英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比，全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36
126 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2技术，据官方介绍，这是新一代的沟槽栅SiC MOSFET技术，相比上一代产品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181431 
利用 SiC 功率器件开关频率高、开关损耗低等优点, 将 SiC MOSFET 应用于水下航行器大功率高速电机逆变器模块, 对软硬件进行设计。
2024-03-13 14:31:4667 
蓉矽半导体近日宣布，其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽半导体在功率半导体领域的技术实力，也进一步证明了其产品在新能源汽车、光伏逆变等高端应用领域的强大竞争力。
2024-03-12 11:06:30228 在科技不断进步和新能源汽车产业迅速崛起的当下，高效、稳定且符合车规标准的电子元器件成为市场的迫切需求。上海瞻芯电子科技有限公司（简称“瞻芯电子”）凭借其深厚的碳化硅（SiC）半导体技术积累，成功开发
2024-03-07 09:37:27150 全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封装的1200V碳化硅（SiC）模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置，其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。这一创新产品系列专为电动汽车充电站、储能系统、工业电源和太阳能应用而设计。
2024-03-06 11:43:19282 全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日发布了四款采用紧凑型E1B封装的1200V碳化硅（SiC）模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置，其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:35331 在通用PWM发电机中，我可以用任何型号替换SiC MOSFET吗？
2024-03-01 06:34:58
Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。
2024-02-29 12:50:34139 智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31智能功率模块 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59344 。
三、结合鹧鸪云光伏系统的优势进行推广
鹧鸪云光伏系统作为一种先进的光伏技术，具有高效、稳定、环保等优势。光伏企业在推广过程中，可以充分结合这些优势进行宣传。例如，强调鹧鸪云光伏系统的高发电效率，能够
2024-02-27 10:33:17
伏逆变器是光伏阵列系统中重要的系统平衡（BOS）之一，可以配合一般交流供电的设备使用。
光伏逆变器的转换率是指逆变器将太阳能面板发出的电转换成符合电网标准电力的效率。在光伏发电系统中，逆变器
2024-02-22 15:15:01
Qorvo，全球领先的综合连接和电源解决方案供应商，近日发布了其全新车规级碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品。这款产品拥有紧凑的 D2PAK-7L 封装，实现了业界领先的9mΩ导通电阻RDS
2024-02-01 10:18:06202 中国 北京，2024 年 1 月 30 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型
2024-01-31 15:19:34486 
英飞凌科技股份公司近日宣布与全球领先的能源互联网核心电力设备及解决方案领军企业盛弘电气股份有限公司达成合作。英飞凌将为盛弘电气提供业内领先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体器件，并配合EiceDRIVER™ 紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC，共同提升储能变流器的效率。
2024-01-31 11:13:36423 英飞凌技术公司与美国北卡罗来纳州达勒姆市的Wolfspeed公司 — 一家专门生产碳化硅（SiC）材料和功率半导体器件的制造商 — 已经扩大并延长了他们的现有长期150毫米碳化硅（SiC）晶圆供应
2024-01-30 17:06:00180 
适用SiC逆变器的各要素技术(SiCpower module,栅极驱动回路,电容器等)最优设计与基准IGBT对比逆变器能量损失减少→EV续驶里程提升(5%1)
2024-01-26 10:25:44144 
安建半导体推出具有完全自主知识产权的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通过独特设计确保产品的卓越性能和可靠性，在国内领先的碳化硅晶圆代工厂流片，产能充裕，供应稳定，性价比高。
2024-01-20 17:54:00916 
近日，英飞凌与SiC晶圆供应商韩国SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS正式签署了一项协议。
2024-01-19 10:00:07218 深圳市至信微电子有限公司（简称：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功举办了2024新品发布暨代理商大会。此次大会上，至信微发布了一系列行业领先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ两款产品。
