台积电的 Suk Lee 发表了题为“摩尔定律和半导体行业的第四个时代”的主题演讲。Suk Lee表示，任何试图从半导体行业传奇而动荡的历史中发掘出一些意义的事情都会引起我的注意。正如台积电所解释
2024-03-13 16:52:37
瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品，这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified），还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出，标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13
279 意法半导体新推出的八路高边开关兼备智能功能和设计灵活性，每条通道导通电阻RDS(on)(典型值)仅为110mΩ，保护系统能效，体积紧凑，节省 PCB 空间。
2024-03-12 11:41:49250 荣湃半导体近日宣布推出其最新研发的Pai8265xx系列栅极驱动器，该系列驱动器基于电容隔离技术，集成了多种保护功能，专为驱动SiC、IGBT和MOSFET等功率管而设计。这款产品的推出，标志着荣湃半导体在功率半导体领域的技术创新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52248 蓉矽半导体近日宣布，其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽半导体在功率半导体领域的技术实力，也进一步证明了其产品在新能源汽车、光伏逆变等高端应用领域的强大竞争力。
2024-03-12 11:06:30228 意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 想问一下，半导体设备需要用到温度传感器的有那些设备，比如探针台有没有用到，具体要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
，TSS已经成为电子领域中的重要组成部分，被广泛应用于电力电子、通讯、光电子等领域。
二、半导体放电管TSS的工作原理TSS的工作原理基于快速开关的思想，其结构主要由一个PN结或P-i-N结、一个控制电极
2024-03-06 10:07:51
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
电子发烧友网站提供《N-通道100V1.04 mohmMOSFET和CCPAK1212包装中增强的SOA.pdf》资料免费下载
2024-02-20 10:52:14
0 安建半导体 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET产品平台，平台采用先进的技术和设计，提供了卓越的开关特性和低导通电阻，从而实现了高效的能源转换和低能耗操作，不仅可以显着提高
2024-01-23 13:36:49291 
安建半导体推出具有完全自主知识产权的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通过独特设计确保产品的卓越性能和可靠性，在国内领先的碳化硅晶圆代工厂流片，产能充裕，供应稳定，性价比高。
2024-01-20 17:54:00916 
今日（1月18日），意法半导体在官微宣布，公司与聚焦于碳化硅（SiC）半导体功率模块和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作，为致瞻科技电动汽车车载空调中的压缩机控制器提供意法半导体第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术。
2024-01-19 09:48:16254 
band gap power devices, power management ICs, and modules, today announced the release of two aMOS5™ 600V FRD Super Junction MO
2024-01-05 15:05:39844 V 功率 MOSFET 的半导体制造商，采用全新系统和应用优化的OptiMOS 7 MOSFET 技术。新产品创建行业新基准，我们使客户能够在低输出电压的 DC-DC 转换领域迈出新的一步, 释放更优秀系统效率和性能，赋能未来。
2023-12-29 12:30:49362 
【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
根据不同的诱因，常见的对半导体器件的静态损坏可分为人体，机器设备和半导体器件这三种。
当静电与设备导线的主体接触时，设备由于放电而发生充电，设备接地，放电电流将立即流过电路，导致静电击穿。外部物体
2023-12-12 17:18:54
小型封装（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐压Super Junction MOSFET *1 ，新产品非常适用于照明用小型电源、电泵和电机等应用。 R6004END4
2023-12-12 12:10:01222 
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-05 10:33:32177 据介绍，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-04 16:49:11519 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 官方网站称，2015年6月成立的钜芯科技是从事半导体输出芯片和零部件研发，生产，销售的高新技术企业。产品包括半导体分立元件芯片、半导体分立元件、半导体功率模块及mosfet等。
