以电阻系数标示电导率时，半导体的电阻系数介于10-4至108Ωcm区间，导体的电阻系数位于10-8至10-4Ωcm区间，绝缘体的电阻系数横跨108至1018Ωcm范围。
2024-03-19 11:33:03
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半导体开发出第一个单片式集成电路时，事情开始变得非常有趣了。看一看下面这张由计算机历史博物馆提供的照片，它展示了一些参与这一开创性工作的早期先驱（我们称其为八叛逆）。请注意，照片中的每个人都穿着夹克，打着
2024-03-13 16:52:37
蓉矽半导体近日宣布，其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽半导体在功率半导体领域的技术实力，也进一步证明了其产品在新能源汽车、光伏逆变等高端应用领域的强大竞争力。
2024-03-12 11:06:30228 想问一下，半导体设备需要用到温度传感器的有那些设备，比如探针台有没有用到，具体要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
2023年，东芝半导体的功率器件销售额估计约为1000亿日元，其中35%用于汽车市场，20%用于工业市场。
2024-03-04 18:10:33301 意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
只有体单晶材料难以满足日益发展的各种半导体器件制作的需要。因此，1959年末开发了薄层单晶材料生长技外延生长。那外延技术到底对材料的进步有了什么具体的帮助呢？
2024-02-23 11:43:59300 
MOSFET，全称为Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种半导体器件。这种晶体管利用控制输入回路
2024-02-19 16:38:061952 
引言：EV和充电桩将成为IGBT和MOSFET最大单一产业链市场！EV中的电机控制系统、引擎控制系统、车身控制系统均需使用大量的半导体功率器件，它的普及为汽车功率半导体市场打开了增长的窗口。充电
2024-02-19 12:28:04191 
在现代电子设备中，金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）是一种至关重要的半导体器件。
2024-02-18 16:39:121010 
服务范围MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块。检测标准l AEC-Q101分立器件认证l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
AEC-Q101认证试验广电计量在SiC第三代半导体器件的AEC-Q认证上具有丰富的实战经验，为您提供专业可靠的AEC-Q101认证服务，同时，我们也开展了间歇工作寿命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
德国维尔茨堡—德累斯顿卓越集群ct.qmat团队的理论和实验物理学家开发出一种由铝镓砷制成的半导体器件。
2024-01-24 09:48:33172 半导体放电管是一种采用半导体工艺制成的PNPN结四层结构器件，其伏安特性与晶闸管类似，具有典型的开关特性。当浪涌电压超过转折的电压VBO时，器件被导通，这时它呈现一般PN结二极管的正向电压降（VF
2024-01-04 16:52:07
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361219 “时间就是金钱”这句话在半导体器件的生产测试中尤为贴切。
2023-12-25 17:21:03285 
派恩杰半导体专注第三代半导体功率器件领域，产品涵盖碳化硅MOSFET、碳化硅SBD以及氮化镓HEMT等多个方向。始创于2018年，公司拥有国内最为全面的碳化硅功率器件产品。
2023-12-18 14:38:17447 MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管) 和 IGBT (绝缘栅双极晶体管) 是两种常见的功率半导体器件。它们在不同的应用场景中具有不同的特点和优势。本文将对MOSFET和IGBT进行详尽
2023-12-15 15:25:35366 12月14日，第三代半导体行家极光奖在深圳重磅揭晓，派恩杰半导体荣膺“中国SiC器件Fabless十强企业”称号。
2023-12-15 10:57:45466 半导体是我们生活中使用的电器里比较常用的一种器件，那么你对半导体有多少了解呢？今天我们就从最基础的半导体功率器件入手，全面了解半导体的“前世今生”。
2023-12-14 09:25:09451 【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
根据不同的诱因，常见的对半导体器件的静态损坏可分为人体，机器设备和半导体器件这三种。
当静电与设备导线的主体接触时，设备由于放电而发生充电，设备接地，放电电流将立即流过电路，导致静电击穿。外部物体
2023-12-12 17:18:54
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 
功率半导体冷知识：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-05 10:33:32177 ，如功率二极管、功率晶体管、功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）等。它们主要在电源、变频器、电机驱动等功率电子领域中使用。 集成电路是将大量电子器件（如晶体管、电阻、电容等）集成在单个芯片上，形成一个完整的
2023-12-04 17:00:57682 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 、晶闸管等等，主要用于工业和电力系统（正因如此，早期才被称为电力电子器件）后来，随着以功率MOSFET器件为代表的新型功率半导体器件的迅速发展，现在功率半导体器件已经非常广泛，在计算机、通行、消费
