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电子发烧友网>新品快讯>飞兆开发出P沟道PowerTrench WL-CSP MOSFET

飞兆开发出P沟道PowerTrench WL-CSP MOSFET

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为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中,当一个MOSFET接地,而负载连接到干线电压上时,该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道
2023-05-22 11:11:391173

光电传感器WL-CSP封装芯片底部填充胶应用

光电传感器WL-CSP封装芯片底部填充胶应用由汉思新材料提供光电传感器芯片(CCD)经过联系客户工程技术和研究其提供的封装工艺流程。了解到以下信息。客户用胶项目是:光电传感器芯片(CCD
2023-05-18 05:00:00546

ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET

ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372

如何使用P/N沟道MOSFET构建通用全桥或H桥MOSFET驱动电路

在本文中,我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路,该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288

CSP2510C 数据表

CSP2510C 数据表
2023-04-26 19:29:441

以工艺见长的东芝N沟道功率MOSFET为电源效率赋能

MOSFET是以金属层(M)栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同,MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型,通常又称为N型MOSFET(NMOSFET)和P型MOSFET(PMOSFET)。
2023-04-13 09:40:30691

碳化硅SiC MOSFET:低导通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管

Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成格子花纹(check-pattern embedded SBD),以降低导通电
2023-04-11 15:29:18

N32G430C8L7_STB开发

N32G430C8L7_STB开发板用于32位MCU N32G430C8L7的开发
2023-03-31 12:05:12

FDMQ8203

GreenBridgeTM系列高效桥式整流器 双N沟道和双P沟道PowerTrench ®MOSFET N沟道:100 V,6 A,110 mΩP沟道:-80 V,-6 A,190 mΩ
2023-03-29 15:07:20

AUIRF2804WL

MOSFET N-CH 40V 295A TO262WL
2023-03-29 10:49:46

LTC7001 N沟道MOSFET栅极驱动器参数介绍

LTC7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器,选用高达 135V 的输入电压作业。该器材包括一个担任全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵,因此使其可以无限期地坚持导通。
2023-03-23 09:46:45514

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