TVS(Transient Voltage Suppressors),即瞬态电压抑制器,又称雪崩击穿二极管。
2024-02-26 09:58:09469 的抑制器件的特点及应用领域。 1. 二极管 二极管是最常见的抑制器件之一。其特点是具有单向传导性,阻挡反向电流。当正向电压施加在二极管上时,它可以快速导通并将电流引导到接地。因此,二极管可以用来抑制电压浪涌,保护设
2024-02-19 09:25:17117 浪涌抑制器(MOV)在受到足够的电压冲击并发生故障时,通常会变成黑色或棕色。此外,有些浪涌抑制器在损坏时可能会变成绿色。
2024-02-18 11:21:29384 -半导体接触面时会直接重组。重组过程在欧姆接触处迅速发生,并因金属的存在而进一步加剧。因此,有效的边界条件可表述如下:
考虑到N型和P型准中性区域的扩散电流方程,理想二极管的电流表达式将通过使用所考虑
2024-01-25 18:01:01
浪涌抑制器的应用及注意事项?|深圳比创达电子
2024-01-19 09:55:4195 浪涌抑制器的基本原理和种类?|深圳比创达电子
2024-01-18 09:59:18197 浪涌抑制器的未来发展如何?|深圳比创达电子
2024-01-11 09:58:58115 理想二极管是一种控制电路,它使用 N 沟道 MOSFET 栅极电压控制,使 N 沟道 MOSFET 能够像超低正向电压二极管一样工作,下图 (图1) 为 ADI LTC4359 的电路图:
2024-01-10 14:35:26636 浪涌抑制器的工作原理与分类?|深圳比创达电子
2024-01-10 10:26:06194 HEROTEK隧道二极管探测器是一种晶体二极管,其电流值是通过隧道效应的主要电流分量。隧道二极管检测器具有优越的电源开关性能、效率更高、工作频率高,但普遍存在热稳定性差的问题。DT2040隧道二极
2024-01-10 09:23:52
电子发烧友网站提供《瞬态电压抑制器PTVS5V0D1UCL英文资料.pdf》资料免费下载
2024-01-04 14:24:000 LTC4364规格书里的典型应用,低压输入VCC都是直接接VIN;36~72输入是通过电阻接VIN, 但是图上没有显示有接VCC的去耦电容,请问这种情况下VCC是否不需要去耦电容?谢谢
2024-01-04 07:55:12
LTC6811-1外部有一个NPN三极管搭建的稳压器,故障现象——两个100R电阻阻值漂移,三极管CB和CE被击穿(拆卸来,用万用表二极管档检查,CE和CB都是导通的,有0.6V)。电阻和三极管更换
2024-01-04 07:52:19
瞬态抑制二极管(TVS)的选型步骤?相信不少人是有疑问的,今天深圳市比创达电子科技有限公司就跟大家解答一下!无法获取该波形下Ipp和VC(max)的准确值,推荐步骤如下:1、确定VRWM,假设
2023-12-28 10:25:09
我想生成2MHz以下高精度的正弦信号,现在在AD9744和LTC1668之间纠结,两者都提供了很不错的评估板,尤其是LTC1668于2016年推出的DC2459A系列评估板,很不错!并且现在市场上
2023-12-13 08:53:15
瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppression Diode,简称TVS二极管)是一种用于保护敏感电子设备的半导体元件。它可以快速响应电压暴增现象,如电涌、雷击等,为设备
2023-11-30 10:15:25
新手使用sigmastudio, 想设计一个反馈抑制器,能给一个原理图或者相关资料链接吗?谢谢!
2023-11-29 08:01:00
压敏电阻与力敏电阻是什么?相信不少人是有疑问的,今天深圳市比创达电子科技有限公司就跟大家解答一下!对压力作用敏感的电阻是力敏电阻?还是压敏电阻?
一、压敏电阻压敏电阻即“突波吸收器”,也称“电冲
2023-11-27 10:53:35
我使用AD8663进行光电二极管IV转换,Rf=1M欧姆,Cf悬空。近似无光照条件下,AD8663输出数十毫伏的近似正弦波。Cf=100pF,其他条件不变,输出正弦波幅度略微降低。 请问用什么办法能消除这个正弦波呢?
同样的电路,使用AD8665,输出就正常的稳定直流信号。
2023-11-24 07:53:52
光电二极管接到ADL5304,光电二极管偏置需要10V,是否必须双电源供电?
2023-11-24 07:50:26
的静电冲击时有更理想的性能表现;二、TVS二极管运作原理当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间
2023-11-22 10:05:50
如何设计一个光电二极管带反偏的放大电路?
