电子发烧友网站提供《适用于SiC/IGBT器件和汽车应用的单通道隔离式栅极驱动器UCC5350-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 10:17:51
0 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种在功率电子领域中广泛使用的半导体器件，用于在高电压、高电流的情况下控制电能的传输和转换。IGBT对驱动电路的要求
2024-03-12 15:27:38
207 意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 基于开关电力电子器件的转换器和逆变器是可再生能源发电厂和电动汽车的关键组件。虽然MOSFET和IGBT都可以用在相关系统中，但前者的栅极驱动功率较低、开关速度更佳且在低电压下效率更高，所以MOSFET占据了市场主导地位，并广泛用于各类电力电子应用。
2024-03-01 09:51:1881 
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
IGBT的栅极电压与管子允许的短路时间是什么关系？ IGBT是一种集成了晶体管和MOSFET技术的功率电子器件。它的主要功能是将低电平信号转换为高电压、高电流能力的输出信号。在工业控制和电源
2024-02-20 11:00:57204 IGBT和MOSFET在对饱和区的定义差别 IGBT和MOSFET是传输电力和控制电流的重要电子器件。它们在许多电力电子应用中起着关键的作用。饱和区是IGBT和MOSFET工作的一个重要区域，但是
2024-02-18 14:35:35324 Field-Effect Transistor）的控制性能，又具有异质结的管子功率特性。IGBT也是一个开关器件，可以在高电压和高电流条件下工作，并且被广泛应用于各种电力电子设备中。 IGBT由三个主要区域组成
2024-02-01 13:59:45449 低导通压降和高开关速度的特点，因此被广泛应用于各种功率电子系统。 IGBT驱动电路的主要功能是控制IGBT的开关状态，并提供足够的电流和电压以确保IGBT的正常工作。IGBT驱动电路通常包括输入电路、隔离电路、驱动逻辑电路和输出电路等部分。 输入电路用于接收输入信
2024-01-23 13:44:51674 电子和工业控制系统中。它是一种用于高电压和高电流应用的开关和放大器。 IGBT的基本结构由四个掺杂的半导体层组成：N型沟道、P型基区、N型漏结和P型栅结。控制其导通和截止状态的是其栅极。当IGBT栅极电压低于阈值时，它处于关闭状态，没有电流通过。当栅极电压高于阈值时，形成电场，电流可以流过
2024-01-22 11:14:57273 集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是指在一个芯片上集成了多个电子器件和电子元件的电路。这些电子器件和电子元件包括晶体管、电容器、电感器、二极管、三极管等等。通过提供不同的供电
2024-01-22 11:03:18824 由于IGBT高电压、大电流和高频特性，IGBT需要一个专门的驱动电路来控制其开通和关断。本文将介绍IGBT驱动电路。 一、IGBT驱动电路的作用 IGBT驱动电路的主要作用是向IGBT提供适当的栅极
2024-01-17 13:56:55552 
氮化物半导体具有宽禁带、可调，高光电转化效率等优点，在紫外传感器，功率器件，射频电子器件，LED照明、显示、深紫外杀菌消毒、激光器、存储等领域具有广阔的应用前景，被认为是有前途的发光材料。
2024-01-15 18:18:56672 
不同的设计和功能，会影响 IGBT 的工作特性和性能。 第一部分：驱动板的作用和需求 IGBT 是一种高压高功率开关器件，在许多领域广泛应用，如变频器、电机控制、电力电子等。IGBT 需要一个驱动板来提供适当的信号和电流来控制其开关行为。驱动板的主要功
2024-01-15 11:26:04355 IGBT是一种高性能功率半导体器件，常用于驱动大功率负载的电路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）两个器件构成。它结合
2024-01-12 14:43:521673 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种广泛应用于电力电子领域的高性能半导体器件，具有高输入阻抗、低导通压降、高电流密度等优点。然而，由于IGBT的驱动电路对其性能和寿命有很大影响，因此选择合适的驱动
2023-12-30 10:11:00546 
非对称稳压输出适合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动 - 现在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 转换器为 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动器供电变得空前简单。
2023-12-21 11:46:42334 报告内容包含：
效率和功率密度推动变革
基本的 MOSFET 栅极驱动器功能
驱动器演进以支持 IGBT（绝缘栅双极晶体管）
驱动器进化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
圣邦微电子推出 SGM48541/2/3/4/5 系列，一款耐受 -10V 输入电压的单通道高速低侧栅极驱动器。 该系列器件被广泛应用于 DC/DC 转换器、太阳能和电机驱动器中的功率 MOSFET
2023-12-13 10:10:01271 离子凝胶为柔性电子器件提供了创新的应用与未来前景，涵盖可穿戴电子器件、软机器人和智能系统等领域。
2023-12-08 14:16:19732 
igbt的作用和功能 IGBT，即绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种用于功率电子器件中的双极型晶体管。IGBT 融合了绝缘
