5V的稳压管中根据电路设计功率在选择哪种类型的5V稳压管？
再者，如果在电路中已经使用了一款稳压管，假设也是5V，那该如何判断他是否在稳压状态，而不是在反向截止状态和反向击穿状态？
推广至晶体管，在
2024-03-07 22:56:47
电力晶体管（Giant Transistor——GTR），是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有时也称为Power BJT。但其驱动电路复杂，驱动功率大。
2024-03-07 17:06:38
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串接NPN型晶体管的情况。晶体管基极要求注入电流，产生电流的电压必须高于（Vo+Vbe），约为（Vo+1）。若基极串接一个电阻，则电阻输入端电压必须高于（Vo+1）以使电流流过。而最经济易行的方法
2024-03-06 20:49:11
绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种功率半导体，具有MOSFET 的高速、电压相关栅极开关特性以及 BJT 的最小导通电阻（低饱和电压）特性。
2024-02-27 16:08:49579 
降压恒压芯片的工作原理及其特性：
开关模式： 降压恒压芯片通常使用开关模式电源供应（SMPS）技术，通过高速开关晶体管（通常是MOSFET）来控制电流的流动，从而将输入电压降低到所需的输出电压
2024-02-27 14:04:38
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31智能功率模块 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59344 双极性晶体管是利用两种离子导电，空穴和自由电子，但是对于一个实际存在的系统，其整体上是呈现电中性的，当其中的电子或者空穴移动形成电流时，与之对应的空穴或者电子为什么不会一起随着移动？
这个问题困扰
2024-02-21 21:39:24
。
在测试实际电机时，我们遇到的电感浪涌电流超过了 MosFET 的脉冲额定值。
微TLE9853QX
场效应晶体管IAUA250N04S6N005
2024-01-29 07:41:55
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
我在切换晶体管时遇到了一个问题。我正在尝试让 LED 通过晶体管闪烁。当我从评估板（即 MSP-EXP430G2ET）获取电源 （3.3V） 时，该程序有效。但是当我使用外部电源 （8.33V） 为
2024-01-22 06:00:31
管子多用于集成放大电路中的电流源电路。
请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析？按照我的理解，在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时，如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的电源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半导体元件还有利用一个PN结构成的具有负阻特性的器件一单结晶体管，请问这个单结晶体管是什么？能够实现负阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶体管在基极和集电极之间并联电容有什么作用？是为了米勒电容吗、？但是米勒电容对三极管的开通有害的时候，为什么还要并联电容？电容不是越并越大，加大了等效米勒电容？
2024-01-19 22:39:57
相比较，GaN具有更加优异的性能；包含更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移效率和更高的导热系数。与GaAs晶体管相比较，GaN HEMT还推出更高的功率密度和更宽的带宽。CGHV96050F1使用金属/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
三极管功率会先上升后下降，因为电压降在下降而电流在上升。功率最大点在中间位置。
3、当基射极电流增大到一定水平，集射极电压降低到不能再降的程度时，晶体管进入饱和，此时无论基射极电流如何增大，集射极电流也
2024-01-18 16:34:45
对于一个含有晶体管，场效应管，运放的电路，该如何求解他的输入电阻和输出电阻，举例而言，在含有晶体管的电路射极跟随器中，求解输出电阻时，为什么要考虑基极的电阻和偏置电路的电阻，此时不应该在基极是二极管
2024-01-10 17:17:56
IGBT）是一种半导体器件，它将MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）的优点集于一身，具有高输入阻抗、低导通压降、高电流密度等优点。IGBT广泛应用于电力电子、轨道交通
2024-01-03 15:14:22268 
MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管) 和 IGBT (绝缘栅双极晶体管) 是两种常见的功率半导体器件。它们在不同的应用场景中具有不同的特点和优势。本文将对MOSFET和IGBT进行详尽
2023-12-15 15:25:35366 晶体管的问世，是20世纪的一项重大发明，是微电子革命的先声。晶体管出现后，人们就能用一个小巧的、消耗功率低的电子器件，来代替体积大、功率消耗大的电子管了。晶体管的发明又为后来集成电路的降生吹响了号角。
2023-12-13 16:42:31427 
【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
晶体管的工作原理就像电子开关，它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关，晶体管类似于继电器，因为你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开，这对于放大器的设计很有用。
