电子发烧友App
科锐开发出直径150mm的n型4H-SiC外延晶圆
- led(645460)
- SiC(61349)
- 科锐(23529)
- 功率半导体(42383)
- 半导体芯片(69635)
- 美国原厂(16595)
相关推荐
WD4000国产晶圆几何形貌量测设备
WD4000国产晶圆几何形貌量测设备通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV、BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。可实现砷化镓
2024-03-15 09:22:08
请问STM32G0B1KBU3N如何使用外部被动晶振?
要使用STM32G0B1KBU3N(UFQFPN32)来做产品开发，此MCU只有OSC_IN与OSC_EN的PIN,没有OSC_OUT的PIN,如果我不採用主动式的晶振，我想用被动式的晶振，在电路设计上应该如何实现?谢谢!!
2024-03-07 06:07:04
深圳萨科微slkor
此类产品。根据其不同用途，可分为检波⼆极管、整流⼆极管、稳压⼆极管、开关⼆极管等。按照管芯结构，⼜可分为点接触型⼆极管、⾯接触型⼆极管及平⾯型⼆极管。萨科微总经理宋仕强先生介绍说，点接触型⼆极管
2024-03-05 14:23:46
碳化硅外延设备企业纳设智能开启上市辅导
证监会近日公告显示，深圳市纳设智能装备股份有限公司（简称“纳设智能”）已正式开启首次公开发行股票并上市的辅导备案程序。该公司专注于第三代半导体碳化硅（SiC）外延设备以及石墨烯等先进材料的研发、生产、销售和应用推广，是国产碳化硅外延设备的领军企业。
2024-02-26 17:28:02
487
487外延层在半导体器件中的重要性
只有体单晶材料难以满足日益发展的各种半导体器件制作的需要。因此，1959年末开发了薄层单晶材料生长技外延生长。那外延技术到底对材料的进步有了什么具体的帮助呢？
2024-02-23 11:43:59300
300
无图晶圆几何形貌测量系统
WD4000无图晶圆几何形貌测量系统是通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。可兼容不同材质
2024-02-21 13:50:34
英飞凌与Wolfspeed扩展并延长150mm碳化硅晶圆供应协议
英飞凌科技与Wolfspeed宣布，将扩展并延长他们最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。经过这次扩展，双方的合作新增了一项多年期产能预订协议。这一合作不仅有助于提升英飞凌总体供应链的稳定性，还能满足汽车、太阳能和电动汽车应用以及储能系统对碳化硅半导体产品日益增长的需求。
2024-02-02 10:35:33332
332英飞凌与Wolfspeed延长150mm碳化硅晶圆供应协议
英飞凌科技与Wolfspeed近日宣布，将扩展并延长双方最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。这一合作旨在满足不断增长的市场需求，并提升英飞凌供应链的稳定性。
2024-01-31 17:31:14439
439英飞凌与Wolfspeed扩展并延长多年期 150mm 碳化硅晶圆供应协议
技术领域的领导者Wolfspeed（NYSE代码：WOLF）近日宣布扩展并延长双方最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。经过此次扩展，双方的合作又新增了一项多年期产能预订协议。这不仅有助于提升英飞凌总体供应链的稳定性，还能帮助满足汽车、太阳能和电动汽车应用以及储
2024-01-30 14:19:1677
77
英飞凌与Wolfspeed延长SiC晶圆供应协议
为了满足不断增长的碳化硅器件需求，我们正在落实一项多供应商战略，从而在全球范围内保障对于 150mm 和 200mm 碳化硅晶圆的高品质、长期供应优质货源
2024-01-25 11:13:5582
82英飞凌与Wolfspeed扩大并延伸多年期碳化硅150mm晶圆供应协议
）与全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed 公司（美国纽约证券交易所上市代码：WOLF）于今日宣布扩大并延伸现有的长期 150mm 碳化硅晶圆供应协议（原先的协议签定于 2018 年 2 月）。
2024-01-24 09:51:01239
239JG01-SG235单轴测径仪即可 检测直径200mm线缆外径