2024-01-16 15:45:17286 iC逆变器是一种新型的电力电子器件，具有高效率、高频率、高温稳定性等优点，广泛应用于电动汽车、可再生能源、电力系统等领域。制造SiC逆变器需要遵循一定的流程，以确保产品的性能和可靠性。以下是制造
2024-01-10 14:55:44137 
SiC（碳化硅）逆变器是一种新型的电力电子器件，具有高效率、高频率、高温稳定性等优点，广泛应用于电动汽车、可再生能源、电力系统等领域。设计SiC逆变器需要遵循一定的流程，以确保产品的性能和可靠性
2024-01-10 14:42:56190 ,GreenIndustrialPower）事业部，也可以看出英飞凌继续加码绿色能源市场的决心和信心。SiC作为英飞凌减碳事业的关键产品，一直以来英飞凌对SiC产品在多个关键应用市场推进付出了诸多
2024-01-10 08:13:51152 
近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316 电子发烧友网站提供《1200 V，80 mΩ，N沟道SiC MOSFET初步数据表.pdf》资料免费下载
2024-01-03 16:28:29
0 电子发烧友网站提供《NSF040L3A0：1200伏，40米Ω,NN沟道SiC MOSFET应用指南.pdf》资料免费下载
2023-12-19 15:37:520 电子发烧友网站提供《NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N沟道SiC MOSFET一般说明.pdf》资料免费下载
2023-12-19 15:36:290 SiC SBD的高耐压（反压）特性
2023-12-13 15:27:55197 
并网式光伏气象站WX-BGF11是一个集成了多种传感器的智能系统，它能够实时监测和预测气象数据，为光伏发电提供精确的气象预测和实时的气象数据支持。这个系统的出现，不仅提高了光伏发电的效率，还为光伏
2023-12-12 14:34:20
据悉，国联万众公司已研发出具备指标性能堪比国外知名厂商的1200V SiC MOSFET产品，部分型号产品已开始供应市场。另一方面，针对比亚迪在内的多方潜在客户，该公司的电动汽车主驱用大功率MOSFET产品正在进行进一步洽谈。
2023-12-12 10:41:48229 充分挖掘SiC FET的性能
2023-12-07 09:30:21152 
UnitedSiC SiC FET用户指南
2023-12-06 15:32:24171 
近日，芯塔电子自主研发的1200V/80mΩTO-263-7封装 SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构（广电计量）全套AEC-Q101车规级可靠性认证。包括之前通过测试认证的650V
2023-12-06 14:04:49322 
SiC FET神应用，在各种领域提高功率转换效率
2023-11-30 09:46:11151 
还没使用SiC FET？快来看看本文，秒懂SiC FET性能和优势！
2023-11-29 16:49:23273 
产业链
近年来，国家陆续出台了多项政策，鼓励光伏逆变器行业发展与创新。2021年5月，国家能源局出台《关于2021年风电、光伏发电开发建设有关事项的通知》，提出要2021年，全国风电、光伏发电发电量占
2023-11-21 16:07:04
伏逆变器是否符合电网接入要求，以确保光伏发电系统与电网的安全和稳定运行。以下是一些常见的光伏逆变器入网检测要点：并网检测：需要验证光伏逆变器是否能够正确地检测电网的状态，包括电压、频率、相位等，并能够
2023-11-09 14:54:09
继1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件获AEC-Q101车规级认证后
2023-10-25 18:28:10422 
继1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件获AEC-Q101车规级认证后，近日，国星光电开发的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-场效应管）器件也成功获得了
2023-10-24 15:52:32605 2023年10月，凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧的SiC MOS。产品性能优异，开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动，能够满足高可靠性、高性能的应用需求。
2023-10-20 09:43:26485 
SiC FET（即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常闭共源共栅组合）等宽带隙半导体开关推出后，功率转换产品无疑受益匪浅。
2023-10-19 12:25:58208 
基于碳化硅（SiC）的功率半导体具有高效率、高功率密度、高耐压和高可靠性等诸多优势，为实现新应用和推进充电站技术创新创造了机会。近日，英飞凌科技宣布与中国的新能源汽车充电市场领军企业英飞源达成合作
2023-10-12 08:14:48709 
英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
0.5us，输出电流达0.5A，可直接驱动50A/1200V以内的IGBT。驱动器体积小，价格便宜，是不带过电流保护的IGBT驱动芯片中的理想选择。2）英飞凌1ED020I12-F2芯片
英飞凌公司
2023-10-07 17:00:40
