英飞凌科技股份公司,作为全球领先的半导体公司,近日推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列,这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装,为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:29117 电力晶体管(Giant Transistor——GTR),是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT),所以有时也称为Power BJT。但其驱动电路复杂,驱动功率大。
2024-03-07 17:06:38951 串接NPN型晶体管的情况。晶体管基极要求注入电流,产生电流的电压必须高于(Vo+Vbe),约为(Vo+1)。若基极串接一个电阻,则电阻输入端电压必须高于(Vo+1)以使电流流过。而最经济易行的方法
2024-03-06 20:49:11
ART1K6FHG功率LDMOS晶体管 这款 1600 W LDMOS RF 功率晶体管基于先进耐用技术 (ART),旨在涵盖 ISM、广播和通信的广泛应用。不匹配的晶体管的频率范围为 1
2024-02-29 20:57:46
BLF888B,112Ampleon 的射频功率晶体管射频功率晶体管,0.47 至 0.86 GHz,650 W,20 dB,50 V,LDMOS,SOT-539A零件号: BLF888B
2024-02-29 16:14:13
BLP15H9S30GXYAmpleon 的射频功率晶体管射频功率晶体管,0.001 至 1.5 GHz,30 W,21 dB,50 V,SOT1483-1,LDMOS零件号: 
2024-02-29 16:13:32
BLP15H9S100GZAmpleon 的射频功率晶体管射频功率晶体管,0.001 至 1.5 GHz,100 W,19 dB,50 V,SOT1483-1,LDMOSPart
2024-02-29 16:12:46
BLP15H9S30GZAmpleon 的射频功率晶体管射频功率晶体管,0.001 至 1.5 GHz,30 W,21 dB,50 V,SOT1483-1,LDMOSBLP15H9S30GZ制造商
2024-02-29 15:48:14
ART150PEGXYAmpleon 的 RF 功率晶体管RF功率晶体管,0.001至0.65 GHz,150 W,31.2 dB,65 V,LDMOSMMFEB21PP6-预分
2024-02-29 14:46:47
Ampleon的ART150PE是一款150瓦LDMOS晶体管,采用经济高效的TO270 OMP封装,采用先进的坚固技术工艺。它涵盖了ISM、广播和通信中的广泛应用。无与伦比的是,该
2024-02-29 14:23:03
C4H27W400AVYAmpleon 的射频功率晶体管射频功率晶体管,2.3 至 2.69 GHz,400 W,15 dB,48 V,SOT1275-1
2024-02-29 14:00:41
BLP9G0722-20G 功率LDMOS晶体管20 W 塑料 LDMOS 功率晶体管,适用于频率为 100 MHz 至 2700 MHz 的基站应用。BLP9G0722-20G
2024-02-29 13:46:41
达林顿晶体管(Darlington Transistor)也称为达林顿对(Darlington Pair),是由两个或更多个双极性晶体管(或其他类似的集成电路或分立元件)组成的复合结构。通过这种结构,第一个双极性晶体管放大的电流可以进一步被放大,从而提供比其中任意一个双极性晶体管高得多的电流增益。
2024-02-27 15:50:53508 智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31智能功率模块 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59344 Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管是单路径离散碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT),采用DFN封装。这些射频晶体管是单级、不匹配晶体管
2024-02-26 19:46:40
双极性晶体管是利用两种离子导电,空穴和自由电子,但是对于一个实际存在的系统,其整体上是呈现电中性的,当其中的电子或者空穴移动形成电流时,与之对应的空穴或者电子为什么不会一起随着移动?
这个问题困扰
2024-02-21 21:39:24
是,最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联,因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理,在此基础上为什么要加电阻?
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
我在切换晶体管时遇到了一个问题。我正在尝试让 LED 通过晶体管闪烁。当我从评估板(即 MSP-EXP430G2ET)获取电源 (3.3V) 时,该程序有效。但是当我使用外部电源 (8.33V) 为
2024-01-22 06:00:31
管子多用于集成放大电路中的电流源电路。
请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析?按照我的理解,在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时,如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的电源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半导体元件还有利用一个PN结构成的具有负阻特性的器件一单结晶体管,请问这个单结晶体管是什么?能够实现负阻特性?
2024-01-21 13:25:27
晶体管在基极和集电极之间并联电容有什么作用?是为了米勒电容吗、?但是米勒电容对三极管的开通有害的时候,为什么还要并联电容?电容不是越并越大,加大了等效米勒电容?
