电子发烧友网站提供《适用于SiC/IGBT器件和汽车应用的单通道隔离式栅极驱动器UCC5350-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 10:17:51
0 荣湃半导体近日宣布推出其最新研发的Pai8265xx系列栅极驱动器，该系列驱动器基于电容隔离技术，集成了多种保护功能，专为驱动SiC、IGBT和MOSFET等功率管而设计。这款产品的推出，标志着荣湃半导体在功率半导体领域的技术创新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52
248 意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。
2024-03-08 10:11:40496 
Microchip近日宣布推出一款创新的3.3 kV XIFM即插即用mSiC™栅极驱动器，该驱动器采用了Augmented Switching™专利技术，进一步扩展了其mSiC解决方案系列，为高压SiC电源模块的快速采用提供了有力支持。
2024-03-07 11:31:32313 GaN-on-silicon器件的横向FET结构有助于功率器件和信号器件的单片集成，集成GaN功率ic开始在商业上出现【2】、【3】。这种集成有望降低尺寸和成本，同时提高可靠性和性能。 本文举例说明了集成FET和栅极驱动器IC的优势。该IC主要用作间接飞行时间应用
2024-03-05 14:29:42479 
这款高度集成的 3.3 kV XIFM 即插即用数字栅极驱动器可与基于SiC的高压电源模块搭配使用，从而简化并加快系统集成 万物电气化推动了碳化硅 （SiC）技术在交通、电网和重型汽车等中高
2024-03-01 16:57:54318 意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
适用SiC逆变器的各要素技术(SiCpower module,栅极驱动回路,电容器等)最优设计与基准IGBT对比逆变器能量损失减少→EV续驶里程提升(5%1)
2024-01-26 10:25:44144 
纳芯微近期推出了一款全新的NSD3604/8-Q1系列多通道半桥栅极驱动芯片，这款产品具有出色的性能和广泛的应用场景。
2024-01-15 15:14:21457 必易微新推出的栅极驱动器 KP85402，专为家用电器和工业新能源等应用场景而设计。这款产品旨在为客户提供一个高可靠性、低成本的解决方案，以满足各种栅极驱动需求。
2024-01-08 15:33:25390 驱动器IC，包括2ED2742S01G、2ED2732S01G、2ED2748S01G和2ED2738S01G。这些160V的绝缘体上硅片（SOI）栅极驱动器均为
2024-01-08 08:13:50150 
关键技术-SiC门驱动回路/电容器
通过SiC门驱动回路优化设计提升性能和强化保护功能通过采用电容器P-N BUSBAR叠层设计减少寄生电感
2024-01-02 11:36:24116 
非对称稳压输出适合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动 - 现在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 转换器为 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动器供电变得空前简单。
2023-12-21 11:46:42334 SIC MOSFET对驱动电路的基本要求 SIC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种新兴的功率半导体器件，具有良好的电气特性和高温性能，因此被广泛应用于各种驱动电路中。SIC
2023-12-21 11:15:49416 报告内容包含：
效率和功率密度推动变革
基本的 MOSFET 栅极驱动器功能
驱动器演进以支持 IGBT（绝缘栅双极晶体管）
驱动器进化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保护功能，可确保安全可靠的工作。SCALE™-2 2SP0230T2x0双通道门极驱动器可在不到2微秒的时间内部署短路保护功能，保护
2023-12-14 11:37:10287 SiC MOSFET的栅极驱动电路和Turn-on/Turn-off动作
2023-12-07 15:52:38185 
SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作
2023-12-07 14:34:17221 
SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
2023-12-05 17:10:21431 
IGBT栅极驱动设计，关键元件该怎么选？
2023-11-30 18:02:38294 
BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A
2023-11-30 09:42:59
电子发烧友网站提供《用基于三相绝缘栅极双极性晶体管 (IGBT)的逆变器应用笔记.pdf》资料免费下载
2023-11-29 11:05:315 使用隔离式栅极驱动器的设计指南（一）
2023-11-28 16:18:10271 
电子发烧友网站提供《现代IGBT/MOSFET栅极驱动器 提供隔离功能的最大功率限制.pdf》资料免费下载
2023-11-22 16:48:150 GaN和SiC的使用数量正在急剧增加，但是并非所有栅极驱动器都适合使用这些技术，ADI针对这些GaN和SiC产品提供了丰富栅极驱动器，并将栅极驱动器分为三类：第一类是简单栅极驱动器；第二类是监控栅极驱动器；第三类是可编程栅极驱动器
2023-11-17 18:45:01326 
SiC驱动器模块具有较低的功耗、高温运行能力和快速开关速度等优势，使其在下一代功率器件中有着广阔的应用前景。SiC驱动器模块可以用于电动车的电力系统、可再生能源转换系统、工业电力电子装置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 
川土微电子CA-IS3215/6-Q1适用于SiC/IGBT 的具有主动保护功能、高 CMTI、15A 拉/灌电流的单通道增强隔离栅极驱动器新品发布！
