.pdf 一、产品概述 RAA223010集成了700V MOSFET，能够提供高达10W的输出功率，支持低至3.3V的输出电压。它结合了重载时的恒定
2025-12-29 15:40:06
66 该系列产品还配备了内置保护，包括DESAT保护、输入UVLO和OTP，能够进一步确保设备的稳健性和系统安全性。产品性能· 集成700V，22mΩ~59mΩ E-Mode GaN和高精度栅极钳位
2025-12-24 16:50:10
0 国硅集成代理商提供700V大电流、高低侧栅极驱动芯片NSG2184
2025-12-19 16:49:10
英飞凌双栅极MOSFET 80V 48V开关板：技术解析与应用前景 在现代电力电子领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是不可或缺的关键元件。英飞凌推出的双栅极MOSFET
2025-12-19 15:20:03225 XDP™ XDP700 - 002：MOSFET 适配器板设置指南 作为电子工程师，在进行硬件设计开发时，对各类评估板和适配器板的了解与使用至关重要。今天就来详细介绍一下 Infineon
2025-12-19 09:55:16138 DK8045是一款高度集成了700V/330mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片。DK8045检测功率管漏极电压 V D， 当 V D 达到其最低值时开启功率管，从而减小
2025-12-17 09:04:571 威兆半导体推出的VSD950N70HS是一款面向700V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装，适配高压电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型
2025-12-12 15:59:34330 
力，它的 “兼容性” 也拉满！支持降压、升压、升降压三种拓扑结构，外围电路设计简洁，能适配 6.575V 宽输入电压，不管是家居吸顶灯还是商业照明设备，都能轻松集成。
多种调光模式更是贴心：PWM
2025-12-12 10:02:12
今日，南芯科技（证券代码：688484）宣布推出 700V 高压 GaN 半桥功率芯片 SC3610，可实现高精度电压驱动、更优的通道延时匹配和更好的 EMI 性能。SC3610 特别适用于高频软
2025-11-28 17:49:371531 合粤车规电容具备700V高压耐受能力，可适配车载OBC充电器主电路，其核心优势在于耐高压设计、低ESR特性、长寿命及高可靠性，能够满足高压快充场景下的严苛需求。 以下从技术适配性、应用场景、性能优势
2025-11-28 14:07:11182 安森美 NCP402045集成驱动器/MOSFET在单一封装中集成了MOSFET驱动器、高侧MOSFET、 和低侧MOSFET。该元件优化用于大电流直流-直流降压电源转换应用。该器件具有快速开关
2025-11-24 11:49:35416 
仁懋电子（MOT）推出的MOT3712G是一款P沟道增强型功率MOSFET，凭借-30V耐压、低导通电阻及高电流承载能力，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道
2025-11-21 10:31:06233 
，保障拍摄过程中电源输出无波动。
芯片内置18V/0.2Ω 功率 MOSFET，其 PWM 控制电路可提升电源系统效率，满足摄像头工作时的功耗优化需求；内部补偿网络能优化外部最多 9 个组件，有效精简
2025-11-13 16:02:51
仁懋电子（MOT）推出的MOT10N70F是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS等领域
2025-11-12 14:15:44277 仁懋电子（MOT）推出的MOT7N70F是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、100%雪崩测试验证及700V耐压，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS
2025-11-12 09:34:45197 仁懋电子（MOT）推出的MOT70R380D是一款N沟道超级结功率MOSFET，凭借700V耐压、低导通电阻及高频开关特性，适用于功率因数校正（PFC）、电源功率级、适配器、电机控制、DC-DC
2025-11-10 15:42:30277 仁懋电子（MOT）推出的MOT70R280D是一款N沟道超级结功率MOSFET，凭借700V耐压、超低导通电阻及高频开关特性，适用于功率因数校正、开关模式电源、不间断电源等领域。一、产品基本信息器件
