Qorvo QPD1028和QPD1028L 750W碳化硅基氮化镓晶体管Qorvo QPD1028和QPD1028L 750W碳化硅基氮化镓晶体管是分立式碳化硅基氮化镓HEMT(高电子迁移率晶体管
2024-02-26 23:23:18
晶体管是一种半导体器件,泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管、可控硅等。晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能,可用于各种各样的数字和模拟功能。
2024-02-26 17:24:44620 ?
再者在场效应管这种单极性导电半导体中,为什么只是有一种离子导电,而非两种离子,不像晶体管那种两种离子导电,请问这是为什么?同样对于场效应管也有上面的问题?
2024-02-21 21:39:24
双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT),也被称为半导体三极管或三极管,是一种具有三个终端的电子器件。它由三部分掺杂程度不同的半导体组成,这三部分分别是发射区、基区和集电区。这种晶体管的工作方式涉及电子和空穴两种载流子的流动,因此被称为双极性的。
2024-02-19 15:15:05290 晶体管是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。它是现代电器的最关键的元件之一,广泛应用于各种数字和模拟功能中,包括放大、开关、稳压、信号调制和振荡器等。晶体管由半导体材料制成,最常见的是锗和硅。
2024-02-18 14:28:05327 是,最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联,因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理,在此基础上为什么要加电阻?
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
管子多用于集成放大电路中的电流源电路。
请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析?按照我的理解,在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时,如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的电源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半导体元件还有利用一个PN结构成的具有负阻特性的器件一单结晶体管,请问这个单结晶体管是什么?能够实现负阻特性?
2024-01-21 13:25:27
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
晶体管也就是俗称三极管,其本质是一个电流放大器,通过基射极电流控制集射极电流。
1、当基射极电流很小可以忽略不计时,此时晶体管基本没有对基射极电流的放大作用,此时可以认为晶体管处在关断状态
2、当基
2024-01-18 16:34:45
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗?
2024-01-11 07:23:47
氮化镓是一种化合物,化学式为GaN,由镓(Ga)和氮(N)两种元素组成。它是一种化合物晶体,由原子晶体构成。 氮化镓具有坚硬的晶体结构和优异的物理化学性质,是一种重要的半导体材料。它具有宽带
2024-01-10 10:23:011020 氮化镓是一种重要的半导体材料,属于六方晶系晶体。在过去的几十年里,氮化镓作为一种有着广泛应用前景的材料,受到了广泛关注和研究。本文将会详尽地介绍氮化镓的晶体结构、性质以及应用领域。 首先,我们来介绍
2024-01-10 10:03:21941 氮化镓半导体并不属于金属材料,它属于半导体材料。为了满足你的要求,我将详细介绍氮化镓半导体的性质、制备方法、应用领域以及未来发展方向等方面的内容。 氮化镓半导体的性质 氮化镓(GaN)是一种
2024-01-10 09:27:32396 IGBT)是一种半导体器件,它将MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和BJT(双极型晶体管)的优点集于一身,具有高输入阻抗、低导通压降、高电流密度等优点。IGBT广泛应用于电力电子、轨道交通
2024-01-03 15:14:22268 CGHV40180是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。具备前所未有的输入,能够在DC-2.0GHz范围之内提供最好的的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比较,CGHV40180具有更加优异
2024-01-02 12:05:47
材料不同。传统的硅半导体芯片是以硅为基材,采用不同的工艺在硅上加工制造,而氮化镓半导体芯片则是以氮化镓为基材,通过化学气相沉积、分子束外延等工艺制备。氮化镓是一种全化合物半导体材料,具有较宽的能隙,电子迁移率高以及较高的饱
2023-12-27 14:58:24424 镓(GaN)半导体: 氮化镓是一种二元复合半导体(由氮和镓元素构成),具有较大的禁带宽度(3.4电子伏特)。它是一个具有六方晶系结构的材料,并且具有较高的热稳定性和宽温度范围的应用特性。 碳化硅(SiC)半导体: 碳化硅是
2023-12-27 14:54:18325 2023年12月15日,中国-意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片,利用宽禁带半导体技术简化电源设计,实现最新的生态设计目标。
2023-12-15 16:44:11462 【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
2023-12-13 14:22:41260 CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)与其他技术相比,CGHV96130F内部适应(IM)FET具有出色的功率附加效率。与砷化镓相比
2023-12-13 10:10:57
[半导体前端工艺:第一篇] 计算机、晶体管的问世与半导体
2023-11-29 16:24:59193 来至网友的提问:如何选择分立晶体管?
