS8701B内部集成两个N沟道功率MOSFET和两个P沟道功率MOSFET，并组成桥式连接方式。芯片内部集成振荡器提供一对高精度互补信号，能有效确保两路功率MOSFET驱动
2023-10-12 10:04:51
、输出功率1~2W的隔离电源。
VPS6501芯片内部集成振荡器，提供一对高精度互补信号以驱动两个N沟道MOSFET。芯片内部按照对称结构设计，能有效确保两个功率MOSFET的高度对称性，避免电路在工作过程发生偏磁。芯片内部设计有高精度的死区控制电路确保在各种工作条件下不出现共通现象。
2023-10-12 09:52:32
、输出功率1~~3W的隔离电源。
VPS8505芯片内部集成振荡器，提供一对高精度互补信号以驱动两个N沟道MOSFET。芯片内部按照对称结构设计，能有效确保两个功率MOSFET的高度对称性，避免电路在
2023-10-12 09:49:26
、输出功率13W的隔离电源。
VPS8504C内部集成振荡器，提供一对高精度互补信号以驱动两个N沟道MOSFET。芯片内部按照对称结构设计，能有效确保两个功率MOSFET的高度对称性，避免电路在工作
2023-10-12 09:43:02
输出、输出功率1~~~3W的隔离电源。
VPS8504N内部集成振荡器，提供一对高精度互补信号以驱动两个N沟道MOSFET。芯片内部按照对称结构设计，能有效确保两个功率MOSFET的高度对称性，避免
2023-10-12 09:38:22
输出、输出功率1~~3W的隔离电源。
VPS8504B内部集成振荡器，提供一对高精度互补信号以驱动两个N沟道MOSFET。芯片内部按照对称结构设计，能有效确保两个功率MOSFET的高度对称性，避免电路在
2023-10-12 09:30:19
功率模块一直是汽车应用中最常见的封装结构之一。传统的IGBT功率模块主要由IGBT芯片，氧化铝覆铜陶瓷基板，封装互连材料，键合线，电连接端子等组成图1传统单面冷却
2023-09-26 08:11:51586 ZXMS81090SPQ 产品简介DIODES 的 ZXMS81090SPQ是一款单通道高侧电源开关，采用 SO-8EP（E 型）裸露散热器封装，具有保护和诊断功能。该器件包括一个单片 n
2023-09-25 13:24:38
N 沟道垂直功率 MOSFET，具有集成温度和电流传感器以及电荷泵栅极电源，并且在关断状态下具有低静态电流。该器件通过输入端的高电平有效 3.3V 和 5V 逻辑
2023-09-25 12:52:36
ZXMS81045SP 产品简介DIODES 的 ZXMS81045SP 是一款单通道高侧电源开关，采用 SO-8EP（E 型）裸露散热器封装，具有保护和诊断功能。该器件包含一个单片 N
2023-09-25 11:20:37
BSP75N 产品简介DIODES 的 BSP75N 自保护低侧 MOSFET。单片过温、过流、过压（有源钳位）和 ESD 保护逻辑电平功能。旨在作为通用开关。 产品规格
2023-09-23 17:58:56
电子发烧友网站提供《P沟道增强模式功率MOSFET G040P04M规格书.pdf》资料免费下载
2023-09-19 17:29:11
0 查看 rtsp 服务是否实时推流
2023-09-18 07:36:13
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
这里先来认识一个新的概念叫 PDU ，PDU 的官方解释是协议数据单元，但是它其实指的就是计算机网络这几层模型里面所描述的数据单元，比如应用层交换的就是应用数据，TCP 层的 PDU 交换的就是段。
2023-09-13 15:58:48226 
“非对称AMP”双系统是什么AMP(AsymmetricMulti-Processing)，即非对称多处理架构。“非对称AMP”双系统是指多个核心相对独立运行不同的操作系统或裸机应用程序
2023-09-13 08:07:11761 
的低SWR通过最小化不匹配不确定性进一步提高了精度。这些传感器还配有双量程电源，对波动信号具有更高的灵敏度。凭借高精度和稳定性，N8485A可帮助您自信、快速地进行测试。
2023-09-12 14:09:03
使用 LM20 双通道高功率放大器可以设计一个非常简单的 2005 瓦安培电路电子项目，旨在为汽车应用提供最佳性能和可靠性。LM2005 20 W安培电路具有高电流能力 （3.5A），使器件能够
2023-09-08 17:08:50
输出侧采用较小尺寸的MOS， 两侧尺寸之比n：1，形成故意失配结构，两侧电流之比也为n：1。
增益由输出侧视入电阻、输入对管跨导确定：此表达式与对称结构完全一致！节省了非输出侧的版图面积以及静态功耗
2023-09-01 13:42:42
mos管p沟道n沟道的区别 MOS管是一种主流的场效应晶体管，分为p沟道MOS管和n沟道MOS管两种类型。这两种MOS管的区别主要在于导电性质、静态特性、输入电容、噪声功率和门极结色散等方面
2023-08-25 15:11:258241 2ED020I06-FI是一款高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有联锁高侧和低侧参考输出。浮动高侧驱动器可以直接供电，也可以通过二极管和电容供电。除了每个驱动器的逻辑输入外
