耐压30V降压恒压芯片的工作原理如下：
该芯片内部集成了开关管和同步整流管，通过它们进行电压的转换，将输入的30V电压降至所需的输出电压（如12V或5V）。在工作过程中，该芯片通过PWM
2024-03-22 11:31:10
JW7109是一款具有可编程导通上升时间的低导通电阻双通道负载开关，且支持较快的上升斜率，以满足快速时序的要求。它包含两个N沟道MOSFET，每个沟道可以提供6A的最大连续电流。每个通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可编程导通上升时间的低导通电阻双通道负载开关。它包含两个N沟道MOSFET，每个沟道可以提供6A的最大连续电流。每个通道可以在0.8V到5.5V的输入电压范围内工作。 每个
2024-03-18 14:36:43
如何区别普通电阻和保险电阻？如何检验保险电阻好坏？ 普通电阻和保险电阻是两种不同的电子元件，下面将详细介绍如何区分普通电阻和保险电阻，并说明如何检验保险电阻的好坏。 1. 普通电阻和保险电阻的定义
2024-03-05 15:48:06
201 ，原始取得MOS管、IGBT管、TVS二极管、元器件封测方面几十项发明专利，通过欧盟ROHS及REACH检测标准。“slkor”发展成为国际知名品牌，萨科微产品被超10000家客户采用！萨科微工厂
2024-03-05 14:23:46
带来怎样的惊喜呢？拭目以待吧。
瑞萨 RZ/G2UL 系列处理器是一款专为工业级应用设计的芯片，它集成了 ARM Cortex-A55 高性能 CPU 和 ARM Cortex-M33 实时CPU
2024-02-04 23:38:07
150V高耐压降压芯片是一种电源管理芯片，其主要功能是将输入电压降低到较低的输出电压。以下是一般的高耐压降压芯片的工作原理：
输入电压稳压：首先，芯片会接收输入电压，这个电压可能来自电池、电源适配器
2024-01-26 14:13:26
随着科技的不断进步，电动车控制器芯片作为电动车的核心部件，其性能和品质对于电动车的性能和安全性至关重要。SL3038 耐压150V恒压芯片是一款高效、可靠的降压IC，适用于60V、72V、90V等
2024-01-18 16:54:36
抗浪涌电阻和普通电阻的区别 抗浪涌电阻和普通电阻虽然都属于电阻器件，但在功能、结构和特性方面有很大的区别。本文将详尽、详实、细致地从多个方面对这两种电阻进行比较分析。 1. 功能区别: 抗浪涌电阻
2024-01-18 16:16:58559 近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316 型号：FDG6303N-VB丝印：VBK3215N品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：2个N沟道- 额定电压：20V- 额定电流：2A- 静态导通电阻（RDS(ON)）：150mΩ @ 4.5V
2023-12-21 10:44:17
用万用表如何检测普通电阻器？ 万用表是一种多功能测量工具，用于测量电流、电压和电阻。它可以用于检测各种类型的电阻器，包括普通电阻器。在本文中，我们将介绍如何使用万用表来检测普通电阻器的详细步骤
2023-12-20 10:46:24669 惠斯通电桥测电阻的基本原理和方法 惠斯通电桥是一种常用的电阻测量工具，广泛应用于实验室和工业控制领域。本文将详细介绍惠斯通电桥的基本原理和方法，并说明其测量电阻的优势和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:392758 型号：PV600BA-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数说明：- MOSFET类型：N沟道- 额定电压：30V- 最大电流：12A- 导通电阻（RDS(ON)）：12mΩ @ 10V
2023-12-14 11:43:03
型号: NTJD4001NT1G-VB丝印: VBK3215N品牌: VBsemi详细参数说明:- 沟道类型: N沟道- 额定电压: 20V- 最大电流: 2A- 静态导通电阻 (RDS
2023-12-14 10:34:15
小型封装（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐压Super Junction MOSFET *1 ，新产品非常适用于照明用小型电源、电泵和电机等应用。 R6004END4
2023-12-12 12:10:01222 
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 
SL3038的输入电压范围为4.5V至150V，使得它能够适应各种不同的电源电压。这意味着您可以在不同的输入电压下使用SL3038，从而实现更灵活的应用。
2. 高耐压能力
SL3038的最大
2023-11-28 17:03:22
华芯微特SWM241系列性能完美兼容瑞萨的R5F100LEA，提供更高性价比的小家电32位MCU，SWM241 系列 32 位 MCU 内嵌 ARM® CortexTM-M0 内核
24位系统定时器
2023-11-20 15:43:07
的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电 路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻
2023-11-20 01:30:56189 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长，导通电阻急剧增大，电流额定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
美格纳半导体宣布推出微纳加工增强型第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET)。 这款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 请教大侠们 瑞萨的集成LO芯片8V97051，8V97051 L,8V97051 A
这三款有没有区别？？
2023-10-30 12:36:41
精密电阻和普通电阻的区别 普通电阻能否代替精密电阻？ 电阻是电子工程中一个常见的元件，它被用来控制电流和电压。精密电阻和普通电阻是电阻中的两个主要类别，它们之间的区别在于精度和稳定性。本文将详细介绍
2023-10-29 11:21:55933 型号 ME9435丝印 VBA2333品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 6A 导通电阻 40mΩ @10V, 54mΩ @4.5V
2023-10-28 14:24:47
瑞萨RX130在时钟频率32MHz时，指令最短执行时间是多少？
2023-10-28 07:01:18
TDK的NTCRP系列（NTC热敏电阻）广泛应用于各种可靠性要求较高的应用中，包括电动汽车的驱动电机和电池、工业设备的温度检测等。而严格的绝缘电阻和绝缘耐压测试是保障用户使用安全性和可靠性的重要措施
2023-10-25 15:55:03283 
美格纳半导体公司 宣布推出两款基于其第8代沟槽MOSFET技术的新型150V MXT MV 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格纳极限沟槽
2023-10-12 17:15:09736 1、超级结构 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压
