恩智浦推出全新面向工业与物联网应用的MCX微控制器产品组合，赋能安全边缘计算，其中MCX N系列为用户带来高能效多任务处理、AI加速、智能外设与灵活的开发体验。
2024-03-21 13:33:11
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台积电的 Suk Lee 发表了题为“摩尔定律和半导体行业的第四个时代”的主题演讲。Suk Lee表示，任何试图从半导体行业传奇而动荡的历史中发掘出一些意义的事情都会引起我的注意。正如台积电所解释
2024-03-13 16:52:37
想问一下，半导体设备需要用到温度传感器的有那些设备，比如探针台有没有用到，具体要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
和自适应 SoC 产品组合的最新成员。Spartan UltraScale+ 器件能为边缘端各种 I/O 密集型应用提供成本效益与高能效性能，在基于 28 纳米及以下制程技术的
2024-03-07 14:33:2389 
IGBT应用于变频器逆变电路中，存在这么一种情况，IGBT先短路再开通，请问这是一种什么样的过程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起来，然后启动变频器，此时这种过程就可以称之为先短路再
2024-02-29 23:08:07
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
在IGBT短路时，假设在导通时短路，此时IGBT驱动电压达到稳定高值，就是IGBT已经完全导通，此时刻触发外部电路短路，用示波器查看驱动电压、CE电压和输出电流，变频器在极短的时间内响应后，驱动电压
2024-02-25 11:31:12
IGBT模块或者单管应用于变频器的制造，在做变频器的短路实验时，在IGBT开通时刻做出短路动作，IGBT的CE电压会从零逐渐升高到最大之然后回到母线电压的一半后达到稳定。
但是在具体波形时，IGBT
2024-02-21 20:12:42
IGBT的栅极电压与管子允许的短路时间是什么关系？ IGBT是一种集成了晶体管和MOSFET技术的功率电子器件。它的主要功能是将低电平信号转换为高电压、高电流能力的输出信号。在工业控制和电源
2024-02-20 11:00:57204 为什么IGBT的短路耐受时间只有10us？10us又是如何得来的？ IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种常用的功率半导体器件，用于控制高功率的电流和电压。它结合了MOSFET（金属氧化物半导体
2024-02-18 15:54:55235 IGBT导通过程发生的过流、短路故障 IGBT导通过程中可能发生的过流、短路故障一直是电力电子领域研究的热点问题之一。IGBT 是一种新型的功率半导体器件，它结合了普通晶体管的低压控制能力和可靠性
2024-02-18 11:14:37247 IGBT开通过程发生的过流、短路故障 IGBT是一种三端功率半导体器件，常用于电力电子领域。它具有开关速度快、工作温度范围广、损耗小等优点，因此在各种电源、驱动、变换和控制系统中得到广泛应用。 然而
2024-02-18 11:14:33309 IGBT过流和短路故障的区别 IGBT是绝缘栅双极型晶体管的缩写，是一种半导体功率开关器件。在工业和电力领域广泛应用，常常用于高压、高电流的开关电源和逆变器中。然而，由于各种原因，IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32274 在电力电子技术领域，绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种被广泛应用的半导体开关器件。它结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的输入阻抗高和双极型晶体管（BJT）的载流能力强的优点。
2024-02-18 10:29:261055 
IGBT应用中有哪些短路类型？ IGBT是一种主要用于功率电子应用的半导体器件。在实际应用中，IGBT可能会遭遇多种短路类型。下面，我将详细介绍IGBT应用中常见的短路类型。 1. IGBT内部开路
2024-02-18 10:21:57222 短路是什么原因造成的 igbt上下桥短路原因 短路是一种电路故障，其特点是电流绕过正常的电路路径，通过一条或多条低阻抗的路径流过。IGBT是一种常见的功率半导体器件，可用于控制和放大电流
2024-02-18 10:08:38322 短路耐受时间是指IGBT在短路条件下能够持续导通而不发生故障的时间。这个参数对于系统保护策略的设计至关重要，因为它决定了系统在检测到短路并采取措施（如关闭IGBT或限制电流）之前可以容忍的最长
2024-02-06 16:43:251317 
