半导体利用 SiC 来减少能量损失并延长太阳能和风能电力转换器的使用寿命。SiC（碳化硅）由于其宽带隙而用于高功率应用。
2024-03-22 09:36:20
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引领能源转换和电力电子技术的革命，为各行各业提供了更高效、更可靠的电力解决方案。 一、碳化硅材料简介 碳化硅是一种由硅和碳组成的化合物半导体材料，具有宽能隙、高电子迁移率、高热导率和强电场击穿强度等特点。这些独特的
2024-03-21 10:52:58175 
近日，国内领先的半导体企业芯动半导体与国际知名半导体供应商意法半导体成功签署碳化硅（SiC）芯片战略合作协议。这一协议的达成，标志着双方在SiC功率模块领域的合作迈出了坚实的一步，将共同推动SiC芯片在新能源汽车市场的广泛应用。
2024-03-15 09:44:4398 和发电机绕组以及磁线圈中的高关断电压。 棒材和管材EAK碳化硅压敏电阻 这些EAK非线性电阻压敏电阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。该系列采用棒材和管材制造，外径范围为 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
共读好书 碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。 碳化硅MOSFET具有高频高效
2024-02-21 18:24:15408 
平煤神马集团碳化硅半导体粉体验证线传来喜讯——实验室成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶，全面验证了中宜创芯公司碳化硅半导体粉体在长晶方面的独特优势。
2024-02-21 09:32:31336 随着能源危机和环境污染日益加剧，电力电子技术在能源转换、电机驱动、智能电网等领域的应用日益广泛。碳化硅（SiC）功率器件作为第三代半导体材料的代表，具有高温、高速、高效、高可靠性等优点，被誉为“未来电力电子的新星”。本文将详细介绍碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域以及未来发展趋势。
2024-02-21 09:27:13209 碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。
2024-01-24 16:42:04840 
碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。
2024-01-20 17:18:29502 
今日（1月18日），意法半导体在官微宣布，公司与聚焦于碳化硅（SiC）半导体功率模块和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作，为致瞻科技电动汽车车载空调中的压缩机控制器提供意法半导体第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术。
2024-01-19 09:48:16254 
碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，具有高击穿场强、高电子饱和漂移速率和高热导率等优异性能，使其在功率器件领域具有广泛的应用前景。本文将对碳化硅功率器件的技术、应用和市场前景进行深入探讨。
2024-01-17 09:44:56159 第三代半导体性能优越，应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的 基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求，以碳化硅、氮化镓为代 表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。相较
2024-01-16 10:48:49314 
碳化硅（SiC）是一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能，碳化硅在电力电子、微波射频、光电子等领域具有广泛的应用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14291 
随着电力电子技术的快速发展，碳化硅（SiC）功率器件作为新一代半导体材料，正在引发一场革命。与传统的硅（Si）器件相比，碳化硅器件具有更高的耐压、更低的导通电阻、更高的工作温度以及更快的开关速度等优点，使得其在电动汽车、可再生能源、轨道交通等领域的电力转换系统中具有巨大的应用潜力。
2024-01-11 09:25:29298 
碳化硅（SiC）和传统硅半导体（Si）是两种常见的半导体材料，它们在电子器件制造中具有广泛的应用。然而，碳化硅相对于传统硅半导体具有一定的优缺点。 优点： 更高的热导率：碳化硅的热导率是传统硅半导体
