电子发烧友网站提供《600V 50mΩ具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET LMG342xR050数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 15:27:07
0 电子发烧友网站提供《600V 30mΩ具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET LMG342xR030数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 14:17:130 除了业界已经采用的高压 GaN（额定值 >=600V）外，新的中压 GaN 解决方案（额定值 80V-200V）也日益受到欢迎，可在高压 GaN 之前无法支持的电源系统中实现更高的功率密度和效率。
2024-03-15 17:58:13
819 
STDRIVEG600驱动GAN逆变器时候，在某一拍出现控制信号丢失，导致电机电流出现跌落情况
上图紫色的是电机电流，青色的是上管的PWM给定信号，黄色的是经过了GAN开关管驱动
2024-03-13 06:14:24
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）功率GaN的大规模应用，其实也只有六七年的历史，从2018手机快速充电器上才正式吹响了普及的号角。目前，从晶体管来看，功率GaN主要的产品是HEMT（高电子迁移率晶体管
2024-02-28 00:13:001843 最高频率(MHz)：14500最高值输出功率(W)：25增益值(dB)：26.0工作效率（％）：16额定电压(V)：40类型：封装的MMIC封装类别：法兰盘技术：GaN-on-SiC深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件，如若需要购CREE产品，请点击右侧客服联系我们！！！
2024-02-27 14:09:50
有功功率是指交流电路中实际消耗的功率，它是电路中的负载元件消耗的功率。在交流电路中，电流和电压不是同相的，所以有功功率是通过电流和电压的乘积来计算。 有功功率主要由电阻性元件消耗，包括电阻器、电灯泡
2024-02-27 09:28:33238 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）继去年英飞凌收购GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽车芯片大厂瑞萨也收购了功率GaN公司Transphorm。 Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001550 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）充电桩市场随着高压直流快充的推广，在一些400kW以上的充电桩中已经采用了SiC功率器件。同为第三代半导体的GaN，由于在高频应用上的优势，一些厂商也在推动GaN进入到
2024-02-21 09:19:283847 BUCK电路元件的耐压值该如何正确选择？ 选择BUCK电路元件的耐压值是设计和应用电路的重要一环。耐压值的选取直接影响到电路的可靠性、性能和寿命。在进行正确的耐压值选择时，需要考虑多个因素，包括输入
2024-01-31 16:11:22121 瑞萨电子近日宣布了一项重大收购，以每股5.10美元的价格收购美国氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm。这次收购总额为3.39亿美元，相当于24.34亿元人民币。相比1月10日的收盘价，此次收购溢价约35%。
2024-01-23 15:53:21232 加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚
2024-01-19 15:39:36301 此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元（约合人民币24.27亿元）。此次收购将为瑞萨提供GaN（功率半导体的下一代关键材料）的内部技术。
2024-01-19 11:32:57129 瑞萨电子与氮化镓（GaN）器件领导者Transphorm宣布，双方已达成最终收购协议。根据协议，瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的价格收购Transphorm，这一价格较Transphorm在1月10日的收盘价溢价约35%，总估值约为3.39亿美元。
2024-01-17 14:15:33234 伟诠电在氮化镓（GaN）快充市场迎来了新的机遇，因为日本集成设备制造商（IDM）瑞萨公司近期宣布成功收购美国GaN厂商Transphorm。这对伟诠电来说意味着未来或将迈入瑞萨供应链，进一步加强
2024-01-16 18:43:46506 在科技领域的巨浪中，瑞萨电子以35%的溢价宣告了一项重磅收购。1月11日，瑞萨电子正式宣布与氮化镓（GaN）器件领导者Transphorm达成最终协议，按照协议的规定，瑞萨电子的子公司将以每股
2024-01-12 14:54:25361 全球半导体解决方案供应商 瑞萨 电子与全球氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于今天宣布双方已达成最终协议，根据该协议，瑞萨子公司将以每股
2024-01-12 14:11:58267 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”，TSE：6723）与全球氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布双方已达成最终协议
2024-01-11 18:17:32865 新设计工具有助于加速两轮电动车市场的产品设计，并帮助系统工程师充分利用SuperGaN FET的优势 2023 年 12 月 21 日 －全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商
2023-12-27 17:39:22130 
随着半导体技术的发展，垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。