2023-11-29 16:54:55182 
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
我在进行AD8138ARM的热仿真，datasheet中只有结到环境的热阻JA的数据，我需要结到外壳的热阻Jc的数据，还有AD8138ARM放大器集成的晶体管数目是多少？
2023-11-21 06:54:43
MOSFET中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管或MOS管，可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。而功率MOSFET则指处于功率输出级的MOSFET器件，通常工作电流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
金氧半场效晶体管（MOSFET）凭借其通用性和广泛用途跻身于最受欢迎的晶体管之列。欧时电子指南将详述这类晶体管的工作机制，并提供关于使用和选择恰当MOSFET类型的实用建议。
2023-10-26 10:36:16481 
在电源与充电桩等高功率应用中，通常需要专用驱动器来驱动最后一级的功率晶体管？ 电源与充电桩等高功率应用通常需要专用驱动器来驱动最后一级的功率晶体管，主要是出于以下几个方面的考虑。 首先，最后一级
2023-10-22 14:47:33409 GTO、GTR、MOSFET和IGBT四种晶体管有何优点和缺点？ GTO、GTR、MOSFET和IGBT常被用于功率电子器件中，各有强项和弱点，本文着重阐述四种晶体管的优点和缺点。 一、 GTO
2023-10-19 17:01:256156 专业图书47-《新概念模拟电路》t-I晶体管
2023-09-28 08:04:05
电源设计者只要熟悉双极型晶体管的设计，掌握关于MOSFET管特性的基本信息，就可以很快学会使用MOSFET管进行电路设计。对电路设计者来说,决定MOSFET管特性的制造材料和固态物理结构并不太重要,这里
2023-09-28 06:33:09
开关频率的PFC• SLLIMM* IPM逆变器电源• MDmesh M2超结功率MOSFET• 意法半导体Turbo 2超快高压整流器• VIPER31辅助电源
2023-09-08 06:59:33
这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快快恢复时间（trr），以及出色的品质因数（RDS(on) x Qg），能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率
2023-09-08 06:00:53
绝缘栅双极晶体管也简称为IGBT ，是传统双极结型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET)的交叉体，使其成为理想的半导体开关器件。
2023-09-06 15:12:291490 
该晶体管功率放大器电路仅使用准互补放大器配置中的四个晶体管，即可以低成本向 4 欧姆负载提供 90W 的功率。
2023-08-10 15:29:341000 
650V硅上GaN增强模式功率晶体管，英诺赛科INN650D150A采用双扁平无引线封装(DFN),8mmx8mm尺寸，增强型晶体管-正常关闭电源开关
2023-08-07 17:22:17964 
解决方案带来了极高的附加值。采用GaN技术有助于实现上述目标，随着该项技术商用步伐的加快，在功率转换应用中也获得了广泛运用。 GaN晶体管与硅基晶体管相比的优点 与硅基晶体管相比，GaN功率晶体管有什么优点呢？GaN在品质因数（
2023-08-03 14:43:28225 晶体管是一种有源元件，遍布电子电路。它们用作放大器和开关设备。作为放大器，它们用于高电平和低电平、频率级、振荡器、调制器、检测器以及任何需要执行功能的电路中。在数字电路中，它们用作开关。世界上有大量
2023-08-02 12:27:481044 
晶体管是一种有源元件，遍布电子电路。它们用作放大器和开关设备。作为放大器，它们用于高电平和低电平、频率级、振荡器、调制器、检测器以及任何需要执行功能的电路中。在数字电路中，它们用作开关。世界上有大量
2023-08-02 12:26:53
功率晶体管。
保护电路来自图。使用2欧姆负载时，还必须更改4。R24和R28值为3k9，R26和R28为220欧姆，D5、D6和R30全部消除。
70W/8欧姆版本的整流电压±40V处于负载
2023-08-01 17:25:06
该2通道混音器电路基于2n3904晶体管，该晶体管形成2个前置放大器。2通道混音器电路的第一个前置放大器具有高增益，可用于麦克风输入，第二个前置放大器可用于控制音频电平的输入。
这种双通道
2023-08-01 17:19:21
电子发烧友网站提供《600-650 V MDmesh DM9：快速恢复SJ功率MOSFET提高了效率和稳健性.pdf》资料免费下载
2023-08-01 16:09:54
1 森国科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。
2023-07-26 17:34:13355 
MRF427 NPN硅射频功率晶体管规格书
2023-07-24 14:27:530 MRF422射频功率晶体管规格书
2023-07-24 14:24:070 在过去的几年里，MOSFET已经成为功率开关的首选器件应用程序。虽然导通电阻显著降低，但它们通常需要驱动器级以获得最佳性能，特别是当由低电压、低电流源驱动时。这就是双极晶体管固有优势的优势所在
2023-07-24 10:01:370 MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的简称，有时候我们也会简写成MOS。下面是一个典型的MOSFET结构。
2023-07-11 10:56:241285 
