超导场效应管（Superconducting Field Effect Transistor，SFET）是一种新型的半导体器件，它结合了超导电性和晶体管的场效应特性，提供了低噪声、低功耗和高速等优异特性。
2024-03-06 16:23:39
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，由于有导体存在，产生的电阻将会转化为热量。所以，导通电阻是场效应管发热的主要原因之一。 2. 开关频率发热：逆变器是通过高频开关来控制电路的，为了控制高频开关的开关速度，场效应管必须具备快速开关速度的特点。在频繁开
2024-03-06 15:17:20185 IGBT，即绝缘栅双极晶体管，是一种高效能的半导体器件，它结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极结型晶体管（BJT）的特性。
2024-02-22 14:42:40395 
场效应管，即场效应晶体管（简称FET），是一种电压控制型半导体器件。
2024-02-20 15:31:17514 
是设计成功的关键。 为了满足这些要求，开关模式电源系统的设计者需要从使用传统的硅 (Si) 基金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 转为使用其它器件，因为硅器件正在迅速接近其理论极限。 因此设计者需要考虑基于宽带隙 (WBG) 材料的器件，如
2024-02-13 17:34:00657 
逆变器的场效应管发热原因 逆变器是一种将直流电转换为交流电的装置，常用于太阳能发电、风能发电等可再生能源系统中。其中，场效应管（MOSFET）是逆变器中的关键元件，负责开关直流电，实现直流电的变换
2024-01-31 17:17:01423 1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。这里的沟道是指导电的主要离子，N沟道为电子，P沟道为空穴。
为使N沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间
2024-01-30 11:51:42
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。
为使N沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间加正向电压，以形成漏极电流。N沟道场效应管在不加控制电压
2024-01-30 11:38:27
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
举例而言，一个结型场效应管，采用自偏置结构，即栅极和源极短接在一起源极也有一个电阻，在电源和漏极接一个负载，此时场效应管可以看做是一个互导放大器，压控电流源，请问此时这种电路的输入输出电阻应该怎么求
2024-01-15 18:06:15
替代原有场效应管的替代品。本文将详细比较分析2586场效应管和3205场效应管两种常见型号的特性和性能，以确定3205能否替代2586。 一. 2586场效应管的介绍 2586场效应管是一种常见的N沟道MOS场效应管型号，广泛用于低功率放大器、电源电路和数字逻辑
2024-01-15 15:49:57317
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121来驱动氮化镓半桥电路，采样的全隔离的驱动方案，但是现在上管的驱动电压随输入电压的升高而升高，不知道为啥？是因为驱动芯片的原因吗？上管是将5V的输入电压由B0515隔离芯片转化
2024-01-11 06:43:50
： 电源管理和变换器 GaN芯片主要用于电源管理和变换器领域，用于提供高效能的能源转换，例如从交流到直流的转换、高频开关电源、电动车辆充电器和太阳能逆变器等。由于GaN芯片具有高电子迁移率和高电流密度能力，它们能够提供更高
2024-01-10 10:13:19436 氮化镓作为材料，而硅芯片则采用硅作为材料。氮化镓具有优秀的物理特性，包括较高的电子与空穴迁移率、较高的饱和电子漂移速度和较高的击穿电压等，这些特性使得氮化镓芯片在高功率、高频率和高温环境下表现出较好的性能。
2024-01-10 10:08:14511 氮化镓（GaN）MOS管，是一种基于氮化镓材料制造的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。由于氮化镓具有优异的电子迁移率、高电子饱和速度和较高的击穿电压能力，使得氮化镓MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:15362 场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件，其主要场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种广泛应用
2023-12-28 14:53:31471 氮化镓（GaN）MOS（金属氧化物半导体）管驱动芯片是一种新型的电子器件，它采用氮化镓材料作为通道和底层衬底，具有能够承受高功率、高频率和高温度的特性。GaN MOS管驱动芯片广泛应用于功率电子
2023-12-27 14:43:23529 场效应管两端并二极管有什么用处 场效应管和二极管是电子器件中常见的两类元件，它们在电路设计和应用中有着重要的作用。 一、场效应管的原理、结构和特点 场效应管是半导体元件中的一种，其工作原理基于电场