2023-12-27 09:32:54374 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361219 SGN2729-600H-R型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-600H-R为s波段雷达应用提供高功率、高效率和更高的一致性，覆盖2.7至2.9 GHz，工作电压为50V
2023-12-17 10:56:07
专为大功率应用而设计的隔离式栅极驱动器，有助于加速氮化镓半导体在数据中心、可再生能源和电动汽车领域的应用 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 12 月 7 日 – 全球领先的氮化镓（GaN
2023-12-12 18:03:10179 小型封装（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐压Super Junction MOSFET *1 ，新产品非常适用于照明用小型电源、电泵和电机等应用。 R6004END4
2023-12-12 12:10:01222 
SGN2933-600D-R 型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN2933-600D-R提供高功率、高S波段覆盖2.9至3.3GHz的效率和更大的一致性50V工作和高达脉冲
2023-12-11 13:25:59
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 
使用集成 GaN 解决方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28195 
、SL3061芯片介绍
SL3061是一款高性能的功率MOS管芯片，内置MOS管，具有2.5A的电流能力，耐压40V。它采用先进的工艺技术和设计理念，具有高效率、低功耗、高可靠性等优点。此外
2023-11-13 15:24:19
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）今年10月，英飞凌以8.3亿美元完成对功率GaN公司GaN Systems的收购，成为了功率GaN领域史上最大规模的一笔收购，这笔收购的价值甚至比2022年整个功率
2023-11-10 00:24:001758 
加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代电力系统的未来、氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布，推出
2023-11-07 17:51:23619 
氮化镓（GaN）功率器件在几个关键性能指标上比硅（Si）具有优势。具有低固有载流子浓度的宽带隙具有更高的临界电场，能实现更薄的漂移层，同时在较高的击穿电压下可以降低导通电阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39:293605 
美格纳半导体宣布推出微纳加工增强型第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET)。 这款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 Power Integrations 近日发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC。该IC采用了1250V的PowiGaN开关技术。InnoSwitch3-EP 1250V IC
2023-10-31 16:54:481866 －通孔式小型封装有助于减小表贴面积和电机电路板尺寸－ 中国上海， 2023 年 10 月 26 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了两款600V小型智能功率器件(IPD)产品，适用于空调、空气净化
2023-10-27 11:13:00301 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空调、空气净化器和泵等直流无刷电机驱动应用。
2023-10-27 11:05:54657 
，往往需要更高的耐压能力，以确保电路的正常运行和安全性。因此，电感器的耐压值就显得尤为重要。 1.电感器的耐压值 通常来说，电感器的耐压值（常称电压强度）是指电器元件在规定时间下能够承受的最大电压值。在电路中，通
2023-10-24 10:04:481450 功率器件：Power Integrations推出的PowiGaN技术是业界首款GaN-on-Sapphire功率IC，已经在手机快充上大量出货。国内苏州捷芯威也推出了蓝宝石基氮化镓高压保护开关器件，单管耐压2000V
2023-10-18 15:59:201 电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）今日宣布，DAH Solar Co., Ltd.的世界首个集成型光伏（PV）系统采用
2023-10-16 16:34:15246 
Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）是强大的GaN功率半导体（下一代电力系统的未来）领域全球领先的企业。该公司今天推出了三款TOLL封装的SuperGaN®FET，其导通电
2023-10-12 16:40:56250 电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 基于峰岹的FU6813主控芯片和智能功率模块SPE10S60F-A（600V/10A）的波轮洗衣机控制方案，FU6813是一款集成电机控制引擎(ME)和8051内核的高性能电机驱动专用芯片，内置高
2023-09-20 17:03:22
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
GaN因其特性，作为高性能功率半导体材料而备受关注，近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件有两种类型：水平型（在硅晶圆上生长GaN晶体）和垂直型（原样使用GaN衬底）。
2023-09-13 15:05:25657 
单芯片半桥式STDRIVEG600栅极驱动器专为特定的GaN FET驱动要求而设计，具有较短的45ns传播延迟和低至5V的工作电压。STDRIVEG600通过较高的共模瞬态抗扰度、一套集成式保护功能
2023-09-05 06:58:54