2023-12-07 16:32:552936 在当今的数字时代，电子元件是塑造我们生活的无数技术奇迹的支柱。从智能手机到电动汽车以及介于两者之间的所有产品，电子元件都发挥着至关重要的作用。称为栅极驱动器的关键组件在控制半导体器件的开关方面发挥着关键作用。本文深入探讨了栅极驱动器的原理、其重要性以及它们如何促进电子电路和系统的高效运行。
2023-12-06 10:05:32431 
IGBT栅极驱动设计，关键元件该怎么选？
2023-11-30 18:02:38294 
电子发烧友网站提供《用基于三相绝缘栅极双极性晶体管 (IGBT)的逆变器应用笔记.pdf》资料免费下载
2023-11-29 11:05:315 电子发烧友网站提供《ADuM4135：提供米勒箝位的单电源/双电源 高电压隔离IGBT栅极驱动器.pdf》资料免费下载
2023-11-29 09:37:154 IGBT的结构中绝大部分区域是低掺杂浓度的N型漂移区，其浓度远远低于P型区，当IGBT栅极施加正向电压使得器件开启后
2023-11-28 16:48:01589 
深度剖析 IGBT 栅极驱动注意事项
2023-11-24 14:48:25217 
电子发烧友网站提供《如何测量栅极驱动波形.pdf》资料免费下载
2023-11-24 11:06:523 电子发烧友网站提供《实现隔离式半桥栅极驱动器的设计基础.pdf》资料免费下载
2023-11-22 16:57:320 电子发烧友网站提供《现代IGBT/MOSFET栅极驱动器 提供隔离功能的最大功率限制.pdf》资料免费下载
2023-11-22 16:48:150 功率电子器件是PCS的核心组成部分，主要实现电能的转换和控制。而IGBT就是最为常用的功率器件，今天我们主要来学习IGBT。
2023-11-22 09:42:50513 
全控型电力电子器件的RCD关断缓冲电路的主要不足是什么？ 全控型电力电子器件的RCD关断缓冲电路是一种常见的保护电路，用于保护电力电子器件免受过电流和过压的损害。然而，这种保护电路也存在一些主要
2023-11-21 15:17:55244 电子发烧友网站提供《电力电子器件大全及使用方法.pdf》资料免费下载
2023-11-18 14:46:041 川土微电子CA-IS3215/6-Q1适用于SiC/IGBT 的具有主动保护功能、高 CMTI、15A 拉/灌电流的单通道增强隔离栅极驱动器新品发布！
2023-11-15 09:49:43573 
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2023-11-14 14:21:590 大功率应用中，如电动汽车、工业电机驱动、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT单管、IGBT模块和IGBT器件之前，我们先来了解一下IGBT的基本工作原理和应用特点。 1. IGBT的工作原理
2023-11-10 14:26:281260 大家好，今天聊一下IGBT驱动中的**参考电位**问题。我们都知道IGBT的驱动参考电平都是基于 **器件自身的发射极** ，当栅极相对于发射极电位 **超过阈值电压时，器件就会开通** ， **小于阈值电压后，器件就会关断** 。
2023-11-09 15:19:15663 
针对现阶段制约电力电子技术发展的散热问题，以温度对电力电子器件的影响、电力电子设备热设计特点、常见散热技术、散热系统优化研究和新材料在电力电子散热研究中的应用这五方面为切入点，论述了大功率电力
2023-11-07 09:37:08762 
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2023-10-25 10:45:410 igbt的栅极驱动条件 igbt的栅极驱动条件对其特性有什么影响？ IGBT是晶体管的一种，它是一种高压、高电流的开关器件，常用于高功率电子应用中。IGBT是一种三极管，由一个PN结组成的集成电路
2023-10-19 17:08:14622 控制及新能源发电等。
中国新能源汽车市场自2015年超越美国成为世界第一大新能源汽车市场，是全球新能源汽车市场迅猛增长的主要驱动力。电力电子技术在新能源汽车中应用广泛，是汽车动力总成系统高效、快速、稳定
2023-10-16 11:00:14
IGBT是如今被广泛应用的一款新型复合电子器件，而IGBT测试也变的尤为重要，其中动态测试参数是IGBT模块测试一项重要内容，IGBT动态测试参数是评估IGBT模块开关性能的重要依据。其动态测试参数主要有：主要参数有开关参数、栅极电阻、栅极电荷、寄生电容等。
2023-10-09 15:14:35643 
驱动光耦产品线，近期新增一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦 TLP5222 。它是一款可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC，内置保护操作自动恢复的功能。该器件主要用来实现逆变器、交流伺服器，光伏逆变器等的智
2023-09-28 17:40:02526 
IGBT器件栅极电压波形振荡的原因？
2023-09-16 08:32:131710 
是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写形式，是绝缘栅双极型晶体管。与以前的各种电力电子器件相比，IGBT具有以下特点。
2023-09-11 10:42:41907 
电子功率转换器非常重要，电子功率转换器包括磁性器件，例如：用于功率传输的变压器和用于能量存储的电感器。本文解释了平面磁件如何在效率、成本、空间要求以及散热方面显著改善电力电子器件的性能。
2023-09-06 06:38:52
下的虚假开关。对于这两个通道，该器件可以提供高达4A的强大栅极控制信号，其双输出引脚为栅极驱动提供了额外的灵活性。有源Miller钳位功能可在半桥拓扑的快速换向期间避免栅极峰。
2023-09-05 06:59:59
Transistor）都是半导体器件，用于控制电流和电压。IGBT和MOSFET在功能和结构上非常相似，但它们有一些不同之处。 1. 结构 IGBT是由三极管和场效应管两个半导体器件组成的复合型器件
2023-08-25 14:50:013218 电子发烧友网站提供《GD316x故障管理、诊断、中断和优先级表 先进IGBT和碳化硅栅极驱动器.pdf》资料免费下载
