电桥电路栅驱动器和MOSFET栅驱动器产品介绍
2024-03-19 09:43:36
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电子发烧友网站提供《双高速MOSFET驱动器TPS2811-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-14 09:40:47
0 电子发烧友网站提供《带驱动调节器的同步降压MOSFET驱动器TPS2838/39/48/49数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-14 09:32:560 需要一个生态村，一个大生态村。为了帮助您理解一些首字母缩略词，DCA 代表设计中心联盟，VCA 代表价值链聚合器。
台积电OIP
半导体一路走来，走到现在这个阶段，是非常具有挑战性和令人兴奋的。台积
2024-03-13 16:52:37
电子发烧友网站提供《双高效同步MOSFET驱动器TPS51601A数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 11:07:200 荣湃半导体近日宣布推出其最新研发的Pai8265xx系列栅极驱动器，该系列驱动器基于电容隔离技术，集成了多种保护功能，专为驱动SiC、IGBT和MOSFET等功率管而设计。这款产品的推出，标志着荣湃半导体在功率半导体领域的技术创新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52248 蓉矽半导体近日宣布，其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽半导体在功率半导体领域的技术实力，也进一步证明了其产品在新能源汽车、光伏逆变等高端应用领域的强大竞争力。
2024-03-12 11:06:30228 意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 想问一下，半导体设备需要用到温度传感器的有那些设备，比如探针台有没有用到，具体要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
为了在空间受限的应用中实现高效、实时的嵌入式电机控制系统，MicrochipTechnologyInc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC数字信号控制器（DSC）的新型集成电机驱动器系列。该系列器件
2024-03-08 08:22:30114 
圣邦微电子推出 SGM48521Q，一款最小脉冲宽度为 1ns 的 5V、7A/6A 车规级低侧 GaN 和 MOSFET 驱动器。
2024-03-07 10:36:27375 
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
电子发烧友网站提供《辐射硬化全桥N沟道FET驱动器HS-4080AEH 数据表.pdf》资料免费下载
2024-02-19 09:59:160 CCS产品图标准版 01、脉冲半导体激光管驱动器产品介绍 AeroDIODE的CCS是一款脉冲半导体激光管驱动器，工作波长为1064纳米。它的输出电流为0.8 - 2 A(连续)和1.5
2024-01-30 06:31:08144 
AeroDiode的高速半导体激光管驱动器可生成任意波形脉冲，脉冲分辨率500 ps，动态范围48dB。它带有增益开关峰值抑制和3个同步的脉冲延迟发生器。 内置3个脉冲延迟发生器 该高速驱动器
2024-01-24 06:45:28100 
安建半导体 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET产品平台，平台采用先进的技术和设计，提供了卓越的开关特性和低导通电阻，从而实现了高效的能源转换和低能耗操作，不仅可以显着提高
2024-01-23 13:36:49291 
安建半导体推出具有完全自主知识产权的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通过独特设计确保产品的卓越性能和可靠性，在国内领先的碳化硅晶圆代工厂流片，产能充裕，供应稳定，性价比高。
2024-01-20 17:54:00916 
MOSFET即金属氧化物半导体场效应管，是电路设计中常用的功率开关器件，为压控器件；其特点是用栅极电压来控制漏极电流，具备驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高、热稳定性高于GTR等优点
2024-01-09 10:22:43112 
场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件。根据导电沟道的类型，场效应晶体管可以分为N沟道和P沟道两种类型。本文将对N沟道和P沟道
2023-12-28 15:47:152273 
电子设备中。与N沟道MOS管相比，P沟道MOS管的导电沟道由P型半导体材料构成，因此其导通条件与N沟道MOS管有所不同。本文将对P沟道MOS管的导通条件进行详细介绍。 首先，我们需要了解P沟道MOS
2023-12-28 15:39:311083 场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。根据导电沟道的类型，场效应晶体管可以分为n沟道和p沟道两种类型。本文将对n沟道MOS
2023-12-28 15:28:282843 
SIC MOSFET对驱动电路的基本要求 SIC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种新兴的功率半导体器件，具有良好的电气特性和高温性能，因此被广泛应用于各种驱动电路中。SIC
2023-12-21 11:15:49416 PI近日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块