2023-12-21 11:27:16430 场效应管是一种常用的电子元件，其特点是控制端电流小、输入电阻高、功耗低等优点，广泛应用于电子设备中。场效应管的放大电路可以分为三种接法，包括共源放大电路、共漏放大电路和共栅放大电路。本文将详尽、详实
2023-12-20 10:45:02806 FLK017XP型号简介Sumitomo的FLK017XP芯片是一种功率砷化镓场效应管，设计用于Ku频段的通用应用提供卓越的功率、增益和效率。Eudyna严格的质量保证计划确保可靠性和一致的性能
2023-12-19 12:00:45
氮化镓器件用于通信基础设施、雷达系统、卫星通信、点对点无线电和其他应用。
2023-12-15 18:11:44204 
Sumitomo 是全球最大的射频应用氮化镓 (GaN) 器件供应商之一。住友氮化镓器件用于通信基础设施、雷达系统、卫星通信、点对点无线电和其他应用。 功率氮化镓-用于无线电链路和卫星通信
2023-12-15 17:43:45
如图：这个N沟道场效应管，这样接行不行？
2023-11-26 22:22:46
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应
2023-11-24 16:54:18632 氮化镓激光芯片是一种基于氮化镓材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高温、耐腐蚀等优点，被广泛应用于通信、医疗、工业等领域。下面我们将详细介绍氮化镓激光芯片的用途。 一、通信领域 氮化镓激光芯片
2023-11-24 11:23:151092 镓充电器的原理及优点。 一、氮化镓充电器原理 氮化镓充电器主要是利用氮化镓半导体材料的高频特性，实现高效、快速、安全的无线充电。它由两个主要部件组成：一个无线发射器和一个无线接收器。 无线发射器 无线发射器由电
2023-11-24 10:57:461244 
Transistor，简称IGBT）是两种常见的功率管件。它们在应用领域、结构、工作原理、特点以及性能参数等方面有着一些区别。以下是对这两种管件逐一进行详尽、详实、细致的比较解释。 1. 应用领域的区别： 场效应管主要应用于低功率放大、开关电路以及射频和微波领域。由于它具有高输出阻抗和低输入电流，适用于高频电
2023-11-22 16:51:143242 来满足其特殊的要求。 GaN MOS管具有较大的开关速度和较低的导通电阻，使其能够高效地工作于高频和高功率条件下。这使得它们在许多领域中得到广泛应用，例如电力转换器、无线通信、雷达系统等。 然而，由于GaN MOS管的工作特性较为特殊，普通的驱动芯片往
2023-11-22 16:27:58854 氮化镓芯片是什么？氮化镓芯片优缺点 氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片是一种用氮化镓物质制造的芯片，它被广泛应用于高功率和高频率应用领域，如通信、雷达、卫星通信、微波射频等领域。与传统的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302303 如何区分场效应管的三个电极？场效应管可以算是三极管吗？ 场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种使用电场效应来控制电流的电子器件。它由源极（source）、栅极
2023-11-21 16:05:231292 电子发烧友网站提供《结型场效应管的工作原理.zip》资料免费下载
2023-11-20 14:45:56
3 场效应管是一种半导体器件，它可以用来放大或者控制电流 。根据结构的不同，场效应管可以分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）。其中，JFET是由一个pn结构组成，而MOSFET
2023-11-17 16:29:521226 
如何简单判断一个场效应管的好坏？ 场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种广泛应用于电子设备中的晶体管类型之一。要判断一个场效应管的好坏，需要考虑其性能参数、制造
2023-11-17 11:41:30690 MOS管和场效应管有什么关系？对于初学者来说，这两个名字常常让人混淆，MOS管到底是不是场效应管？
2023-11-13 17:23:05756 
场效应管不导通，LED能亮吗？
2023-10-17 07:09:53
众所周知，氮化镓功率器件为电力电子系统提高频率运行，实现高功率密度和高效率带来可能。然而，在高频下需要对EMI性能进行评估以满足EMC法规（例如EN55022 B类标准）要求。
2023-10-16 14:32:451139 
场效应管(MOSFET)也叫场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件
2023-10-08 17:23:34559 
作为第三代半导体材料，氮化镓具有高频、高效率、低发热等特点，是制作功率芯片的理想材料。如今，电源芯片厂商纷纷推出氮化镓封装芯片产品。这些氮化镓芯片可以显著提高充电器的使用效率，减少热量的产生，并且缩小了充电器的体积，使用户在日常出行时更容易携带。
2023-10-07 15:32:33414 
Nexperia(安世半导体)的高功率氮化镓场效应晶体管，共将分为(上)(下)两期，包含其工艺、性能优势、产品及封装等内容。本期将先介绍 Nexperia(安世半导体)氮化镓产品的成熟的工艺。
2023-09-25 08:19:00395 
的通信和工业基础设施等领域。氮化镓场效应晶体管能够以较低的系统成本，实现更小、更快、散热性能更优、更轻便的系统。
2023-09-25 08:17:54422 
