中国科学院“先导”项目成果发布。 根据中科院计算所副所长包云岗介绍，第二代“香山”开源高性能RISC-V处理器核，于2022年9月研制完毕，计划2023年6月流片。性能超过2018年Arm公司发布的 Cortex-A76内核。 高性能的开源RISC-V内核 RISC-V 起源于加州大学伯克利分校，发
2023-06-01 01:13:00
2133 栅的设计解决了SiC MOSFET中栅极氧化物的可靠性问题，并克服了常见的SiC MOSFET在控制和驱动方面的限制，这加速了SiC MOSFET上车的节奏。 在第二代产品上，英飞
2024-03-19 18:13:181431 
利用 SiC 功率器件开关频率高、开关损耗低等优点, 将 SiC MOSFET 应用于水下航行器大功率高速电机逆变器模块, 对软硬件进行设计。
2024-03-13 14:31:4667 
瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品，这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified），还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出，标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 潮，令800V平台、SiC电驱开始打进20万内的市场，SiC也进一步能够加速在市场上普及。 最近两家国内厂商又有多款SiC MOSFET产品通过了车规级认证，这将继续推动SiC功率器件量产上车。 瞻芯电子 瞻芯电子3月8日宣布，由公司开发的三款第二代650V SiC MOSFET产
2024-03-13 01:17:002631 
RK3576处理器
RK3576瑞芯微第二代8nm高性能AIOT平台，它集成了独立的6TOPS（Tera Operations Per Second，每秒万亿次操作）NPU（神经网络处理单元），用于
2024-03-12 13:45:25
近日，瞻芯电子宣布其研发的三款第二代650V SiC MOSFET产品成功通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性认证，这一里程碑式的成就标志着瞻芯电子在功率电子领域的持续创新与技术突破。
2024-03-12 11:04:24260 全球知名音频品牌Bose近日宣布推出其全新音频可穿戴设备——Bose Ultra开放式耳机。这款耳机采用第二代高通®S5音频平台，并支持Snapdragon Sound骁龙畅听技术，旨在为用户带来无与伦比的高清音频体验、快速稳健的连接性能以及更持久的续航时间。
2024-03-11 10:30:28144 3月8日，瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38286 
上海瞻芯电子科技有限公司（简称“瞻芯电子”）近期取得了一项重要的技术突破。该公司推出的两款第二代SiC MOSFET产品，分别为650V 40mΩ规格的IV2Q06040D7Z和650V 60m
2024-03-07 09:43:18222 出首批2款基于第二代碳化硅（SiC）MOSFET芯片技术的SMPD塑封半桥模块产品，并顺利通过了车规级可靠性认证（AQG324）。
2024-03-07 09:37:27150 近期，科技巨头三星半导体做出了一个引人注目的决策：将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”。
2024-03-06 13:42:14315 茂睿芯推出第二代CAN FD收发器MCAN1462，是国内首款支持10Mbps通信速率、具有信号改善能力（SIC）的CAN FD收发器
2024-03-01 10:47:03290 
在通用PWM发电机中，我可以用任何型号替换SiC MOSFET吗？
2024-03-01 06:34:58
SiC MOSFET模块目前广泛运用于新能源汽车逆变器、车载充电、光伏、风电、智能电网等领域[2-9] ，展示了新技术的优良特性。
2024-02-19 16:29:22206 
英飞凌科技股份公司近日发布了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列。这款产品采用了先进的TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ，旨在满足高压应用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 据报道，韩国三星代工厂已经开始试制其第二代 3 纳米级别工艺技术的芯片，称为 SF3。这一发展标志着半导体行业的一个重要里程碑，因为三星与台积电竞争下一代先进工艺节点的量产主导权。韩国知名权威
2024-01-22 16:10:14456 
第二代配网行波故障预警与定位装置YT/XJ-001：守护电力线路的超能"哨兵" 电力，如同现代社会的血脉，支撑着我们的生活和工作正常运行。然而，一旦这条血脉出现故障，生活和工作
2024-01-22 15:11:19135 