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显著提高电能利用率。SiC器件的典型应用领域包括：新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网等现代工业领域，在
2023-10-07 10:12:26
联合SiC的FET-Jet计算器 — — 从SIC FET选择中得出猜算结果
2023-09-27 15:15:17499 
SiC FET 耐抗性变化与温度变化 — — 进行正确的比较
2023-09-27 15:08:29250 
本文作者：Qorvo应用工程师Mike Zhu SiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常闭共源共栅组合）等宽带隙半导体开关推出后，功率转换产品无疑受益匪浅。此类器件具有超快的开关速度
2023-09-20 18:15:01233 
英飞凌推出了采用转模封装的1200V碳化硅（SiC）集成功率模块（IPM），CIPOS™ Maxi IPM IM828-XCC，这是业界在这一电压级别上的第一款产品。
2023-09-19 14:45:56932 继英飞凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模块产品相继量产并取得客户认可后，英飞凌最新推出了适用于大功率应用场景的1200VIGBT7P7芯片，并将其应用在PrimePACK模块中，再次刷新
2023-09-14 08:16:10430 DigiKey Daily 短视频 本期DigiKeyDaily 向大家推荐两款产品—— ODU MEDI-SNAP 连接器和安森美1200V M3S系列SiC MOSFET 1 产品一： ODU
2023-09-06 20:20:08280 
太阳能逆变器系统框图、光伏逆变应用分类、微型逆变器框图、组串逆变器框图、集中逆变器框图、家用储能系统框图等。
2023-09-05 07:53:29
光伏120-400V；上电时市电工作检测光伏电压当光伏电压足够时继电器吸合，市电断开光伏电压工作；当光伏电压较低时继电器断开，市电介入通过同步整流buck给负载工作；考虑到万一晚上上电，所以继电器
2023-08-31 20:27:27
华为逆变器SUN2000-100kTL-M2智能光伏控制器技术参数：产品型号：SUN2000-100KTL-M2产品名称：华为光伏逆变器100KW、华为智能光伏控制器、华为光伏并网100KW逆变器
2023-08-29 17:01:25
型号：1、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高压IGBT，适用于高效能和高可靠性的应用。它具有1200V的电压额定值和40A的电流额定值，能够提供低导通
2023-08-25 16:58:531477 
沛城科技新品发布：5KW离/并网逆变电源在效率上，整机转换效率高达92% ，使储能系统效率更稳定在设计上，整机功能模块集成优化，电路拓扑结构更简单可靠在性能上，集成MPPT最优跟踪，光伏
2023-08-25 16:32:12
监测，以了解电站的运行环境情况。最后，需要对光伏电站的累计发电量、组件和逆变器的运行情况等进行检测和分析，以便及时采取相应的维护措施。GB/T 38946-2020《分布式光伏发电系统集中运维技术规范
2023-08-22 13:53:44
，可以模拟太阳能电池板输出 I-V特性曲线，主要用于光伏逆变器的研发与生产测试。内置 Sandia，EN50530等标准法规，可测试光伏逆变器的静态 MPPT与动态 MPPT。设备自带的 PV功能仅支持
2023-08-16 11:33:11
有个光伏电源控制器板，220V到500V输入，220V单相输出，太阳能转交流电
2023-08-02 16:33:22
NTC，并有使用预涂的热界面材料（TIM）版本。产品型号：FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V低
2023-07-31 16:57:59584 增强型1代1200V CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B半桥模块，采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC，并有使用预涂的热界面材料（TIM）版本。
2023-07-28 14:22:44231 光伏储能系统是利用太阳能进行光伏储能发电的系统，其中光伏设备会吸收太阳能转化成电能，储能设备会将光伏设备产生的电能进行存储，当光伏系统电力不足时，储能系统会通过转换，将存储的电能转换为所需的交流电
2023-07-27 10:44:09
在此方向上，青桐资本项目伙伴「量芯微半导体（GaNPower）」（以下简称「量芯微」）在全球范围内率先实现1200V 硅基GaN HEMT的商业化量产，并于近日与泰克科技（Tektronix Inc.）合作进行了器件测试。
2023-07-19 16:37:301366 
逆变器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未来十年的复合年增长率为27%。
2023-07-17 11:33:24277 
等特性，从而降低了能耗并缩小了系统尺寸。特别是在光伏、储能、充电和电动汽车等高压大功率应用中，碳化硅材料的优势得以充分发挥。 纳芯微全新推出1200V系列SiC二极管产品，该系列产品专为光伏、储能、充电等工业场景而设计。 其
2023-07-10 15:45:02324 
SiC JBS二极管提供卓越的功能，包括但不限于高温操作，高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管，设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24
近年来，SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等宽带隙（WBG）功率半导体的开发和市场导入速度加快，但与硅相比成本较高的问题依然存在。