2024-01-10 14:26:52230 碳化硅逆变器是一种基于碳化硅（SiC）半导体材料的功率电子设备，主要用于将直流电转换为交流电。与传统的硅基功率器件相比，碳化硅逆变器具有许多优越性能，如更高的开关频率、更低的导通损耗、更高的工作温度
2024-01-10 13:55:54272 随着科技的不断进步，电力电子技术在能源转换、电机控制、电网管理和可再生能源系统等领域的应用越来越广泛。碳化硅（SiC）作为一种优秀的半导体材料，具有高频率、高电压、高温稳定性的优异性能，为电力电子带来了革新性的突破。本文将深入探讨碳化硅功率器件的工作原理、优势及应用前景。
2024-01-10 09:28:30211 碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 车用SiC碳化硅的五大难点和应对方案近年来，包括SiC在内的第三代半导体器件在汽车上的应用比例与日俱增。但在专业人士看来，这并不会是一个简单的事情。一以车用引线框架来看，尽管Si、碳化硅/氮化镓引线
2024-01-06 14:22:15410 
随着科技的不断进步，碳化硅（SiC）作为一种新型的半导体材料，在功率器件领域的应用越来越广泛。碳化硅功率器件在未来具有很大的发展潜力，将在多个领域展现出显著的优势。本文将介绍未来碳化硅功率器件的优势
2024-01-06 14:15:03353 随着电力电子技术的飞速发展，碳化硅（SiC）作为一种优秀的半导体材料，在功率器件领域的应用越来越广泛。
2024-01-03 10:13:43363 
随着电力电子技术的飞速发展，碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，因其独特的物理特性，如高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等，在功率器件领域展现出巨大的应用潜力。本文将对SiC功率器件的优势、应用及发展进行深入探讨。
2023-12-28 09:25:56152 镓（GaN）半导体： 氮化镓是一种二元复合半导体（由氮和镓元素构成），具有较大的禁带宽度（3.4电子伏特）。它是一个具有六方晶系结构的材料，并且具有较高的热稳定性和宽温度范围的应用特性。 碳化硅（SiC）半导体： 碳化硅是
2023-12-27 14:54:18325 12 月 22 日消息，据意法半导体官微消息，该公司与理想汽车签署了一项碳化硅（SiC）长期供货协议。
2023-12-24 10:35:24564 功率等级的功率转换、更快的开关速度、传热效率上也优于硅材料。 本篇博客探讨了SiC材料如何提升产品性能以超越基于硅材料的领域，从而为我们全新的数字世界创造下一代解决方案。 硅基MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET、氮化镓（GaN）HEMT或
2023-12-21 10:55:02182 随着电力电子技术的不断发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新型的半导体材料，逐渐在电力电子领域崭露头角。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高导热率和高电子饱和迁移率，使得碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高可靠性等优点。本文将介绍碳化硅功率器件的基本原理、应用领域以及发展前景。
2023-12-21 09:43:38353 碳化硅（SiC）是一种具有优异物理特性的半导体材料，其高电子饱和迁移率、高热导率、高击穿场强和高电子饱和迁移率等特点使其在功率器件领域具有广泛的应用前景。
2023-12-19 09:27:19300 随着科技的快速发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种先进的电力电子设备，已经广泛应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。本文将详细介绍碳化硅功率器件的原理、应用、技术挑战以及未来发展趋势。
2023-12-16 10:29:20358 随着电力电子技术的不断发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新型的半导体材料，在电力电子领域的应用越来越广泛。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐压、高耐流等优点
2023-12-14 09:14:46240 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33455 
和IGBT的区别。 1. 结构差异： 碳化硅是一种化合物半导体材料，由碳原子和硅原子组成。它具有非常高的熔点和热导性，使其在高温和高功率应用中具有出色的性能。碳化硅晶体管的结构通常更复杂，由多个寄生二极管组成，因此其电子流动路径更复