线缆的直径不仅仅有小尺寸的，还有一些大尺寸的，诸如200mm内的线缆，一般的在线测径仪测量范围很少有能达到该尺寸的，而蓝鹏测控专门对大直径产品研发的边缘检测法的双测头测径仪，可实现各种大直径产品
2024-01-10 17:34:30
无图晶圆几何形貌测量设备
WD4000无图晶圆几何形貌测量设备采用高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立3D Mapping图，实现晶圆厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等
2024-01-10 11:10:39
WD4000半导体晶圆厚度测量系统
WD4000半导体晶圆厚度测量系统自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR
2024-01-09 09:08:07
中电化合物荣获“中国第三代半导体外延十强企业”
近日，华大半导体旗下中电化合物有限公司荣获“中国第三代半导体外延十强企业”称号，其生产的8英寸SiC外延片更是一举斩获“2023年度SiC衬底/外延最具影响力产品奖”。这一荣誉充分体现了中电化合物在第三代半导体外延领域的卓越实力和领先地位。
2024-01-04 15:02:23523
5234H-SiC缺陷概述
4H-SiC概述（生长、特性、应用）、Bulk及外延层缺陷、光致发光/拉曼光谱法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光学显微镜，TEM，SEM/散射光等表征方法。
2023-12-28 10:38:03486
486
纤芯直径为62.5μm和50μm的多模光纤能混用吗？
纤芯直径为62.5μm和50μm的多模光纤能混用吗？混用以后会对光纤的传输性能产生什么影响？ 可以混用纤芯直径为62.5μm和50μm的多模光纤，但是混用后会对光纤的传输性能产生一定的影响。 首先
2023-12-27 15:44:50279
279普兴电子:200mm 4H-SiC高质量厚层同质外延生长
当前，SiC器件已广泛应用在新能源车的主驱、OBC等关键部件，有效的降低了提升了开关速度，降低了能量损耗，使得整车的重量得到减少，续航里程得到提升。
2023-12-25 10:43:04357
357
TC wafer 晶圆测温系统广泛应用半导体上 支持定制
TC-Wafer是将高精度温度传感器镶嵌在晶圆表面，对晶圆表面的温度进行实时测量。通过晶圆的测温点了解特定位置晶圆的真实温度，以及晶圆整体的温度分布，同还可以监控半导体设备控温过程中晶圆发生的温度
2023-12-21 08:58:53
晶圆几何形貌测量设备
WD4000晶圆几何形貌测量设备采用白光光谱共焦多传感器和白光干涉显微测量双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立表面3D层析图像，实现Wafer厚度、翘曲度、平面度、线粗糙度、总体厚度变化(TTV
2023-12-20 11:22:44
碳化硅外延设备技术研究
、耐高温、高频及大功率等的器件应用需求，在新能源汽车、充电桩、轨道交通和电网等多个领域广泛应用[1-3]。SiC 的3种常见晶型包括3C、4H 和6H，其中4H-SiC 材料的各向异性较小、禁带宽度大、击穿电压高、电子和空穴迁移率大，成为行业主要研究和应用对象[4]。
2023-12-18 09:37:50580
580
晶圆测温系统tc wafer晶圆表面温度均匀性测温
晶圆测温系统tc wafer晶圆表面温度均匀性测温晶圆表面温度均匀性测试的重要性及方法 在半导体制造过程中，晶圆的表面温度均匀性是一个重要的参数
2023-12-04 11:36:42
pcb的地线,电源线,信号线
位于电路板边缘的元器件，离电路板边缘一般不小于 2mm 。 电路板的形状为矩形。长宽比为 3:2 成 4:3.电路板面尺寸大于200×150mm 时。应考虑电路板所受的机械强度 。
2023-11-30 15:43:41176
176
像AD8233一样的晶圆封装在PCB中如何布线？
请问像AD8233一样的晶圆封装在PCB中如何布线，芯片太小，过孔和线路都无法布入，或者有没有其他封装的AD8233
2023-11-14 07:01:48
编码器计算长度的原理及公式
电机连着主轴，主轴带个增量式旋转编码器，已知编码器为1600线，主轴直径为150mm, 主轴为变速转动，变速后面伸出来的轴同样是150MM后面带了一个转盘为1M。求：
1、主轴的当前时刻转速是多少
2023-11-09 06:17:48
晶圆几何形貌测量及参数自动检测机