据行业知情人士透露，SK On最近与现代汽车签署了一份价值约万亿韩元的协议。根据这份协议，SK On将成为现代汽车第二代电动汽车平台项目的首个合作伙伴，为其提供电池。
2024-01-18 15:57:20233 近日，中科驭数自研第二代DPU芯片K2在众多云生态创新应用技术产品中脱颖而出，成功入选由中国云产业联盟暨中关村云计算产业联盟发布的“2023年中国云生态创新应用技术产品”。这一殊荣既是对中科驭数第二代DPU芯片K2在行业领先地位的认可，也展现出DPU芯片在云产业中的关键价值和重要意义。
2024-01-18 09:20:05443 近日，瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了严苛的车规级可靠性认证，该产品采用TO263-7贴片封装，具有体积较小，安装简便，损耗更低的特点。
2024-01-16 10:16:24770 
高通技术公司近日宣布推出全新第二代骁龙®XR2+平台，这一创新平台旨在为MR和VR设备带来更出色的性能和体验。第二代骁龙XR2+平台具备强大的硬件配置，支持高达4.3K的单眼分辨率和12路及以上的并行摄像头，从而为用户带来更加清晰、沉浸的MR和VR体验。
2024-01-08 15:22:27396 近日，高通技术公司再次引领行业前沿，推出了全新的第二代骁龙XR2+平台。这一平台的性能显著提升，其中GPU频率提升了15%，CPU频率提升了20%，为MR和VR体验开辟了全新的可能性。
2024-01-05 15:19:51224 近日，高通技术公司宣布推出全新第二代骁龙®XR2+平台，这款平台将为XR设备带来前所未有的清晰度与流畅度，为工作和娱乐提供无与伦比的沉浸式体验。
2024-01-05 15:13:25255 第二代骁龙XR2+平台支持4.3K单眼分辨率和12路及以上并行摄像头，带来更清晰沉浸的MR和VR体验。
2024-01-05 09:47:38209 近日，国内智能投影品牌希影正式发布便携旗舰投影L12 Pro的升级款L12 Pro第二代，并宣布上架华为商城全面开售。 作为希影旗下销量“扛把子”系列之一，希影L系列此前就深受广大用户喜爱，取得了
2024-01-03 17:08:37667 在新荣耀三周年暨荣耀100系列新品发布会上，荣耀100 Pro闪耀登场，让数字系列再次引领时尚影像新风潮。荣耀100 Pro搭载 第二代骁龙8移动平台 ，将独特的美学设计、出色的性能表现、单反级写真相机以及创新的智能体验融于一体。本期体验报告，一起来感受这款时尚新品从设计到体验的全面升级。
2024-01-02 11:43:39456 智绘微电子官方宣布，第二代具有完全自主知识产权的图形处理芯片“IDM929”成功实现了一次性流片成功，并顺利点亮！
2023-12-29 10:46:04452 还发布了第二代SiC MOSFET产品，不仅兼容15~18V驱动，而且比导通电阻下降25%，其损耗更低、成本更优，综合性能达到国际一流水平。
2023-12-25 18:42:34559 
1996年及之后生产的所有轻型车量都必须采用第二代随车诊断系统（OBDⅡI）标准。OBDII的主要目的是降低排放污染，而设立OBD I（1988年）的主要目的是检查传感器或其电路是否有问题。
2023-12-21 16:52:56143 
SIC MOSFET在电路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅场效应晶体管）是一种新型的功率晶体管，具有较高的开关速度和功率密度，广泛应用于多种电路中。 首先，让我们简要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686 怎么提高SIC MOSFET的动态响应？ 提高SIC MOSFET的动态响应是一个复杂的问题，涉及到多个方面的考虑和优化。在本文中，我们将详细讨论如何提高SIC MOSFET的动态响应，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET对驱动电路的基本要求 SIC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种新兴的功率半导体器件，具有良好的电气特性和高温性能，因此被广泛应用于各种驱动电路中。SIC
2023-12-21 11:15:49416 今天江苏宇拓电力科技来为大家说明一下产品介绍：第二代配网行波故障预警与定位装置YT/XJ-001 一、产品概述 第二代配网行波故障预警与定位装置YT/XJ-001是一种先进的故障预警与定位系统，专为
2023-12-11 09:22:58207 
SiC MOSFET的桥式结构
2023-12-07 16:00:26157 
SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作
2023-12-07 14:34:17221 
SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
2023-12-05 17:10:21431 
如何选取SiC MOSFET的Vgs门极电压及其影响
2023-12-05 16:46:29482 
深入剖析高速SiC MOSFET的开关行为
2023-12-04 15:26:12293 