2023-11-15 09:49:43573 
ROHM Semiconductor宣布推出新型BD2311NVX-LB栅极驱动器IC。该器件可实现纳秒 (ns) 级的栅极驱动速度，因此非常适合高速 GaN 功率器件开关。 通过对氮化镓技术的全面
2023-11-14 15:04:58438 列文章的第二部分 SiC栅极驱动电路的关键要求 和 NCP51705 SiC 栅极驱动器的基本功能 。 分立式 SiC 栅极驱 动 为了补
2023-11-02 19:10:01361 
新厂房已经竣工，并举行了竣工仪式。 竣工仪式剪影 RWEM此前主要生产二极管和LED等小信号产品，新厂房建成后计划生产隔离栅极驱动器（模拟IC的重点产品之一）。 隔离栅极驱动器是用来对IGBT和SiC等功率半导体进行合宜驱动的IC，在实现电动汽车和工业设备的节能化及小型化方面发挥着重要作用，预计未
2023-10-25 15:45:02191 
~采用业界先进的纳秒量级栅极驱动技术，助力LiDAR和数据中心等应用的小型化和进一步节能~ 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款超高速驱动GaN器件的栅极驱动器IC
2023-10-25 15:45:02192 
在商业应用中利用宽带隙碳化硅（SiC）的独特电气优势需要解决由材料机械性能引起的可靠性挑战。凭借其先进的芯片粘接技术，Vincotech 处于领先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模块可能会
2023-10-23 16:49:36372 
igbt的栅极驱动条件 igbt的栅极驱动条件对其特性有什么影响？ IGBT是晶体管的一种，它是一种高压、高电流的开关器件，常用于高功率电子应用中。IGBT是一种三极管，由一个PN结组成的集成电路
2023-10-19 17:08:14622 ~采用业界先进的纳秒量级栅极驱动技术，助力LiDAR和数据中心等应用的小型化和进一步节能~ 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款超高速驱动GaN器件的栅极驱动器IC
2023-10-19 15:39:38214 
额外的电路通常比专用 SiC 占用更多的空间。因此，高端设计通常选择专用的 SiC 核心驱动器，这会考虑到更快的开关、过压条件以及噪声和 EMI 等问题。他说：“你总是可以使用标准栅极驱动器，但你必须用额外的电路来补充它，通常这就是权衡。”
2023-10-09 14:21:40423 
驱动光耦产品线，近期新增一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦 TLP5222 。它是一款可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC，内置保护操作自动恢复的功能。该器件主要用来实现逆变器、交流伺服器，光伏逆变器等的智
2023-09-28 17:40:02526 
2023 年 9 月 6 日，中国 ——意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低了物料清单成本，能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制，采用节省空间的窄体SO-8封装，通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率，STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间，并增强了节能型动力系统、驱动器和控制的稳健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
下的虚假开关。对于这两个通道，该器件可以提供高达4A的强大栅极控制信号，其双输出引脚为栅极驱动提供了额外的灵活性。有源Miller钳位功能可在半桥拓扑的快速换向期间避免栅极峰。
2023-09-05 06:59:59
一、什么是SiC半导体？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽
2023-08-21 17:14:581144 
MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中，我们讨论了SiC MOSFET器件的特点以及它们对栅极驱动电路的要求，然后介绍了一种能够解决这些问题和其它系统级考虑因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
在电机驱动系统中，栅极驱动器或“预驱动器” IC常与N沟道功率MOSFET一起使用，以提供驱动电机所需的大电流。在选择驱动器IC、MOSFET以及某些情况下用到的相关无源元件时，有很多需要考量的设计因素。如果对这个过程了解不透彻，将导致实现方式的差强人意。
2023-08-02 18:18:34807 
。它是一款160V绝缘体上硅(SOI)栅极驱动器IC，采用5x5mm²QFN-32封装，带有热效率高的裸露功率焊盘，并集成了电源管理单元(PMU)。这种易于使用的器件
2023-07-31 22:55:20466 新品6.5A，2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半桥电路，用两个栅极驱动IC1ED3142MU12F来驱动IGBT
2023-07-31 17:55:56430 比邻驱动™(Nextdrive®)是瞻芯电子自主创新开发的一系列碳化硅(SiC)专用栅极驱动芯片，具有紧凑、高速和智能的特点。
2023-07-25 16:26:141580 
电子发烧友网站提供《DGD2101高压栅极驱动器IC.pdf》资料免费下载
2023-07-24 15:55:430 通常GaN Hemt驱动存在2个难题：驱动电压低，容易误启动；栅极耐电压低，栅极容易损耗，因此需要专门的驱动器，不仅增加了设计复杂度，也额外增加了系统成本。
2023-07-23 15:08:36442 
比邻驱动(Nextdrive)是瞻芯电子自主创新开发的一系列碳化硅(SiC)专用栅极驱动芯片，具有紧凑、高速和智能的特点。
2023-07-21 16:18:243392 