2023-12-14 15:47:04361 Ω @ 10Vgs- 阈值电压（Vth）：3.5V- 封装类型：TO252应用简介：FQD6N40CTM-VB是一款高耐压N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），
2023-12-13 17:18:09
一、产品介绍 基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器
2023-12-13 16:36:19131 
根据不同的诱因，常见的对半导体器件的静态损坏可分为人体，机器设备和半导体器件这三种。
当静电与设备导线的主体接触时，设备由于放电而发生充电，设备接地，放电电流将立即流过电路，导致静电击穿。外部物体
2023-12-12 17:18:54
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-05 10:33:32177 据介绍，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-04 16:49:11519 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源，市场潜力巨大。
2023-12-01 09:47:42211 
MOS结构加上一对背靠背的PN结，就构成一个MOSFET。如果MOS结构在零栅压时半导体表面不是反型的，此时由于PN结的反向截止效果，源漏之间不会导通。当外加栅压使半导体表面反型时，源漏之间就有
2023-11-30 15:54:49398 
Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。这里我们以增强型MOS为例分析。
场效应管是由源极，漏极，栅极组成，由于衬底的掺杂不同可分为N沟道和P沟道场效应管。（沟道
2023-11-28 15:53:49
解一下什么是沟道。沟道是在半导体材料中形成的电子流的通道。通过在材料中创建和控制沟道，我们能够控制电流的流动，从而实现半导体器件的功能。在常见的场效应晶体管（Field-Effect Transistor, FET）中，沟道是连接源极和漏极的部分。 p沟道和
2023-11-23 09:13:422314 硬件面试中有遇到过这样的事吗？通常让你画一个增强型的MOSFET，或是N沟道MOSFET或是P沟道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
在电力电子领域，为了最大限度地降低开关损耗，通常希望开关时间短。然而快速开关同时隐藏了高压瞬变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，必须设计更高性能的开关驱动系统 。 目前，宽带隙半导体
2023-11-17 18:45:01326 
型晶体管，它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同，可以分为N沟道-增强型MOSFET、N沟道-耗尽型MOSFET、P沟道-增强型MOSFET、P沟道-耗尽型MOSFET四种类型。
2023-11-07 14:51:15638 
电机是将电能转换为机械能的装置。它还可以被视为将能量从电源传输到机械负载的装置。电机所在并使其旋转的系统称为驱动器，也称为电力驱动器或电机驱动器。每种电机驱动器都具有独特的特性，适用于不同的应用和性能需求。选择适当的电机驱动器对于确保交通工具的性能和效率至关重要。
2023-11-04 11:30:00351 
致力于提供高品质芯片的国内优秀模拟及数模混合芯片设计商上海类比半导体技术有限公司(下称“类比半导体”或“类比”)宣布推出重磅新品车规级智能高边驱动HD7xxxQ系列。
2023-10-30 11:45:591426 
的前置驱动器。该设备可驱动多种 N 沟道的功率 MOSFET，支持的马达供电电压高达 30V。利用外部三个霍尔元件输入信号实现 120°换相。其它功能包括固定关闭时间的脉宽调制（PWM）限制浪涌电流、可调
2023-10-27 09:30:29
圣邦微电子推出 SGM48521，一款 5V，7A/6A，脉宽 1ns 的低侧 GaN 和 MOSFET 驱动器。 该 器件可应用于便携式设备、智能手机、工业和医疗设备。 高速单通道低侧驱动器
2023-10-18 15:45:01261 
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 发现，像 Arduino 或树莓派这样的设备不能直接驱动重负载。在这种情况下，我们需要一个“驱动器”，也就是一个可以接受来自微控制器的控制信号，并且具有足够功率来驱动负载的电路。在许多情况下，MOSFET
2023-10-16 09:19:231185 
使用安森美半导体制造的CAT4106集成多通道LED驱动器和高功率DC-DC转换器，可以设计出非常简单且高效的LED驱动器，适用于为总功率高达6瓦的背光应用供电。
2023-10-15 10:03:41922 
一个非常简单的6通道低成本LED驱动器电子电路项目可以使用飞思卡尔半导体制造的MCP34845 LED驱动器进行设计。
2023-10-15 09:46:37361 
大部分驱动器都是脉冲控制，怎么通过电压控制驱动器
2023-10-12 06:00:22
步进电机的半步驱动是由驱动器来设置的吗
2023-10-11 06:52:18
本应用笔记介绍了采用表面贴装封装的 n 通道双 MOSFET 的低压电机驱动设计。它描述了使用不同电压应用的设计，以及自适应 MOSFET 栅极驱动器，这是驱动双 n 沟道半桥的第三种方法。
2023-10-05 15:20:00615 