易天光通信作为通信行业的新秀，深耕通信领域近十余载，近期推出了全新升级的第二代100G ZR4 80KM光模块，将成为未来通信发展的重要里程碑，为易天和客户的交流合作打开了一扇突破传输距离限制的崭新大门。
2023-12-01 16:56:56243 
SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:02345 
Core2是M5StackCore系列的第二代主机，它搭载了ESP32芯片和可触摸屏，具有易于堆叠、可拓展和快速开发的特性。自2020年发布至今，Core2在国内外市场持续热销受到广大用户的喜爱
2023-11-18 08:29:08465 
SiC功率开关，利用意法半导体最先进的第二代和第三代SiC MOSFET技术，确保低 RDS(开)值。这些器件
2023-11-14 15:48:49356 据称，第二代Vision Pro的项目代号为Project Alaska，设备标识符为N109，整体外观与初代Vision Pro接近。尽管它在很大程度上沿用初代设计，不过会调整扬声器等零件的位置。
2023-11-13 17:05:35476 下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列，进行详细介绍
2023-11-01 14:46:19736 
泵、空调等汽车系统，产品优点包括高功率密度、设计高度紧凑和装配简易等，提供四管全桥、三相六管全桥和图腾柱三种封装配置，增强了系统设计灵活性。 新模块内置1200VSiC功率开关管，意法半导体第二代和第三代 SiC MOSFET先进技术确保碳化硅开关管具有很低的导通电阻RDS(o
2023-10-30 16:03:10262 超声波在日常生活中无处不在，在医疗领域，借助超声波可用于洗牙、协助诊断各种疾病;在汽车领域，利用超声波可探测障碍物到车辆的距离。本文为大家介绍立功科技第二代超声波雷达(AK2)的解决方案。
2023-10-17 15:36:104051 
炬芯科技宣布全新第二代2.4G/BT低延迟无线收发音频SoC芯片ATS3031发布量产，终端品牌产品已经上市规模销售。
2023-10-07 12:29:17637 越来越严苛，已经超出了硅 （Si） 基 MOSFET的能力，因而基于碳化硅 （SiC） 的新型晶体管架构应运而生。 虽然新式器件在所有关键性能指标方面都有明显的优势，但由于各种局限性和应用的不确定性，设计人员对第一代 SiC器件持谨慎态度是明智的。第二代器件规格方面经过
2023-10-03 14:40:001643 
产品均搭载高通技术公司推出的第二代高通S5音频平台，支持Snapdragon Sound骁龙畅听技术，带来包括无损音频、稳健连接和超低时延等强大特性。
2023-09-22 12:25:341655 白皮书
第二代ClearClock™三次泛音晶体振荡器
在这份全新的白皮书中，我们讨论了最新一代超低抖动三次泛音晶体振荡器的特点、优势、性能和特性，这些振荡器旨在为各种高速应用提供稳定准确的时钟信号
2023-09-13 09:51:52
材料领域中，第一代、第二代、第三代没有“一代更比一代好”的说法。氮化镓、碳化硅等材料在国外一般称为宽禁带半导体。 将氮化镓、氮化铝、氮化铟及其混晶材料制成氮化物半导体，或将氮化镓、砷化镓、磷化铟制成
2023-09-12 16:19:271931 
单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制，采用节省空间的窄体SO-8封装，通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率，STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间，并增强了节能型动力系统、驱动器和控制的稳健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
处理速度大幅提升，成像速度是第一代的1.6 倍，内存开销较上一代平台降低了75%，计算平台I/O吞吐访问性能达到Jetson NX平台的1.4倍。基于以上关键性能提升，第二代平台通用计算资源有了冗余
2023-08-25 11:42:19229 
谈谈SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131018 
据介绍，瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V，可提升应用兼容性，简化应用系统设计。在产品结构上，第二代SiC MOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET，但进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计，使器件比导通电阻降低约25%，并显著降低开关损耗，提升系统效率。
2023-08-23 15:38:01703 电子发烧友网站提供《LSI第二代6Gb/s超级磁盘阵列SATA+SAS控制器卡常见问题.pdf》资料免费下载
2023-08-22 15:52:17