2023-08-24 18:21:45
FD2H001BA/BY/BH 低功率霍尔开关芯片
一般说明
FD2H001B是一种低功率集成霍尔开关，设计用于感知所应用的磁通密度并给出数字输出，这表明了所感知的大小的现状。这些应用的一个例
2023-08-22 13:15:09
（Ta=25°C）：70W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 4A。应用场景：适用于高效率开关电源、电机驱动器和照明应用等，可用于电源因数校正（PFC）电路中
2023-08-21 10:49:56
和 MM
用于低噪声和低波长相关性的InGaAs 检波器
Keysight 81635A 双光功率传感器是对光纤元器件进行精确功率测量的选择。 该模块化双传感器可安装在所有 Keysight 816x
2023-08-10 13:49:18
SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 450 W；48V；3600 – 3700 兆赫GTRA374902FC 是一款 450 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高电子迁移率晶体管
2023-08-02 17:38:32
高功率 RF LDMOS FET 650 W；48V；755 – 805 兆赫PTRA087008NB 是一款 650 瓦 LDMOS FET。它设计用于 755 MHz 至 805 MHz 的多
2023-08-02 16:49:23
SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 280 W；48V；3400 – 3600 兆赫 GTRA362802FC 是一款 280 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高电子迁移率
2023-08-02 15:46:20
39.5 dBm GaN on SiC 功率放大器模块；3300-3800兆赫WS1A3640 是一款非对称 Doherty 功率放大器模块 (PAM)，在采用先进散热技术的多层层压基板上集
2023-08-02 14:25:31
39.5 dBm GaN on SiC 功率放大器模块；3700-3980兆赫WS1A3940 是一款非对称 Doherty 功率放大器模块 (PAM)，在采用先进散热技术的多层层压基板上集
2023-08-02 14:22:54
38.5 dBm GaN on SiC 功率放大器模块；2496-2690兆赫WS1A2639 是一款非对称 Doherty 功率放大器模块 (PAM)，将 Wolfspeed GaN
2023-08-02 14:20:00
紧凑的5针L165IC一般由单个非对称电源稳定对称电源组成。然而，输出电压是输入电压的一半。需要添加纹波滤波电容C1、C2、C3和C4以及一些电阻器来设置对称性。在构建电路时，将电容器C1和C2放置在尽可能靠近IC的位置。
2023-07-24 11:37:23525 
NP75N055YUK55 V - 75 A - N 沟道功率 MOS FET应用：汽车
2023-07-07 18:42:170 NP90N04VLK40 V - 90 A - N 沟道功率 MOS FET应用：汽车
2023-07-07 18:41:240 RBA250N10CHPF-4UA02 100V – 250A – N 沟道功率 MOS FET 应用：汽车
2023-07-04 20:37:360 40V – 250A – N 沟道功率 MOS FET 应用：汽车
2023-07-04 20:37:240 现代密码学依赖于两种基本算法——非对称密钥和对称密钥。非对称密钥算法使用私钥和公钥的组合，而对称算法仅使用私钥，通常称为密钥。虽然这两种方法都可以成为数字安全策略的一部分，但每种方法都适用于特定
2023-06-28 10:22:39472 
N76E003使用双串口，下载程序不稳定，有时检测不到芯片
2023-06-19 06:18:02
本文提出了一种超高效率、高功率密度的功率因数设计校正(PFC)和非对称半桥(AHB)反激变换器140w PD3.1适配器应用程序。在升压PFC设计中，采用了GaNSense功率ic，以实现更高的频率
2023-06-16 08:06:45
工程师说道。
HK32U3009采用了ARM-Cortex和RISC-V异构双核架构，填补国产异构多核MCU芯片技术空白。该芯片还带有MMU硬件级系统资源访问权限管理，采用自研IPC双核通讯协议
2023-06-15 18:32:06
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
时间。
更加环保：由于裸片尺寸小、制造工艺步骤少和功能集成，氮化镓功率芯片制造时的二氧化碳排放量，比硅器件的充电器解决方案低10倍。在较高的装配水平上，基于氮化镓的充电器，从制造和运输环节产生的碳足迹，只有硅器件充电器的一半。