2023-11-30 10:07:46343 来源：ACT半导体芯科技 2023年已接近尾声，半导体行业依然在挑战中前行。随着市场需求和应用领域的变化，半导体企业需要不断推出新产品和解决方案，以满足市场的需求。 半导体产业作为现代信息技术
2023-11-20 18:32:52262 
美格纳半导体宣布推出微纳加工增强型第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET)。 这款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 供应APG082N01 100v控制器mos管铨力N通道增强型MOSFET管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供APG082N01规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-10-27 16:35:09
－通孔式小型封装有助于减小表贴面积和电机电路板尺寸－ 中国上海， 2023 年 10 月 26 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空调、空气净化器和泵等直流无刷电机驱动应用。
2023-10-27 11:05:54657 
Littelfuse宣布推出首款汽车级PolarP P通道功率MOSFET产品 IXTY2P50PA。这个创新的产品设计能满足汽车应用的严苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT，相关核心技术已获得多项专利授权，四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。
l 深圳芯能
成立时间：2013年
业务模式：设计
简介：深圳芯能半导体
2023-10-16 11:00:14
《半导体芯科技》编译 来源：EENEWS EUROPE 牛津大学的一家衍生公司筹集了600万美元用于半导体设计的机器学习设备。 Machine Discovery从用于模拟半导体仿真的AI配套设备
2023-10-08 16:50:14180 供应APG022N06G 150a 60v逆变器mos封装PDFN5x6-铨力半导体代理，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供APG022N06G规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-27 15:38:22
本文档的主要内容详细介绍的是半导体芯片的制作和半导体芯片封装的详细资料概述
2023-09-26 08:09:42
=4.5VRDS（ON）< 6mΩ @ VGS=10V高功率和电流处理能力ESD保护表面安装包无铅和绿色设备可用（RoHS兼容）应用PWM应用程序负载交换机电源管理供电系统
2023-09-25 12:00:40
电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
数明半导体最新推出的SiLM59xx和SiLM58xx系列是带有主动保护和高CMTI的单通道隔离门极驱动芯片，拥有强劲的驱动能力、完善的保护功能、超高的CMTI能力。其中，SiLM59xx系列提供
2023-09-13 10:29:491274 
解决方案·低压伺服驱动解决方案·基于SiC的光伏逆变器DC-AC解决方案·8通道IO-Link主站解决方案
▌峰会议程
▌参会福利
1、即日起-9月27日，深圳用户报名预约【意法半导体工业峰会2023
2023-09-11 15:43:36
安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规认证的全部测试。
2023-09-06 17:48:45474 用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半导体新型6kV电流隔离技术，以及SO-36W宽体封装。瞬态抗扰度为±100V/ns，可防止电噪音工作条件
2023-09-05 06:59:59
稳定性和效率兼备，雷卯MOSFET改变您的产品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个主要区域组成。依照其“通道”(工作载流子的极性不同，可分为“N型“与“P 型”的两种类型，通又称为 NMOS与 PMOS。。
2023-09-01 09:53:331158 
TDM3478 N-通道增强模式MOSFET芯片 概述 TDM3478使用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）和低栅极电荷。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。 一般说明 RDS
2023-09-01 09:46:40251 
和管理者。今年，Nexperia（安世半导体）的热插拔MOSFET与碳化硅肖特基二极管两款明星产品现已双双入围年度功率半导体！ 采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET) 同时
2023-08-28 15:45:311140 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（下称“Toshiba”）推出了两款适用于直流无刷电动机应用领域的600V小型智能功率元件(IPD
2023-08-25 11:20:34496 ，减少人力资源消耗，为半导体行业降本增效。Novator系列全自动影像仪创新推出的飞拍测量、图像拼接、环光独立升降、图像匹配、无接触3D扫描成像等功能，多方面满足客户测量需求，解决各行业尺寸测量难题。
2023-08-21 13:38:06
（Ta=25°C）：70W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 4A。应用场景：适用于高效率开关电源、电机驱动器和照明应用等，可用于电源因数校正（PFC）电路中