2025-11-07 10:54:01164 仁懋电子（MOT）推出的MOT12N70F是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS等领域
2025-11-07 10:31:03211 仁懋电子（MOT）推出的MOT4N70D是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-11-06 16:12:24294 SS8102驱动芯片下面案例设计应用功率在700W左右，同步整流管使用4颗耐压100V功率MOSFET，IC工作频率为客户定制在210K左右，实际应用可以利用Toff引脚的阻容参数对频率进行调整
2025-11-06 09:40:46240 
仁懋电子（MOT）推出的MOT70R280D是一款基于超级结技术的N沟道功率MOSFET，凭借700V级耐压、超低导通损耗及高鲁棒性，广泛适用于功率因数校正（PFC）、开关模式电源（SMPS
2025-10-31 17:31:08179 仁懋电子（MOT）推出的MOT4N70C是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借700V耐压、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-10-28 17:48:45783 仁懋电子（MOT）推出的MOT7N70D是一款面向高压开关场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借700V耐压、低导通损耗及高速开关特性，广泛适用于高效开关电源、电子镇流器、LED电源等领域。以下从
2025-10-27 17:19:00190 深圳市三佛科技有限公司 介绍KP32512SGA 输出12V非隔离PWM控制功率开关芯片
KP3251X系列KP32512SGA是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场
2025-10-22 15:20:45
H7311A是一款集成PWM调光的线性降压型LED恒流驱动器，其核心优势在于极简外围电路与宽范围电流调节能力。
核心功能与性能
极简电路设计：仅需外接一枚电阻，即可搭建完整的LED恒流驱动系统，通过
2025-10-22 09:48:21
UCC2773x 是一款 700V 半桥栅极驱动器，具有 3.5A 源电流和 4A 灌电流能力，适用于驱动功率 MOSFET 和 IGBT。该器件由一个接地基准通道 （LO） 和一个浮动通道 （HO
2025-10-10 15:05:041377 
UCC2773x-Q1 是一款 700V 半桥栅极驱动器，具有 3.5A 源电流和 4A 灌电流能力，旨在驱动功率 MOSFET 和 IGBT。该器件由一个接地基准通道 （LO） 和一个浮动通道
2025-10-10 14:58:35463 
平方米的大型智能制造园区，并在浙江温州拥有总部基地，全球布局完善。正是依托如此深厚的底蕴与强大的制造实力，嘉泰激光重磅发布了年度颠覆性新品——精钻系列超精微高速激光切
2025-09-18 09:48:05628 
隔离拓扑，需注意热设计）。
拓扑结构
非隔离Buck降压 ：需配合整流桥和滤波电容，简化设计但无隔离保护。
内置高压MOSFET ：集成700V耐压开关管，减少外围元件数量。
保护功能
过流保护
2025-09-12 09:37:00
SLM6240CB-13GTR一款固定频率、电流模式控制的PWM升压型DC-DC转换器，集成内部功率MOSFET。其输入电压范围覆盖2.7V至5.5V，可提供高达24V的输出电压和4A的峰值开关电流
2025-09-10 08:21:16
2.6V5V，高电位部分进入 IC 后一律会被处理为 2.5V，IC 最后再把讯号处理为DC电压去做调控，PWM 占空比(Duty)与输出电流百分比(ILED(%))换算式如下：
三、H5228的市场
2025-09-06 10:33:03
NSG21867国硅集成700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片 一、产品概述NSG21867是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道
2025-09-04 15:20:36
)。板载1080P/60FPS高清摄像头，可外接显示屏和1080 P高清MI显示器。尺寸只有名片大小，方便部署到各类人工智能视觉应用场景。
活动详情地址：【RISC-V专题】嘉楠科技01 Studio