我现在有一个光电二极管,反偏电压是直流30V,现在我希望做一个放大电路,放大此光电二极管的输出,有参考设计吗?
另外希望是低功耗的设计,放大器用单电源3V左右,反偏电压是直流30V,有比较好的推荐电路或芯片吗?
2023-11-16 07:14:53
二极管滨松的S2386-5K,运放AD8615(后来又试了AD8641),负电源接了-0.3V。
使用光电二极管跨阻放大,光电二极管没有偏置,使用光伏模式,但后级输出是正弦波信号,参考了ADI官方的一些电路,不知道怎么把正弦信号转成有效稳定的直流信号
2023-11-14 07:48:26
特定水平时,TVS器件会变成导通状态,从而将电流从潜在的危险路径分流掉。
二、TVS器件的类型
二极管型TVS: 二极管型TVS是一种常用的保护器件,其结构和通常的二极管相似,但专为抑制瞬态
2023-11-07 10:53:03
较宽,发生碰撞电离的机会较多。
综上所述,相信通过本文的描述,各位对瞬态抑制二极管TVS的工作原理?(下)都有一定了解了吧,有疑问和有不懂的想了解可以随时咨询深圳比创达这边。今天就先说到这,下次给各位讲解些别的内容,咱们下回见啦!
2023-10-20 10:10:21
较宽,发生碰撞电离的机会较多。
综上所述,相信通过本文的描述,各位对瞬态抑制二极管TVS的工作原理?(下)都有一定了解了吧,有疑问和有不懂的想了解可以随时咨询深圳比创达这边。今天就先说到这,下次给各位讲解些别的内容,咱们下回见啦!
2023-10-20 10:07:05
稳压二极管并联使用,有什么问题
2023-10-17 07:18:20
电子发烧友网为你提供ADI(ADI)LTC4364: 配有理想二极数据表的 Surge 阻截器相关产品参数、数据手册,更有LTC4364: 配有理想二极数据表的 Surge 阻截器的引脚图、接线图
2023-10-11 18:40:23
至略高于逻辑电平电源的电压,并将负瞬态电压钳位至低于接地的二极管压降。它通过仅连接引脚 1 至 2 作为双向抑制器。 产品规格 品
2023-10-11 12:29:43
略高于逻辑电平电源的电压,并将负瞬态电压钳位至低于接地的二极管压降。通过仅将引脚 1 连接到引脚 2,它也可以用作双向抑制器。 产品规格 品牌
2023-10-11 12:25:46
请问下各位大佬,凌力尔特LTC4020芯片CSOUT无输出是什么原因,能充电,且CSP/CSN有差值,之前出现过小电流充电,后来确认受到干扰,增加电容滤波后能大电流充电。
2023-10-08 11:42:45
二极管是单向导通,那么反向恢复时间是什么,需要怎么测试
2023-09-27 07:51:57
深圳浪拓电子推出中功率瞬态抑制二极管系列SMBJxxA(CA),专门设计用于保护敏感的电子设备免受感应雷击浪涌和其它瞬态电压现象引起的电压瞬变损坏。 ►产品介绍 1.精确的击穿电压;2.体积小,可
2023-09-14 14:25:53
这款微功耗多功能电源管理集成电路 (PMIC) 采用凌力尔特公司制造的LTC3554设计,是便携式锂离子聚合物电池应用的解决方案。
这款微功耗多功能电源管理集成电路集成了一个USB兼容的线性
2023-09-11 16:59:52
二极管的电流方向是从正极流向负极。
就是从二极管PN结的P区流向N区,在电路图中,二极管“三角形”所指示的方向就是它的正向电流方向。发光二极管的电流方向与电路的电流方向是一致的。并不矛盾
2023-09-06 17:37:23
浪涌抑制器的作用是什么? 浪涌抑制器(Surge Protector)是一种电子保护设备,通常用于保护家庭和企业设备免受急剧电压变化或突然的电磁脉冲(EMP)等电力干扰的损害。浪涌抑制器可以通过响应
2023-09-04 17:48:231215 描述 LTC®4366 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极,LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压
2023-09-04 14:40:32
。
使用 TISP4350 过压保护器代替 TVS 二极管
保护装置的选择取决于许多因素。不同的型号和类型针对不同的电压范围、工作电压、事件持续时间、响应时间等而设计。
3、其他 ESD 抑制器组件
除以上介绍
2023-08-26 12:39:49
如下图,上面是副边二极管电压,下面是MOS管电压