2023-06-15 14:46:47495 
机械断路器损耗小，但速度很慢，且容易磨损。本博文概述如何通过采用 SiC FET 的固态解决方案解决这些问题，并且损耗也会持续降低。
2023-06-12 09:10:02400 
1200 V 绝缘体上硅（SOI）三相栅极驱动器之后，现又推出 EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列，进一步扩展其产品组合。该驱动器 IC系列的半桥配置补充了现有的 1200V SOI 系列
2023-06-06 11:03:03420 
/引言/英飞凌TRENCHSTOPIGBT7系列单管具有两种电压等级（650V&1200V）和三个系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列单管针对光储、UPS、EVcharger、焊机
2023-05-31 16:51:27636 智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。
2023-05-25 10:39:07281 牵引逆变器是电动汽车 (EV) 中消耗电池电量的主要零部件，功率级别可达 150kW 或更高。牵引逆变器的效率和性能直接影响电动汽车单次充电后的行驶里程。因此，为了构建下一代牵引逆变器系统，业界广泛采用碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 来实现更高的可靠性、效率和功率密度。
2023-05-23 15:09:46385 
EiceDRIVER SOI系列诞生了首批1200V SOI半桥产品，用于高功率应用，如商用HVAC、热泵、伺服驱动器、工业变频器、泵和风机（高达10kW）。
2023-05-18 16:18:24315 合作关系。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左） 赛米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938 
UF3C120080B7S产品简介Qorvo 的 UF3C120080B7S 1200 V、85 mohm SiC FET 器件基于独特的级联电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si
2023-05-12 11:54:23
光伏单相逆变器并网能接入三相电供负载吗？
2023-05-06 17:37:49
三相组串式光伏并网逆变器怎么连接组件的？与单相的差别是什么？
2023-05-06 16:36:27
英飞凌和Schweizer Electronic AG正在合作，将英飞凌的1200V CoolSiC™芯片嵌入印刷电路板(PCB)，以提高基于碳化硅的芯片效率。
2023-05-05 10:31:31518 
赛米控丹佛斯（总部位于德国纽伦堡）和全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市） 在开发SiC（碳化硅） 功率模块方面，已有十多年的良好合作关系。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块
2023-04-26 15:27:11517 
。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左） 赛米控丹佛斯
2023-04-26 09:17:51606 
太阳能发电系统分为并网光伏发电和离网光伏发电。并网光伏发电是指太阳能发电系统与市政电力并网，由市政电力调节的一种用电方式。离网光伏发电系统是一种独立的太阳能发电系统。它不需要与市政当局连接。通过
2023-04-25 16:33:02
不等，为家用电器和照明提供电力。在一些没有电的偏远地区，如高原、岛屿、牧区和边境哨所，太阳能光伏发电系统已成为解决供电问题不可或缺的设备之一。
工厂太阳能发电系统
工厂的太阳能发电系统使用工
2023-04-25 16:31:31
范围：1、光伏展区◆光伏组件、电池片、逆变器、汇流箱、控制器、接线盒、晶硅/薄膜材料、光伏支架、追踪系统、光伏电缆、封装玻璃、光伏生产设备、光伏运维及检测系统等光伏配套产品及设备、光伏路灯、光伏热水器
2023-04-08 10:36:29
在中央光伏逆变器应用中，基于1200 V IGBT的3电平中性点箝位拓扑是一种常用方法。然而，考虑到高额定电流、低杂散电感和具有广泛可用性的标准化外壳的要求，找到合适的功率模块通常具有挑战性。因此
2023-04-07 09:32:46
简介 光伏并网发电系统就是太阳能光伏发电系统与常规电网相连，共同承担供电任务。当有阳光时，逆变器将光伏系统所发的直流电逆变成正弦交流电，产生的交流电可以直接供给交流负载，然后将剩余的电能输入
2023-04-06 15:23:46
最低成本解决光伏板同时给大小两组电瓶同时充电，防止电流倒灌，防止小电瓶过充问题， 同时解决电量不够自动切换市电。
2023-03-31 13:36:07
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7，TO-247封装分立器件，旨在满足光伏、不间断电源和电池充电的应用。产品特点得益于著名
2023-03-31 10:52:07472 SIC 1200V DIODE
2023-03-27 14:51:05
1200V,5A,SIC SBD,TO-220AC PACKAG
2023-03-27 14:47:38
1200V,10A,SIC SBD,TO-247AD PACKA
2023-03-27 13:53:46
1200V,20A,SIC SBD,TO-247 PACKAGE
2023-03-27 13:39:39
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