串接NPN型晶体管的情况。晶体管基极要求注入电流,产生电流的电压必须高于(Vo+Vbe),约为(Vo+1)。若基极串接一个电阻,则电阻输入端电压必须高于(Vo+1)以使电流流过。而最经济易行的方法
2024-03-06 20:49:11
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)功率GaN的大规模应用,其实也只有六七年的历史,从2018手机快速充电器上才正式吹响了普及的号角。目前,从晶体管来看,功率GaN主要的产品是HEMT(高电子迁移率晶体管
2024-02-28 00:13:001843 CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅单晶上根据氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC);选用 0.25 μm 栅极尺寸制作工艺。与硅相比较
2024-02-27 14:09:50
Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管是单路径离散碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT),采用DFN封装。这些射频晶体管是单级、不匹配晶体管
2024-02-26 19:46:40
Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管是一款500W (P3dB) 预匹配分立式碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN on SiC
2024-02-26 19:28:10
双极性晶体管是利用两种离子导电,空穴和自由电子,但是对于一个实际存在的系统,其整体上是呈现电中性的,当其中的电子或者空穴移动形成电流时,与之对应的空穴或者电子为什么不会一起随着移动?
这个问题困扰
2024-02-21 21:39:24
晶体管并联时,当需要非常大的电流时,可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象,有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
管子多用于集成放大电路中的电流源电路。
请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析?按照我的理解,在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时,如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的电源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半导体元件还有利用一个PN结构成的具有负阻特性的器件一单结晶体管,请问这个单结晶体管是什么?能够实现负阻特性?
2024-01-21 13:25:27
晶体管在基极和集电极之间并联电容有什么作用?是为了米勒电容吗、?但是米勒电容对三极管的开通有害的时候,为什么还要并联电容?电容不是越并越大,加大了等效米勒电容?
2024-01-19 22:39:57
相比较,GaN具有更加优异的性能;包含更高的击穿场强;更高的饱和电子漂移效率和更高的导热系数。与GaAs晶体管相比较,GaN HEMT还推出更高的功率密度和更宽的带宽。CGHV96050F1使用金属/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
晶体管也就是俗称三极管,其本质是一个电流放大器,通过基射极电流控制集射极电流。
1、当基射极电流很小可以忽略不计时,此时晶体管基本没有对基射极电流的放大作用,此时可以认为晶体管处在关断状态
2、当基
2024-01-18 16:34:45
对于一个含有晶体管,场效应管,运放的电路,该如何求解他的输入电阻和输出电阻,举例而言,在含有晶体管的电路射极跟随器中,求解输出电阻时,为什么要考虑基极的电阻和偏置电路的电阻,此时不应该在基极是二极管
2024-01-10 17:17:56
Wolfspeed原Cree 的 CGH40045F 是一款45 W、DC - 4 GHz 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。 CGH40045 采用 28 伏电源轨运行,为各种
2024-01-03 12:33:26
CGHV40180是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。具备前所未有的输入,能够在DC-2.0GHz范围之内提供最好的的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比较,CGHV40180具有更加优异
2024-01-02 12:05:47
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)在我们谈论第三代半导体的时候,常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管),而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT(高电子
2023-12-27 09:11:361219 在最近的IEDM大会上,英特尔表示,已将 CMOS 硅晶体管与氮化镓 (GaN) 功率晶体管集成,用于高度集成的48V设备。
2023-12-14 09:23:06547 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出新款 GaN FET 器件,该器件采用新一代高压 GaN HEMT 技术和专有铜夹片 CCPAK 表面贴装封装,为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。
2023-12-13 10:38:17312 CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)与其他技术相比,CGHV96130F内部适应(IM)FET具有出色的功率附加效率。与砷化镓相比
2023-12-13 10:10:57
GaN HEMT为什么不能做成低压器件 GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)是一种迅速崭露头角的高频功率器件,具有很高的电子迁移率、大的电子饱和漂移速度、高的饱和电子流动速度以及较低的电阻
2023-12-07 17:27:20337 作为一种新型功率器件,GaN 器件在电源的高密小型化方面极具优势。
2023-12-07 09:44:52777 来至网友的提问:如何选择分立晶体管?