2023-12-08 11:35:531782 碳化硅和氮化镓的区别 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是两种常见的宽禁带半导体材料，在电子、光电和功率电子等领域中具有广泛的应用前景。虽然它们都是宽禁带半导体材料，但是碳化硅和氮化镓在物理性质
2023-12-08 11:28:51739 碳化硅，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多，但半导体级质量的碳化硅只是在过去几十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23437 目前，全球碳化硅产业处于快速发展阶段。据市场研究机构预测，未来几年碳化硅市场将保持高速增长态势。根据公开信息统计，2022年全球碳化硅市场份额约为18亿美元，该数据包括多家上市公司，如意法半导体、英飞凌、Wolfspeed和安森美罗姆等。
2023-12-06 17:17:37603 
汽车一直是碳化硅（SiC）的主要应用市场。在整个汽车半导体供需发生改变的情况下，碳化硅是否还会延续此前供不应求的市场行情？
2023-12-05 09:44:51151 碳化硅（SiC）是一种由硅和碳组成的半导体材料，用于制造电动汽车（EV）、电源、电机控制电路和逆变器等高压应用的功率器件。与IGBT和MOSFET等传统的硅基功率器件相比，SiC具有多项优势，这些器件凭借其成本效益和制造工艺的简单性而长期主导市场。
2023-12-05 09:39:09318 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 此外，由于碳化硅逆变器体积较小，还可搭载成本更低的冷却系统，从而降低整车成本。因此新能源汽车主驱逆变器、车载 OBC、DC/DC 转换器已率先开启 SiC SBD、SiC MOS 的渗透。
2023-11-30 17:35:141884 
电动化成为汽车产业发展的潮流和趋势，对高速充电的需求持续提升，而硅的温度、频率、功率等性能难以提高，因此具备高能效、低能耗等特征的碳化硅(SiC) 半导体材料将逐步替代硅基器件成为市场主流。
2023-11-29 11:17:24236 
2023年11月，日本三菱电机、安世半导体（Nexperia）宣布，将联合开发高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立产品功率半导体。
2023-11-25 16:50:53451 前段时间，奥迪宣布年底生产碳化硅车型Q6 e-tron（，最近，奥迪又有1款碳化硅车型公布，同时Lucid也发布了最新的900V碳化硅车型。
2023-11-25 16:13:051423 目前汽车业仍结构性缺芯，比如，电源类、控制类、通信类、计算类、功率类的芯片均紧缺。像碳化硅芯片项目投资建设期需18-24个月，去年有许多碳化硅项目的投资，要2025年才会释放产能，预计2025年碳化硅功率半导体的紧缺状况才会得到缓解。
2023-11-17 17:12:18664 碳化硅（SiC）技术比传统硅（Si）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）和其他技术更具优势，包括更高的开关频率、更低的工作温度、更高的电流和电压容量以及更低的损耗，从而提高功率密度、可靠性和效率。本文将介绍碳化硅的发展趋势及其在储能系统（ESS）中的应用，以及Wolfspeed推出的碳化硅电源解决方案。
2023-11-17 10:10:29389 三菱电机今天宣布，将与安世半导体建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅 (SiC) 功率半导体。
2023-11-15 15:25:52473 
意法半导体(STMicroelectronics)发布了ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模块，采用方便的32引脚双列直插式模制通孔封装，适用于汽车应用。针对车载充电器 (OBC
2023-11-14 15:48:49356 11月13日， 三菱电机株式会社（TOKYO：6503）宣布，将与Nexperia B.V.建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅（SiC）功率半导体。三菱电机将利用其宽禁带半导体技术开发和供应SiC MOSFET芯片，Nexperia将用于开发SiC分立器件。
2023-11-14 10:34:33456 硅是半导体的传统材料，但其近亲碳化硅（SiC）最近已成为激烈的竞争对手。碳化硅的特性特别适合高温、高压应用。它提供了更高的效率，并扩展了功率密度和工作温度等领域的功能。