0 瞻芯电子依托自建的碳化硅(SiC)晶圆产线，开发了第二代碳化硅(SiC)MOSFET产品，其中IV2Q12040T4Z (1200V 40mΩ SiC MOSFET)于近日获得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285 
车载充电机（On-Board Charger，简称为OBC）的基本功能是：电网电压经由地面交流充电桩、交流充电口，连接至车载充电机，给车载动力电池进行慢速充电。基本半导体第二代SiC碳化硅
2023-08-17 10:07:23
在自己的开发板移植了蜂鸟E203二代，用IDE测试hello world程序，报了下面错误，有大佬能帮忙看看嘛，或者遇到过相关的救救孩子，太感谢了。
详细一点的我写在这了，发帖复制粘贴不了
2023-08-16 07:44:24
第二代数字OLED尾灯将配备6个OLED面板，共计360个发光单元，可在每10毫秒生成一个新图像，使其具备交互灯功能，使外部灯光作为智能显示屏，与其他道路使用者互联交互。
2023-08-09 16:52:39825 对于SiC功率MOSFET技术，报告指出，650-1700V SiC MOSFET技术快速迭代，单芯片电流可达200A。提升电流密度同时，解决好特有可靠性问题是提高技术成熟度关键。
2023-08-08 11:05:57428 首先，是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。
2023-08-06 10:49:071102 
第二代平台支持AI降噪，支持录音功能，支持视频表盘，支持第三方应用程序，支持WebAssembly技术，拥有更加丰富的外围接口资源，更精简的BOM，更大的内存，满足个性化需求等等领先优势。在此基础上，整体的性能更加强劲功耗更低。
2023-08-05 08:31:18672 
电子发烧友网站提供《第二代6gb/s MegaRAID控制器卡片和快速路径软件.pdf》资料免费下载
2023-08-02 14:54:490 使用。其中PFC维也纳电路AC/DC的开关频率40kHz左右，一般使用650V的超结MOSFET或者650V的IGBT，劣势是器件多，硬件设计复杂，效率低，失效率
2023-08-02 10:29:00
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布，公司已开始出样业界首款 8 层堆叠的 24GB 容量第二代 HBM3 内存，其带宽超过
2023-07-28 11:36:40535 2023年7月，炬芯科技宣布全新第二代智能手表芯片正式发布。自2021年底炬芯科技推出第一代的智能手表芯片开始便快速获得了市场广泛认可和品牌客户的普遍好评。随着技术的不断创新和突破，为了更加
2023-07-25 17:14:201309 2023年7月，炬芯科技宣布全新第二代智能手表芯片正式发布。自2021年底炬芯科技推出第一代的智能手表芯片开始便快速获得了市场广泛认可和品牌客户的普遍好评。随着技术的不断创新和突破，为了更加
2023-07-25 14:04:22387 
2023年7月，炬芯科技宣布全新第二代智能手表芯片正式发布。自2021年底炬芯科技推出第一代的智能手表芯片开始便快速获得了市场广泛认可和品牌客户的普遍好评。随着技术的不断创新和突破，为了更加
2023-07-24 17:16:17839 
USB Implementers Forum 已将 USB 3.0 更新为 USB 3.1。 FLIR 更新了其产品描述来反映此项更改。 本页将介绍 USB 3.1 以及第一代与第二代 USB 3.1 之间的差异及两者能给机器视觉开发人员带来的实际益处。
2023-07-14 14:52:23670 
我们不妨称之为第二代，第一代为单管IGBT控制器，第二代为SIC 控制器，最新的暂称第三代）进行对比两代控制器的设计区别。
2023-07-06 10:22:06811 
ZMOD4410 数据表附录 - IAQ 第二代：附加特性
2023-07-03 18:35:080 [RZ/Five] RZ/G 系列，第二代用户手册概述：硬件
2023-06-30 18:54:160 6月28日，全球顶级移动通信盛会上海MWC正式拉开帷幕。作为领先的全场景智能车芯企业，芯驰科技携第二代中央计算架构SCCA2.0，以及全系列高性能、高安全车规芯片产品和解决方案闪亮登场！ 2023
2023-06-29 11:09:21353 1. 高通第二代骁龙4 芯片发布，传由台积电转单三星代工 据外媒报道，高通公司本月27日正式发布第二代骁龙4移动平台（Snapdragon 4 Gen 2），据传将从前代的台积电6纳米工艺平台
2023-06-29 10:54:291085 要点 — • 第二代骁龙4旨在进一步推动5G等先进技术在全球范围内普及 • 满足消费者对入门级产品的需求，提供轻松自如的多任务处理、先进的照片和视频拍摄以及可靠的连接功能 • 搭载该平台的商用
2023-06-27 00:05:011083 
要 点 — • 扩展的第二代高通S3音频平台产品组合，专为蓝牙适配器而打造，包括支持Snapdragon Sound骁龙畅听技术。 • Snapdragon Sound骁龙畅听技术和LE
2023-06-22 09:50:01253 