2023-11-24 08:16:54
我在进行AD8138ARM的热仿真,datasheet中只有结到环境的热阻JA的数据,我需要结到外壳的热阻Jc的数据,还有AD8138ARM放大器集成的晶体管数目是多少?
2023-11-21 06:54:43
TDK东电化 推出新型NTC 热敏电阻
2023-11-01 15:56:36198 如何避免晶体管损坏? 晶体管是半导体器件的一种,应用广泛,可以在计算机、电视、手机等各种设备中使用。晶体管工作时非常稳定,但是如果不注意使用、维护,很容易损坏。下面为您介绍几种避免晶体管损坏的方法
2023-10-31 10:37:46382 ,高电子迁移率晶体管 CMPA0527005F,CREE/科锐CMPA0527005F是封装的氮化镓(GaN)高电子基于迁移率晶体管(HEMT
2023-10-17 16:12:54
宽带隙GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)和场效应晶体管(fet)能够提供比传统Si基高功率器件更高的击穿电压和电子迁移率。常关GaN非常需要HEMT来降低功率并简化电路和系统架构,这是GaN HEMT技术的主要挑战之一。凹进的AlGaN/GaN结构是实现常关操作的有用选择之一。
2023-10-10 16:21:11291 无论是在太空还是在地面,这些基于GaN的晶体管都比硅具有新的优势。
2023-09-28 17:44:221864 专业图书47-《新概念模拟电路》t-I晶体管
2023-09-28 08:04:05
晶体管是通常用于放大器或电控开关的半导体器件。晶体管是调节计算机、移动电话和所有其他现代电子电路运行的基本构件。
2023-09-27 10:59:402311 目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限, 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑,效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT(gallium
2023-09-18 07:27:50
意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V,最高工作温度拓宽到175°C,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 氮化镓(GaN)是一种由氮和镓组成的半导体材料,因其禁带宽度大于2.2eV,故又称为宽禁带半导体材料。是微波功率晶体管的优良材料,也是在蓝色发光器件中具有重要应用价值的半导体。。GaN材料的研究和应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是发展微电子器件和光电子器件的新型半导体材料。
2023-09-07 17:07:551783 晶体管的工作原理介绍 晶体管是一种电子器件,它是现代电子设备的基础,如计算机、手机、电视等。晶体管是一个半导体器件,它可以放大或开关电流信号。晶体管的工作原理是由三个不同类型的材料组成:N型半导体
2023-08-25 15:35:141791 晶体管和芯片的关系介绍 晶体管和芯片是现代电子技术中最重要的两个概念,二者有密不可分的关系。晶体管是一种半导体材料制造的电子器件,而芯片则是晶体管等电子器件及相关电路的集成体。 一、晶体管 晶体管
2023-08-25 15:29:372440 晶体管和电子管的区别 晶体管和电子管都是电子器件,它们分别代表了不同的技术水平。由于晶体管取代了电子管并成为了现代电子技术的基石,两者之间的主要差异有助于我们了解晶体管的优点。 一、结构差异 晶体管
2023-08-25 15:21:016860 增强型 GaN 晶体管的唯一已知方法(在撰写本文时)是使用松下专利方法使用附加的 AlGaN 层。 这意味着涉及这种晶体管类型的任何创新都将依赖于松下,直到研究出其他方法为止。
GaN 器件的研究工作自
2023-08-21 17:06:18
650V硅上GaN增强型功率品体管,采用5mm双扁平无引线封装(DFN)X6毫米大小。增强型晶体管-正常关闭电源开关,符合JEDEC标准的工业应用。
2023-08-16 23:36:51685 ) 高电子迁移率晶体管 (HEMT);高增益和宽带宽能力;这使得 CGHV37400F 非常适合 3.3 – 3.7 GHz S 波段雷达放大器应用。晶体管的输入匹
2023-08-07 17:27:44
650V硅上GaN增强模式功率晶体管,英诺赛科INN650D150A采用双扁平无引线封装(DFN),8mmx8mm尺寸,增强型晶体管-正常关闭电源开关
2023-08-07 17:22:17964 ) 高电子迁移率晶体管 (HEMT);高增益和宽带能力;这使得 CGH31240F 非常适合 2.7 –3.1-GHz;S波段;雷达放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金
2023-08-07 17:06:35
电子迁移率晶体管 (HEMT);高增益和宽带能力;这使得 CGH35240 非常适合 3.1 – 3.5-GHz;S波段;雷达放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法
2023-08-07 17:01:21
电子迁移率晶体管 (HEMT);高增益和宽带能力;这使得 CGH35240 非常适合 3.1 – 3.5-GHz;S波段;雷达放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法
2023-08-07 16:58:15
