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电子发烧友网>新品快讯>美高森美扩大RF功率MOSFET产品阵容

美高森美扩大RF功率MOSFET产品阵容

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2025-09-23 09:26:332066

上海贝岭IGBT与MOSFET高效能功率器件产品介绍

,持续迭代升级IGBT和MOSFET技术平台,通过精密的芯片结构设计、优化的制造工艺和先进的封装方案,打造了一系列高性能、高可靠性的功率器件产品。这些产品旨在满足严苛
2025-09-16 14:56:051645

森美PCIM Asia 2025亮点前瞻

PCIM Asia 2025即将火热开启,从汽车电动化的澎湃动力到工业场景的智能高效,再到AI数据中心稳定供电,安森美(onsemi)带着创新技术阵容强势来袭。
2025-08-28 11:30:492039

森美荣膺2025人工智能行业优秀创新力产品

技术突破,斩获维科杯·OFweek 2025人工智能行业优秀创新力产品奖。这款产品以其创新的Combo架构、高能效、高可靠性及系统友好性,成功解决了AI应用领域大电流、功率场景的核心痛点。
2025-08-12 17:55:581715

森美与舍弗勒扩大合作加速电动汽车创新

森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON)宣布扩大与领先的驱动技术公司舍弗勒(Schaeffler)合作,双方在一项新的设计中标项目中采用安森美的下一代碳化硅 MOSFET EliteSiC
2025-08-04 10:31:531038

森美助力工业光伏储能与伺服系统高效进化

在工业新能源与伺服驱动领域,功率密度、高效率、长寿命及系统成本优化已经成为市场的核心挑战。在2025年7月12日的电源网电力电子与应用大会(深圳站)上,安森美(onsemi)电源方案事业部市场拓展
2025-07-28 09:29:241536

具有 MIPI® RF 前端控制功能的高频降压转换器,用于 2G/3G/4G RF 功率放大器 skyworksinc

电子发烧友网为你提供()具有 MIPI® RF 前端控制功能的高频降压转换器,用于 2G/3G/4G RF 功率放大器相关产品参数、数据手册,更有具有 MIPI® RF 前端控制功能的高频降压转换器
2025-07-24 18:31:47

全球首批!芯晟率先通过Qi2.2认证,解锁无线充电功率时代

核心技术领域的领先地位,积极推动行业新标准的落地。 Qi2.2标准于2024年提出,最大变化是将无线充电功率提升至 25W,它依然基于 Qi2 的磁吸对准机制,但在能效和散热管理上进一步加强;同时,该标准主要面向未来功率手机设备,仍向下兼容 Qi2.0 和 Qi1标准。 芯晟自主研发的
2025-07-18 11:16:453907

永源微APJ14N65D-650V N-Channel增强模式MOSFET

描述: APJ14N65D是CoolFET II MOSFET系列 也就是利用电荷平衡技术 低导通电阻和低栅极电荷性能 APJ14N65F/P/T适用于需要更高的功率密度和突出的效果 一般特性
2025-07-15 16:22:02

密封光隔离高速功率 MOSFET 驱动器 skyworksinc

电子发烧友网为你提供()密封光隔离高速功率 MOSFET 驱动器相关产品参数、数据手册,更有密封光隔离高速功率 MOSFET 驱动器的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,密封光隔离高速功率
2025-07-09 18:30:34

MOSFET与IGBT的选择对比:中低压功率系统的权衡

功率电子系统中,MOSFET和IGBT是两种常见的开关器件,广泛应用于中低压功率系统。它们各有优缺点,适用于不同的应用场景。作为FAE,帮助客户理解这些器件的特性、差异和应用场景,能够有效提高系统
2025-07-07 10:23:192439

用于混合组装的光隔离高速功率 MOSFET 驱动器 skyworksinc

电子发烧友网为你提供()用于混合组装的光隔离高速功率 MOSFET 驱动器相关产品参数、数据手册,更有用于混合组装的光隔离高速功率 MOSFET 驱动器的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料
2025-07-03 18:34:35

扬杰科技推出用于清洁能源的N60V MOSFET产品

扬杰科技最新推出了一系列用于清洁能源的N60V MOSFET产品产品采用特殊优化的SGT技术,具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg,明显降低导通和开关损耗,同时提升了MOSFET抗冲击电流能力,非常适合应用于功率密度和高效率电力电子变换系统。
2025-06-27 09:43:531352

森美EliteSiC SPM31智能功率模块有哪些亮点

随着电气化浪潮席卷全球,人工智能应用持续爆发式增长,使得高能效功率器件需求快速攀升。安森美推出了第一代基于1200V碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的SPM 31智能功率模块(IPM)系列,将为行业降低能耗和整体系统成本提供创新思路。
2025-06-24 15:20:251373

LTD1534MFL领泰N沟道增强型功率MOSFET

⚫特性 VDS = 30V,I D = 130A ;RDS(导通)@VGS=10V,典型值1.5mΩ ;RDS(导通)@VGS=4.5V,典型值2.4mΩ ⚫概述 •同步降压转换器 •功率密度DC
2025-06-12 09:19:11

初级元器件知识之功率MOSFET

什么是功率 MOSFET? 我们都懂得如何利用二极管来实现开关,但是,我们只能对其进行开关操作,而不能逐渐控制信号流。此外,二极管作为开关取决于信号流的方向;我们不能对其编程以通过或屏蔽一个信号
2025-06-03 15:39:43

森美PowerTrench MOSFET助力光伏逆变器设计

随着全球对可再生能源需求的快速增长,光伏系统的效率与可靠性成为行业关注的焦点。安森美(onsemi)提供多种MOSFET方案,助力光伏逆变器厂商实现更高性能、更紧凑的系统设计。
2025-05-30 10:30:40863

使用 N-MOSFET 作为功率吸收路径有哪些优点?