2024-01-19 22:39:57
相比较,GaN具有更加优异的性能;包含更高的击穿场强;更高的饱和电子漂移效率和更高的导热系数。与GaAs晶体管相比较,GaN HEMT还推出更高的功率密度和更宽的带宽。CGHV96050F1使用金属/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
三极管功率会先上升后下降,因为电压降在下降而电流在上升。功率最大点在中间位置。
3、当基射极电流增大到一定水平,集射极电压降低到不能再降的程度时,晶体管进入饱和,此时无论基射极电流如何增大,集射极电流也
2024-01-18 16:34:45
传统的双极晶体管是一种电流驱动型放大器,对其信号放大特性的分析以小注入电流为主,即在共发射极工作状态时,输入很小的基极电流就能控制输出端的集电极电流而获得很大的功率增益。
2024-01-15 10:35:03371 对于一个含有晶体管,场效应管,运放的电路,该如何求解他的输入电阻和输出电阻,举例而言,在含有晶体管的电路射极跟随器中,求解输出电阻时,为什么要考虑基极的电阻和偏置电路的电阻,此时不应该在基极是二极管
2024-01-10 17:17:56
英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化,主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 电子发烧友网站提供《BSH201场效应功率晶体管英文资料.pdf》资料免费下载
2023-12-26 10:08:450 2GHz )的功能。QPD1425/QPD1425L GaN射频功率晶体管在高漏极偏置工作条件下提供功率和效率优化。该晶体管采用行业标准气腔封装,支持脉冲和连续波操作
2023-12-20 16:12:52
晶体管的问世,是20世纪的一项重大发明,是微电子革命的先声。晶体管出现后,人们就能用一个小巧的、消耗功率低的电子器件,来代替体积大、功率消耗大的电子管了。晶体管的发明又为后来集成电路的降生吹响了号角。
2023-12-13 16:42:31427 来至网友的提问:如何选择分立晶体管?
2023-11-24 08:16:54
为什么要功率放大? 当一个放大电路比如说晶体管放大电路当电压放大时,由欧姆定律负载上的电流不就变大了吗?这个我不太理解在功率放大电路中。希望有人给我讲一下 谢谢!
2023-11-23 07:36:14
我在进行AD8138ARM的热仿真,datasheet中只有结到环境的热阻JA的数据,我需要结到外壳的热阻Jc的数据,还有AD8138ARM放大器集成的晶体管数目是多少?
2023-11-21 06:54:43
在电源与充电桩等高功率应用中,通常需要专用驱动器来驱动最后一级的功率晶体管? 电源与充电桩等高功率应用通常需要专用驱动器来驱动最后一级的功率晶体管,主要是出于以下几个方面的考虑。 首先,最后一级
2023-10-22 14:47:33409 用于L波段雷达的600 W ldmos功率晶体管的频率范围为1.2 GHz至1.4 GHz。
2023-10-19 16:55:490 专业图书47-《新概念模拟电路》t-I晶体管
2023-09-28 08:04:05
该晶体管功率放大器电路仅使用准互补放大器配置中的四个晶体管,即可以低成本向 4 欧姆负载提供 90W 的功率。
2023-08-10 15:29:341000 650V硅上GaN增强模式功率晶体管,英诺赛科INN650D150A采用双扁平无引线封装(DFN),8mmx8mm尺寸,增强型晶体管-正常关闭电源开关
2023-08-07 17:22:17964 高功率射频LDMOS FET;400瓦;48V;859 – 960 兆赫PTRA094858NF 是一款 400 瓦 Doherty LDMOS 晶体管,适用于 859 至 960 MHz 频段的多
2023-08-03 09:11:08
的制造商生产半导体(晶体管是该设备家族的成员),因此有数千种不同的类型。有低功率、中功率和高功率晶体管,用于高频和低频工作,用于非常高电流和/或高电压工作。本文概述了什么是晶体管、不同类型的晶体管
2023-08-02 12:26:53
该2通道混音器电路基于2n3904晶体管,该晶体管形成2个前置放大器。2通道混音器电路的第一个前置放大器具有高增益,可用于麦克风输入,第二个前置放大器可用于控制音频电平的输入。
这种双通道
2023-08-01 17:19:21
MRF300AN/MRF300BN射频功率LDMOS晶体管规格书,这些设备被设计用于HF和VHF通信,工业、科学和医疗(ISM)以及广播和航空航天应用程序。这些设备非常坚固,表现出高性能高达250MHz。
2023-07-28 17:45:470 MRF427 NPN硅射频功率晶体管规格书
2023-07-24 14:27:530 MRF428射频功率晶体管规格书。主要设计用于高电压应用,作为2.0至30 MHz的高功率线性放大器。适用于船舶和基站设备。·规定的50伏、30 MHz特性-输出功率=150 W(PEP)最小增益=13 db效率=45%·150 W时的互调失真
2023-07-24 14:26:520 MRF422射频功率晶体管规格书
2023-07-24 14:24:070 产品发射区结构设计为梳状结构。晶体管版图中发射区半宽度选择为30μm。
2023-07-05 11:23:34360 TTL晶体管开关电路按驱动能力分为小信号开关电路和功率开关电路。按晶体管连接方式分为发射极接地(PNP晶体管发射极接电源)和射手跟随开关电路。
2023-07-03 10:12:181936 高效的400-800V充电和转换与GaNFast功率集成电路和GeneSiC沟槽辅助平面栅场效晶体管
2023-06-16 10:07:03
引言: 在当今科技迅猛发展的时代,高效能的功率电子器件对于各个领域的应用至关重要。润新微电子的RX65T125HS1B功率晶体管作为一款先进的产品,凭借其出色的性能和广泛的应用领域,成为了众多工程师
2023-06-12 16:48:161016 润新微电子(Runxin Microelectronics)荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管(FET),该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点: 易于使用:650V GaN
2023-06-12 16:38:34686 微波晶体管按功能分类可分为微波低噪声晶体管和微波大功率晶体管,低噪声晶体管和大功率晶体管被用于设计低噪声放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271639 我正在寻找摩托罗拉收音机 VHF 射频末级中使用的这些旧射频晶体管的数据表,有人可以帮我吗?