2025-09-03 10:30:07
Texas Instruments INA700 I^2^C输出数字功率监控器具有集成分流电阻器和16位Δ-Σ模数转换器，设计用于电流检测应用。该器件可测量在-0.3V至+40V共模电压范围内的上下
2025-08-18 10:49:16835 
LD5780是一款电流型PWM控制器，具有可配置的参数和功能，专为高频非对称半桥（AHB）反激变换器而设计。该控制器实现700V启动电路，连同交流棕色输入/输出，X-CAP放电，显着减少外部组件计数
2025-08-15 11:24:596 、电感参数影响；内部集成环路补偿，进一步简化外围电路，提升可靠性。
PWM 端口支持超小占空比调光，可响应小于 60ns 的脉宽波形：高电平时芯片正常工作，低电平时输出关闭。
封装规格：采用 SOP-8 封装。
2025-08-11 17:42:42
电子发烧友网为你提供()6 通道 LED 背光驱动器，集成升压和高频直接 PWM 调光相关产品参数、数据手册，更有6 通道 LED 背光驱动器，集成升压和高频直接 PWM 调光的引脚图、接线图、封装
2025-07-28 18:33:28
电子发烧友网为你提供()4 通道 LED 背光驱动器，具有集成升压和高频直接 PWM 调光相关产品参数、数据手册，更有4 通道 LED 背光驱动器，具有集成升压和高频直接 PWM 调光的引脚图
2025-07-25 18:31:28
01概述 产品特点：GP8101C将0%-100%占空比的PWM信号输入，线性转换成0-10V的模拟电压输出；输入信号范围：0-100%，可接收PWM频率：50Hz-50KHz（小于
2025-07-24 11:32:13901 
该TPS54350是一款中等输出电流
同步降压PWM转换器，集成了高侧MOSFET和用于可选低侧外部MOSFET的栅极驱动器。特点包括高性能电压误差放大器，可在瞬态条件下实现最佳性能，并可灵活选择
2025-07-22 11:35:57511 
TPS5435x 是一款中等输出电流同步降压 PWM 转换器，具有集成的高侧 MOSFET 和用于可选低侧外部 MOSFET 的栅极驱动器。特性包括一个高性能电压误差放大器，可在瞬态条件下实现最大
2025-07-18 16:13:15574 
、电感参数影响；内部集成环路补偿，进一步简化外围电路，提升可靠性。
PWM 端口支持超小占空比调光，可响应小于 60ns 的脉宽波形：高电平时芯片正常工作，低电平时输出关闭。封装规格：采用 SOP-8 封装。
2025-07-17 16:01:22
设计，符合 GB 和 RoHS 环保要求，具备 aR 或 gR 操作类别，能够为半导体设备提供有效的保护。该产品额定电压为 700V AC/DC，额定电流范围覆盖
2025-07-17 14:12:34
近期，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商——瞻芯电子开发的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET产品，凭借优秀的性能与品质赢得多家重要客户订单，已量产交付近200万颗，为应用系统提供高效、可靠的解决方案。
2025-07-16 14:08:231043 
MOSFET、精确的 1% 0.6V 基准和集成升压开关。具有竞争力的功能示例包括：1.5V 至 15V 宽转换输入电压范围、极少的外部组件数量、用于超快速瞬态的 D-CAP™ 模式控制、自动跳跃模式作、内部软启动控制、可选频率，并且无需补偿。
2025-07-09 10:56:24840 
在工业电源、汽车电子和新能源领域，宽输入电压范围与高集成度是电源芯片的核心竞争力。SL9486A作为一款支持5-100V输入的同步降压转换器，集成了3.5A开关电流限制能力，为工程师提供了高可靠性
2025-07-08 16:17:07
个 7.5mΩ 集成 MOSFET、精确 1%、0.6V 基准和集成 MOSFET 升压开关。竞争特征的示例包括：大于 96% 最高效率，3 V 至 15 V 宽输入电压范围，极低 外部元件数量，用于
2025-07-07 14:56:24560 
MOSFET、精确的 1%、0.6V 基准电压源和集成升压开关。具有竞争力的功能示例包括：1.5 V 至 15 V 的转换输入电压范围、极低的外部元件数量、用于超快速瞬态的 D-CAP™ 模式控制、自动跳跃模式作、内部软启动控制、可选频率，并且无需补偿。
2025-07-07 09:50:24707 
)
AD30P48D3: 30V/P/PDFN3*3/5.7mohm Typ.(VGS=-10V)
◆PWM用MOSFET
AD30N75D5: 30V/N/PDFN5*6/3.2mohm Typ.