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）击穿短路的原因是一个复杂且多元的问题，涉及多个因素相互作用。以下是对IGBT击穿短路原因的详细分析，旨在达到1000字的要求。
2024-02-06 11:26:53897 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种广泛应用于电力电子领域的半导体器件，因其高效率和快速开关特性而受到青睐。
2024-02-06 11:14:40303 由于短路会导致负载电阻降低或短路，使得电流突然增大。IGBT作为开关管，其额定电流通常有限，该突然增大的电流可能会超过IGBT管的额定电流，导致IGBT管过电流而被破坏。
2024-02-06 10:26:54574 服务范围MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块。检测标准l AEC-Q101分立器件认证l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
标准。安森美(onsemi)作为一家半导体供应商，为高要求的应用提供能在恶劣环境下运行的产品，且这些产品达到了高品质和高可靠性。之前我们分享了如何对IGBT进行可靠性测试，今天我们来介绍如何通过可靠性审核程序确保IGBT的产品可靠性。
2024-01-25 10:21:16997 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种继MOSFET和BJT之后的新型功率半导体器件，它的特点是结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低通压损耗
2024-01-18 17:31:231080 客户，提高我们以完整的系统解决方案完善整体产品组合的能力。这项重组决定是意法半导体推进公司既定战略重要一步，符合我们向所有利益相关者承诺的价值主张，也与我们在2022年设定的业务和财务目标一致。
2024-01-12 09:21:55277 半导体放电管的选型技巧 半导体放电管是一种用于电子设备中的重要元件。在选型时，需要考虑一系列的因素，包括电压、电流、功率、封装、温度特性等。 一、电压特性 半导体放电管的电压特性是选型的首要考虑因素
2024-01-03 13:54:31167 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日推出符合 AEC-Q101 标准的产品组合
2023-12-24 09:32:02490 11 月 28 日，安世半导体 BG MOS 产品线高级应用经理方舟先生，为广大工程师带来了《Nexperia车规级 MOSFET - 提升 EV 驱动能效的绝佳选择》的网络研讨会，重点介绍了安世半导体最新车规级 MOSFET 产品，及其在新能源汽车车身和底盘中的应用。
2023-12-15 10:35:31417 功率半导体冷知识：IGBT短路结温和次数
2023-12-15 09:54:25311 
根据不同的诱因，常见的对半导体器件的静态损坏可分为人体，机器设备和半导体器件这三种。
当静电与设备导线的主体接触时，设备由于放电而发生充电，设备接地，放电电流将立即流过电路，导致静电击穿。外部物体
2023-12-12 17:18:54
技术的产品系列，其新封装形式一定程度上丰富了其市场价值主张。图1显示了目前可用的分立产品组合，重点如下：1.采用TO-247PLUS封装可实现高功率密度，可用于商用车和农用车(CAV)
2023-12-11 17:31:13196 
IGBT集电极电压超过额定电压会发生什么？
2023-12-08 16:55:30455 
功率半导体电流额定值和热设计
2023-12-07 14:36:27233 
功率半导体冷知识之二：IGBT短路时的损耗
2023-12-05 16:31:25240 
这里，我们只关注IGBT芯片自身的短路，不考虑合封器件中并联的二极管或者是RC-IGBT的寄生二极管。
2023-12-05 16:22:312602 
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-05 10:33:32177 据介绍，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-04 16:49:11519 前段时间与现场设计师讨论到额定限制短路电流I~q~这个参数的时候，被问到它与断路器的额定极限短路分断能力I~cu~和额定运行短路分断能力I~cs~的区别，甚至与短时耐受电流I~cw~的差异。
2023-12-04 11:26:44419 
绝对最大额定值的含义 IGBT IPM的绝对最大额定值 绝对最大额定值是指在任何工作条件下，设备允许的最大电压、电流、功率以及温度等参数的界限值。IGBT IPM（Insulated Gate