WD4000晶圆几何形貌测量及参数自动检测机通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷
2023-11-06 10:49:18
半导体晶圆几何形貌自动检测机
WD4000系列半导体晶圆几何形貌自动检测机采用高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立3D Mapping图，实现晶圆厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR
2023-11-06 10:47:07
深圳半导体晶圆检测设备厂商
WD4000半导体晶圆检测设备自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI
2023-10-19 11:08:24
第三代半导体SiC产业链研究
SiC 衬底是由 SiC 单晶材料制造 而成的晶圆片。衬底可以直接进入 晶圆制造环节生产半导体器件，也 可以经过外延加工，即在衬底上生 长一层新的单晶，形成外延片。
2023-10-18 15:35:39
4
4无图晶圆几何量测系统
WD4000无图晶圆几何量测系统自动测量 Wafer 厚度 、表面粗糙度 、三维形貌 、单层膜厚 、多层膜厚 。使用光谱共焦对射技术测量晶圆 Thickness 、TTV 、LTV 、BOW
2023-10-18 09:09:00
CMPA0527005F，CREE/科锐，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V,高电子迁移率晶体管
CMPA0527005F，CREE/科锐，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V,高电子迁移率晶体管CMPA0527005F，CREE/科锐，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V
2023-10-17 16:12:54
AP30H150KA N沟道 30V 150A 丝印:30H150KA-30h150 mos管
供应AP30H150KA N沟道 30V 150A 丝印:30H150KA-30h150 mos管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP30H150KA规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 10:38:20
DMTH10H4M5LPS 100V N 沟道增强型 MOSFET 晶体管
DMTH10H4M5LPS 产品简介DIODES 的 DMTH10H4M5LPS 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地减少 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该
2023-09-19 13:30:37
DMT10H4M5LPS 100V N 沟道增强型 MOSFET 晶体管
DMT10H4M5LPS 产品简介DIODES 的 DMT10H4M5LPS 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地减少 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件
2023-09-18 13:23:02
8mm储能连接器的颜色分别代表什么？
8mm储能连接器通常是指一种具有8mm直径的连接器，常用于新能源电源储能系统中。
这种连接器具有直式8mm黑色IP67防水连接器，能够承载125A、150A、200A、250A等大电流。其采用
2023-09-07 11:38:05644
644
风力发电机轴磨损现场修复方案
设备在正常生产运行过程中出现轴承温度急剧升高的异常情况，在停机拆检时发现轴承的安装位置轴颈出现严重磨损，轴承内圈与轴之间相对窜动，造成轴承外压盖破损，设备已经无法正常运行。风力发电机轴出现严重磨损，轴承位直径：Ø150mm；轴承位宽度：65mm；磨损深度：1.5mm。
2023-09-05 17:35:240
0开发板N9H20K51N arm9用keil开发，jlin下载，kei选择flash怎么选择？
请问新唐开发板N9H20K51N arm9用keil开发，jlin下载，kei选择flash怎么选择，找不到对应型号，还有kei需要什么要十分注意配置选项，还请大神多多解答
2023-09-05 07:29:07