2025-07-04 11:37:54
特性、工作原理及其典型应用，以满足各类电子设计工程师的需求。
一、产品概述SL3037B是一款内置功率MOSFET的单片降压型转换器，具有宽输入电压范围（5.5-60V）和高达0.6A的峰值输出电流
2025-07-03 16:43:05
TPS54519 器件是一款功能齐全的 6 V、5 A 同步降压电流模式转换器，带有两个集成 MOSFET。
该 TPS54519 通过集成 MOSFET 实现小型设计，实施电流模式控制以减少
2025-07-03 16:37:50746 
)
K230
(kendryte.com)
参考上一篇文章：
【嘉楠堪智K230开发板试用体验】+开箱测评+通电及点灯 - RISC-V技术论坛 - 电子技术论坛 - 广受欢迎的专业电子论
2025-07-01 23:03:55
TPS5432 是一款集成 MOSFET 的 6V、3A、低 Iq、电流模式、同步单片降压转换器。该TPS5432通过集成 MOSFET、实现电流模式控制以减少外部元件数量、将电感器尺寸减小 700kHz 开关频率来实现小型设计。带有外露导热垫的 SOIC-8 封装提供热增强型解决方案且易于使用。
2025-07-01 17:22:37652 
在无刷直流（BLDC）电机的控制系统中，6路PWM信号精准控制上下桥MOSFET的开关是核心。你是否注意到，驱动IC对PWM高低电平有效性的配置，经历了从“上高下低”到“上高下高”的显著转变？这背后
2025-07-01 14:46:494556 
1、引言
感谢电子发烧友论坛给与的试用测评机会，感谢嘉楠科技提供的01 科技(01Studio)CanMV K230 AI开发板 ，让我有机会去学习采用全新的多异构单元加速计算架构的K230 系列
2025-06-28 22:27:27
集成了 650V 高压 MOSFET，高压启动电路，⽀持 CCM 和 DCM 工作模式。重载下芯片工作于 65kHz 固定开关频率，中等负载时由 FB 反馈电压信
2025-06-27 09:30:181 OB2365A是一款高度集成的电流模式PWM控制IC，专为高性能，低待机功率和低成本的离线反激变换器应用而优化。在正常负载状态下，在高线输入电压下以QR模式工作。为了最小化开关损耗，QR模式的最大
2025-06-25 17:35:541 UCC28910 和 UCC28911 是高压反激式开关，可提供 输出电压和电流调节，无需使用光耦合器。 这两个器件都集成了一个 700 V 功率 FET 和一个控制器，该控制器将 从反激式辅助绕组
2025-06-25 14:24:24726 
场景稳定工作
死区时间控制复杂
硬件互锁+自动死区插入
避免MCU死区计算错误导致直通
典型应用场景
•功率 MOSFET 驱动器
•电机驱动应用，家电
•照明，LED 电源
•感应加热
•DC-AC 转换器
#KP85302 #KP85302SGA #半桥驱动IC #自举二极管集成
2025-06-25 08:34:07
UCC28910 和 UCC28911 是高压反激式开关，可提供 输出电压和电流调节，无需使用光耦合器。 这两个器件都集成了一个 700 V 功率 FET 和一个控制器，该控制器将 从反激式辅助绕组
2025-06-23 14:46:08778 
该UCC28881将控制器和一个 14 Ω、700V 功率 MOSFET 集成到一个单片器件中。该器件还集成了一个高压电流源，可以直接从整流的电源电压启动和运行。UCC28881 是同一
2025-06-20 16:04:27696 
的动态响应，
SOP8 封装，内置 700V 高压功率开关，可靠性高，
具有欠压锁定、过压、过温、过流、输出短路保护等功能，
FT8451X是一款高性能、高精度、低成本的非隔离PWM功率开关。它包含一
2025-06-18 11:02:18
概述LP8728ML 是一款适合于副边控制反激应用的PWM 控制器，集成 700V 高压 MOSFET。PWM 工作状态时，采用峰值电流控制模式，并且在中载以下开始降低频率以提升平均效率，在轻载或者
2025-06-17 15:17:32
间短(典型 50ms)，优越的动态响应SOP8 封装，内置 700V 高压功率开关管，可靠性高具有过压、欠压、过温、过流、输出短路保护等功能
FT8451B是一款高性能、高精度、低成本
2025-06-17 11:32:59
+700V
3.兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑
4.dVs/dt 耐受能力可达+50 VIns
5.Vs 负偏压能力达-9V
6.集成 VCC 欠压锁定电路
--欠压锁定
2025-06-14 09:08:31
在无刷直流（BLDC）电机的控制系统中，6路PWM信号精准控制上下桥MOSFET的开关是核心。你是否注意到，驱动IC对PWM高低电平有效性的配置，经历了从“上高下低”到“上高下高”的显著转变？这背后
2025-06-13 10:07:156136 