供应ID2006SEC-R1 200V高低侧栅极驱动IC，提供id2006芯片规格书关键参数 ，广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、半桥功率逆变器、全桥功率逆变器、任意互补驱动转换器等领域，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:31:284 则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特
2023-07-18 19:05:01462 
栅极驱动芯片可根据功能分为多种类型，如单路、双路、多路等。因此，在选型时需要根据具体应用情况进行选择。
2023-07-14 14:59:402457 
IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导通，并允许电流在其漏极和源极引脚之间流动，而放电则会使器件关断，漏极和源极引脚上就可以阻断大电压。
2023-07-14 14:54:071579 
聚焦高性能模拟芯片和嵌入式处理器的半导体设计公司——思瑞浦3PEAK（股票代码：688536）推出CMTI ±150kV/μs隔离栅极驱动——TPM2351x系列, 因其突出的产品优势，可广泛应用于IGBT、SiC MOSFET等功率器件的驱动中。
2023-07-14 10:52:54453 
、更高效的系统设计。 开 发 背 景 全球清洁能源市场要求汽车和工业领域的功率系统设计师更高效地产生、储存和使用能源，而宽带隙碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）能够在系统级提供明显的效率优势，但往往也伴随着一些巨大的集成挑战。 传统栅极驱动器的实现需要隔离栅极驱动器和
2023-07-13 16:05:02416 
传统栅极驱动器的实现需要隔离栅极驱动器和单独的隔离电源，在系统组装时，驱动器、电源和FET之间的连接可能会带来不必要的噪声，并产生电磁干扰（EMI），从而降低系统性能。而要减轻这些影响可能会带来更多设计复杂性，增大项目进度时间和成本，以及解决方案的体积和重量。
2023-07-13 09:47:40361 PT5619 在 同一颗芯片中同时集成了三个 90V 半桥栅极驱动器 ，特别适合于 三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动 。
2023-07-11 16:12:24434 
在本文中，我们将重点介绍实时可变栅极驱动强度的技术优势，这项新功能可让设计人员优化系统参数，例如效率（影响电动汽车行驶里程）和 SiC 过冲（影响可靠性）。
2023-07-10 09:28:53236 
经久耐用的电气隔离技术以及栅极驱动器 IC 输出级和封装的多项创新
2023-07-08 14:48:48317 
在本文中，我们将重点介绍实时可变栅极驱动强度的技术优势，这项新功能可让设计人员优化系统参数，例如效率（影响电动汽车行驶里程）和 SiC过冲（影响可靠性）。
2023-07-04 10:34:17358 
功率元件具有较大的承载能力和较低的内阻，以应对较高的功率需求，并保证能量传输的效率。例如，功率晶体管（如MOSFET、BJT）和功率放大器模块属于典型的功率元件。
2023-06-30 16:28:141019 宽禁带生态系统的一部分，还将提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南 。本文为
2023-06-25 14:35:02377 
GeneSiC高速高压SiC驱动大功率创新
2023-06-16 11:08:58
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
输入。本文将为您介绍栅极驱动电源与DC-DC转换器的技术概念，以及由Murata推出的隔离栅极驱动电源产品系列的功能特性。
2023-06-08 14:03:09362 高压DC-DC功率转换要求的氮化镓（GaN）功率开关等最新技术，使得功率密度可以达到100 W/inch3。PFC和DC-DC的数字控制与出色的栅极驱动解决方案一样，对于提高能效和增强鲁棒性至关重要
2023-06-07 15:16:56561 
1200 V 绝缘体上硅（SOI）三相栅极驱动器之后，现又推出 EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列，进一步扩展其产品组合。该驱动器 IC系列的半桥配置补充了现有的 1200V SOI 系列
2023-06-06 11:03:03420 
碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多个应用的高效率电力输送，比如电动车快速充电、电源、可再生能源以及电网基础设施。
2023-05-22 17:36:411063 
在为任一高功率或高电压系统设计印刷电路板 (PCB) 布局时，栅极驱动电路特别容易受到寄生阻抗和信号的影响。对于碳化硅 (SiC) 栅极驱动，更需认真关注细节，因为其电压和电流的转换速率通常比硅快得多。遵循指定 PCB 设计指南，可以帮助减少这些常见隐患并消除实验室或现场故障。
2023-05-20 16:57:571001 
功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
为了操作 MOSFET，通常须将一个电压施加于栅极（相对于源极或发射极）。使用专用驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。
2023-05-17 10:21:391473 
栅极驱动器是一个用于放大来自微控制器或其他来源的低电压或低电流的缓冲电栅极驱动器的原理及应用分析用中，微控制器输出通常不适合用于驱动功率较大的晶体管。
2023-05-17 10:14:526240 
MOSFET 共同封装，以生产当今市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该器件采用 D2PAK-3L 封装，具有超低栅极电荷，而且具有同类额定值器件中最佳的反向恢
2023-05-12 15:54:18
常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IG
2023-05-12 15:46:12
配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 S
2023-05-12 15:34:44