2023-08-17 14:22:085 摘要: 针对传统结构超结 IGBT 器件在大电流应用时的电导调制效应较弱，削弱了 IGBT 器
件低饱和导通压降优点的问题，设计了 p 柱浮空的超结 IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 车用IGBT器件技术概述
2023-08-08 10:00:312 IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四个区域组成：N+型集电极、P型漏极、N型沟道和P+型栅极。
2023-08-08 09:45:12619 
在 IGBT驱动电源板 中有着广泛的应用。 IGBT驱动板是控制系统和开关器件中的中间环节，承担着接受控制系统信号并传输信号，确保IGBT执行开关、保护、和反馈器件工作状态的重任。 通常，IGBT驱动板由IGBT驱动芯片、驱动外围电路、驱动辅
2023-08-04 17:35:03609 MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中，我们讨论了SiC MOSFET器件的特点以及它们对栅极驱动电路的要求，然后介绍了一种能够解决这些问题和其它系统级考虑因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
Q在IGBT器件的开通过程中，栅极电荷Qg的充电过程是怎样的？A:IGBT器件例如IKZA50N65EH7的数据手册中如图1所示，给出了栅极电荷Qg和栅极电压Vge的关系。图2为IGBT器件简化示意图。栅极电荷的充电过程可以分为以下三个区域。
2023-08-02 08:17:09800 IGBT模块动态参数是评估IGBT模块开关性能如开关频率、开关损耗、死区时间、驱动功率等的重要依据，本文重点讨论以下动态参数：模块内部栅极电阻、外部栅极电阻、外部栅极电容、IGBT寄生电容参数、栅极充电电荷、IGBT开关时间参数，结合IGBT模块静态参数可全面评估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543286 
电子发烧友网站提供《电子灯镇流器IGBT门驱动因素.pdf》资料免费下载
2023-07-24 10:29:220 IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导通，并允许电流在其漏极和源极引脚之间流动，而放电则会使器件关断，漏极和源极引脚上就可以阻断大电压。
2023-07-14 14:54:071579 
栅极驱动器是一种电子器件，它能够将信号电平作为输入，通过放大和转换等过程，产生适合于驱动下级器件的电源信号。栅极驱动器广泛应用于各种电子设备中，如显示器、LED灯、电源逆变器等。
2023-07-14 14:48:441356 PT5619 在 同一颗芯片中同时集成了三个 90V 半桥栅极驱动器 ，特别适合于 三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动 。
2023-07-11 16:12:24434 
本文提供一种校准数模转换器(DAC)的方法，专用于引脚电子器件驱动器、比较器、负载、PMU和DPS。
2023-07-11 11:06:19442 
IGBT : 是一种大功率的电力电子器件,是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线，断开时当做开路。三大特点就是高压、大电流、高速。它是电力电子领域非常理想的开关器件。 编辑：黄飞
2023-07-07 09:36:321089 
点击蓝字 关注我们 IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点，并且有三个端子：一个栅极、一个集电极和一个发射极。就栅极驱动而言，该器件
2023-06-21 19:15:01398 
近日，湖南大学段辉高教授团队通过开发基于“光刻胶全干法转印”技术的新型光刻工艺，用于柔性及不规则（曲面、悬空）衬底上柔性电子器件的原位和高保形制造，为高精度、高可靠性和高稳定性柔性电子器件的制造提供
2023-06-17 10:19:38507 
IGBT是现代电力电子器件中的主导型器件，被誉为电力电子行业的 “CPU”。IGBT代表绝缘栅双极型晶体管，是国际公认的电力电子技术的第三次革命最具代表性的产品。
2023-06-16 14:37:521025 和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管，将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。IGBT用于中到大功率应用，如开关电源、牵引电机控制
2023-06-14 20:15:012111 
摘要：CM3003是一款高性价比的MOS管和IGBT管栅极驱动器芯片，具有逻辑信号输入处理、欠压保护、电平位移、脉冲滤波和输出驱动等功能。该芯片适用于无刷电机控制器和电源DC-DC中的驱动电路
2023-06-08 14:32:41706 
电源是电子设备的基础，其中的栅极驱动器是稳定提供设备电源的关键。栅极驱动器是一种功率放大器，它接受来自控制器芯片的低功率输入，并为高功率晶体管（例如IGBT或功率MOSFET）的栅极产生高电流驱动
2023-06-08 14:03:09362 MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，被广泛应用于各种电子电路，是车载充电机、DC-DC变换器和模块电源中重要的电子元器件。
2023-05-22 08:59:39700 
MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，被广泛应用于各种电子电路，是车载充电机、DC-DC变换器和模块电源中重要的电子元器件。
2023-05-18 16:32:20585 
半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。IGBT全称是绝缘栅极