E-GaN电源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型号，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐压700V，推荐功率60W，采用的是ESOP-7封装。
2025-05-26 11:43:50647 GaN器件采用二维电子气结构，能够提供更高的电子迁移率和导电性能，因此适用于高频应用，可以实现更高效的功率转换。深圳银联宝科技研发生产的快充电源ic U8731，集成700V E-GaN，高频高性能，推荐工作频率130KHz/220KHz，推荐最大输出功率30W，介绍给小伙伴们！
2025-05-15 17:48:30804 
随着通信基站和工业设备电源系统向48V升级，高效、节能的元器件需求日益迫切。KUU凭借先进工艺与封装技术，全新推出2款100V耐压双MOSFET，以超低导通电阻和紧凑尺寸，为风扇电机驱动提供高性能
2025-04-30 18:33:29877 
氮化镓凭借高频高效特性，具备了体积小、功率高、发热低等优势，但小型化虽好，散热才是硬道理，选氮化镓电源ic得看准散热设计。今天就给小伙伴们推荐一款散热性能优越、耐压700V的氮化镓电源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02942 LP8728是一款适合于副边控制反激应用的PWM控制器，集成 650V 高压 MOSFET。PWM 工作状态时，采用峰值电流控制模式，并且在中载以下开始降低频率以提升平均效率，在轻载或者空载时，系统
2025-04-27 09:35:390 700V/165mΩ HV高压启动频率可调氮化镓快充芯片U8766，推荐功率为65W，代表机型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
2025-04-23 17:00:17776 AW2K21是一款同时实现了超小型封装和超低导通电阻的30V耐压Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET电路源极的共源电路，不仅能以一体化封装实现双向电路保护，还可以通过改变引脚连接来作为单MOSFET使用。
2025-04-17 14:55:11615 
这个PCB库是嘉立创的标准集成库，使包含了一些常用元件和封装，使用本集成库进行设计的pcb在嘉立创进行投板时不用进行元件方向和位置的确认，节约成本和时间。
2025-04-09 13:59:06
LM5045 PWM 控制器包含实现全桥所需的所有 特性 拓扑功率转换器采用电流模式或电压模式控制。这个设备是 旨在工作在输入电压高达 100 的隔离式 DC-DC 转换器的初级侧 V.这款高度集成
2025-03-28 09:56:041299 
LM5046 PWM 控制器包含实现 采用电流模式或电压模式的相移全桥拓扑电源转换器 控制。该器件旨在工作在隔离式 DC-DC 转换器的初级侧，具有 输入电压高达 100 V。这款高度集成的控制器
2025-03-27 17:56:06907 
TPS53211 是一款集成大电流驱动器的单相 PWM 控制器。是的 用于 1.5 V 至 19 V 转换电压。
TPS53211 具有跳跃模式解决方案，可优化轻负载时的效率 条件，而不会影响输出电压纹波。该器件提供预偏置启动、 软停止、集成自举开关、电源良好功能、EN/输入 UVLO 保护。
2025-03-27 15:14:52615 
近年来，产业的发展、有限的资源及日益严重的地球暖化现象，促使环保及节能的观念逐渐受到重视，造就各项新能源的开发、能源利用技术及新式组件或装置的发展，而能源政策的推广更使得能源概念的商机逐渐扩大
2025-03-24 15:03:44
UCC28740-Q1 隔离式反激式电源控制器使用光耦合器调节输出，以提供对大负载阶跃的快速瞬态响应。
内部 700V 启动开关、动态控制的工作状态和定制的调制配置文件支持超低待机功率，而不会牺牲启动时间或输出瞬态响应。
2025-03-21 13:43:421113 
虽小，但di/dt够大，振荡就出来了。
振铃可能让栅源电压（Vgs）超出MOSFET耐压，比如±20V，烧毁器件，并且振荡信号耦合到控制IC，影响PWM精度。开关损耗增加，系统发热。
电路设计核心
2025-03-11 11:14:21
一、更宽输入电压范围与高稳定性
SL3037B支持5.5-60V宽输入电压范围，可覆盖48V、36V等常见高压场景的直接降压需求。其内置0.9Ω功率MOSFET与先进的PWM控制算法，能在
2025-03-06 15:48:59
随着BASiC基本半导体等企业的650V碳化硅MOSFET技术升级叠加价格低于进口超结MOSFET，不少客户已经开始动手用国产SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET,电源客户从超结MOSFET升级至650V碳化硅MOSFET的根本驱动力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