2023-10-07 09:57:362772 
电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:50
0 SL3160
150V/0.8A 开关降压型转换器
概述
SL3160 是一款用于开关电源的内置150V 高压MOSFET 的DC-DC 控制器。
SL3160 内置高压启动和自供电功能，可满足
2023-09-18 14:44:25
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 08:28:24
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 08:28:22
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 08:09:45
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-18 07:44:11
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-18 07:42:05
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 07:30:53
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-18 06:56:21
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:47:35
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:28:58
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:19:55
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:19:44
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:08:07
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:07:42
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-15 08:16:35
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superp&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-15 08:12:36
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:08:54
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 07:55:12
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-15 07:17:57
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-15 07:12:49
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-15 07:06:08
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:55:35
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-15 06:17:30
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-15 06:09:58
波动，起到开关作用的MOSFET需要具备100V的耐压能力。而另一方面，提高耐压意味着与其存在权衡关系的导通电阻也会提高，效率会变差，因此，如何同时兼顾更高耐压和更低导通电阻，是一个很大的挑战。风扇电机通常会使用多个MOSFET进行驱动，为了节
2023-09-14 19:12:41305 
相对于IGBT，SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗，实现了高频率工作，有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET，导通电阻较小，可减少相同导通电阻的芯片面积，并显著降低恢复损耗。
2023-09-11 10:12:33566 
这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快快恢复时间（trr），以及出色的品质因数（RDS(on) x Qg），能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率
2023-09-08 06:00:53
射频电阻和普通电阻区别 随着科技的不断进步和应用范围的扩大，射频技术在越来越多领域被广泛使用。在射频电路中使用的电阻，被称为射频电阻，而普通电路中使用的电阻，被称为普通电阻。射频电阻和普通电阻之间
2023-09-02 10:25:431207 【瑞萨RAMCU创意氛围赛】基于RA6M5的电子墨水屏微信信息站大信(QQ:8125036)一、创意方案简介
手机微信是我们日常生活中使用越来越多的通信工具之一，手机微信在给我们带来便利的同时，也
2023-08-28 04:06:56
器件描述：漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 50uA 漏源导通电阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
SLH60R028E7是一款600VN沟道多层外延工艺的超结MOS，由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，故在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要
2023-08-18 08:32:56513 
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向通信基站和工业设备等的风扇电机驱动应 用，开发出将两枚100V耐压MOSFET* 1一体化封装的双MOSFET新产品。新产品分“HP8KEx
2023-08-11 11:16:16538 
报告中介绍，随着功率半导体应用领域逐渐扩大，当应用在计算机和航空电子等领域中时，低导通压降能够缩小整机的冷却系统，从而降低整机尺寸和成本，所以用户对器件的导通电阻提出了更高的要求。
2023-08-09 16:21:36326 比起通用型片式电阻（RK73）把最高使用电压加以高耐压化
2023-08-02 16:47:01506 
收到米尔瑞萨RZ/G2L开发板后一直对米尔旗下开发板的做工感到非常精致，同时也有着很强大的功能，也一直很喜欢米尔系列开发板。
引领工业市场从32位MPU向64位演进
基于瑞萨高性价比RZ/G2L
2023-07-29 00:21:11
供应ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片可代换IR2104，提供ID7U603SEC-R1关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:10:05