迁移率晶体管 (HEMT);高增益和宽带能力;这使得 CGHV35150 非常适合 2.9 – 3.5 GHz S 波段雷达放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰和药
2023-08-07 16:52:50
迁移率晶体管 (HEMT);高增益和宽带能力;这使得 CGHV35150 非常适合 2.9 – 3.5 GHz S 波段雷达放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰和药
2023-08-07 16:50:51
迁移率晶体管 (HEMT);高增益和宽带能力;这使得 CGHV35150 非常适合 2.9 – 3.5 GHz S 波段雷达放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰和药
2023-08-07 16:45:32
120-W;2.9 - 3.8 GHz;50V;用于 S 波段雷达系统的 GaN HEMTWolfspeed 的 CGHV35120F 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-07 16:28:32
波段性能进行优化的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGHV35060MP 适用于 2.7 至 3.1 GHz 和 3.1 至 3.8 GHz
2023-08-07 11:31:57
30瓦;直流 - 6.0 GHz;氮化镓高电子迁移率晶体管 CGHV27030S 是一款无与伦比的产品;氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),效率高;高增益和宽带宽能力
2023-08-07 11:15:10
30瓦;直流 - 6.0 GHz;氮化镓高电子迁移率晶体管 CGHV27030S 是一款无与伦比的产品;氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),效率高;高增益和宽带宽能力
2023-08-07 11:13:00
30瓦;直流 - 6.0 GHz;氮化镓高电子迁移率晶体管 CGHV27030S 是一款无与伦比的产品;氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),效率高;高增益和宽带宽能力
2023-08-07 11:08:31
30-W;直流 – 6GHz;50V;氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40030 是一款无与伦比的产品;专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-07 10:57:26
30-W;直流 – 6GHz;50V;氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40030 是一款无与伦比的产品;专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-07 10:50:07
30瓦;直流 - 6.0 GHz;氮化镓高电子迁移率晶体管CGHV27030S 是一款无与伦比的产品;氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),效率高;高增益和宽带宽能力。CGHV27030S
2023-08-07 10:45:27
30瓦;直流 - 6.0 GHz;氮化镓高电子迁移率晶体管 CGHV27030S 是一款无与伦比的产品;氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),效率高;高增益和宽带宽能力
2023-08-07 10:43:16
30瓦;直流 - 6.0 GHz;氮化镓高电子迁移率晶体管 CGHV27030S 是一款无与伦比的产品;氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),效率高;高增益和宽带宽能力
2023-08-07 10:38:36
15瓦;直流 - 6.0 GHz;50V;氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV27015S 是一款无与伦比的产品;专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率
2023-08-07 10:21:42
25-W;直流 – 15GHz;40V;氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV1F025S 是无与伦比的;氮化镓(GaN);专为高效率而设计的高电子迁移率晶体管
2023-08-07 09:54:13
25-W;直流 – 15GHz;40V;氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV1F025S 是无与伦比的;氮化镓(GaN);专为高效率而设计的高电子迁移率晶体管
2023-08-07 09:51:08
晶体管 (HEMT);高增益和宽带能力。该设备可部署为L;S; C; X 和 Ku 波段放大器应用。数据表规格基于 C 频段 (5.5 – 6.
2023-08-07 09:46:19
晶体管 (HEMT);高增益和宽带能力。该设备可部署为L;S; C; X 和 Ku 波段放大器应用。数据表规格基于 C 频段 (5.5 – 6.
2023-08-07 09:44:15
晶体管 (HEMT);高增益和宽带能力。该设备可部署为L;S; C; X 和 Ku 波段放大器应用。数据表规格基于 C 频段 (5.5 – 6.