2023-12-03 16:33:191134 
三菱电机公司宣布将与Nexperia B.V.结成战略合作伙伴关系，共同为电力电子市场开发硅碳（SiC）功率半导体。三菱电机将利用其广带隙半导体技术开发和供应SiC MOSFET芯片，这些芯片将用于Nexperia开发SiC分立器件。
2023-11-30 16:14:09165 
按施敏教授的观点，半导体器件有四个最基本的结构单元：金半接触、PN结、异质结、MOS结构。所有的半导体器件都可以看作是这四种基本结构的组合，比如BJT由两个背靠背的PN结构成，MOSFET由MOS结构和两对PN结构成。
2023-11-30 15:56:171033 
电力半导体器件是进行电力变换和控制的大功率器件。 可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。主要用于整流器、逆变器、斩波器、交流调压器等方面，广泛用于工农业生产、国防、交通等各个领域。
2023-11-28 09:54:16398 
全球知名半导体制造商罗姆（ROHM）开发出一款高输出功率半导体激光二极管RLD90QZW3，非常适用于搭载测距和空间识别用LiDAR的工业设备领域的AGV（无人搬运车）和服务机器人、消费电子设备领域的扫地机器人等应用。
2023-11-28 09:03:32309 
2023年11月，日本三菱电机、安世半导体（Nexperia）宣布，将联合开发高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立产品功率半导体。
2023-11-25 16:50:53451 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极性三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
2023-11-24 15:51:59682 
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项
2023-11-23 17:38:36472 
半导体分立器件是电子元器件中的重要组成部分，它们在电子设备中发挥着重要的作用。本文将介绍半导体分立器件的基本概念、分类、应用和发展趋势。
2023-11-23 10:12:56792 
11月13日， 三菱电机株式会社（TOKYO：6503）宣布，将与Nexperia B.V.建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅（SiC）功率半导体。三菱电机将利用其宽禁带半导体技术开发和供应SiC MOSFET芯片，Nexperia将用于开发SiC分立器件。
2023-11-14 10:34:33456 在电子工程和微电子技术的世界里，半导体器件建模是一个核心概念。它涉及对半导体器件如晶体管、二极管等的电气行为进行数学和物理描述。这一过程对于设计高效、可靠的电子设备至关重要。本文旨在深入探讨半导体器件建模的概念、其重要性以及在现代技术中的应用。
2023-11-13 10:48:27515 
半导体材料是制作半导体器件与集成电路的基础电子材料。随着技术的发展以及市场要求的不断提高，对于半导体材料的要求也越来越高。因此对于半导体材料的测试要求和准确性也随之提高，防止由于其缺陷和特性而影响半导体器件的性能。
2023-11-10 16:02:30690 电子电力器件又称为功率半导体器件，在世界上已经得到了极为广泛的运用，主要是作为开关和放大器来使用。它出现在社会生活中的各个方面，如医疗、教育、能源、环境和航空航天，甚至涉及到了现代化国防武器装备
2023-11-10 10:15:031964 
一、功率器件在半导体产业中的位置功率半导体器件，简称功率器件，又称电力电子器件，属于半导体产品中的分立器件。功率集成电路也就是如下图的【功率IC】，典型产品有【电源管理芯片】和【各类驱动芯片
2023-11-08 17:10:15822 
对于半导体器件而言热阻是一个非常重要的参数和指标，是影响半导体性能和稳定性的重要因素。如果热阻过大，那么半导体器件的热量就无法及时散出，导致半导体器件温度过高，造成器件性能下降，甚至损坏器件。因此，半导体热阻测试是必不可少的，纳米软件将带你了解热阻测试的方法。
2023-11-08 16:15:28686 
半导体材料。 宽禁带半导体材料适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件，正在成为固态光源和电力电子、微波射频器件的重要材料，在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域具有广阔的应用前景。 宽
2023-11-03 12:10:02273 
半导体是我们生活中使用的电器里比较常用的一种器件，那么你对半导体有多少了解呢？今天我们就从最基础的半导体功率器件入手，全面了解半导体的“前世今生”。
2023-11-02 10:29:34807 电力电子器件(Power Electronic Device)，又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上)电子器件。可以分为半控型器件
2023-10-28 10:02:11304 
如今，半导体元器件已成为电子应用中不可或缺的一部分。半导体元器件的需求主要受生命周期较短的消费电子影响。
2023-10-24 16:43:51604 MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中，栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121367 功率半导体器件与普通半导体器件的区别在于，其在设计的时候，需要多一块区域，来承担外加的电压，如图5所示，300V器件[1]的“N-drift”区域就是额外承担高压的部分。与没有“N-drift”区的普通半导体器件[2]相比，明显尺寸更大，这也是功率半导体器件的有点之一。
2023-10-18 11:16:21878 
一 F-200A-60V 半导体器件测试机专为以下测试需求研制： 二 技术参数
2023-10-12 15:38:30