非隔离芯片，220V转降5V芯片，SOT23-3小封装，小家电电源芯片WD5202在很多AC转DC电源板方案上见到一种驱动IC，就三个接脚像三极管一样,它其实是电源管理IC.见下图,
该芯片集成
2025-02-28 11:44:59
概述BP870X是一系列高集成度、高效率、低待机功耗的电流模式PWM控制芯片，适用于全电压范围90~265VAC输入，30W以内输出的Flyback变换器应用。BP870X系列芯片内部集成了650V
2025-02-27 15:07:06967 
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET开关损耗
1 开通
2025-02-26 14:41:53
WD5208，500V高压MOSFET集成与低功耗PWM控制
2025-02-21 15:42:24861 深圳市三佛科技有限公司供应PL3353 电流模PWM控制芯片，原装现货 PL3353主要特点：内部集成700V功率管内部集成高压启动电路内部集成电流采样电路VDD自供电可提高效率的自适应
2025-02-21 11:46:28
176Vac~264Vac电压输入、副边反馈的隔离电源。PL3353内部集成了700V功率开关、高压启动电路和电流采
样电路，同时采用自供电技术，省去了外部电流侦测电路和辅助绕组，外围电路简洁，极大
2025-02-21 11:04:46
——v3.0已正式发布。 MotorXpert™ v3.0是一套专为采用Power Integrations BridgeSwitch™电机驱动器IC的无刷直流逆变器设计的软件包，旨在为用户提供全面的配置、控制
2025-02-19 18:10:341135 ，直接替换，省心省力！
宽输入电压： 4.5V-100V 宽输入电压范围，满足多种应用场景需求。
高效节能： 内置高效MOSFET，最高效率可达95%，有效降低功耗，提升系统效率。
稳定可靠
2025-02-18 17:31:30
电子发烧友网站提供《PXP700-150QS P沟道沟槽MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-09 11:36:500 深圳市三佛科技有限公司供应KP3211SGA必易12V700MA电源芯片，原装现货 高性能、低成本离线式 PWM 控制功率开关KP321X 系列是一款高性能低成本 PWM 控制功率开关
2025-02-07 16:48:50
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件
2025-01-23 16:27:431780 
近日，全球碳化硅（SiC）功率半导体领域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款专为中压大功率转换应用而设计的1700V SiC MOSFET系列新品。此次发布的QSiC™ 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:58994 近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半导体制造商SemiQ正式发布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，专为中压大功率转换应用设计。
2025-01-22 11:03:221221 
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
绿色节能型变频器与PWM变频器作为现代工业控制领域的两大重要技术，各自具备独特的优势和应用场景。本文将从技术原理、节能效果、环境影响、应用前景等多个维度，对绿色节能型变频器与PWM变频器
2025-01-22 08:12:001053 ，成本低
内部集成高压启动，起机时间短(典型 50ms)，优越的动态响应
SOP8 封装，内置 700V 高压功率开关，可靠性高
具有欠压锁定、过压、过温、过流、输出短路保护等功能
FT8451X是一款
2025-01-15 10:16:38
SY59112A2/B4是一款用于高压可控硅的线性LED驱动器集成了500V功率MOSFET和700V出血MOSFET。它使用特殊的技术实现高PF和高效率的性能。特殊的增加了逻辑功能，实现了良好
2025-01-15 09:23:131 SY59112A2/B4是一款用于高压可控硅的线性LED驱动器集成了500V功率MOSFET和700V出血MOSFET。它使用特殊的技术实现高PF和高效率的性能。特殊的增加了逻辑功能，实现了良好
2025-01-15 09:21:19
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