英飞凌扩展第三代逆导IGBT产品组合

　　英飞凌科技股份有限公司扩展其第叁代逆导 （RC） 软切换绝缘闸双极性电晶体 （IGBT） 产品系列，推出 30A和40A电流的1200V 和1350V型产品，以因应市场对高可靠性的持续需求。

　　英飞凌拥有备受市场肯定，极适合电磁炉应用的谐振切换 IGBT 技术。第叁代的 IGBT 经最佳化，切换损失和导通损失更低，提供1100V、1200V和1350V中业界最佳的效率。

　　相较于第二代 RC IGBT，英飞凌新一代产品能减少 20% 的切换损失，在应用测试期间将箱体温度降低 5度。切换损耗降低，进而能够减少装置热应力、延长产品使用寿命并提高可靠性。软切换操作所带来的高效率、优异的散热效能和 EMI 特性，使其成为市场上最适合用于电磁炉、太阳能和其他谐振切换应用的 IGBT 产品。

　　产品系列加入 1350V 的 30A 和 40A 型产品，让设计人员拥有更高崩溃电压和电流耐受能力的元件可运用，于单端拓朴架构电路下开发出更高额定功率的设计，例如最高可达到 3.6kW 的产品。

　　此外，1350V 崩溃电压的 30A 和 40A 型产品也能在突波状况下扩大安全操作区域 （SOA） 并提高过电流额定值，让设计人员设计出更坚固可靠的产品。

　　英飞凌科技 IGBT分离式功率元件行销协理 Roland Stele 表示：「第叁代产品因应电源开关特定应用的需求日益攀升，提供最佳的价格性能比，满足目标应用的特殊需求。全新第叁代 RC IGBT 扩展了产品系列，为更高的系统效率、更优异的可靠性和更高的功率密度开创新趋势。除了拥有优异效能，同时也变得更加坚固耐用。」

　　产品系列完整涵盖 1200V 和 1350V 的 15/20/30/40A 产品，可让设计人员针对自己的特殊应用，选出拥有业界最佳效率和最完善功能的 IGBT 产品。设计弹性化，加上拥有最佳效能，进而能够简化开发流程，缩短开发时间。

　　所有的第叁代逆导 IGBT 产品均能在高达 175°C 的接面温度下操作。15A 1200V 装置和 40A 1350V 装置的饱和电压 VCE（sat） 值範围从 1.80V 至 2.10V（在 Tj=175°C 条件下）。低关闭软切换损失可确保维持高效率运作。在 dv/dt=150.0V/μs 和 Tj=175°C 条件下，15A 1200V IGBT 装置之切换损失为 0.15mJ，40A 1350V 装置则为 1.07mJ。

　　第叁代逆导 IGBT 产品系列提供 15A、20A、30A 和 40A 电流规格以及 1200V 和 1350V 崩溃电压，另外也有 30A 1100V产品。产品即将进行量产。