2023-08-21 10:49:56
报告中介绍，随着功率半导体应用领域逐渐扩大，当应用在计算机和航空电子等领域中时，低导通压降能够缩小整机的冷却系统，从而降低整机尺寸和成本，所以用户对器件的导通电阻提出了更高的要求。
2023-08-09 16:21:36326 先楫半导体使用上怎么样？
2023-08-08 14:56:29
金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的革命，让我们可以在相同面积的晶圆上同时制造出更多晶体管。
2023-07-27 15:24:51609 
功率半导体包括功率半导体分立器件（含模块）以及功率 IC 等。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、晶闸管和晶体管等。
2023-07-26 09:31:035043 
供应ID5S609SEC-R1 600V高低侧栅极驱动芯片可代换IR2304，提供id5s609芯片资料关键参数 ，广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、半桥功率逆变器
2023-07-20 14:20:134 供应ID7U603SEC-R1 600V半桥MOS栅极驱动IC，提供ID7U603规格书关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:11:044 供应ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片可代换IR2104，提供ID7U603SEC-R1关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:10:05
逆变器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未来十年的复合年增长率为27%。
2023-07-17 11:33:24277 
同时实现业界超快反向恢复时间和业界超低导通电阻，可进一步降低工业设备和白色家电的损耗 ROHM的600V耐压Super Junction MOSFET PrestoMOS 产品阵容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia (安世半导体)今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮
2023-07-05 16:34:291053 TF23892M是一种三相栅极驱动IC，设计用于高压、高速应用，驱动半桥配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压工艺使TF23892M高侧能够在引导操作中切
2023-07-04 11:14:43
TF21364M是一种三相栅极驱动器IC，设计用于高压、高速应用，驱动半桥配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压工艺使TF21364M高侧能够在引导操作中切
2023-07-04 10:59:30
TF2136M是一种三相栅极驱动器IC，设计用于高压、高速应用，驱动半桥配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压工艺使TF2136M高侧能够在引导操作中切
2023-07-04 10:46:50
TF21064M是一种高压、高速栅极驱动器，能够在半桥配置中驱动n通道MOSFET和IGBT。TF半导体的高压过程使TF21064M的高侧能够在引导操作中切换到600V
2023-06-29 10:14:02
TF21814是一种高压、高速的栅极驱动器，能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压过程使TF2181M的高侧在
2023-06-29 09:10:24
为满足汽车市场对产品可靠性和安全性的需求，数明半导体近期推出车规级高压、高速MOSFET/IGBT驱动芯片SiLM21814-AQ，该产品通过AEC-Q100认证。600V,2.5A/3.5A的高低
2023-06-27 14:56:17510 TF21844M是一种高压、高速栅极驱动器，能够在半桥配置中驱动n通道MOSFET和IGBT。TF半导体的高压过程使TF21844M的高侧能够在引导操作中切换到600V
2023-06-26 15:00:48
致力于提供高品质芯片的国内优秀模拟及数模混合芯片设计商上海类比半导体技术有限公司（下称“类比半导体”或“类比”）宣布推出低功耗、多通道、支持呼吸阻抗测量的生物电势模拟前端芯片AFE95x。该系列芯片
2023-06-26 10:18:48900 
TF2103M是一种高压、高速的栅极驱动器，能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压过程使TF2103M高侧切换到600V的引导操作
2023-06-25 16:39:30
TF2184是一种高压、高速栅极驱动器，能够在半桥配置中驱动n通道MOSFET和igbt。TF半导体的高压过程使TF2184的高侧能够在引导
2023-06-25 16:25:20
氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术，可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么，为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解？事实又是怎样的呢？
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