英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
SiC器件是一种新型的硅基MOSFET，特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。
在众多的半导体器件中，碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29342 
本文档的主要内容详细介绍的是半导体芯片的制作和半导体芯片封装的详细资料概述
2023-09-26 08:09:42
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管是一种广泛用于电子设备中开关和放大电子信号的半导体器件。
MOSFET 是一种四端子器件，具有源极 (S)、栅极 (G)、漏极 (D) 和体 (B) 端子。MOSFET 的主体经常连接到源极端子，因此使其成为类似于场效应晶体管的三端器件。
2023-09-20 15:09:28791 
在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及在设计应用中注意事项。
2023-09-19 11:44:382578 半导体是我们生活中使用的电器里比较常用的一种器件，那么你对半导体有多少了解呢？今天我们就从最基础的半导体功率器件入手，全面了解半导体的“前世今生”。
2023-09-15 09:49:25889 半导体器件高低温试验箱具有自动演算的功能，可将温湿度变化条件立即修正，使温湿度控制更为准确稳定，控制器操作界面设中英文可供选择，实时运转曲线图可由屏幕显示，具有100组程式、每组100段、每段可循
2023-09-12 11:49:27
安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规认证的全部测试。
2023-09-06 17:48:45474 近日，意法半导体与知名汽车Tier 1制造商博格华纳达成了一项重要战略合作协议。该协议旨在提供高性能碳化硅MOSFET器件，以升级博格华纳的车规功率模块。
2023-09-06 10:07:01140 调查结果显示，SiC、GaN（氮化镓）等宽带隙半导体单晶主要用于功率半导体器件，市场正在稳步扩大。
2023-09-04 15:13:24364 
半导体器件中性能最好的是什么? 半导体器件是现代电子技术中最为重要的组成部分之一，是连接芯片和外部电路的中间介质。通常，半导体器件的性能被评价的标准是：最大电压、最大电流、最高工作频率、响应速度
2023-08-29 16:19:29539 ，减少人力资源消耗，为半导体行业降本增效。Novator系列全自动影像仪创新推出的飞拍测量、图像拼接、环光独立升降、图像匹配、无接触3D扫描成像等功能，多方面满足客户测量需求，解决各行业尺寸测量难题。
2023-08-21 13:38:06
先楫半导体使用上怎么样？
2023-08-08 14:56:29
在电子工业的历史中，硅(Si)已经稳定地成为半导体元器件的首选材料。从普通的晶体管到今天高度集成的芯片，硅都起到了不可替代的作用。但为什么在众多元素和化合物中，人们会选择硅作为制造半导体元器件的主要材料呢？本文将深入探讨硅背后的秘密和它在半导体领域中的无与伦比的地位。
2023-08-08 10:12:354874 
随着半导体工艺技术的发展，芯片集成度不断提高，封装尺寸越来越小，半导体器件面临着更高的热应力挑战。结温过高不仅降低了器件的电气性能，而且增加了金属迁移率和其他退化变化，从而导致芯片老化加速、故障率
2023-08-07 15:18:381962 
列。 公司汽车电子事业部总监李海锋应邀在会上作了《汽车电气化中国产半导体的机遇和挑战》主题演讲。 士兰微电子功率器件中，MOSFET、IGBT大功率模块（PIM）、肖特基管、稳压管、开关管、TVS管等产品的增长较快，公司的超
2023-08-07 11:34:091676 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料，是半导体工业的基础。利用半导体材料制作的各种各样的半导体器件和集成电路，促进了现代信息社会的飞速发展。
2023-08-07 10:22:031978 
MOSFET，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一种常见的电子器件。它是一种半导体器件
2023-08-04 15:24:152047 功率半导体包括功率半导体分立器件（含模块）以及功率 IC 等。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、晶闸管和晶体管等。
2023-07-26 09:31:035043 
半导体功率器件在全球半导体市场中占有重要的位置，其在新能源、工业控制、汽车电子等领域的应用越来越广泛。然而，中国的半导体功率器件产业与全球领先的半导体产业国家相比，还存在一定的差距。本文将探讨中国的半导体功率器件产业的现状，与国际先进水平的差距以及未来的发展潜力。
2023-07-19 10:31:11603 
N6003NZ 数据表
2023-07-14 10:46:03
0 N6508NZ 数据手冊
2023-07-14 09:29:470 技术。 三安半导体专注于碳化硅、氮化镓功率半导体的研发和制造，展会现场展示了最新的产品系列，包括SiC MOSFET、SiC Schottky二极管和GaN HEMT等关键器件，其中自主开发的SiC MOSFET产品和工艺平台备受瞩目。凭借卓越的品质和先进的制造工艺，三安半导体赢得了全球
2023-07-12 21:39:14428 
2305NZ 数据表
2023-07-10 18:45:400 在现今电力电子领域，高压（HV）分立功率半导体器件变得越来越重要，Littelfuse提供广泛的分立HV硅(Si)MOSFET产品系列以满足发展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483 
及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业，主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模块、IGBT、二极管