CCG8 使用 GPIO 来控制 FET 栅极驱动器的功率吸收路径, 我可以使用 P-MOSFET 作为电源接收路径吗? 使用 N-MOSFET 作为功率吸收路径有哪些优点?
2025-05-28 06:51:33

AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET,专为功率应用能效优化而生

(Gen3)1200V aSiC MOSFET系列产品,旨在为蓬勃发展的工业电源应用市场提供更高能效解决方案。与AOS上一代产品相比,该系列产品负载条件下能够保持较低导通损耗的同时,其开关品质因数
2025-05-07 10:56:10728

互补MOSFET脉冲变压器的隔离驱动电路设计

电路设计的驱动电路。 功率 MOSFET 对驱动电路的要求: 功率 MOSFET 是电压型驱动器件[2],没有少数载流子的存贮效应,输入阻抗,因而开关速度可以很高,驱动功率小,电路简单。但功率
2025-03-27 14:48:50

MOSFET与IGBT的区别

飞兆半导体的IGBT器件FGP20N6S2 (属于SMPS2系列)和MOSFET器件 FCP11N60(属于SuperFET 产品族)。这些产品具有相近的芯片尺寸和相同的热阻抗RθJC,代表了功率
2025-03-25 13:43:17

MAX2204 RF功率检测器技术手册

MAX2204 RF功率检测器设计为工作在450MHz至2.5GHz频率范围。该器件可理想用于宽带码分多址(WCDMA)、cdma2000®和高速上行/下行包存取应用。MAX2204的输入端接受RF
2025-03-25 11:16:51822

MOSFET开关损耗计算

)与电源转换技术来提高电源转换效率之外,新式功率器件在高效能转换器中所扮演的重要角色,亦不容忽视。其中,Power MOSFET 目前已广泛应用于各种电源转换器中。本文将简述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44

​安森美推出基于碳化硅的智能功率模块

森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的SPM31智能功率模块(IPM)系列。
2025-03-19 14:31:281103

一文带你读懂MOSFET开关损耗计算!!(免积分)

扩大。为了满足节能和降低系统功率损耗的需求,需要更高的能源转换效率,这些与时俱进的设计规范要求,对于电源转换器设计者会是日益严厉的挑战。为应对前述之规范需求,除使用各种新的转换器拓扑(topology
2025-03-06 15:59:14

新洁能推出HO系列MOSFET产品

随着市场对高性能功率半导体器件宽SOA MOSFET需求的日益增长,新洁能(NCE)产品研发部门推出HO系列MOSFET产品,优化了SOA工作区间,可满足热插拔、缓启动、电子保险丝、电机驱动、BMS
2025-03-04 14:40:341237

森美M3S与M2 SiC MOSFET的性能比较

森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模块中的 M3S 技术已经发布。M3S MOSFET 的导通电阻和开关损耗均较低,提供 650 V 和 1200 V 两种电压等级选项。本白皮书侧重于
2025-02-21 11:24:201802

森美EliteSiC MOSFET技术解析

SiC 器件性能表现突出,能实现功率密度设计,有效应对关键环境和能源成本挑战,也因此越来越受到电力电子领域的青睐。与硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比,SiC 器件的运行频率更高
2025-02-20 10:08:051343

贸泽电子2024年新增超60家供应商,产品阵容扩大

,进一步扩大了其产品代理阵容。 这一举措为广大电子设计工程师与采购人员提供了更加多元化的选择,使他们能够轻松获取各类先进产品和技术。贸泽电子一直致力于引入新品,通过不断扩大产品阵容,帮助客户加快产品上市速度,提升市场竞争力。 新增的60多家供应商涵盖了
2025-02-10 11:04:57924

贸泽电子2024年新增逾60家供应商 持续为客户扩大产品代理阵容

2025 年 2 月 6 日 – 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 于2024年新增超过60家供应商,产品代理阵容持续扩大
2025-02-07 14:59:14488

沟槽型SiC MOSFET的结构和应用

MOSFET(U-MOSFET)作为新一代功率器件,近年来备受关注。本文将详细解析沟槽型SiC MOSFET的结构、特性、制造工艺、应用及其技术挑战。
2025-02-02 13:49:001994

RF3932D宽带放大器现货库存RF-LAMBDA

RF3932D宽带放大器现货库存RF-LAMBDARF3932D专门为商业基础设施建设、蜂窝网络和WiMAX基础设施及其通用型宽带放大器应用需求设计。使用最先进的功率密度氮化镓(GaN)半导体
2025-01-22 09:03:00

瑞萨电子推出新型 100V 功率 MOSFET,助力多领域应用

近日,瑞萨电子公司宣布推出新型100V功率N沟道MOSFET。这款产品专为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电应用而设计,以其卓越的电流开关性能和行业领先的技术表现成为市场焦点。新型
2025-01-13 11:41:38957

光科技计划大规模扩大DRAM产能

据业内消息,光科技预计今年将继续积极扩大其DRAM产能,与去年相似。得益于美国政府确认的巨额补贴,光近期将具体落实对现有DRAM工厂进行改造的投资计划。   去年底,光科技宣布将在
2025-01-07 17:08:561306

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