要求。 本文推荐基本半导体第二代碳化硅MOSFET B2M065120Z用于工业电源，可以替代英飞凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N
2023-06-17 10:59:00
NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南。本文为第二部分，将重点介绍安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的动态特性。
2023-06-16 14:39:39538 
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域，如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再生能源、能源等存储系统、工业和电网基础设施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
第二代碳化硅MOSFET系列器件用于光储一体机，将会比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。
2023-06-12 14:58:36337 经典核基于第二代“香山”工程化优化，对标ARM A76，为工业控制、汽车、通信等泛工业领域提供CPU IP核；高性能核则基于第三代“香山”（昆明湖）性能提升，对标ARM N2，为数据中心和算力设施等领域提供高性能CPU IP核。
2023-06-08 16:41:26966 
当前量产主流SiC MOSFET芯片元胞结构有两大类，是按照栅极沟道的形状来区分的，平面型和沟槽型。
2023-06-07 10:32:074304 
更高性能的第二代UFS 4.0嵌入式闪存设备已开始送样(2)。以小封装尺寸提供快速的嵌入式存储传输速度，适用于各种下一代移动应用。铠侠 UFS 产品性能的改进使这些应用程序能够利用 5G 的连接优势，从而加快下载速度、减少延迟时间并改善用户体验。 铠侠UFS 4.0产品
2023-06-06 14:30:191526 
的“RISC-V 开源处理器芯片生态发展论坛”上，第二代“香山”（南湖架构）开源高性能 RISC-V 核心正式发布。据介绍，“香山”于 2022 年 6 月启动工程优化，同年 9 月研制完毕，计划 2023 年 6
2023-06-05 11:51:36
TE Connectivity第二代充电插座系列，涵盖国标、美标、欧标、日标系列，通过革新性结构优化设计，可以为客户大幅简化装配流程，节省75%以上装配时间，产出效率提升4倍以上，并带来自动化生产可能。
2023-06-01 10:49:30615 SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充电桩及太阳能逆变器等高频应用中日益得到重视。因为SiC MOSFET开关频率高达几百K赫兹，门极驱动的设计在应用中就变得格外关键。因为在短路
2023-06-01 10:12:07998 
得益于两个并发数据连接，第二代高通双卡双通支持更出色的游戏、数据、通话和流媒体用户体验 多SIM卡功能是智能手机最早的技术突破之一，通过支持用户接入多个蜂窝网络来应对连接挑战。 然而
2023-05-31 16:33:22945 
第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和
2023-05-29 10:16:48
据开芯院首席科学家包云岗介绍，第二代“香山”于2022年6月启动工程优化，同年9月研制完毕，计划2023年6月流片，性能超过2018年ARM发布的Cortex-A76，主频2GHz@14nm
2023-05-28 08:41:37
在高压开关电源应用中,相较传统的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET 有明 显的优势。
2023-05-26 09:52:33462 
周(Display Week 2023)，展示面向未来显示器的第二代LED技术，包括基于WICOP Pixel技术的microLED显示器和有助于用户保持眼睛健康的低蓝光(LBL)显示器。
2023-05-25 10:14:05402 Arasan Chip Systems是移动和物联网SoC半导体IP的领先供应商，今天宣布立即推出用于GF 22nm SoC设计的第二代MIPI D-PHY IP。
2023-05-19 14:51:22570 Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
第二代准谐振 PWM 控制器
2023-03-24 14:41:30
第二代准谐振 PWM 控制器 SOT23-6
2023-03-24 14:01:59
然而不知不觉中，现在这套电驱系统已经升级到了第二代，除了结构上的变化，部分零部件也采用了全新的设计，借着这次试驾名爵 eHS 的机会，我了解到了第二代 EDU 的一些细节信息，下面跟大家分享。
2023-03-24 10:53:312194
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