Transphorm在公告中表示，他们的氮化镓将被用于大恒能源的Solar Unit产品线，GaN器件可以实现更小、更轻、更可靠的太阳能系统，同时还能以更低的能耗提供更高的总发电量。Transphorm还表示，氮化镓技术在全球光伏领域的市场空间将超过5亿美元。
2023-08-30 16:42:34826 
与安川电机公司合作取得的这项成果，充分利用了 Transphorm 常关型平台的基本优势。 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 8 月 24 日 － 新世代电力系统的未来，氮化镓（GaN
2023-08-28 13:44:35154 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（下称“Toshiba”）推出了两款适用于直流无刷电动机应用领域的600V小型智能功率元件(IPD
2023-08-25 11:20:34496 器件描述：漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 50uA 漏源导通电阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
Yaskawa企业技术部基础研发管理部经理Motoshige Maeda表示：“如果功率半导体器件无法承受短路事件，系统本身可能失效。业界普遍认为GaN功率晶体管无法满足像我们这样的重载电力应用所需的短路要求。
2023-08-14 11:47:32345 650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42
供应ID5S609SEC-R1 600V高低侧栅极驱动芯片可代换IR2304，提供id5s609芯片资料关键参数 ，广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、半桥功率逆变器
2023-07-20 14:20:134 供应ID7U603SEC-R1 600V半桥MOS栅极驱动IC，提供ID7U603规格书关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:11:044 供应ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片可代换IR2104，提供ID7U603SEC-R1关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:10:05
同时实现业界超快反向恢复时间和业界超低导通电阻，可进一步降低工业设备和白色家电的损耗 ROHM的600V耐压Super Junction MOSFET PrestoMOS 产品阵容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 功率元件具有较大的承载能力和较低的内阻，以应对较高的功率需求，并保证能量传输的效率。例如，功率晶体管（如MOSFET、BJT）和功率放大器模块属于典型的功率元件。
2023-06-30 16:28:141019 图1所示电路显示了一个电路，其中低压微控制器与高压域（包括输出开关及其栅极驱动器）电气隔离（出于安全原因）。更快的开关速度意味着更快的开关瞬变。例如，GaN功率系统的开关时间通常为5ns（比传统
2023-06-28 14:33:33275 
测试平台实物图
基于GaN器件的半桥电路测试平台，我们对三安集成的200V 20mΩ GaN EHEMT进行了相关测试。Class D功率电路的核心为逆变电路，而逆变拓扑实则为各种频率的脉冲调制波控制下
2023-06-25 15:59:21
GaN在单片功率集成电路中的工业应用日趋成熟
2023-06-25 10:19:10
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半导体集成驱动性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半导体器件集成提供应用性能
2023-06-21 13:20:16
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
用于无线充电应用的高压GaN功率半导体单级6.78 MHz功率放大器设计
2023-06-21 11:45:06
单片GaN器件集成驱动功率转换的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC变换器设计
2023-06-21 07:35:15
GaN功率集成电路技术:过去，现在和未来
2023-06-21 07:19:58
年 6 月 15 日 – 新世代电力系统的未来, 氮化镓（GaN）功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）发布了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案
2023-06-19 17:47:16337 氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半导体带来AC-DC适配器的革命(氮化镓)
2023-06-19 11:41:21
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率集成电路的进展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
GaN功率集成电路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成电路可靠性的系统方法
2023-06-19 06:52:09
Transphorm宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体，领先同类产品。 该器件
2023-06-16 18:25:04267 
为了满足数据中心快速增长的需求，对电源的需求越来越大更高的功率密度和效率。在本文中，我们构造了一个1.5 kW的LLC谐振变换器模块，它采用了Navitas的集成GaN HEMT ic，完全符合尺寸
2023-06-16 11:01:43
基于GaN器件的产品设计可以提高开关频率，减小体积无源器件，进一步优化产品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速开关特性，给散热带来了一系列新的挑战耗散设计、驱动设计和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
