科锐推出封装型1700V碳化硅肖特基二极管C3Dxx170H

　　碳化硅(SiC)功率器件的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封装型二极管。在现有碳化硅肖特基二极管技术条件下，该系列二极管可提供业界最高的阻断电压。科锐1700V Z-Rec®肖特基二极管从根本上消除了硅PiN二极管替代品中存在的反向恢复损耗，能够使系统实现超高效率并且更小、更轻，同时提高了整体的可靠性。此次发布的全新封装产品采用1700V Z-Rec技术，进一步提升分立器件设计低功率应用的性能并且节约系统成本。

　　科锐功率与射频(RF)副总裁兼总经理 Cengiz Balkas 表示：“科锐1700V碳化硅肖特基二极管是高效电力电子系统的理想选择。它拥有业经验证的科锐Z-Rec碳化硅肖特基二极管的所有优势——包括零反向恢复损耗，不受温度影响的开关以及在更高频率下工作。”

　　1700V裸芯片已经提供给自主设计定制电源模组的客户进行使用。而新型TO-247-2封装能够使客户充分运用低功率1700V设计的碳化硅的优势，在选择电流级别时拥有更大的设计灵活性，并加快产品上市时间。

　　Balkas进一步指出：“1700V碳化硅肖特基二极管为高压电源应用领域的设计工程师提供了诸多优势。碳化硅二极管能够实现最大电源效率和更好的电磁干扰(EMI)性能。开关损耗的改善则能够提高系统频率，从而缩小电磁性和电容性器件的尺寸，并且能够使得系统整体尺寸、重量和成本都将显著减少。此外，1700V碳化硅二极管可以消除多个低电压硅二极管的叠加使用，从而能够减少器件数量，提高散热性能和可靠性。”

　　科锐C3Dxx170H新型碳化硅二极管系列的额定电流/电压分别为10A/1700V和25A/1700V，均采用业界标准的TO-247-2封装，工作结温为-55°C至+175°C。

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2023-07-25 10:21:52

C3D06060A是一款二极管

600 V、6 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比

2023-07-25 10:17:04

C3D06060F是一款二极管

600 V、6 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比

2023-07-25 10:14:55

C3D06060G是一款二极管

600 V、6 A、TO-263-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比

2023-07-25 10:12:16

C3D04060A是一款二极管

600 V、4 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比

2023-07-25 10:09:36

C3D04060F是一款二极管

600 V、4 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比

2023-07-25 10:07:08

C3D04060E是一款二极管

600 V、4 A、TO-252-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比

2023-07-25 09:51:09

C3D03060A是一款二极管

600 V、3 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比

2023-07-25 09:21:52

C3D03060F是一款二极管

600 V、3 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比

2023-07-25 09:18:50

C3D03060E是一款二极管

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2023-07-24 17:45:09

C3D02060A是一款二极管

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2023-07-24 17:42:41

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2023-07-24 17:37:00

C3D02060E是一款二极管

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2023-07-24 17:32:22

CSD01060A是一款二极管

600 V、1 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基

2023-07-24 17:29:42

CSD01060E是一款二极管

600 V、1 A、TO-252-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比

2023-07-24 17:23:06

AMEYA360：八英寸碳化硅成中外厂商必争之地！#碳化硅

碳化硅

jf_81091981发布于 2023-07-13 11:39:58

MSM06065G1碳化硅二极管，耐压650V 6A DFN5*6封装

深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1碳化硅二极管，耐压650V 6A DFN5*6封装，原装，库存现货热销美浦森推出的碳化硅二极管具有更高的过电压安全裕量，可提升全负载条件下

2023-07-05 16:00:20

MSM06065G1美浦森DFN5*6封装650V6A碳化硅二极管

深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1美浦森DFN5*6封装650V6A碳化硅二极管，原装，库存现货热销MSM06065G1 品牌：美浦森封装：DFN5*6

2023-07-05 15:54:11

MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二极管DFN5*6

深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二极管DFN5*6，原装，库存现货热销 MSM06065G1 品牌：美浦森封装：DFN5

2023-07-05 15:50:06

肖特基二极管介绍

二极管

YS YYDS发布于 2023-06-21 22:45:55

GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管可实现更快的开关瞬变

SiC JBS二极管提供卓越的功能，包括但不限于高温操作，高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能

2023-06-16 11:42:39

具有温度不变势垒高度和理想因数的GeneSiC 1200V SiC肖特基二极管

本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管，设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子

2023-06-16 06:15:24

碳化硅肖特基二极管的原理及应用

碳化硅肖特基二极管是一种基于碳化硅材料的半导体器件，具有高速、高温、高功率特性。其原理基于肖特基效应，即在金属与半导体接触处形成一个肖特基势垒，使得半导体中的载流子向金属一侧偏移，形成整流效应。

2023-06-07 17:10:34

800

碳化硅肖特基二极管的原理及应用

碳化硅肖特基二极管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一种高性能半导体器件，具有低开启电压、高速开关、高温性能等优点，广泛应用于电源、驱动、逆变器、电动汽车等领域。

2023-06-04 16:09:00

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碳化硅二极管是什么

碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性，因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点，广泛用于高功率、高频率、高温、高压等领域，如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。

2023-06-02 14:10:32

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