同时实现业界超快反向恢复时间和业界超低导通电阻，可进一步降低工业设备和白色家电的损耗 ROHM的600V耐压Super Junction MOSFET PrestoMOS 产品阵容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 关于电阻的使用，很多做低压供电电子产品的硬件工程师不关注耐压，甚至不知道有这个参数。
2023-07-10 10:35:28651 
两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部，挖出来的沟槽里面，叫做沟槽型MOSFET。针对两种不同的结构，对其导通电阻的构成进行简单的分析介绍。
2023-06-25 17:19:021448 
线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。 通过对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的
2023-06-13 16:38:50712 
效的保证，芯片的内部缺陷远小于低成本的沟槽工艺产品，其高温稳定性大大提高。 内阻低 超结MOS具有极低的内阻，在相同的芯片面积下，超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。
体积小 在同等
2023-06-13 16:30:37
收到的米尔瑞萨RZ/G2L开发板上电测试一下SSH登录方式和其它测试！
SSH登录
在使用之前，需要事先连接网络，笔者这里使用的是以太网，事先需要使用串口的登录，然后输入以下命令查看IP地址
2023-06-11 21:47:39
【瑞萨RA MCU创意氛围赛】1. PWM驱动LED以及STLINK下载配置【瑞萨RA MCU创意氛围赛】2. KEIL下串口重定向printf和scanf
前言
OLED是单片机开发中会
2023-05-26 14:06:17
大多是基于51、stm32、arduino，所以想试试将自己玩过的模块移植到瑞萨上
PS:本人本次参赛题目为基于NBIOT和阿里云的采集系统，但是发现板子上自带esp8266模块，会先采用esp8266
2023-05-26 09:42:11
今天刚刚收到米尔瑞萨RZ/G2L开发板，拆开包裹后给人的感觉是惊艳，板卡设计真的很棒，来看看视频做个简单了解吧。
更多板卡可以登录官网了解哦。https://www.myir.cn/
2023-05-22 21:58:13
电源接口场景
MYC-YG2LX核心板及开发板简单介绍
基于瑞萨高性价比RZ/G2L处理器，具有极强的泛用性和易用性；
1/2xCortex-A55@1.2GHz+Cortex-M
2023-05-22 21:53:44
引言
很高兴能有机会参加【瑞萨RA MCU创意氛围赛】，在以前学习stm32的时候，就是野火的开发板、文档以及视频带我入门的。现在有空体验一下野火的产品——瑞萨系统的 启明4M2 ，主控
2023-05-21 17:02:36
列产品的参考资料，助力您快速了解产品各项信息。 点击下载产品参考资料 与Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎
2023-05-17 13:35:02471 
感谢
感谢电子发烧友论坛、感谢米尔电子，把米尔瑞萨RZ/G2L开发板试用话动的机会给了我。虽然周五就收到了开发板，但是由于复阳了，为了能及时的完成试用活动，所以今天努力的爬起来完成开箱报告。
开箱
2023-05-14 19:41:46
Limited （AOS, 纳斯达克代码:AOSL)推出 600V aMOS7™ 超结高压MOSFET。 aMOS7™ 是 AOS最新一代高压 MOSFET平台，旨在满足服务器、工作站、通信电源整流器
2023-05-11 13:52:15664 
新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
、灵活性较差。为此，RT-Thread 联合 瑞萨 推出了全新的 HMI Board 开发模式，取代传统的 HMI + 主控板 硬件，一套硬件即可实现 HMI + IoT + 控制 的全套能力。依托于瑞萨
2023-05-08 08:22:12
ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
瑞萨RH850 R7F7010693 谁能破解？可以的加我V：13520223020
2023-04-22 14:29:33
有助于配备小型电机的设备减少抗噪声设计工时和部件数量，并降低功率损耗 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）在其600V耐压Super Junction MOSFET
2023-04-19 17:50:02407 
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电阻
2023-04-11 15:29:18
供应电机常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐压600V 50A，提供SGTP50V60FD2PU关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微 电子申请。>>
2023-04-03 17:24:105 供应全桥逆变IGBT耐压600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 16:02:491 供应5a、600v耐压igbt SGTP5T60SD1DFS可代换AOD5B65M1 ，提供SGTP5T60SD1DFS规格书参数 ，可应用于光伏，变频器，UPS,SMPS以及PFC等领域，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
2023-04-03 14:48:131 供应SGTP5T60SD1D国产 igbt 600v、5a可兼容替代AOD5B65M1 ，提供SGTP5T60SD1D关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 14:43:53
1 比赛历程总结我是在RA4M2测评活动第一次深入接触瑞萨，瑞萨的产品真的是非常丰富，而且生态也做得非常好，有专业的开发工具，比如e2Studio，Renesas RA Smart
2023-04-02 21:56:47
感言有幸参加瑞萨举办的RA4M2网关设计挑战赛，了解了瑞萨RA系列单片机布局，工具链支持等。因为工具链的完美支持，RA4M2作品开发起来事半功倍，用户可以只专注于功能逻辑的开发而不需要了解底层硬件
2023-03-31 16:07:32
逆变器、全桥驱动逆变器等领域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特点■浮动工作电压可达600V■拉灌电流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的输入逻辑电平■dV/dt抗干扰能力±5
2023-03-29 09:24:35930 
1200V耐压的MOS管。当前市面上这种MOSFET较少，且价格都很贵。另外，常规的1200V高压MOSFET，其导通电阻比600V MOSFET的Rds(on)高，不容易实现高效率的要求。选择ISOP交错并联LLC拓扑，就可以继续采用600V的MOS管，型号丰富，成本低，且模块效率高。
2023-03-24 11:08:587905 
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