基于平面矩阵的高频高效LLC模块基于GaN功率集成电路的CPRS变压器
2023-06-16 06:48:18
线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。 通过对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的
2023-06-13 16:38:50712 
伏GaN-on-Sapphire功率半导体，领先同类产品。这款产品的发布展现Transphorm有能力支持未来的汽车电力系统，以及已普遍用于工业、数据通信和可再生能源
2023-06-02 13:54:07395 非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统的效率提升和小型化 全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT
2023-05-25 00:25:01322 
氮化镓（GaN）是用于在干扰器中构建RF功率放大器（PA）的主要技术。GaN 具有独特的电气特性 – 3.4 eV 的带隙使 GaN 的击穿场比其他射频半导体技术高 20 倍。这不仅是GaN的高温可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干扰设备能够满足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091057 
电流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加热特性，并且元件参数的非线性与信号电平、热效应和环境条件之间存在复杂的依赖关系。这些因素往往给准确预测器件大信号性能造成更多困难。
2023-05-24 09:40:011374 
全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride：氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产
2023-05-18 16:34:23463 0402元件改成0201甚至01005除了耐压、精度、贴片工艺 还需要注意哪些细节
2023-05-05 18:29:34
GaN基功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率，得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气（2DEG）。图1示出绝缘栅GaN基平面功率开关的核心器件增强型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本结构。
2023-04-29 16:50:00793 
有助于配备小型电机的设备减少抗噪声设计工时和部件数量，并降低功率损耗 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）在其600V耐压Super Junction MOSFET
2023-04-19 17:50:02407 
您可以通过多种方式控制GaN功率级。LMG5200 GaN 半桥功率级的 TI 用户指南使用无源元件和分立逻辑门的组合。在这篇文章中，我将描述如何使用Hercules微控制器驱动它。图 1 显示了用于驱动 LMG5200 的 Hercules 模块。
2023-04-14 10:07:41962 
供应ups逆变器igbt单管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a规格书参数 ，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-04-04 10:39:344 供应电机常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐压600V 50A，提供SGTP50V60FD2PU关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微 电子申请。>>
2023-04-03 17:24:105 供应50a 600v igbt 驱动电路SGTP50V60FD2PF，提供SGTP50V60FD2PF关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 17:15:592 供应全桥逆变IGBT耐压600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 16:02:491 供应5a、600v耐压igbt SGTP5T60SD1DFS可代换AOD5B65M1 ，提供SGTP5T60SD1DFS规格书参数 ，可应用于光伏，变频器，UPS,SMPS以及PFC等领域，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
2023-04-03 14:48:131 高频临界模式 (CrM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 是一种使用 GaN 设计高密度功率解决方案的简便方法。TIDA-00961 参考设计使用 TI 的 600V GaN 功率级 LMG3410
2023-04-03 09:43:321166 
900V耐压的GaN器件，为汽车、工业及家电类应用提供优质选择。 伴随着日益增加的功率需求，负载范围内更高的效率以及不断升高的供电电压的市场驱动，汽车、工业及家电类应用越来越需要高性能、高可靠性
2023-03-30 11:48:45562 NUT/SCREWDRIVERSETW/HANDLE2PC
2023-03-29 21:00:14
TRANSISTOR GAN 600W
2023-03-29 14:25:16
逆变器、全桥驱动逆变器等领域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特点■浮动工作电压可达600V■拉灌电流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的输入逻辑电平■dV/dt抗干扰能力±5
2023-03-29 09:24:35930 
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