电子发烧友网站提供《PSMN2R6-80YSF N沟道MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-27 09:32:500 电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 该调光控制LED驱动器电路采用LM3409P沟道MosFET控制器设计，用于降压（降压）电流调节器。
2023-09-16 17:19:00328 
STEVAL-IPMM15B 是一种紧凑型电机驱动电源板，配备 SLLIMM（小型低损耗智能成型模块）第 2 系列模块第 2 系列 N 沟道超结 MDmesh™ DM2 快速恢复二极管
2023-09-13 07:17:29
近日，意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低了物料清单成本，能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
2023-09-12 09:01:31457 2023 年 9 月 6 日，中国 ——意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低了物料清单成本，能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 供应AP2335 场效应管(MOSFET) SOT-23 丝印2335 P沟道 20V7A，是铨力半导体代理商，提供AP2335规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 16:24:490 数明半导体最新推出的SiLM824x系列是一款具有不同配置的隔离双通道门级驱动器。SiLM8243和SiLM8244配置为高、低边驱动，而SiLM8245可提供两路独立的驱动输出。该驱动系列可提供
2023-08-15 15:07:47543 
随着现代电子设备对小型化和高效率的要求不断提高,对电源管理芯片的技术也提出了更高要求。针对此趋势,安森德半导体公司推出了新一代异步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。这款100V N沟道功率MOSFET凭借其卓越的静态和动态性能参数,将助您的设计实现更高功率密度和转换效率。
2023-08-14 15:04:45367 
先楫半导体使用上怎么样？
2023-08-08 14:56:29
在电机驱动系统中，栅极驱动器或“预驱动器” IC常与N沟道功率MOSFET一起使用，以提供驱动电机所需的大电流。在选择驱动器IC、MOSFET以及某些情况下用到的相关无源元件时，有很多需要考量的设计因素。如果对这个过程了解不透彻，将导致实现方式的差强人意。
2023-08-02 18:18:34807 
这是使用IC MD7120作为MOSFET驱动器的D类功率音频放大器的电路设计。 MD7120 用于驱动在 H 桥开关两侧运行的四个 N 沟道 MOSFET 晶体管。它由控制器逻辑电路、电平转换器
2023-07-28 16:20:50801 
MIC5891锁存驱动器是高电压的，由八个组成的大电流集成电路CMOS数据锁存器，用于通用频闪和输出启用，以及双极每个锁存器的达林顿晶体管驱动器。双极/MOS结构提供极低具有最大接口灵活性的电源闩锁
2023-07-27 09:47:06
介绍
在设计电源开关系统（例如电机驱动器或电源）时，设计人员必须做出重要决定。什么电机或变压器符合系统要求？什么是最好的MOSFET或IGBT来匹配该电机或变压器？以及哪种栅极驱动器 IC 最适合
2023-07-24 15:51:430 意法半导体STHV200超声波IC单片集成线性驱动器、脉冲驱动器与钳位电路、开关和诊断电路，可以简化医用和工业用扫描仪设计，缩减尺寸，降低物料成本。
2023-07-21 09:32:32172 2023年7月18日，中国——意法半导体 STHV200超声波 IC单片集成线性驱动器、脉冲驱动器与钳位电路、开关和诊断电路，简化医用和工业用扫描仪设计，缩减尺寸，降低物料成本。
2023-07-18 18:22:43341 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是一种场效应晶体管（FET），由三个端子-栅极、源极和漏极组成。在MOSFET中，漏极由栅极端的电压控制，因此MOSFET是一种电压控制器件。施加在栅极
2023-07-07 10:13:352972 
在H桥电路中实现P沟道MOSFET可能看起来既简单又诱人，但可能需要一些严格的计算和参数才能实现最佳响应。
2023-06-29 15:28:02957 
TFB0527是一个半桥式栅极驱动器，内部集成了自举二极管，能够在半桥式配置中驱动n通道mosfet和igbt。TF半导体的先进工艺，使浮动高侧驱动器操作到100V的引导
2023-06-28 17:08:12
在这个设计中，我们看到了使用N沟道MOSFET实现BPS电路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
TFB0504是一个半桥式栅极驱动器，内部集成了自举二极管，能够在半桥式配置中驱动n通道mosfet和igbt。TF半导体的先进工艺，使浮动高侧驱动器操作到100V的引导
2023-06-27 17:01:42
为满足汽车市场对产品可靠性和安全性的需求，数明半导体近期推出车规级高压、高速MOSFET/IGBT驱动芯片SiLM21814-AQ，该产品通过AEC-Q100认证。600V,2.5A/3.5A的高低
2023-06-27 14:56:17510 TF2184是一种高压、高速栅极驱动器，能够在半桥配置中驱动n通道MOSFET和igbt。TF半导体的高压过程使TF2184的高侧能够在引导
2023-06-25 16:25:20
点击蓝字 关注我们 SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC
2023-06-25 14:35:02377 