2023-05-18 09:51:583446 
功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
为了操作 MOSFET，通常须将一个电压施加于栅极（相对于源极或发射极）。使用专用驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。
2023-05-17 10:21:391473 
常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、
2023-05-12 16:16:38
常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT
2023-05-12 15:29:06
常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT
2023-05-12 15:22:37
JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件. 该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si
2023-05-12 15:05:36
MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MO
2023-05-12 14:59:16
MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MO
2023-05-12 14:53:49
MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC M
2023-05-12 14:47:58
与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或
2023-05-12 14:41:53
与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或
2023-05-12 14:35:49
与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件
2023-05-12 14:29:40
MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOS
2023-05-12 14:20:38
与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或
2023-05-12 14:11:46
与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或
2023-05-12 12:44:42
与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或
2023-05-12 12:26:54
MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOSF
2023-05-12 11:54:23
与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 S
2023-05-11 20:45:39
JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级
2023-05-11 20:38:23
MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC
2023-05-11 20:28:32
芯洲的SCT51240是一款宽供电电压、单通道、高速、低测栅极驱动器，适用于功率MOSFET，IGBT和宽禁带器件，例如氮化镓功率器件等驱动。 提供高达4A驱动拉电流和灌电流，并实现轨到轨输出
2023-05-05 09:00:14209 川土微电子CA-IS3221/3222 隔离栅极驱动器、CA-IS3221-Q1/3222-Q1车规级隔离栅极驱动器新品发布 01产品概述 CA-IS322X系列产品为双通道、隔离型栅极驱动
2023-04-24 18:31:401791 
基极电，使IGBT关断。 由图2可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通; 若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
2023-04-08 09:36:261454 前面我们也聊到过IGBT的栅极驱动设计，虽然今天聊的可能有些重复，但是感觉人到中年，最讨厌的就是记忆力不够用，就当回顾和加重记忆吧。
2023-04-06 17:38:291595 
电力电子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。广义上电力电子器件可分为电真空器件和半导体器件两类，目前往往专指电力
2023-04-04 15:31:433930 
栅极驱动器是一种功率放大器，它接受来自控制器IC的低功耗输入，并为功率器件产生适当的高电流栅极驱动。随着对电力电子器件的要求不断提高，栅极驱动器电路的设计和性能变得越来越重要。
功率
2023-04-04 10:23:45546 功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
2023-04-04 09:58:391001 栅极驱动器是一种功率放大器，它接受来自控制器IC的低功耗输入，并为功率器件产生适当的高电流栅极驱动。随着对电力电子器件的要求不断提高，栅极驱动器电路的设计和性能变得越来越重要。
2023-03-23 16:48:48535 
，输出低电平，故障信号可以触发关断IGBT。 钳位电路 IGBT在关断时门极电压开始下降，门极与集电极之间的米勒电容，使得门极电压关断延时。为了消除这种延时，驱动芯片通过箝位电路作用，当门极电压降到
2023-03-23 15:57:38
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