通信理论为基础，以数字信号处理为核心，以微电子技术为支撑的新的无线电通信体系结构，是数字无线电的高级形式。首先介绍了软件无线电的理论基础，即带通采样理论，多速率处理信号技术，高效信号滤波，数字正交变换
2023-09-22 07:54:47
场效应晶体管简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(10^7^~10^15^Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。 一、场效应管的作用
2023-09-20 15:26:061369 
结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别是什么？ 场效应管是一种半导体器件，利用半导体中电荷分布的特性控制电流的流动。常见的场效应管有结型场效应管和绝缘栅型场效应管，它们虽然在功能上有相似之处，但在
2023-09-18 18:20:512222 场效应管怎么测量好坏 场效应管又称为晶体管（transistor），是电子器件中常见的一种。在电子电路设计中，场效应管的主要作用是作为放大器和开关来使用。场效应管的好坏直接影响到整个电路的性能
2023-09-02 11:31:243310 场效应管MOSFET是mos管吗？场效应管mos管的区别？场效应管和mos管有什么不一样的地方？ MOSFET和场效应管（FET）都属于半导体器件中的一种，类似晶体管。MOSFET是MOS（金属
2023-09-02 11:31:152542 场效应管的原理与作用 场效应管在电路中起什么作用？ 场效应管，也被称为晶体管，是一种重要的电子元件。它由一个半导体材料制成，可以调节电流的流动，被广泛应用于电路的放大和开关控制。 场效应
2023-09-02 11:31:132852 场效应管怎么区分n沟道p沟道 场效应管是一种常见的半导体器件，可以用于电子器件中的信号放大、开关等应用。场效应管有两种类型：n沟道型（n-channel）和p沟道型（p-channel），它们
2023-09-02 10:05:176875 场效应管常用驱动芯片有哪些？ 场效应管（FET）是一种可以控制电流的半导体器件，是现代电子技术中应用广泛的一种器件。在这种器件中，输入电压可以控制输出电流的大小，因此可以应用在很多电子电路中。而为
2023-08-25 15:47:392608 工作原理 场效应管（FET）是一种三极管，可以通过改变栅极电压调节源极和漏极之间的电阻。场效应管的原理是利用电场控制载流子浓度，其主要特点是输入电阻大，高频特性好。场效应管可以分为N沟道和P沟道两种结构。 可控硅（SCR）是一种双
2023-08-25 15:41:381547 氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
场效应晶体管简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
2023-08-18 16:01:28591 
结型场效应管栅极反偏但仍有电流，MOS场效应管栅极绝缘，没有电流。
2023-08-17 09:19:34616 
场效应管（英语：field-effect transistor，缩写：FET）是一种通过电场效应控制电流的电子器件。
2023-07-28 10:06:295254 
无线电视系统的设计依赖于一些关键的技术和构建模块。FPGA技术可以在无线电视应用中发挥重要作用
2023-07-10 16:58:56246 
深圳市三佛科技有限公司供应NCP1342原装65W氮化镓快充电源主控芯片，原装，库存现货热销 NCP1342原装65W氮化镓快充电源主控芯片特性集成高压启动电路，带停电检测集成X2电容放电
2023-07-05 15:38:22
1 历史 1947年威廉.肖克利与他人共同发明了晶体管，属于双极型晶体管（Bipolarjunction Transistor）。此外，晶体管还有另外一个分支，叫场效应管（Field Effect
2023-06-29 09:21:342017 
1 历史 1947年威廉.肖克利与他人共同发明了晶体管，属于双极型晶体管（Bipolarjunction Transistor）。此外，晶体管还有另外一个分支，叫场效应管（ Field Effect
2023-06-28 08:39:283644 
，氮化镓器件可以在同一衬底上集成多个器件，使得单片式电源系统可以更直接、更高效和更具成本效益地在单芯片上进行设计。集成功率级诸如EPC23102为设计人员提供了一个比基于分立器件方案的体积小35
2023-06-25 14:17:47
efficiency
65.3%
71.8%
表1：基于Si和氮化镓器件逆变器的系统的效率比较。扭矩和速度用传感器测量。
表1展示出当基于硅器件的 20 kHz 逆变器转为采用氮化镓器件的100 kHz 逆变器
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
还记得，数年前，第一次在民用层面大量出现无线充电的时候，我们大部分人都被这样的“黑科技”所震惊。 时至今日，从前只能在科幻电影中看到的场景，都在逐一成为现实，而无线电源、无线充电等应用早已进入我们家
2023-06-20 10:50:03347 氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
33μF400V。
另一颗规格为47μF400V。
差模电感采用磁环绕制，外套热缩管绝缘。
橙果这款65W氮化镓充电器内部采用两路PI的电源芯片，对应两颗不同大小的变压器，组成两路快充电源。其中
2023-06-16 14:05:50