2023-08-07 09:41:27
晶体管是现代电子设备中至关重要的组件,而芯片则是晶体管的集成。晶体管是一种用于控制电流的电子器件,它是由半导体材料制成的。晶体管的发明和发展对现代科技的进步起到了重要的推动作用。
2023-08-04 09:45:301074 如今,开发电子电力器件的难度不断飙升,如何在满足绿色低碳和和持续发展的要求下既不断提升效率和功率性能,同时又不断降低成本和缩减尺寸呢? 我们发现,氮化镓(GaN)是一种新型宽带隙化合物,为功率转换
2023-08-03 14:43:28225 调节电流或电压的设备,充当电子信号的按钮或门。
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晶体管的类型
晶体管由三层半导体器件组成,每层都能够移动电流。半导体是一种以“半热敏”方式导电的材料
2023-08-02 12:26:53
Cree 的 CGHV1F006S 是一种无与伦比的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 专为高效率、高增益和宽而设计带宽功能。该器件可部署为 L、S、C、X 和 Ku 波段放大器
2023-07-28 17:47:260 数字功放大多采用Si MOS管来充当D类放大器的主要开关管,由于Si材料本身的特性限制,针对Si器件Class D功放性能的提升较为困难,与此同时,更多基于GaN器件的Class D功放应用也正逐渐
2023-06-25 15:59:21
润新微电子(Runxin Microelectronics)荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管(FET),该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点: 易于使用:650V GaN
2023-06-12 16:38:34686 )晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关,从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥GaN晶体管的优势,需要一种具有新规格要求的新隔离方案。 GaN晶体管的开关速度比硅MOSFET要快得多,并可降低开关损耗,原因在于: 栅极电容和输出电容更低。
2023-06-12 10:53:287386 晶体管是什么控制型器件 晶体管属于电流控制电流控制型器件。 晶体管是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等,有时特指双极型器件),具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种
2023-05-30 15:32:362177 Airfast GaN A3G26D055N是一款55W峰值GaN分立晶体管,采用紧凑型DFN 7 x 6.5 mm超模压塑封。该器件具有优异的输出,可填充多个频段,在48 V下运行时,能效提升超过50%,增益超过13 dB。
2023-05-25 10:04:49381 晶体管是什么器件 晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能,晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:12:59831 单结晶体管随着电容的充电放电是如何形成自激振荡脉冲的?
2023-04-26 15:07:51
NPTB00004BGaN 功率晶体管,28 V,5 W DC - 6 GHzNPTB00004B GaN HEMT 是一款针对 DC - 6 GHz 操作优化的功率晶体管
2023-04-25 16:42:38
差分放大电路输入共模信号时
为什么说RE对每个晶体管的共模信号有2RE的负反馈效果
这里说的每个晶体管的共模信号是指什么信号 是指输入信号 还是指ie1 ie2 uoc ?
另外为什么是负的反馈
2023-04-25 16:15:31
频率操作的硅基 GaN HEMT D 型晶体管。该器件支持 CW 和脉冲操作,峰值输出功率水平为 2 W (33 dBm),采用塑料封装。MAGX-100027-0
2023-04-25 16:12:40
双极结晶体管电路输入振幅变大为什么会导致失真呢?是什么原因呢?
2023-04-21 16:13:13
我正在寻找零件号“PCAL6408ABSHP”中有关工艺节点和晶体管数量的信息。NXP 网站上是否有一个位置可以找到 NXP 部件号的此类信息?
2023-04-19 09:27:44
西门子S7-200电源怎么看是继电器输出还是晶体管输出呢?
2023-04-18 10:08:03
西门子CPUSR30可以增加晶体管扩展模块控制步进电机吗?
2023-04-17 14:13:13
采用晶体管互补对称输出时,两管基极之间有电容相连,为什么?c2有什么用??
2023-03-31 14:02:55
请问BJT工艺的线性稳压源为什么多是PNP型晶体管呢?
2023-03-31 11:56:49
有没有负触发导通正的晶体管呢?哪位大神知道请赐教。谢谢啦!
2023-03-31 11:47:46
我在设计 PCB 时犯了一个错误,我的一些晶体管在原理图上将集电极和发射极调换了。“正常”方式是有 1:基极,2:发射极,3:集电极,但我需要一个晶体管,1:基极,2:集电极,3:发射极。引脚号与此图像相关:你知道有这种封装的晶体管吗?我知道我可以将它倒置并旋转,但我想知道我是否可以正确使用一个。
2023-03-28 06:37:56
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