2023-11-10 09:36:59481 充电机(OBC)、 DC/DC直流变压器、油液泵、空调等汽车系统，产品优点包括高功率密度、设计高度紧凑和装配简易等，提供四管全桥、三相六管全桥和图腾柱三种封装配置，增强了系统设计灵活性。 新模块内置1200V SiC功率开关管，意法半导体第二代和第三代 SiC MOSFET先进技术确保碳化硅开关管具有
2023-10-31 15:37:59887 
泵、空调等汽车系统，产品优点包括高功率密度、设计高度紧凑和装配简易等，提供四管全桥、三相六管全桥和图腾柱三种封装配置，增强了系统设计灵活性。 新模块内置1200VSiC功率开关管，意法半导体第二代和第三代 SiC MOSFET先进技术确保碳化硅开关管具有很低的导通电阻RDS(o
2023-10-30 16:03:10262 宽带隙半导体使许多以前使用硅（Si）无法实现的高功率应用成为可能，两种材料的特性说明了为什么碳化硅二极管（SiC）在多个指标上具有明显的优势。
2023-10-30 14:11:06969 
多达1,000名当地工人，主要填补高技术职位 - 比目前的约2,300名员工增加了40%以上。 碳化硅器件对于电动汽车 (EV)、能源基础设施和大功率电动汽车插座的功率转换不可或缺。在可预见的未来，由于对SiC芯片的需求迅速增加，对这些产品的需求将超过供应。富
2023-10-26 17:26:58742 公司之一， GeneSiC 为政府机构开发了尖端的碳化硅技术ⁱ， 重点关注性能和稳健性， 并发布了几代碳化硅二极管和 MOSFET 技术，额定值高达 6.5 kV 在各种封装中以及裸片. 2022年， 纳微半导体收购了GeneSiC半导体， 创建了业界唯一一家专注于SiC和GaN的纯下一代功率半导体公司
2023-10-25 16:32:01603 
业内人士预测，今年将成为8英寸碳化硅器件的元年。国际功率半导体巨头Wolfspeed和意法半导体等公司正在加速推进8英寸碳化硅技术。在国内市场方面，碳化硅设备、衬底和外延领域也有突破性进展，多家行业龙头选择与国际功率半导体巨头合作。
2023-10-24 17:11:21965 科友半导体8英寸碳化硅（SiC）中试线在2023年4月正式贯通后，同步推进晶体生长厚度、良率提升和衬底加工产线建设，加快衬底加工设备调试与工艺参数优化。
2023-10-18 17:43:40722 点击 “东芝半导体”，马上加入我们哦！ 碳化硅（SiC）是第3代半导体材料的典型代表，具有高禁带宽度、高击穿电场和高功率密度、高电导率、高热导率等优越的物理性能，应用前景广阔。 目前，东芝的碳化硅
2023-10-17 23:10:02268 
碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半导体，用于制造电动汽车、电源、电机控制电路和逆变器等高压应用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显著提高电能利用率。SiC器件的典型应用领域包括：新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网等现代工业领域，在
2023-10-07 10:12:26
碳化硅功率器件是一种利用碳化硅材料制作的功率半导体器件，具有高温、高频、高效等优点，被广泛应用于电力电子、新能源等领域。下面介绍一些碳化硅功率器件的基础知识。
2023-09-28 18:19:571219 碳化硅这样的宽禁带半导体元件的大规模生产，可以将储能系统效率和热性能提升到一个新的水平。具体而言，碳化硅在带隙能量、击穿场强、热导率等几个参数方面具有优越的特性。这些特性允许SiC系统以更高的频率
2023-09-28 14:28:47420 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。
2023-09-27 10:08:55300 
SiC器件是一种新型的硅基MOSFET，特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。
在众多的半导体器件中，碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29342 
碳化硅（SiC），通常被称为金刚砂，是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在，但其出现相对罕见。然而，自从1893年以来，粉状碳化硅就已大规模生产，用作研磨剂。碳化硅在研磨领域有着超过一百年的历史，主要用于磨轮和多种其他研磨应用。
2023-09-08 15:24:02879 
本文研究SiC碳化硅功率模块及分立器件，功率模块主要包括碳化硅MOSFET模块（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二极管（主要是碳化硅肖特二极管）。
2023-09-08 11:30:451805 
点击上方 “ 意法半导体中国” ， 关注我们 ✦ 意法半导体为博格华纳的Viper功率模块提供碳化硅 （ SiC ） 功率MOSFET，支持沃尔沃汽车在2030年前全面实现
