电子发烧友网站提供《具有过压保护和阻断场效应晶体管(FET) 控制的5V/12V 电子熔丝(eFuse) 数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-14 11:19:42
0 电子发烧友网站提供《具有电平位移&可调转换率控制的1.2V-8V，3A 聚合物薄膜场效应晶体管(PFET) 高侧负载开关数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-14 09:38:190 栅（Gate）是一种控制元件，通常用于场效应晶体管（FET）中，比如金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）等。
2024-03-13 11:41:42
222 
电子发烧友网站提供《汽车应用中用于高频CPU内核功率的同步降压场效应晶体管 (FET) 驱动器TPS51604-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 11:08:470 据麦姆斯咨询报道，德国弗劳恩霍夫光子微系统研究所（Fraunhofer IPMS）开发出一种用于芯片式pH值测量的传感层，并成功将其集成到离子敏感场效应晶体管（ISFET）中。
2024-03-11 09:34:31152 
场效应晶体管是一种常用的半导体器件，用于控制电流的流动。
2024-02-22 18:16:54829 IGBT，即绝缘栅双极晶体管，是一种高效能的半导体器件，它结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极结型晶体管（BJT）的特性。
2024-02-22 14:42:40395 
氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。 该板采用EPC EPC2218 100V FET和低静态电流、高频LTC7890双降压DC/DC同步控制器，
2024-02-22 13:43:55
？
再者在场效应管这种单极性导电半导体中，为什么只是有一种离子导电，而非两种离子，不像晶体管那种两种离子导电，请问这是为什么？同样对于场效应管也有上面的问题？
2024-02-21 21:39:24
场效应管，即场效应晶体管（简称FET），是一种电压控制型半导体器件。
2024-02-20 15:31:17514 
继电器通过通断线圈产生磁场来控制机械开关，实现对电路的控制。而场效应晶体管（MOS管）是一种基于半导体材料工作的场效应晶体管，通过栅极施加正负偏压来控制漏极与源极之间的通断状态。
2024-02-18 10:16:41545 
是设计成功的关键。 为了满足这些要求，开关模式电源系统的设计者需要从使用传统的硅 (Si) 基金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 转为使用其它器件，因为硅器件正在迅速接近其理论极限。 因此设计者需要考虑基于宽带隙 (WBG) 材料的器件，如
2024-02-13 17:34:00657 
在普通的晶体管中，电流由电子与空穴搬运，其“具有两种极性”，所以被称为双极性晶体管。与此相比，N沟道FET是由电子来搬运电流的，P沟道FET是由空穴来搬运电流的，因此也称之为单极晶体管。
2024-02-05 16:31:36667 
Qorvo最近发布了一款新的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品，这款产品专为电动汽车（EV）而设计，符合车规标准。
2024-02-01 10:22:29163 是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
电子发烧友网站提供《P沟道增强型场效应晶体管 CJ2301数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-19 13:39:580 CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
越大，而另一方面，漏源之间电压越大，沟道电阻也越大，两者相互作用，电流不随有很大的变化达到平衡。此时场效应管的功率随漏源之间电压降增大而增大，因为此时电流基本不变。
以上是我对晶体管和场效应管的理解，如有问题请指正。
2024-01-18 16:34:45
举例而言，一个结型场效应管，采用自偏置结构，即栅极和源极短接在一起源极也有一个电阻，在电源和漏极接一个负载，此时场效应管可以看做是一个互导放大器，压控电流源，请问此时这种电路的输入输出电阻应该怎么求
2024-01-15 18:06:15
氮化镓（GaN）MOS管，是一种基于氮化镓材料制造的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。由于氮化镓具有优异的电子迁移率、高电子饱和速度和较高的击穿电压能力，使得氮化镓MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:15362 与作为电流控制器件的双极晶体管不同，场效应晶体管是电压控制的。这使得FET电路的设计方式与双极晶体管电路的设计方式大不相同。
2024-01-09 15:38:40372 晶体管是电子学和逻辑电路中的基本构件，用于开关和放大。MOSFET是场效应晶体管(FET)的一种，其栅极通过使用绝缘层进行电隔离。因此，它也被称为IGFET(绝缘栅场效应晶体管)。