常规的双极晶体管是电流驱动器件，而MOSFET 是电压驱动器件。 图 1.1 所示为双极晶体管。要在集电极中产生电流，必须在基极端子和发射极端子之间施加电流。
2023-06-25 12:24:00556 
这是使用单个N沟道MOSFET的直流电机驱动器电路。在该电路中，直流电机继续沿一个方向运行，直到按下开关时它的方向反转。该电路可在不同项目中用作电机驱动器。事实上，它只需要很少的组件，并且可以很容易
2023-06-18 11:14:54512 
5月， SNEC第十六届（2023）国际太阳能光伏与智慧能源大会 在上海新国际博览中心重磅举行。基本半导体携旗下 第二代碳化硅MOSFET系列新品 ，以及全系 汽车级碳化硅功率模块 、 碳化硅
2023-05-30 16:33:36502 日：基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET (ASFET) 新产品组合，重点发布的 BUK9M20-60EL 为单 N 沟道 60 V、13 m
2023-05-29 10:35:11372 MOSFET 等类型；从技术发展趋势看，采用制程复杂芯片工艺以及采用氮化镓等新型材料和与之相匹配的封装工艺制造具有优异性能参数产品是场效应管生产厂商不断追踪的热点。
广东友台半导体有限公司(简称
2023-05-26 14:24:29
常规的双极晶体管是电流驱动器件，而MOSFET 是电压驱动器件。
2023-05-22 09:54:02518 
常规的双极晶体管是电流驱动器件，而MOSFET 是电压驱动器件。
2023-05-22 09:52:08747 
上海数明半导体有限公司最新推出的双通道 30V, 5A/5A 的高速低边门极驱动器 SiLM27624 系列，支持高达 30V 的输入电源供电，满足更高的驱动电压输出。
2023-05-17 11:18:21438 
。 ASDM30N35EDFN3X3-8是一款针对电源开关和驱动器应用设计的N沟道MOSFET。它采用最新的高压工艺，具有优异的开关性能和低导通电阻，能够提供更高的效率和可靠性，为电子设备的设计和制造提供更好的支持。 这颗芯片的封装形式为DFN3x3，尺寸仅为3x3mm，可以实现更小的电路板设计
2023-05-09 17:47:42462 概述LTK8833 是一种双桥电机驱动器，具有两个 H 桥驱动器，可以同时驱动两个直流有刷电机、一个双极步进电机、电磁阀或其他的电感负载。每个 H 桥的输出驱动器模块由配置为 H桥的 N 沟道功率
2023-05-08 14:18:440 在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288 
随著环保意识日益普及EFI（电子控制燃油喷射系统）可以满足更高标准的法规 ,更高的燃油效率, 更好的性能, 更容易的冷启动, 减少维护, 减少排放! ST 意法半导体推出
2023-04-26 16:04:05
TMI8723是一款专为H桥驱动器应用而设计的栅极驱动器集成电路。它能够驱动由四个高达40V的N沟道功率MOSFET组成的H桥。TMI8723集成了一个可调节的电荷泵来产生栅极驱动功率，峰值和源极电流可以是500mA和250mA。同时，TMI8723可以通过引脚VDS设置过电流点的值。
2023-04-20 15:00:311 您好，我正在尝试使用 MC34GD3000 栅极驱动器，但我们遇到了设备故障和损坏高侧 MOSFET 栅极驱动器的问题。首先，是否有任何关于正确设置栅极驱动器输出的应用说明。我们看到的是在没有任何
2023-04-19 06:36:06
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常又称为N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
，工程师们需要选用合适的栅极驱动器，提高UPS的转换效率和响应速度，以满足不断增长的UPS市场需求。高速低侧栅极驱动器是一种电路，用于控制半导体开关（例如MOSFET或IGBT）的导通和断开，从而实现对电路的控制和调节。正确选择高速低侧栅极驱动器
2023-04-11 12:39:14279 
微控制器、微处理器和周边芯片，以及配套的开发工具和生态系统。先楫半导体先后发布高性能MCU产品 HPM67/64/6300 及HPM6200系列并已成功实现量产，今年还将有多款产品推出。产品以质量为本，所有
2023-04-10 18:39:28
每个 H 桥的输出驱动器模块由配置为 H 桥的 N 沟道功率 MOSFET 组成，用于驱动电机绕组。每个 H 桥均具备调节或限制绕组电流的电路。
2023-04-07 12:26:21311 半导体器件是现代电力电子系统的核心。这些系统利用许多门控半导体器件，如普通晶体管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作为开关模式电源（SMPS）、通用电源（UPS）和电机驱动器中的开关元件。电力电子的现代技术发展通常跟随功率半导体器件的发展。
2023-04-04 10:23:45546 功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
2023-04-04 09:58:391001 
IGBT模块作为汽车电驱系统最常昂贵的开关元件。IGBT同时具有功率MOSFET导通功率小及开关速度快的性能，以及双极型晶体管饱和压降低（导通电阻小）高电压和大电流处理能力的半导体元件
2023-03-23 16:01:54
LTC7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，选用高达 135V 的输入电压作业。该器材包括一个担任全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵，因此使其可以无限期地坚持导通。
2023-03-23 09:46:45514
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