2023-09-07 08:10:01407 
如今，大多数半导体都是以硅（Si）为基材料，但近年来，一个相对新的半导体基材料正成为头条新闻。这种材料就是碳化硅，也称为SiC。目前，SiC主要应用于MOSFET和肖特基二极管等半导体技术。
2023-09-05 10:56:05277 
汽车领域中得到了广泛的应用。本文将从AD820ARZ碳化硅功率器件的基本原理、优势及应用等方面进行分析。 一、碳化硅功率器件的基本原理 碳化硅功率器件是由碳化硅材料制成的半导体器件，它的工作原理与传统的硅功率器件基本相同，
2023-09-05 09:04:421880 目前市场上出现的碳化硅半导体包括的类型相对较多，常见的主要有二极管、金属氧化物、半导体场效应、晶体管、晶闸管、结算场、效应晶体管等等这些不同类型的碳化硅器件，单元结构和漂移区参杂以及厚度之间存在较为明显的差异。那么下文主要针对不同类型的碳化硅功率器件的相关内容进行分析。
2023-08-31 14:14:22285 和管理者。今年，Nexperia（安世半导体）的热插拔MOSFET与碳化硅肖特基二极管两款明星产品现已双双入围年度功率半导体！ 采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET) 同时
2023-08-28 15:45:311140 在新能源汽车终端市场中，随着SiC材料价格下降，碳化硅（SiC）的需求快速增长，来自于车载充电、驱动逆变和DC-DC转换。
2023-08-27 09:47:39791 
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，碳化硅需求增速可观。
2023-08-19 11:45:221041 碳化硅(SiC)作为一个新兴的宽带隙半导体材料，已经吸引了大量的研究关注。其优越的电气性能、高温稳定性和高频响应使其在功率电子器件领域中具有巨大的应用潜力。但要完全发挥SiC功率器件的潜力，封装技术同样至关重要。本文主要探讨碳化硅功率器件封装的三个关键技术。
2023-08-15 09:52:11701 
碳化硅（SiC）是一种由硅（Si）和碳（C）组成的半导体化合物，属于宽带隙（WBG）材料家族。
2023-08-12 11:46:08468 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。
2023-08-03 14:34:59347 
和更小的尺寸。在这个过程中，碳化硅（SiC）作为一种新型的半导体材料，逐渐走入了人们的视线。 碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，具有高击穿场强、高热导率、高电子迁移率等优异特性，使其在高温、高压、高频率、大功率等领域具
2023-08-03 09:22:43207 碳化硅，也称为SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍，硼，铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度，但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451092 如今砷化镓、磷化铟等作为第二代化半导体因其高频性能效好主要是用于射频领域，碳化硅、和氮化镓等作为第三代半导体因禁带宽度和击穿电压高的特性。
2023-07-25 10:52:23405 电动汽车（EV）电池系统从400V到800V的转变使碳化硅（SiC）半导体在牵引逆变器、车载充电器（OBC）和DC/DC转换器中脱颖而出。
2023-07-25 09:50:15418 罗姆收购Solar Frontier碳化硅工厂 计划到2027碳化硅功率半导体业务达139亿 罗姆一直看好碳化硅功率半导体的发展，一直在积极布局碳化硅业务。罗姆计划到2025年拿下碳化硅市场30
2023-07-19 19:37:01724 森国科碳化硅MOS第三代功率半导体 新能源汽车系统架构中涉及到功率半导体应用的组件包括：电机驱动系统、车载充电系统（OBC）、电源转换系统（车载 DC/DC）和非车载充电桩。碳化硅功率器件应用于电机
2023-07-03 11:13:13326 
碳化硅 (SiC) 可为电动汽车 (EV) 领域带来许多优势：更高的额定电压、出色的功率转换效率以及应对高温的能力等，也因此一直备受推崇。本博文将讨论电动汽车的设计考虑因素，并探讨各种 SiC 技术
2023-06-30 09:35:02251 
8亿元资金，用于SiC材料研发制造总部项目、SiC材料研发项目等。 志橙半导体成立于2017年，聚焦半导体设备的碳化硅涂层石墨零部件产品，并提供相关碳化硅涂层服务，主要产品可用于碳化硅外延设备、MOCVD设备、硅外延设备等多种半导体设备反应腔内。 根据QY Resea
2023-06-29 00:40:002175 