2023-12-29 09:58:11727 
场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件。根据导电沟道的类型，场效应晶体管可以分为N沟道和P沟道两种类型。本文将对N沟道和P沟道
2023-12-28 15:47:152269 
电子发烧友网站提供《SDA09T N沟道增强模式场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2023-12-26 10:19:430 电子发烧友网站提供《N沟道增强模式场效应晶体管SDA09T英文手册.pdf》资料免费下载
2023-12-26 10:14:520 电子发烧友网站提供《N沟道增强模式场效应晶体管SDA09T规格书.pdf》资料免费下载
2023-12-22 11:32:470 【科普小贴士】什么是结型场效应晶体管（JFET）
2023-12-13 14:36:44353 
【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
场效应晶体管栅极电流是多大 场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种基于电场控制的电子器件，常用于放大、开关和调制等电子电路中。在FET中，栅极电流是其关键特性
2023-12-08 10:27:08655 选择场效应晶体管的六大诀窍
2023-12-05 15:51:38165 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）或 IGFET（绝缘栅场效应晶体管）是一种场效应晶体管，它在栅极和主体之间利用绝缘体（如 SiO2）。如今，MOSFET 是数字和模拟电路中最常见的晶体管类型。
2023-12-04 15:11:15407 
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应
2023-11-24 16:54:18632 MOSFET由MOS(MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体)+FET(FieldEffectTransistor场效应晶体管)这个两个缩写组成。即通过给金属层(M-金属
2023-11-18 08:11:021311 
FET是场效应晶体管，它通过控制栅极电压来控制源极和漏极之间的电流，从而实现逻辑功能。
2023-11-17 17:21:34843 
JFET的全称为结型场效应晶体管，MOSFET的全称为金属氧化物半导体场效应晶体管。耗尽型MOSFET与JFET均属于电压控制型场效应晶体管（FET），场效应晶体管通过电场来控制导电沟道的电导率
2023-11-07 14:36:342283 美格纳半导体宣布推出微纳加工增强型第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET)。 这款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 根据专利摘要，该公开是关于半导体元件及其制造方法的。半导体器件包括电装效应晶体管。电场效应晶体管包括栅极、漏极、源极和氧化物半导体沟道。漏极和源极分别位于氧化物半导体通道的两端。
2023-10-11 14:23:08417 
场效应管(MOSFET)也叫场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件
2023-10-08 17:23:34559 
场效应晶体管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。它的主要特点是具有输入电阻高、噪声低、功耗低等优点。场效应晶体管的工作原理是基于电场效应，即在栅极和源极之间施加一个控制电压，使得沟道区域的载流子发生漂移，从而改变电流的导通状态。
2023-09-28 17:10:46799 在半导体器件的讲解中，场效应晶体管应该说最值得拿来详细介绍一番的。
2023-09-28 09:31:04946 
Nexperia(安世半导体)的高功率氮化镓场效应晶体管，共将分为(上)(下)两期，包含其工艺、性能优势、产品及封装等内容。本期将先介绍 Nexperia(安世半导体)氮化镓产品的成熟的工艺。
2023-09-25 08:19:00395 
的通信和工业基础设施等领域。氮化镓场效应晶体管能够以较低的系统成本，实现更小、更快、散热性能更优、更轻便的系统。
2023-09-25 08:17:54422 
MOS场效应晶体管(简称MOS管)是一种新型的半导体器件，图1是N沟导MOS管芯结构原理图，即在P型硅基片上有两个 N+扩散区，其中一个称源，用S表示，另一个称漏，用D表示，在D和S间的硅片上覆盖了较薄的8iO。绝缘层和金属层，并引出一电极，称栅，用G表示。应用中 D接正，8接地，G用正电源控制。
2023-09-19 11:06:05644 
绝缘栅双极晶体管也简称为IGBT ，是传统双极结型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET)的交叉体，使其成为理想的半导体开关器件。
2023-09-06 15:12:291490 