滨正红PFA花篮特氟龙晶圆盒本底低4寸6寸
PFA花篮（PFA wafer Cassette） 又名 清洗花蓝 ，铁氟龙卡匣 ， 铁氟龙晶舟盒 ，铁氟龙晶圆盒为承载半导体晶圆片/硅片
2023-08-29 08:57:51
碳化硅外延片全球首个SEMI国际标准发布，瀚天天成主导
国际半导体产业协会（semi）正式公布了世界最早的“碳化硅半导体外延晶片全球首个semi国际标准——《4H-SiC同质外延片标准》 （specification for 4h-sic
2023-08-24 10:37:18648
648
一文看懂SiC功率器件
范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为
2023-08-21 17:14:581144
1144
C150N50Z4是一款终端
TTM Technologies 的 C150N50Z4 是一款频率 DC 至 4 GHz、功率 150 W、回波损耗 20 至 24 dB、工作温度 -50 至 200 摄氏度的终端。标签：芯片
2023-08-17 16:44:16
G150N50W4E端接器
TTM Technologies 的 G150N50W4E 是一款端接器，频率 DC 至 3 GHz、功率 150 W、回波损耗 20 至 25 dB、工作温度 -50 至 150 摄氏度。标签
2023-08-17 15:23:47
A150N50X4C是一款终端
TTM Technologies 的 A150N50X4C 是一款终端，频率 DC 至 3 GHz、功率 150 W、回波损耗 26 dB、工作温度 -55 至 150 摄氏度。标签：芯片、芯片终端
2023-08-17 15:00:12
A150N50X4B是一款终端
TTM Technologies 的 A150N50X4B 是一款终端，频率 DC 至 2.7 GHz、功率 150 W、回波损耗 20 至 26 dB、工作温度 -55 至 200
2023-08-17 14:58:14
SiC外延片制备技术解析
碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。
2023-08-15 14:43:341001
1001
【资料分享】全志科技T507-H开发板规格书
；（4）协助正确编译与运行所提供的源代码；（5）协助进行产品二次开发；（6）提供长期的售后服务。
10 增值服务主板定制设计核心板定制设计嵌入式软件开发项目合作开发技术培训
更多关于全志科技T507-H核心板的开发资料，欢迎在评论区留言，感谢您的关注~
2023-08-08 16:28:40
请问STL210N4F7AG这个型号的实物marking是210N4F7H还是210N4F7?
标签上marking信息是210N4F7，怎么实物marking是210N4F7H，这个是正常的？
2023-08-07 11:52:00
SiC外延片测试需要哪些分析
对于掺杂的SiC外延片，红外光谱测量膜厚为通用的行业标准。碳化硅衬底与外延层因掺杂浓度的不同导致两者具有不同的折射率，因此试样的反射光谱会出现反映外延层厚度信息的连续干涉条纹。
2023-08-05 10:31:47913
913
SiC外延片是SiC产业链条的核心环节吗？
碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。
2023-08-03 11:21:03286
286
Renesas与Wolfspeed签订10年晶圆供应协议
这份为期十年的供应协议要求Wolfspeed在2025年为Renesas提供150mm碳化硅裸晶和外延晶圆，这强化了两家公司对于从硅向硅碳化物半导体功率设备行业转型的愿景。
2023-07-07 10:46:51340
340
瑞萨电子与Wolfspeed签署10年碳化硅晶圆供应协议
长达 10 年的供应协议要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞萨电子供应规模化生产的 150mm 碳化硅裸晶圆和外延片，这将强化公司致力于从硅向碳化硅半导体功率器件产业转型的愿景。
2023-07-06 10:36:37276
276晶圆测温系统，晶圆测温热电偶，晶圆测温装置
晶圆测温系统，晶圆测温热电偶，晶圆测温装置一、引言随着半导体技术的不断发展，晶圆制造工艺对温度控制的要求越来越高。热电偶作为一种常用的温度测量设备，在晶圆制造中具有重要的应用价值。本文
2023-06-30 14:57:40
国产CVD设备在4H-SiC衬底上的同质外延实验