2023-05-30 07:40:02
Nexperia | 为什么使用双极性晶体管驱动功率LED?
2023-05-24 12:15:48341 栅型场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
2023-05-20 15:19:12583 晶体管是什么 晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能,晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:06:201131 单结晶体管随着电容的充电放电是如何形成自激振荡脉冲的?
2023-04-26 15:07:51
差分放大电路输入共模信号时
为什么说RE对每个晶体管的共模信号有2RE的负反馈效果
这里说的每个晶体管的共模信号是指什么信号 是指输入信号 还是指ie1 ie2 uoc ?
另外为什么是负的反馈
2023-04-25 16:15:31
为什么使用双极性晶体管驱动功率LED?
2023-04-24 09:09:55413 我在 AWR 中模拟 LDMOS MRFE6VS25N 时遇到问题。我使用 12 和 13 版本 64 位,但模型只有 32 位。我如何使用我的 AWR 软件模拟这个晶体管?
2023-04-23 09:07:17
双极结晶体管电路输入振幅变大为什么会导致失真呢?是什么原因呢?
2023-04-21 16:13:13
我正在寻找零件号“PCAL6408ABSHP”中有关工艺节点和晶体管数量的信息。NXP 网站上是否有一个位置可以找到 NXP 部件号的此类信息?
2023-04-19 09:27:44
西门子S7-200电源怎么看是继电器输出还是晶体管输出呢?
2023-04-18 10:08:03
西门子CPUSR30可以增加晶体管扩展模块控制步进电机吗?
2023-04-17 14:13:13
PH1617-2MACOM 的 PH1617-2 是一款射频晶体管,频率为 1.6 至 1.7 GHz,功率 33.01 dBm,功率(W)2 W,增益 10 dB,功率增益(Gp)10 dB。标签
2023-04-14 16:34:12
NPT2010MACOM 的 NPT2010 是一款射频晶体管,频率 DC 至 2.2 GHz,功率 50 dBm,功率(W)100 W,饱和功率 50.5 dBm,增益 17 dB。标签:法兰
2023-04-14 15:36:07
PH2856-160MACOM 的 PH2856-160 是一款射频晶体管,频率 2.856 GHz,功率 44.55 dBm,功率(W)28.51 W,Duty_Cycle 0.1,增益 7.5
2023-04-14 15:28:02
PH2729-8.5MMACOM 的 PH2729-8.5M 是一款射频晶体管,频率为 2.7 至 2.9 GHz,功率 39.29 dBm,功率(W)8.49 W,占空比 0.1,增益 8.1
2023-04-14 15:20:34
MRF16006MACOM 的 MRF16006 是一款射频晶体管,频率为 1.6 至 1.64 GHz,功率 37.78 dBm,功率(W)6 W,增益 7.4 dB,电源电压 28 V。标签
2023-04-14 15:14:51
采用晶体管互补对称输出时,两管基极之间有电容相连,为什么?c2有什么用??
2023-03-31 14:02:55
请问BJT工艺的线性稳压源为什么多是PNP型晶体管呢?
2023-03-31 11:56:49
有没有负触发导通正的晶体管呢?哪位大神知道请赐教。谢谢啦!
2023-03-31 11:47:46
DU2860U 射频功率 MOSFET 晶体管 60W,2-175MHz,28V 射频功率 MOSFET 晶体管 60W,2-175MHz,28V  
2023-03-31 10:37:00
UF28150J 射频功率 MOSFET 晶体管 150W, 100MHz-500MHz, 28V 特征DMOS结构公共源配置宽带操作的低电容 
2023-03-31 10:34:44
DU2840S 射频功率 MOSFET 晶体管 40W,2-175MHz,28V 射频功率 MOSFET 晶体管
2023-03-30 18:07:32
NPN硅射频晶体管
2023-03-28 18:13:13
NPN硅射频晶体管
2023-03-28 12:54:33
NPN硅射频晶体管
2023-03-28 12:54:33
我在设计 PCB 时犯了一个错误,我的一些晶体管在原理图上将集电极和发射极调换了。“正常”方式是有 1:基极,2:发射极,3:集电极,但我需要一个晶体管,1:基极,2:集电极,3:发射极。引脚号与此图像相关:你知道有这种封装的晶体管吗?我知道我可以将它倒置并旋转,但我想知道我是否可以正确使用一个。
2023-03-28 06:37:56
NPN 硅射频晶体管
2023-03-24 10:51:28
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