我对二极管搭了一个简单电路来寻找答案,输入低频方波时没有异常,但是输入1000Khz方波时会出现异常?可是我选用的都是理想器件,应该没有寄生电容的影响啊,实在想不通,求解答。
2023-08-18 10:02:45
制造商: onsemi 产品种类: ESD 抑制器/TVS 二极
2023-08-01 15:06:09
大电流瞬态抑制二极管 High Power TVS DiodesPower TVS (PTVS)产品为高电流双向的电压瞬变抑制二极管,此设计可应用于交流电的保护和高功率直流总线
2023-07-05 11:15:52
LTC®1042 是一款单片式 CMOS 窗口比较器,其采用凌力尔特的先进 LTCMOS™ 硅栅工艺制造。两个高阻抗电压输入 CENTER 和 WIDTH/2 规定了比较窗口的中央和宽度
2023-06-30 09:31:58
管设计实现的,这种设计消除了常由普通齐纳二极管引起的表面噪声。晶圆批次采用凌力尔特公司 (现隶属 ADI) 自身的 Class S 流程至良率电路进行处理,可在严格的
2023-06-27 15:15:49
续流二极管到底是什么
2023-06-26 07:55:08
制造商: onsemi 产品种类: ESD 抑制器/TVS 二极管 RoHS
2023-06-17 17:52:34
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管,设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24
LTC®1044 是一款单片式 CMOS 开关式电容器电压转换器,其采用凌力尔特 (现隶属 ADI) 的增强型 LTCMOSTM 硅栅工艺制造。LTC1044 可提供多种电压转换功能:可以
2023-06-12 14:16:52
浪涌抑制器(Surge Protector)是一种用于保护电子设备免受电压浪涌、电流过载和过电压等电力问题的电气设备。它的功能是在电路中限制电压或电流的突然变化,以保护电子设备不受损坏。TPS2042BDR浪涌抑制器通常用于电脑、网络设备、家庭电器等电子设备中。
2023-06-08 18:05:503465 XC8110/XC8111系列再现了理想二极管功能,搭载了芯片使能功能(CE)、过流限制、浪涌电流限制、热关断功能等的负载开关IC。该IC因具备了理想二极管功能,与通常用于防止回流的肖特基二极管相比
2023-06-08 13:47:01330 EXTVCC 引脚的应用中,LTC3878 与 LTC1778 引脚兼容,并且提供了更佳的效率。如欲验证兼容性,请与凌力尔特查询。该器件的工作频率由一
2023-06-06 11:27:53
嗨,
任何人都可以帮助我。NodeMCU 上的二极管是什么值?
2023-05-31 06:18:38
制造商: onsemi 产品种类: ESD 抑制器/TVS 二极
2023-05-25 13:41:03
n-mos管截止如果在s-d之间加上正向电压,体二极管会不会导通?
2023-05-16 14:30:44
肖特基二极管与瞬态抑制二极管,相信不少电子行业的人都听过这两种元器件,今天,优恩小编整理了以下关于这两种器件产品的概念与特点,一起来看看吧。 二极管 TVS管,称瞬态抑制二极管,也叫做瞬态电压抑制器
2023-05-05 10:50:171084 在二极管电路中被钳位是什么意思?什么时候会出现被钳位呢?
2023-05-05 09:52:03
二极管单向导电是指电流只能从二极管一端流出吗?单向导电的用途是什么呢?
2023-05-05 09:49:20
正向整流二极管和反向整流二极管作用是否一样呢?
2023-05-05 09:46:10
系数两者电压上升的组合。VC、IPP反映瞬变二极管器件的浪涌抑制能力。VC与VBR之比称为箝位因子,一般在1.2~1.4之间。
④电容量C
电容量C是瞬变二极管雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率
2023-04-25 16:58:23
我一直以为二极管的导通是电压电位决定的,但是下面的降压斩波电路我看不懂,当MOS管Q1断开的时候,电感的自感电动势方向是左负右正,电压和电动势方向相反,左正右负,那么从电压角度来说,二极管的阳极是负电位,阴极是正电位,可是二极管竟然能导通续流!为什么呢?
2023-04-24 14:35:17
如果去掉Buck变换器电路中的续流二极管会怎样?