SiC薄膜生长方法有多种，其中化学气相沉积（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精确控制外延膜厚度和掺杂浓度、缺陷较少、生长速度适中、过程可自动控制等优点，是生长用于制造器件的SiC 外延膜的最常用的方法。
2023-06-19 09:35:52644
644
GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管可实现更快的开关瞬变
二极管中观察到的电容恢复特性为独立于温度，正向电流水平以及关断dI/dt。在Si技术中，不切实际外延规范将肖特基二极管降级为< 600 V的应用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二极管是专门设计的，以尽量减少电容电荷，从而实现更快的开关瞬变。
2023-06-16 11:42:39
高磁场型霍尔效应测试系统JH60B的技术参数
*1020cm-3*霍尔系数：±1*10-2～±1*106cm3/C* 迁移率：0.1~108 cm 2 /volt*sec*测试全自动化，一键处理高精度电磁铁：极头直径 100mm;N，S 间距
2023-06-15 10:31:58
开发板N9H20K51N arm9用keil开发，jlin下载，kei选择flash怎么选择？
请问新唐开发板N9H20K51N arm9用keil开发，jlin下载，kei选择flash怎么选择，找不到对应型号，还有kei需要什么要十分注意配置选项，还请大神多多解答
2023-06-14 13:50:44
三菱电机成功开发基于新型结构的SiC-MOSFET
三菱电机集团近日（2023年6月1日）宣布，其开发出一种集成SBD的SiC-MOSFET新型结构，并已将其应用于3.3kV全SiC功率模块——FMF800DC-66BEW，适用于铁路、电力系统等大型
2023-06-09 11:20:09365
365
SiC外延工艺基本介绍
外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中应用最多的是4H-SiC 型衬底。
2023-05-31 09:27:092818
2818
基于国产单晶衬底的150mm 4H-SiC同质外延技术进展
成最终封装体. 利 用毫米波探针台对射频传输线的损耗进行测量，结果表明，1 mm长的CPW传输线射频传输损耗在60 GHz仅为0.6 dB. 在玻璃晶圆上设计了一种缝隙耦合天线，天线在59.8 GHz
2023-05-14 16:55:52466
466
晶圆切割槽道深度与宽度测量方法
半导体大规模生产过程中需要在晶圆上沉积集成电路芯片，然后再分割成各个单元，最后再进行封装和焊接，因此对晶圆切割槽尺寸进行精准控制和测量，是生产工艺中至关重要的环节。
2023-05-09 14:12:38
国产！全志科技T507-H工业开发板（ 4核ARM Cortex-A5）规格书
1 评估板简介创龙科技TLT507-EVM 是一款基于全志科技T507-H 处理器设计的4 核ARM Cortex-A53 国产工业评估板， 主频高达 1.416GHz ，由核心板和评估底板组成
2023-05-03 23:41:00
PCBA DFM可制造性设计规范
，但垂直于传送边上的总宽度不能超过 150mm，且需在生产时加辅助工装夹具以防止单板变形； f） 垂直传送边方向上的拼版数量若在 2 个及以上，推荐在平行传送方向拼版间使用邮票孔连接； g） 需要
2023-04-14 16:17:59
wafer晶圆GDP703202DG恒流1mA表压2Mpa裸片压力传感器die
wafer晶圆GDP703202DG恒流1mA表压2Mpa裸片压力传感器die产品概述：GDP0703 型压阻式压力传感器晶圆采用 6 寸 MEMS 产线加工完成，该压力晶圆的芯片由一个弹性膜及集成
2023-04-06 14:48:12
「芝·解车」蔚来汽车SiC电驱动系统拆解
电机控制器整体重量低于7.5kg，厚度76mm，功率密度为34kW/kg，SiC用在车用逆变器上，可以使开关损耗降低75％（芯片温度为150°C）。在相同封装下，全SiC模块具备更高的电流输出能力，支持逆变器达到更高功率。
2023-03-30 09:39:251229
1229同步带机构的选型计算
型号，确定节距Pb 根据计算功率Pd和转速n，查表2选择同步带型号为L型（梯形齿），其节距Pb=9.525mm（受篇幅限制，请查节距表） 表2： 4、确定节圆直径d和齿数Z 在本例中，由于传动比i
2023-03-27 17:09:59
工商网监
评论