2023-11-24 08:16:54
氮化镓(GaN)被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料,今天金誉半导体带大家来简单了解一下,这个材料有什么厉害的地方。
2023-11-03 10:59:12662 氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally-Off D-Mode平台设计充分发挥氮化镓晶体管的优势,而E-Mode设计却必须在性能上做出妥协
2023-10-24 14:12:26526 根据专利摘要,该公开是关于半导体元件及其制造方法的。半导体器件包括电装效应晶体管。电场效应晶体管包括栅极、漏极、源极和氧化物半导体沟道。漏极和源极分别位于氧化物半导体通道的两端。
2023-10-11 14:23:08417 专业图书47-《新概念模拟电路》t-I晶体管
2023-09-28 08:04:05
晶体管是通常用于放大器或电控开关的半导体器件。晶体管是调节计算机、移动电话和所有其他现代电子电路运行的基本构件。
2023-09-27 10:59:402314 Nexperia(安世半导体)的高功率氮化镓场效应晶体管,共将分为(上)(下)两期,包含其工艺、性能优势、产品及封装等内容。本期将先介绍 Nexperia(安世半导体)氮化镓产品的成熟的工艺。
2023-09-25 08:19:00395 介绍:
晶体管是一种用于放大或切换电子信号和电力的半导体器件。它是一种三端口半导体器件,这些引脚分别标记为集电极(C)、基极(B)和发射极(E)。现在,我将展示如何使用万用表检查晶体管。
2023-09-21 13:48:18832 2023 年 9 月 11 日,中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V,最高工作温度拓宽到175°C,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01190 氮化镓是一种无机物质,化学式为GaN,是氮和镓的化合物,是一种具有直接带隙的半导体。自1990年起常用于发光二极管。这种化合物的结构与纤锌矿相似,硬度非常高。氮化镓具有3.4电子伏特的宽能隙,可用
2023-09-13 16:41:45857 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V,最高工作温度拓宽到175°C,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 近日,意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器,新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸,降低了物料清单成本,能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
2023-09-12 09:01:31457 2023 年 9 月 6 日,中国 ——意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器,新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸,降低了物料清单成本,能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 氮化镓(GaN)- 宽带隙(WBG)材料• GaN HEMT-高电子迁移率晶体管,代表着电力电子技术的重大进步• 用于更高的工作频率• 提高效率• 与硅基晶体管相比,功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时,GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-28 17:03:082026 特性、场效应管和晶体管的导电特性、半导体材料的应用等。 半导体的能带结构 半导体的导电特性与其能带结构有关。根据泡里原理,电子首先填充能量最低的能带。在半导体中,电子的行为可以通过几个能带来描述:价带、导带和禁带
2023-08-27 15:55:201120 CGH40010FCGH40010F 是 Wolfspeed(CREE) 开发的一款无与伦比的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。适用于A类、AB类和线性放大器,能处理多种波形
2023-08-26 15:40:57
晶体管是一种半导体元器件,它由三个层叠在一起的材料构成,分别是 P 型半导体、N 型半导体和 P 型半导体。其中 NPN 和 PNP 型晶体管是最常用的两种。晶体管有三个电极,分别是基极、发射极和集电极。
2023-08-25 17:17:47651 晶闸管和晶体管区别是什么? 晶闸管和晶体管都属于半导体器件的范畴,它们的出现都彻底改变了电子行业的发展。但是,晶闸管和晶体管之间存在着一些关键的区别,这些区别在分析它们的工作原理、特点、应用等方面
2023-08-25 15:47:411278 晶体管的工作原理介绍 晶体管是一种电子器件,它是现代电子设备的基础,如计算机、手机、电视等。晶体管是一个半导体器件,它可以放大或开关电流信号。晶体管的工作原理是由三个不同类型的材料组成:N型半导体
2023-08-25 15:35:141791 晶体管和芯片的关系介绍 晶体管和芯片是现代电子技术中最重要的两个概念,二者有密不可分的关系。晶体管是一种半导体材料制造的电子器件,而芯片则是晶体管等电子器件及相关电路的集成体。 一、晶体管 晶体管
2023-08-25 15:29:372440 Bardeen、Walter Brattain于1947年发明并获得诺贝尔物理学奖。它的原理是基于半导体物理学中的PN结,PN结是n型半导体和p型半导体结合形成的界面,具有一个类似于电容的特性。应用电压后,PN结中的少数载流子(电子或空穴)会沿着不同的方向移动,从而改变电流。通过控制
2023-08-25 15:21:051513 氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时,GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
、胸腔晶体管、双极交接晶体管、金属-氧化半导体外效晶体管和隔热双极晶体管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在电子应用中,二极管发挥简单的开关功能,只允许电流向一个方向流动,电极二极管拥有更大的动力、电压和当前处理能力,在电
2023-08-15 17:17:32699 200-W;4400 - 5000 MHz;50 欧姆输入/输出匹配;氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV50200F 是一款专为高效率设计的氮化镓 (GaN) 高
2023-08-09 09:20:19
180-W;直流 - 2 GHz;氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有无与伦比的输入
2023-08-07 14:09:28
180-W;直流 - 2 GHz;氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有无与伦比的输入
2023-08-07 14:07:15
100-W;直流 CGHV40100 3GHz;50V;氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款无与伦比的产品;氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-07 13:48:33
50-W;直流 – 4.0 GHz;50V;氮化镓高电子迁移率晶体管Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款无与伦比的产品;氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-07 11:29:17
50-W;直流 – 4.0 GHz;50V;氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款无与伦比的产品;氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-07 11:25:21
15瓦;直流 - 6.0 GHz;50V;氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV27015S 是一款无与伦比的产品;专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率
2023-08-07 10:21:42