2023-11-24 14:15:33368 电子发烧友网站提供《ADI电源管理产品组合.pdf》资料免费下载
2023-11-24 11:48:45
0 国内各家（英飞凌、安森美）车载IGBT的产品性能上的对比情况车载IGBT分为几个层级，主要分为A0/A00级以下，A级车，还有一些专用车例如物流和大巴车。在2015年以前是没有IGBT车规级的说法
2023-11-23 16:48:00556 
igbt芯片、igbt单管、igbt模块、igbt器件等这些的区别是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高压、高电流功率半导体器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281260 Synopsys, Inc.11月8日宣布扩展其 ARC处理器 IP 产品组合，纳入新的RISC-V ARC-V 处理器 IP，使客户能够从各种灵活、可扩展的处理器选项中进行选择
2023-11-09 12:41:33468 什么是igbt短路测试？igbt短路测试平台 IGBT短路测试是针对晶体管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）进行的一种测试方法。IGBT是一种高压高功率
2023-11-09 09:18:291042 10月30日，2023慕尼黑华南电子展在深圳国际会展中心盛大开幕，珠海极海半导体有限公司（以下简称“极海”）携最新汽车电子、电机控制及工业与能源领域的产品组合及应用解决方案亮相本次展会。
2023-10-31 11:31:15466 IGBT模块（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一种集成了多个IGBT芯片、驱动电路、保护电路等功能的模块化电子元件。它是一种用于高功率电力电子设备中的半导体器件，常用于高压、高电流的交流/直流变换器、逆变器和直流/直流变换器中。
2023-10-27 11:40:052492 
莱尼 EcoSense Nxt 和莱尼 EcoSense Nxt+ 拓宽了电缆制造商的产品组合
2023-10-25 10:48:37250 。
比亚迪半导体2007年建立IGBT模块生产线，2009年完成首款车规级IGBT芯片开发，可提供包含裸芯片、单管、功率模块等不同形式的产品。于2008年底发布其自研车规级IGBT4.0技术。
l 扬杰
2023-10-16 11:00:14
芯未半导体的半导体项目于去年8月开工。当时芯片未完成项目共投资10亿元人民币，分两个阶段建设，竣工投产后，将向包括igbt芯片、模块和解决方案构成产品等的电力半导体设计企业提供igbt特有的授权委托加工服务。
2023-10-16 10:13:52390 本文档的主要内容详细介绍的是半导体芯片的制作和半导体芯片封装的详细资料概述
2023-09-26 08:09:42
华为全联接大会2023期间，在"携手伙伴，加速中小企业智能化"商业市场峰会上，华为发布了三个产品组合，如面向多个行业场景的华为零漫游分布式Wi-Fi解决方案。这些产品组合将帮助合作伙伴在商业市场赢得更多客户，取得更多成功。
2023-09-26 06:53:48542 绝缘栅双极晶体管（以下简称IGBT）是一种复合半导体器件，融合了MOSFET的快速开关能力、高频操作、高输入阻抗、简单的驱动电路和有利的热特性等优点，同时还具备了GTR的大电流承载能力和高阻挡电压
2023-09-21 14:08:161047 
2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01190 。Nexperia在其庞大的产品组合中增加了IGBT，满足了市场对于高效高压开关器件不断增长的需求以及在性能和成本方面的要求。这些器件有助于提高电源转换和电机驱动应用中的功率密度，包括工业电机驱动（例如5到20 kW (20 kHz)的伺服电机）、机器人、电梯、机器操作手、工业自动化、功率逆变
2023-09-19 02:43:54232 2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:39:11586 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 ▌峰会简介第五届意法半导体工业峰会即将启程，现我们敬邀您莅临现场，直击智能热点，共享前沿资讯，通过意法半导体核心技术，推动加快可持续发展计划，实现突破性创新~报名链接：https
2023-09-11 15:43:36
25年来，技术创新一直是意法半导体公司的战略核心，这也是意法半导体当前能够为电力和能源管理领域提供广泛尖端产品的原因。意法半导体的产品组合包括高效率的电源技术，如：• 碳化硅功率分立器件• 高压
2023-09-07 07:36:32