2023-07-06 16:45:02520 
研发及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业，主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模块、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
据蓝色空港消息，先进半导体制造项目主要从事第三代半导体功率器件的设计、研发、制造、功率器件clip先进工程包装、电力驱动产品应用方案的开发和销售。该项目总投资8亿元，分三期建设，一期投资2亿元，计划建设6条clip先进包装生产线。
2023-06-27 10:31:18602 公司团队由来自国内外知名半导体企业的成员组成，公司拥有经验丰富且具有创新能力的国际型人才队伍，团队核心成员从事半导体功率器件设计和工艺开发20余年，拥有业界领先的模组及芯片设计研发水平及完善的工艺。
2023-06-25 16:41:55337 
氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术，可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么，为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解？事实又是怎样的呢？
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布扩充 NextPower 80/100 V MOSFET 产品组合的封装系列。此前该产品组合仅提供 LFPAK56E 封装
2023-06-21 10:34:32562 （VLSI）设备采用的设计方式有极大的不同，它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了MOSFET的器件原理图，传输特性和器件符号。双极结型晶体管（BJT)自身的局限性驱动了功率
2023-06-17 14:24:52591 
广，不管是在居民区、商业区或是高速公路服务区，都能使用充电桩为新能源电动汽车便捷充电。安森德凭借在半导体功率器件和封装领域的技术积累，研发出同类别性能优异的超级结MOSFET，具备更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37
兰奈梅亨--(美国商业资讯)--Nexperia(安世半导体)，分立器件、逻辑器件和 MOSFET 器件的全球领导者，今日宣布其已采用 Trench 11 技术实现具有史上最低导通阻抗
2023-06-08 13:57:21441 分立器件行业概况
半导体分立器件是半导体产业的基础及核心领域之一，其具有应用领域广阔、高成品率、特殊器件不可替代等特性。
从市场需求看，分立器件受益于物联网、可穿戴设备、智能家居、健康护理、安防电子
2023-05-26 14:24:29
功率半导体分立器件的应用十分广泛，几乎覆盖了所有的电子制造业，传统应用领域包括消费电子、网络通信、工业电机等。近年来，新能源汽车及充电系统、轨道交通、智能电网、新能源发电、航空航天及武器装备等也逐渐成为了功率半导体分立器件的新兴应用领域。
2023-05-26 09:51:40573 半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。IGBT全称是绝缘栅极
2023-05-18 09:51:583446 
二极管半导体器件的应用和参数对比NO.1二极管种类区别按操作特性进行比较：器件结构说明对比：肖特基二极管由金属与半导体结结形成。在电气方面，它由多数载波进行，具有较低的电流泄漏和正向偏置电压(VF
2023-05-11 10:11:45221 
据统计，IGBT、MOS管、电源管理IC等在储能逆变器里占比高、数量多，是必不可少的半导体器件。
2023-05-08 15:46:30862 
ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
意法半导体（ST）宣布与采埃孚科技集团公司(ZF)签署碳化硅器件长期供应协议。从 2025 年起，采埃孚将从意法半导体采购碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 及前瞻产业研究院数据，预计2021年我国半导体分立器件市场规模将达到3,229亿元。就国内市场而言，二极管、三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而MOSFET、IGBT等分立器件产品由于其
2023-04-14 16:00:28
及前瞻产业研究院数据，预计2021年我国半导体分立器件市场规模将达到3,229亿元。就国内市场而言，二极管、三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而MOSFET、IGBT等分立器件产品由于其
2023-04-14 13:46:39
评估，以改善动态特性和可靠性，并开发有助于实现碳中和的更具吸引力的高性能功率半导体器件。新研发的格子花纹嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意图1,2kV级SiC MOSFET特性对比
2023-04-11 15:29:18
N6004NZ 数据手册
2023-04-03 19:41:210 N6508NZ 数据手冊
2023-03-31 19:19:320 N6506NZ 数据手冊
2023-03-31 19:19:150 N6508NZ 数据表
2023-03-31 19:18:370 半导体分立器件是由单个半导体晶体管构成的具有独立、完整功能的器件。例如：二极管、三极管、双极型功率晶体管(GTR)、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管(结型场效应晶体管、MOSFET)、IGBT
2023-03-28 13:10:04457
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