2023-04-24 14:22:44
瞬态电压抑制器瞬态电压抑制器 (TVS) 系列,该系列是提供瞬态电压保护的二极管。 TVS 二极管以轴向或表面安装封装提供。 范围从 200 W 到 30kW
2023-04-12 16:57:46
LTC®4366 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极,LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下,负载
2023-04-04 16:26:11
LTC®7860 高效率浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。高效率可提供较高的电流和较小的解决方案尺寸。在输入过压过程中 (例如:车辆中的负载突降),LTC7860 通过控制一个外部
2023-04-04 14:23:56
LTC7862 高效开关浪涌抑制器可保护负载不受高电压瞬态的影响。高效开关可实现高输出电流、小解决方案尺寸和高可靠性。在输入过压事件期间,LTC7862 可控制两个外部 N 沟道 MOSFET,使其
2023-04-04 11:24:57
LTC4364HS-2#PBF
2023-03-29 22:39:02
LTC4364HDE-2#PBF
2023-03-29 21:44:40
LTC®4354 是一款负电压二极管“或”控制器,用于驱动两个外部 N 沟道MOSFET。该器件可替代两个肖特基二极管及相关联的散热器,从而节省了功率和占板面积。通过采用 N 沟道 MOSFET
2023-03-29 13:36:10
LTC®4413-1 和 LTC4413-2 各自包含两个单片式理想二极管,均能够从 2.5V 至 5.5V 的输入电压提供高达 2.6A 的输出电流。理想二极管采用了一个 100mΩ P 沟道
2023-03-29 11:46:02
LTC®4413-1 和 LTC4413-2 各自包含两个单片式理想二极管,均能够从 2.5V 至 5.5V 的输入电压提供高达 2.6A 的输出电流。理想二极管采用了一个 100mΩ P 沟道
2023-03-29 11:43:56
LTC®4355 是一款正电压理想二极管“或”控制器,用于驱动两个外部 N 沟道MOSFET。利用 N 沟道 MOSFET (而不是肖特基二极管) 来形成二极管“或”可降低功耗、减少热耗散和 PC
2023-03-29 11:36:48
LTC®4357 是一款正高电压理想二极管控制器,用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代一个肖特基二极管。当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时,LTC4357 能够降低功耗、热耗散
2023-03-29 11:26:58
LTC®4358 是一款 5A 理想二极管,当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时,该器件采用一个内部 20mΩ N 沟道 MOSFET 来替代一个肖特基二极管。LTC4358 降低了功耗、减少
2023-03-29 11:23:09
LTC®4352 采用一个外部 N 沟道 MOSFET 产生一个近理想的二极管。它可替代一个高功率肖特基二极管和相关联的散热器,从而节省了功率和电路板面积。理想二极管功能实现了低损耗电源 “或
2023-03-29 11:18:12
LTC®4227 通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了“理想二极管或”和热插拔 (Hot Swap™) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极
2023-03-28 17:35:22
LTC4364 浪涌抑制器具有理想二极管控制器,可保护负载免遭高电压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 传输器件两端的电压降,该器件可在过压过程 (例如:汽车中的负载突降) 中限制
2023-03-28 13:12:11
LTC®4359 是一款正高电压理想二极管控制器,用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。该器件可控制 MOSFET 两端的正向电压降,以确保无振荡的平滑电流传输,即使在轻负载
2023-03-28 13:06:51
带理想二极管的浪涌抑制器
2023-03-28 13:06:35
LTC®4353 可控制外部 N 沟道 MOSFET 以实现理想二极管功能。该器件可替代两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器,从而节省了功率和占板面积。理想二极管功能可实现低损耗电源“或”及电源
2023-03-28 13:02:29
LTC®4228 通过控制每个电源轨中的两个外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了理想二极管和热插拔 (Hot Swap™) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基
2023-03-28 11:48:39
LTC®4229 通过控制两个外部 N 沟道 MOSFET 为一个电源轨提供了理想二极管和热插拔 (Hot Swap™) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 取代了一个高功率肖特基二极管及相关联
2023-03-28 10:48:04
LTC®4236 通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供理想二极管 “或” 和热插拔 (Hot Swap) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 可替代两个高功率肖特基二极管和关联
2023-03-28 10:26:45
LTC®4371 是一款双输入负电压理想二极管 “或” 控制器,其用于驱动外部 N 沟道MOSFET,可在高功率 -48V 系统中作为肖特基二极管的一种低耗散替代方案。低的功率耗散和电压损失免除
2023-03-28 10:23:18
LTC4376 是一款 7A 理想二极管,当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时,其采用一个内部 15mΩ N 通道 MOSFET 替代一个肖特基二极管。LTC4376 可降低功耗、热耗散
2023-03-27 17:57:17
LTC4372是正高压理想二极管控制器,驱动一个外部 N 通道 MOSFET,来代替肖特基二极管。它们控制 MOSFET 上的正向压降,以确保即使在轻负载时,也能从一条路径向另一条路径提供电流传递或
2023-03-27 17:46:19
带理想二极管的浪涌抑制器
2023-03-23 00:41:25
带理想二极管的浪涌抑制器
2023-03-23 00:41:21
带理想二极管的浪涌抑制器 SOIC16_150MIL 4~80V
2023-03-23 00:41:21
评论
查看更多