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
，在半桥拓扑结构中结合了频率、密度和效率优势。如有源钳位反激式、图腾柱PFC和LLC。随着从硬开关拓扑结构到软开关拓扑结构的改变，初级FET的一般损耗方程可以最小化，从而提升至10倍的高频率。
氮化镓功率芯片前所未有的性能表现，将成为第二次电力电子学革命的催化剂。
2023-06-15 15:53:16
能、高电压的射频基础设施。几年后，即2008年，氮化镓金属氧化物半导场效晶体（MOSFET）（在硅衬底上形成）得到推广，但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件，使用率较低。
2023-06-15 15:50:54
% 的能源浪费，相当于节省了 100 兆瓦时太阳能和1.25 亿吨二氧化碳排放量。
氮化镓的吸引力不仅仅在于性能和系统层面的能源利用率的提高。当我们发现，制造一颗片氮化镓功率芯片，可以在生产制造环节减少80
2023-06-15 15:47:44
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
、设计和评估高性能氮化镓功率芯片方面，起到了极大的贡献。
应用与技术营销副总裁张炬（Jason Zhang）在氮化镓领域工作了 20 多年，专门从事高频、高密度的电源设计。他创造了世界上最小的参考设计，被多家头部厂商采用并投入批量生产。
2023-06-15 15:28:08
包含关键的驱动、逻辑、保护和电源功能，消除了传统半桥解决方案中相关的能量损失、成本过高和设计复杂的问题。
纳微推出的世界上首款氮化镓功率芯片同时能提供高频率和高效率，实现了电力电子领域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
场效应管可以分成两大类，一类是结型场效应管（JFET），另一类是绝缘栅场效应管（MOSFET）。
2023-06-08 09:20:14430 
无线电技术不断发展，以应对通信挑战。例如，UHF信号作现场的障碍物（例如墙壁和建筑物）衰减。现代战术无线电通过使用多进多出（MIMO）方法克服了这一挑战，将单个信号分成几个占用更高带宽的信号。
2023-05-20 16:53:42611 
场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
2023-05-16 15:24:34847 场效应晶体管是电压控制元件，因此和普通双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点，这就决定了场效应晶体管与其它电子元件有异曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:041366 
场效应晶体管是依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻（简称场效应），使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。
2023-05-16 15:14:081509 
、磁性材料厂商如何应对及未来第三代半导体材料发展趋势和难点。 编者按： 以氮化镓为代表的第三代半导体材料可使得器件适用于高频高温的应用场景。氮化镓的特性成为超高频器件的极佳选择，主要应用在服务器电源、数据中心、
2023-05-08 15:43:35504 
可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。但因为其电流、热容量小，耐压低，一般只适用于小功率电力电子装置。 电力场效应管的结构和工作原理 电力场效应晶体管种
2023-05-01 18:36:131102 
场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。就其性能而言，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能。两者对比如下表。
2023-04-17 11:53:131411 
合封氮化镓芯片是一种新型的半导体器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等优点。与传统的半导体器件相比，合封氮化镓芯片采用了全新的封装技术，将多个半导体器件集成在一个芯片上，使得器件的体积更小、功率
2023-04-11 17:46:231327 在电源领域掀起了翻天覆地的变革。 为简化电路设计，加强器件可靠性，降低系统成本，纳微半导体基于成功的GaNFast™氮化镓功率芯片及先进的GaNSense™技术，推出新一代GaNSense™ Control合封氮化镓功率芯片，进一步加速氮化镓市场普及
2023-03-28 13:58:021193 
高频、高压的氮化镓+低压硅系统控制器的战略性集成， 实现易用、高效、可快速充电的电源系统 美国加利福尼亚州托伦斯，2023年3月20日讯 —— 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率
2023-03-28 13:54:32723 
，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机功耗
2023-03-28 10:31:57
电压，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机
2023-03-28 10:24:46
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