意法半导体的广泛数字电源产品组合可满足数字电源设计的要求。我们的产品包括MCU（专为数字功率转换应用而设计，采用全数字控制方法）和数字控制器（具有面向软件控制算法的专用ROM存储器）。意法半导体
2023-09-07 06:49:47
意法半导体的广泛数字电源产品组合可满足数字电源设计的要求。我们的产品包括MCU（专为数字功率转换应用而设计，采用全数字控制方法）和数字控制器（具有面向软件控制算法的专用ROM存储器）。意法半导体
2023-09-06 07:44:16
电子发烧友网站提供《Brocade推出Fabric Vision增强第5代产品组合.pdf》资料免费下载
2023-08-29 11:04:190 功能安全是指系统检测、诊断和安全地缓解故障发生，防止对人和环境造成伤害的能力。
它是在汽车、工业和机器人等市场开发安全关键应用的关键。
ARM提供产品、工具、平台和软件来实现功能安全，从而加快这些安全关键型应用程序的上市时间
2023-08-29 06:39:51
Infineon(英飞凌)作为一家全球领先的半导体解决方案提供商，其IGBT管产品在市场上备受瞩目。下面将介绍英飞凌IGBT管前10热门型号:一、英飞凌IGBT管前10热门
2023-08-25 16:58:531477 
，减少人力资源消耗，为半导体行业降本增效。Novator系列全自动影像仪创新推出的飞拍测量、图像拼接、环光独立升降、图像匹配、无接触3D扫描成像等功能，多方面满足客户测量需求，解决各行业尺寸测量难题。
2023-08-21 13:38:06
近日，基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）宣布推出负载开关产品系列，进一步扩充其模拟和逻辑产品组合。NPS4053是本次产品发布的主角，这是一款高密度集成电路(IC
2023-08-18 09:25:07544 精准控制功耗，具备超强系统安全性。 奈梅亨， 2023 年 8 月 17 日 ：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出负载开关产品系列，进一步扩充其模拟和逻辑产品组合
2023-08-17 09:25:18351 
先楫半导体使用上怎么样？
2023-08-08 14:56:29
摘要: 为提升高压 IGBT 的抗短路能力，进一步改善短路与通态压降的矛盾关系，研究了
IGBT 背面工艺对抗短路能力的影响。通过 TCAD 仿真，在 IGBT 处于负载短路工作期间，针对
2023-08-08 10:14:470 半桥和共发射极模块产品组合。模块的最大电流规格高达 800 A ，扩展了英飞凌采用成熟的62 mm 封装设计的产品组合。电流输出能力的提高为系统设计人员在设计额定电流更高方案的时候，不仅提供最大
2023-08-07 11:12:56417 
IGBT模块短路特性强烈地依赖于具体应用条件，如温度、杂散电感、IGBT驱动电路及短路回路阻抗。
2023-08-04 09:01:17916 
近年来萨科微半导体发展神速，在掌握第三代半导体碳化硅功率器件技术的基础上，萨科微slkor投入大量精力和资金，推出了IGBT和电源管理芯片等系列高端产品。萨科微副总经理贺俊驹介绍，在功率器件应用市场
2023-07-31 11:14:43404 
今年以来，国外某些国家仍然在拉动其盟友在对中国的半导体领域进行打击，意味着国产化半导体的进程将进一步加速。如今在国内，是否有纯国产的IGBT单管生产厂家的产品型号值得推荐呢？
2023-07-14 10:29:28408 
新推出的ISOFACE双通道数字隔离器进一步壮大了英飞凌的隔离产品组合，可广泛适用于服务器、通信和工业SMPS、工业自动化系统、电机控制和驱动、储能系统及太阳能逆变器等各种应用。
2023-07-06 09:55:00228 。Nexperia在其庞大的产品组合中增加了IGBT，满足了市场对于高效高压开关器件不断增长的需求以及在性能和成本方面的要求。这些器件有助于提高电源转换和电机驱动应用中的功率密度，包括工业电机驱动（例如
2023-07-05 16:34:291053 IGBT作为一种新型功率半导体器件，是工业控制及自动化领域的核心元器件，其作用类似于人类的心脏，能够根据装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等，以实现精准调控的目的。因此，IGBT
2023-06-25 15:37:321286 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布扩充 NextPower 80/100 V MOSFET 产品组合的封装系列。此前该产品组合仅提供 LFPAK56E 封装
2023-06-21 10:34:32562 现可提供具备高效开关和低尖峰特性的LFPAK56和LFPAK88封装 奈梅亨， 2023 年 6 月 21 日： 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布扩充NextPower