常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT
2023-05-12 15:29:06
配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 S
2023-05-12 15:16:27
MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MO
2023-05-12 14:59:16
MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MO
2023-05-12 14:53:49
MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC M
2023-05-12 14:47:58
与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或
2023-05-12 14:35:49
与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件
2023-05-12 14:29:40
MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOS
2023-05-12 14:20:38
与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或
2023-05-12 14:11:46
与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或
2023-05-12 12:44:42
与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或
2023-05-12 12:26:54
MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOSF
2023-05-12 11:54:23
与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 S
2023-05-11 20:45:39
JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级
2023-05-11 20:38:23
MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC
2023-05-11 20:28:32
JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同封装，以生产当今市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该系列不仅具有超低栅极电荷，而且具有同类额定值器件中最好的反向恢
2023-05-11 19:01:57
首先说一下电源IC直接驱动，下图是我们最常用的直接驱动方式，在这类方式中，我们由于驱动电路未做过多处理，因此我们进行PCB LAYOUT时要尽量进行优化。如缩短IC至MOSFET的栅极走线长度，增加走线宽度，尽量将Rg放置在离MOSFET栅极较进的位置，从而达到减少寄生电感，消除噪音的目的。
2023-04-28 12:23:386439 
器，可提供6A峰值灌电流、5A峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的低传输延时、超低脉宽失真等优势，使其成为MOSFET、IGBT、SiC等大功率晶体管驱动的理想选择，最高工作频率可达5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。 所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离
2023-04-24 18:31:401791 
TMI8723是一款专为H桥驱动器应用而设计的栅极驱动器集成电路。它能够驱动由四个高达40V的N沟道功率MOSFET组成的H桥。TMI8723集成了一个可调节的电荷泵来产生栅极驱动功率，峰值和源极电流可以是500mA和250mA。同时，TMI8723可以通过引脚VDS设置过电流点的值。
2023-04-20 15:00:311 简单来说，栅极驱动器是一个用于放大来自微控制器或其他来源的低电压或低电流的缓冲电路。在某些情况下，例如驱动用于数字信号传输的逻辑电平晶体管时，使用微控制器输出不会损害应用的效率、尺寸或热性能。在高功率应用中，微控制器输出通常不适合用于驱动功率较大的晶体管。
2023-04-18 13:52:56699 
本文是“SiC MOSFET：栅极－源极电压的浪涌抑制方法”系列文章的总结篇。介绍SiC MOSFET的栅极－源极电压产生的浪涌、浪涌抑制电路、正电压浪涌对策、负电压浪涌对策和浪涌抑制电路的电路板
2023-04-13 12:20:02813 栅极驱动器是一种功率放大器，它接受来自控制器IC的低功耗输入，并为功率器件产生适当的高电流栅极驱动。随着对电力电子器件的要求不断提高，栅极驱动器电路的设计和性能变得越来越重要。
功率
2023-04-04 10:23:45546 功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
2023-04-04 09:58:391001 电机控制器整体重量低于7.5kg，厚度76mm，功率密度为34kW/kg，SiC用在车用逆变器上，可以使开关损耗降低75％（芯片温度为150°C）。在相同封装下，全SiC模块具备更高的电流输出能力，支持逆变器达到更高功率。
2023-03-30 09:39:251229 ，很高兴能与APEX Microtechnology开展合作。ROHM作为SiC功率元器件的先进企业，能够提供与栅极驱动器IC相结合的功率系统解决方案，并且已经在该领域取得了巨大的技术领先优势。我们将与
2023-03-29 15:06:13
栅极驱动器是一种功率放大器，它接受来自控制器IC的低功耗输入，并为功率器件产生适当的高电流栅极驱动。随着对电力电子器件的要求不断提高，栅极驱动器电路的设计和性能变得越来越重要。
2023-03-23 16:48:48535 
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