30-W;直流 – 6.0 GHz;28V;氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGH27030 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-03 17:06:31
30-W;直流 – 6.0 GHz;28V;氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGH27030 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-03 16:54:07
30-W;直流 – 6.0 GHz;28V;氮化镓高电子迁移率晶体管Wolfspeed 的 CGH27030 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT);高增益
2023-08-03 16:27:54
的制造商生产半导体(晶体管是该设备家族的成员),因此有数千种不同的类型。有低功率、中功率和高功率晶体管,用于高频和低频工作,用于非常高电流和/或高电压工作。本文概述了什么是晶体管、不同类型的晶体管
2023-08-02 12:26:53
该2通道混音器电路基于2n3904晶体管,该晶体管形成2个前置放大器。2通道混音器电路的第一个前置放大器具有高增益,可用于麦克风输入,第二个前置放大器可用于控制音频电平的输入。
这种双通道
2023-08-01 17:19:21
在半导体行业的最初几十年里,新的工艺节点只需缩小晶体管的物理尺寸并将更多晶体管塞到芯片上即可实现性能、功耗和面积增益,这称为经典缩放。集成电路工作得更好,因为电信号在每个晶体管之间传播的距离更短。
2023-07-16 15:47:43413 功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年,第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用,旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理论极限[1-2],而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性,可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能,有助消除死区时间且增加PWM频率,从而
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半导体的速度限制
2023-06-25 07:17:49
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半导体带来AC-DC适配器的革命(氮化镓)
2023-06-19 11:41:21
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
2C1A二合一氮化镓超极充、绿联140W 2C1A氮化镓充电器,英集芯的其它系列快充芯片已被小米、华为、三星等大品牌的产品使用,性能质量获得客户的高度认可。
输出VBUS开关管均来自威兆半导体
2023-06-16 14:05:50
通过SMT封装,GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
度为1.1 eV,而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度,耗尽区窄短,从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如,一个典型的650V横向氮化镓晶体管,可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
,以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。
因此,氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中,使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面,氮化镓还被用于蓝光激光技术(最明显
2023-06-15 15:50:54
的设计和集成度,已经被证明可以成为充当下一代功率半导体,其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计,如果全球采用硅芯片器件的数据中心,都升级为使用氮化镓功率芯片器件,那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,氮化镓充电器的充电器件运行速度,比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是,氮化镓相比传统的硅,可以在更小的器件空间内处理更大的电场,同时提供更快的开关速度。此外,氮化镓比硅基半导体器件,可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷(低电容)、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件,以及分立氮化镓的典型开关频率(65kHz)相比,集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。
更快:氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究,始于 2009 年左右的香港科技大学,但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产,则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
行业标准,成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键,是创造出接近“理想开关”的电路构件,即一个能将最小能量的数字信号,转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V
2023-06-15 14:17:56
晶体管是什么控制型器件 晶体管属于电流控制电流控制型器件。 晶体管是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等,有时特指双极型器件),具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种
2023-05-30 15:32:362177
场效应管是由多数载流子参与导电的半导体器件,也称为单极型晶体管。它是一种电压控制型半导体器件,具有噪声小、功耗低、开关速度快、不存在二次击穿问题,主要具有信号放大、电子开关、功率控制等功能,广泛应用
2023-05-26 14:24:29
摘要:栅极控制能力是决定氮化镓高电子迁移率晶体管性能的关键因素。然而在金属-氮化镓界面,金属和半导体的直接接触会导致界面缺陷和固定电荷,这会降低氮化镓高电子迁移率晶体管栅控能力。在本项研究中,二维
2023-05-25 16:11:29599 当今市场上有许多晶体管选择,它们将各种技术与不同的半导体材料相结合。因此,缩小哪一个最适合特定设计的范围可能会令人困惑。在这些选择中,GaN晶体管是,但是什么使它们与众不同呢?
2023-05-24 11:08:30665 晶体管是一种半导体器件,由三个掺杂不同的半导体材料组成,通常是n型半导体、p型半导体和n型半导体。晶体管具有体积小、重量轻、功耗低、可靠性高等优点,广泛应用于电子电路中的放大器、开关、振荡器等电路中。
2023-05-17 15:38:338341 晶体管是什么 晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能,晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:06:201131 NPT2020PT2020 是一款 48 V 硅基氮化镓晶体管,工作频率为 DC 至 3.5 GHz,功率为 50 W,增益为 17 dB。它采用陶瓷封装,面向军事和大批量商业市场。 
2023-04-14 15:39:35
有没有负触发导通正的晶体管呢?哪位大神知道请赐教。谢谢啦!
2023-03-31 11:47:46
我在设计 PCB 时犯了一个错误,我的一些晶体管在原理图上将集电极和发射极调换了。“正常”方式是有 1:基极,2:发射极,3:集电极,但我需要一个晶体管,1:基极,2:集电极,3:发射极。引脚号与此图像相关:你知道有这种封装的晶体管吗?我知道我可以将它倒置并旋转,但我想知道我是否可以正确使用一个。
2023-03-28 06:37:56
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