2023-06-21 09:21:57595 
尽管当前全球半导体产业处于下行周期，总体市场氛围需求不振，但依然存在IGBT等少数供不应求的领域。消息称，英飞凌、意法半导体国外大厂IGBT交期均在50周以上，产能紧张或将持续至2025年。而这
2023-06-19 15:35:08360 Nexperia | 推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合 基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 Nexperia | 扩展用于汽车以太网的 ESD 保护解决方案产品组合 Nexperia（安世半导体）宣布扩展其备受赞誉的汽车以太网 ESD 保护器件产品组合。 近日，基础半导体器件领域的专家
2023-05-29 10:33:19363 Wolfspeed 产品组合涵盖大量需要低至高功率解决方案的许多行业和应用，包括电动汽车（EV）、工业电源、电网基础设施、太阳能和可再生能源、测试设备、不间断电源（UPS）和其它高功率系统。其中包括
2023-05-20 15:20:11508 Diodes 公司（Diodes） （Nasdaq：DIOD） 宣布推出同步降压转换器产品组合的新产品。AP62500和AP62800 的连续输出电流额定值分别为5A 和8A，让工程师在开发针对效率或尺寸进行优化的负载点（POL） 解决方案时，更具弹性。
2023-05-15 16:11:29556 当地时间5月9日，全球领先的功率半导体供应商瑞能半导体携其最新产品亮相在德国纽伦堡揭幕的PCIM Europe 2023。产品组合包含碳化硅器件，可控硅和功率二极管，高压和低压Si-MOSFET
2023-05-10 14:19:30770 
据统计，IGBT、MOS管、电源管理IC等在储能逆变器里占比高、数量多，是必不可少的半导体器件。
2023-05-08 15:46:30862 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出全新 16 通道 I2C 通用输入输出（GPIO）扩展器产品组合，旨在提高电子系统的灵活性和重复利用能力。其中
2023-05-04 17:34:04898 
产品组合，旨在提高电子系统的灵活性和重复利用能力。其中一款GPIO扩展器NCA9595采用可通过寄存器配置的内部上拉电阻，可根据实际需要自定义以优化功耗。当需要扩展I/O数量时，利用该产品组合可实现简洁的设计，同时尽可能减少互连。这有助于设计工程师增添新功能，而且不会增加
2023-04-28 10:37:19612 
）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432097 
及前瞻产业研究院数据，预计2021年我国半导体分立器件市场规模将达到3,229亿元。就国内市场而言，二极管、三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而MOSFET、IGBT等分立器件产品由于其
2023-04-14 16:00:28
及前瞻产业研究院数据，预计2021年我国半导体分立器件市场规模将达到3,229亿元。就国内市场而言，二极管、三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而MOSFET、IGBT等分立器件产品由于其
2023-04-14 13:46:39
中国北京（2023年4月12日）—业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice今日宣布，旗下车规级GD25/55 SPINOR Flash和GD5F SPI NAND Flash系列产品
2023-04-13 15:18:46
2.54MM 短路帽
2023-04-06 21:53:17
2.54MM 短路帽
2023-04-06 21:53:13
IGBT是高频开关器件，芯片内部的电流密度大。当发生过流或短路故障时，器件中流过的大于额定值的电流时，极易使器件管芯结温升高，导致器件烧坏。今天我们就来聊聊IGBT的过流和短路保护。
2023-04-06 17:31:175475 
新工具带来元器件级测试和外场测试解决方案，为当前电动交通充电测试产品提供强大补充 解决方案以通信协议为侧重点，通过一致性测试和型式认证提高产品互操作性 扩大后的产品组合可为整个电动汽车充电开发
2023-03-28 18:41:101326 IGBT模块作为汽车电驱系统最常昂贵的开关元件。IGBT同时具有功率MOSFET导通功率小及开关速度快的性能，以及双极型晶体管饱和压降低（导通电阻小）高电压和大电流处理能力的半导体元件
2023-03-23 16:01:54
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