2023-06-15 15:32:41
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
供应PTS4842 MOS场效应管-30V/7.7A双N沟道高级功率MOSFET，提供PTS4842双mos管关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-10 14:45:17
、电机驱动安全稳定等特点，可大大提升剪发效率的同时兼顾安全性。小编将为大家介绍一套完整的电推剪方案。其中涉及，电源管理芯片，单片机，PCB文件等内容。
一．原理及组成部分：电机、刀头、电路板、锂电池
2023-06-07 15:49:31
产品简介： 双极性脉冲电源（正负脉冲）是在单脉冲电源的基础上增加反向脉冲输出，产品具备正脉冲、负（换向）脉冲、比例脉冲、间隔脉冲、计数脉冲、计时
2023-06-03 11:07:33
实现了一种基于非均匀非对称定向耦合器的新型宽带波长平坦3dB光耦合器。在1300-1600nm波长范围内，实现了3 dB± 0.3 dB的分束比。
2023-05-30 17:04:261002 
AEROPULSE FS50工业级高功率飞秒激光器NKTAEROPULSE FS50工业级高功率飞秒激光器是NKT基于优异的的光子晶体光纤平台的新型50W工业级飞秒光纤激光器。aeroPULSE
2023-05-24 14:02:03
JASPER X0高功率飞秒光纤激光器JASPER X0高功率飞秒光纤激光器可提供能量高达 100 μJ 和 60 W 平均功率的脉冲。该激光器内置真正的单片全光纤放大振荡器，可提供快速预热时间
2023-05-24 10:23:46
Jasper Flex高功率飞秒光纤激光器 Jasper Flex高功率飞秒光纤激光器是用于微处理的新型高功率飞秒激光器。其紧凑的尺寸使其更易于使用和集成到
2023-05-24 10:14:45
1.是N沟道，耗尽型的场效应管，是耗尽型。像图上这样的话，带？的那端应该是什么极？是源极还是漏极？
2.电路不接管子之前电流还可以，接上场效应管，上电就短路，焊下来后测量栅极和源极之间不导通，源漏
2023-05-16 14:24:38
，
逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑
输出电平。 高速风筒专用电机驱动芯片其浮动通道可
用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高
工作电压可达 700V。高速风筒专用电机驱动芯片采用
SOIC8 封装，可以在-40℃至 125℃温度范围内工作
2023-05-10 10:05:20
推荐一款双功率桥电机驱动芯片，带有精确的电流监控，电流控制和电流限制彻底解决传统功率桥芯片电流控制复杂的问题。提高控制感性线圈负载的电流精度。内置低功耗MOSFET
2023-05-06 19:03:31
有迹象表明客户可以使用 KEK 来包装密钥
我“注入”到 SE05x 密钥库中。不幸的是，将密钥注入零件不符合该客户的要求。相反，他们可以使用 KEK 来包装他们使用 sss_key_store_generate_key() API 在 SE05x 上生成的非对称密钥吗？
2023-05-06 08:15:59
LPCMP 模块有 2 种功耗模式——高功耗和低功耗模式。(CMP_HPMD 寄存器)
有什么区别？
使用低功耗模式有什么好处？
仅供参考，我仅将 LPCMP 模块用于 WKPU。
所以我想知道哪种模式在待机时更好。
2023-05-05 11:41:23
我想知道 NXP 是否提供了使用加密模块实现非对称密钥导入（RSA 或 ECC）的示例？
RTD 中的示例仅实现对称密钥导入 (AES)。
2023-04-28 06:54:24
接下来几篇将做一个流水灯电路，本文是流水灯电路的第一节，介绍用反相器产生非对称式多谐振荡器。
2023-04-26 14:51:041438 
MASW-011087-DIE AlGaAs SP4T 反射式开关 MASW-011087 是一款高功率、对称 SP4T 开关
2023-04-18 16:49:10
低阻低TCR高功率厚膜贴片电阻是一种被广泛应用于电子设备中的电阻器件。它主要由薄膜电阻材料、基底材料、电极端子等组成。厚膜电阻器相比于薄膜电阻器具有更高的功率承载能力和更佳的温度稳定性，因此常常
2023-04-18 14:45:16
我有 DNA 424 NFC 标签，但遇到了问题。标签是对称加密的。这意味着我不能与其他想要独立验证扫描的来源共享密钥（这是我的实现想要允许的）。更具体地说，该实现将使用区块链，我不能将对称密钥放在
2023-04-14 06:21:54
作为高可靠性芯片连接技术，银烧结技术得到了功率模块厂商的广泛重视，一些功率半导体头部公司相继推出类似技术，已在功率模块的封装中取得了应用。
2023-03-31 12:44:271882
电子发烧友App
工商网监
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