碳化硅（SiC）功率器件是一种基于碳化硅材料的半导体器件，具有许多优势和广泛的应用前景。
2023-06-28 09:58:092317 
碳化硅是宽禁带半导体器件制造的核心材料，SiC 器件具有高频、大功率、耐高温、耐辐射、抗干扰、体积小、重量轻等诸多优势，是目前硅和砷化镓等半导体材料所无法比拟的，应用前景十分广阔，是核心器件发展需要的关键材料，由于其加工难度大，一直未能得到大规模推广应用。
2023-06-25 10:12:38256 
三安光电近日宣布，将与国际功率半导体巨头意法半导体合资一家8英寸碳化硅器件工厂。
2023-06-11 14:31:0385 碳化硅肖特基二极管是一种基于碳化硅材料的半导体器件，具有高速、高温、高功率特性。其原理基于肖特基效应，即在金属与半导体接触处形成一个肖特基势垒，使得半导体中的载流子向金属一侧偏移，形成整流效应。
2023-06-07 17:10:34800 碳化硅(SiC)是一种新的“宽禁带”功率半导体材料，正在快速取代传统硅功率芯片，应用于可再生能源、储能、 微网、电动汽车和工业应用等高功率、高压应用领域。
2023-06-07 15:43:00269 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件，其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性，因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点，广泛用于高功率、高频率、高温、高压等领域，如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。
2023-06-02 14:10:32747 碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱，本期为番外篇，前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游，本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场，以及未来的发展趋势，感谢各位
2023-05-31 09:43:20390 功率半导体和芯片公司，瞻芯电子将携最新碳化硅(SiC)功率半导体、芯片产品和解决方案参展，在N5馆储能技术及装备、逆变器、电源国际品牌馆亮相，并期待与您共同探讨未来的绿色能源发展之路。 瞻芯电子致力于开发碳化硅(SiC)功率器件和模块、栅极驱动芯片、控制芯片产品
2023-05-25 14:59:221125 
硅（Si）是电子产品中常用的纯半导体的一个例子。锗（Ge）是另一种纯半导体，用于一些最早的电子设备。半导体也由化合物制成，包括砷化镓 （GaAs）、氮化镓 （GaN）、硅锗 （SiGe） 和碳化硅 （SiC）。我们稍后将回到最后一项。
2023-05-24 11:26:141681 本文介绍了激光在碳化硅（SiC）半导体晶圆制程中的应用，概括讲述了激光与碳化硅相互作用的机理，并重点对碳化硅晶圆激光标记、背金激光表切去除、晶粒隐切分片的应用进行了介绍。
2023-05-17 14:39:041221 
碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅具有禁带宽
2023-05-10 09:43:241338 
具有竞争力的碳化硅来源。天科合达将为英飞凌供应用于生产SiC半导体的6英寸碳化硅材料，其供应量占到英飞凌未来长期预测需求的两位数份额。】 英飞凌是国际著名的半导体公司，其前身是西门子集团的半导体部门，英飞凌技术实力雄厚，在功
2023-05-04 14:21:06438 意法半导体（ST）宣布与采埃孚科技集团公司(ZF)签署碳化硅器件长期供应协议。从 2025 年起，采埃孚将从意法半导体采购碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 本文介绍了激光在碳化硅（SiC）半导体晶圆制程中的应用，概括讲述了激光与碳化硅相互作用的机理，并重点对碳化硅晶圆激光标记、背金激光表切去除、晶粒隐切分片的应用进行了介绍。
2023-04-23 09:58:27712 
按照电学性能的不同，碳化硅材料制成的器件分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅射频器件，两种类型碳化硅器件的终端应用领域不同。导电型碳化硅功率器件是通过在低电阻率的导电型衬底上生长碳化硅外延层后进一步加工制成
2023-04-21 14:14:372436 社会的重要元器件。碳化硅被广泛视为下一代功率器件的材料，因为碳化硅相较于硅材料可进一步提高电压并降低损耗。虽然碳化硅功率器件目前主要用于列车逆变器，但其具有极为广泛的应用前景，包括车辆电气化和工业设备
2023-04-11 15:29:18
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