中国上海， 2023 年 6 月 13 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品
2023-06-13 16:38:50712 
电机控制领域。CMS32M65xx系列MCU是中微半导体推出的基于ARM-Cortex M0+内核的高端电机控制专用芯片。主频高达64MHz；工作电压1.8V至5.5V；提供64KB Flash
2023-06-09 09:11:16
ZXGD3114N7产品简介 DIODES 的 ZXGD3114N7 是一款 600V 有源 OR-ing MOSFET 控制器，设计用于驱动极低 RDS(ON) 功率 MOSFET 作为
2023-06-02 16:15:17
根据中国集成电路产业人才白皮书数据来看，目前行业内从业人员仅46w左右，人才缺口仍有30w之 巨 。在国内半导体行业快速发展的当下，定位、抢夺优质人才是企业未来长期发展的基石。
那么每年秋招就是赢得
2023-06-01 14:52:23
Nexperia | 推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合 基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 MOSFET 等类型；从技术发展趋势看，采用制程复杂芯片工艺以及采用氮化镓等新型材料和与之相匹配的封装工艺制造具有优异性能参数产品是场效应管生产厂商不断追踪的热点。
广东友台半导体有限公司(简称
2023-05-26 14:24:29
上海数明半导体有限公司最新推出的双通道 30V, 5A/5A 的高速低边门极驱动器 SiLM27624 系列，支持高达 30V 的输入电源供电，满足更高的驱动电压输出。
2023-05-17 11:18:21438 
Limited （AOS, 纳斯达克代码:AOSL)推出 600V aMOS7™ 超结高压MOSFET。 aMOS7™ 是 AOS最新一代高压 MOSFET平台，旨在满足服务器、工作站、通信电源整流器
2023-05-11 13:52:15664 
数明半导体最新推出的SiLM572x和SiLM574x是双通道和四通道数字隔离器，支持最高100Mbps的数据传输率，并通过车规级AEC-Q100认证。
2023-04-25 11:47:37783 
有助于配备小型电机的设备减少抗噪声设计工时和部件数量，并降低功率损耗 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）在其600V耐压Super Junction MOSFET
2023-04-19 17:50:02407 
、5G新应用、新型显示的半导体产业链。 本届展会规模达5,0000㎡，汇聚600多家半导体企业。SEMI-e 深入挖掘半导体产业链上下游优质企业，同步推出电子元器件、IC设计半导体产业技术高峰会 汇集镁伽科技、联想凌拓、众鸿、研华科技、鲁汶仪器、格灵精睿、中科蓝海
2023-04-18 13:38:15784 
制造产业的转移、下游行业需求的拉动以及国家推出的支持政策，半导体分立器件行业已经进入快速发展通道。目前，我国已经成为全球重要的半导体分立器件制造基地和全球最大的半导体分立器件市场，根据中国半导体行业协会
2023-04-14 16:00:28
制造产业的转移、下游行业需求的拉动以及国家推出的支持政策，半导体分立器件行业已经进入快速发展通道。目前，我国已经成为全球重要的半导体分立器件制造基地和全球最大的半导体分立器件市场，根据中国半导体行业协会
2023-04-14 13:46:39
创新、自主可控，推出HPM6000高性能RISC-V MCU产品系列，助力推动国产创新型替代进程。国潮崛起，先楫半导体邀您一起共同迈向高性能 “芯” 时代。
2023-04-10 18:39:28
供应ups逆变器igbt单管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a规格书参数 ，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-04-04 10:39:344 供应ups逆变器中的igbt管600v 60a SGT60N60FD1P7，是士兰微IGBT代理，提供SGT60N60FD1P7关键参数 ，可应用于光伏，变频器，UPS,SMPS以及PFC等领域，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-04-04 10:37:48
供应50a 600v igbt 驱动电路SGTP50V60FD2PF，提供SGTP50V60FD2PF关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 17:15:592 供应全桥逆变IGBT耐压600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 16:02:491 国产RISC-V MCU 之 先楫半导体 MCU 介绍HPM6700/6400系列-RISC-V 内核支持双精度浮点运算及强大的 DSP 扩展，主频高达 816 MHz，创下了高达
2023-04-03 14:32:24
逆变器、全桥驱动逆变器等领域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特点■浮动工作电压可达600V■拉灌电流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的输入逻辑电平■dV/dt抗干扰能力±5
2023-03-29 09:24:35930 
POWER SUPERFET MOSFET N-CHANNEL
2023-03-27 14:32:04
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工商网监
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