场效应管MOSFET是mos管吗？场效应管mos管的区别？场效应管和mos管有什么不一样的地方？ MOSFET和场效应管（FET）都属于半导体器件中的一种，类似晶体管。MOSFET是MOS（金属
2023-09-02 11:31:152542 晶体管和场效应管的区别 晶体管和场效应管是电子设备中常用的两种元器件，它们都是半导体器件，用于放大和控制电流的流动。虽然它们在某些方面可能有一些相似之处，但它们也有很多明显的不同点。下面将会详细
2023-08-25 15:29:343024 根据专利摘要，本申请提供集成电路技术领域，场效应晶体管，可以简化集成电路的制造过程，降低生产费用。集成电路由设置在基板和基板上的finfet组成。gaafet和/或forksheet fet;finfet包含第一个声道层。
2023-08-23 10:05:13793 
2000 年代初就已开始，但 GaN 晶体管仍处于起步阶段。 毫无疑问，它们将在未来十年内取代功率应用中的硅晶体管，但距离用于数据处理应用还很远。
Keep Tops氮化镓有什么好处？
氮化镓的出现
2023-08-21 17:06:18
场效应晶体管简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
2023-08-18 16:01:28591 
MOS FET基本概述 MOSFET由 MOS (Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)+ FET (Field Effect Transistor场效应晶体管
2023-08-16 09:22:213849 
Qorvo （UnitedSiC） 近宣布推出采用新型表面贴装 TOLL 封装的 750V/5.4mΩ SiC FET，扩大了公司的性能地位，并扩大了其突破性的第 4 代 SiC FET 产品组合
2023-08-07 14:47:17368 
区域组成：栅极、源极和漏极。与双极晶体管不同，FET 是电压控制器件。栅极处的电压控制电流从晶体管的源极流向漏极。场效应晶体管具有非常高的输入阻抗，从几兆欧 (MΩ) 到更大的电阻值。
这种高输入阻抗
2023-08-02 12:26:53
Transistors to Microfluidic Devices”的综述文章，回顾了集成传感器的主要研究进展，并重点介绍了场效应晶体管在化学和生化分析器件开发中的潜在应用。
2023-07-28 10:23:32227 
FET电流源是一种有源电路，它使用场效应晶体管为电路提供恒定量的电流。但是，为什么还要恒定电流呢？恒流源和吸电流（吸电流与电流源相反）是一种非常简单的方法，只需使用单个FET和电阻即可形成具有恒定电流值的偏置电路或基准电压源，例如100uA、1mA或20mA。
2023-07-17 15:52:502153 
鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。
2023-07-13 15:34:27410 
MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的简称，有时候我们也会简写成MOS。下面是一个典型的MOSFET结构。
2023-07-11 10:56:241285 
NP160N055TUKMOS场效应晶体管
2023-07-07 18:41:520 功率MOS场效应晶体管电参数指标中规定的电参数一般分为三大类：直流参数、交流参数和极限参数。
2023-07-05 14:57:19336 
我们将CPU简单看作场效应晶体管FET的集合。这么多个FET随着每一次的翻转都在消耗者能量。
2023-06-29 17:30:42935 
Oxide Semiconductor FET，简称MOSFET,1960年诞生）组成。 2 场效应管的分类及工作原理 场效应管是一种单极型晶体管，与双极型晶体管BJT都属于晶体管。 在双极型晶体管中
2023-06-29 09:21:342017 
管（ Meta Oxide Semiconductor FET，简称MOSFET,1960年诞生 ）组成。 2 场效应管的分类及工作原理 场效应管是一种单极型晶体管，与双极型晶体管BJT都属于晶体管。 在双极
2023-06-28 08:39:283644 
功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年，第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
度为1.1 eV，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如，一个典型的650V横向氮化镓晶体管，可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
，以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。
因此，氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面，氮化镓还被用于蓝光激光技术（最明显
2023-06-15 15:50:54
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化镓相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度。此外，氮化镓比硅基半导体器件，可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN™工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化镓 FET、氮化镓驱动器，逻辑和保护功能于单芯片中。该芯片被封装到行业标准的、低寄生电感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
供应后羿hy1908 80V/90A mos管，提供hy1908场效应晶体管参数 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-08 14:05:12
功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
MOSFET是金属－氧化物－半导体场效晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）
2023-05-26 17:23:471114 
FET是Field effect transistor的缩写，称为场效应管。它是晶体管的一种，也被称为单极晶体管。另一种晶体管是我们常说的双极晶体管。它们的工作原理完全不同。
2023-05-25 17:27:362957 
正常时阳值成为数下欧以值较小司围2.2 VMOS场效应品体管源极S、漏极D的判定 VMSO场效应晶体管的R和R的检测
2023-05-24 10:35:15229 
栅型场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
2023-05-20 15:19:12583 
场效应晶体管(Field Effect Transistor，简称FET)是一种半导体器件，它是一种基于电场效应的三极管。与普通的三极管相比，场效应晶体管的控制电流非常小，因此具有高输入阻抗和低噪声等优点。
2023-05-17 15:15:374157 
场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
2023-05-16 15:24:34847 场效应晶体管是电压控制元件，因此和普通双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点，这就决定了场效应晶体管与其它电子元件有异曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:041366 
场效应晶体管是依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻（简称场效应），使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。
2023-05-16 15:14:081508 
场效应晶体管是一种利用控制输入电路的电场效应来控制输出电路电流的半导体器件，并以此命名。因为它只依靠半导体中的多数载流子来导电，所以又称为单极晶体管。场效应晶体管英文是Field Effect Transistor，缩写为FET。
2023-05-16 15:02:23693 功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率
2023-05-01 18:36:131102 
共源双N沟道增强型场效应晶体管
2023-03-28 18:19:58
P-通道
增强模式
场效应晶体管
2023-03-28 18:19:26
场效应晶体管 2个N沟道 20V 6A
2023-03-28 17:23:57
P沟道增强型场效应晶体管
2023-03-28 15:17:35
N沟道MOS场效应晶体管
2023-03-28 14:33:20
N沟道增强型场效应晶体管
2023-03-28 14:32:55
N沟道增强型场效应晶体管
2023-03-28 14:32:55
双N沟道增强型场效应晶体管
2023-03-28 12:54:37
n通道增强模场效应晶体管
2023-03-28 12:54:03
N沟道增强型场效应晶体管
2023-03-28 12:52:42
N沟道增强型场效应晶体管
2023-03-28 12:52:41
P沟道增强型场效应晶体管
2023-03-28 12:52:41
P沟道增强型场效应晶体管
2023-03-28 12:52:22
N沟道增强型场效应晶体管
2023-03-28 12:45:09
N沟道增强型场效应晶体管
2023-03-24 15:07:16
P沟道增强型场效应晶体管
2023-03-24 13:56:30
每个晶体管的两个p-n结提供了电荷流动的电子能垒，而晶体管可以通过向沟道上方的栅极施加电压来导通。
2023-03-24 10:58:255426 场效应晶体管硅N通道结型
2023-03-24 10:04:49
场效应晶体管硅N沟道结型
2023-03-24 10:04:48
一、物料概述ESN4485是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的RDS（ON）。该装置适用于直流-直流转换、电源开关和充电电路。标准产品ESN4485不含
2023-03-23 18:08:46
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