功率 MOSFET 即金属氧化物半导体场效应晶体管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三个管脚，分别为栅极（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
天线与晶体管是人类历史上两项最伟大的发明。天线开启了无线电的时代，晶体管开辟了电子学的新世界。
2023-06-19 09:43:36526 
高效的400-800V充电和转换与GaNFast功率集成电路和GeneSiC沟槽辅助平面栅场效晶体管
2023-06-16 10:07:03
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
ZXTP25020CFF 产品简介DIODES 的 ZXTP25020CFF（PNP, 20V, 4.5A, SOT23F）先进的工艺能力和封装最大限度地提高了这种小外形晶体管的功率处理
2023-06-12 18:11:45
引言: 在当今科技迅猛发展的时代，高效能的功率电子器件对于各个领域的应用至关重要。润新微电子的RX65T125HS1B功率晶体管作为一款先进的产品，凭借其出色的性能和广泛的应用领域，成为了众多工程师
2023-06-12 16:48:161016 润新微电子（Runxin Microelectronics）荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管（FET），该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34686 微波晶体管按功能分类可分为微波低噪声晶体管和微波大功率晶体管，低噪声晶体管和大功率晶体管被用于设计低噪声放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271639 
ZXTN2040F 产品简介DIODES 的 ZXTN2040F 该晶体管结合了高增益、高电流操作和低饱和电压，使其成为功率 MOSFET 栅极驱动和低损耗功率开关的理想选择。
2023-06-08 06:47:03
ZXTN2038F 产品简介DIODES 的 ZXTN2038F 该晶体管结合了高增益、高电流操作和低饱和电压，使其成为功率 MOSFET 栅极驱动和低损耗功率开关的理想选择
2023-06-08 06:38:43
功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
Vertical MOSFET（垂直MOSFET） 5. Power MOSFET（功率MOSFET） 6. Junction Field Effect Transistor (JFET)（结型场效应晶体管
2023-06-02 14:15:36937 我正在寻找摩托罗拉收音机 VHF 射频末级中使用的这些旧射频晶体管的数据表，有人可以帮我吗？
2023-05-30 07:40:02
MOSFET是金属－氧化物－半导体场效晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）
2023-05-26 17:23:471114 
Nexperia | 为什么使用双极性晶体管驱动功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
。与其他类型的晶体管相比，MOSFET具有更高的功率密度，这是一个明显的优势。此外，与BJT（双极结型晶体管）相比，MOSFET需要最少的输入电流来控制负载电流。
2023-05-24 11:19:06720 栅型场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
2023-05-20 15:19:12583 
嗨，
我正在尝试使用 2N7000 晶体管切换一些 12v 设备。整个电路工作正常，但我的 ESP 变得非常热（超过 50 C）。目前我在 GPIO 和 GND 之间只有下拉电阻。但是，我认为热量
2023-04-28 06:59:43
单结晶体管随着电容的充电放电是如何形成自激振荡脉冲的？
2023-04-26 15:07:51
差分放大电路输入共模信号时
为什么说RE对每个晶体管的共模信号有2RE的负反馈效果
这里说的每个晶体管的共模信号是指什么信号 是指输入信号 还是指ie1 ie2 uoc ?
另外为什么是负的反馈
2023-04-25 16:15:31
为什么使用双极性晶体管驱动功率LED？
2023-04-24 09:09:55413 
双极结晶体管电路输入振幅变大为什么会导致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
我正在寻找零件号“PCAL6408ABSHP”中有关工艺节点和晶体管数量的信息。NXP 网站上是否有一个位置可以找到 NXP 部件号的此类信息？
2023-04-19 09:27:44
西门子S7-200电源怎么看是继电器输出还是晶体管输出呢？
2023-04-18 10:08:03
西门子CPUSR30可以增加晶体管扩展模块控制步进电机吗？
2023-04-17 14:13:13
像蜡烛一样，功率MOSFET（功率场效应晶体管）是切换负载最常见的方式，其四周围绕着众多分立电阻器与电容器（以及用于控制功率MOSFET的双极结型晶体管（BJT）/第二个场效应晶体管）围绕的功率MOSFET）。但在多数情况下，使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。
2023-04-15 09:17:39512 
采用晶体管互补对称输出时，两管基极之间有电容相连，为什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
请问BJT工艺的线性稳压源为什么多是PNP型晶体管呢？
2023-03-31 11:56:49
有没有负触发导通正的晶体管呢？哪位大神知道请赐教。谢谢啦！
2023-03-31 11:47:46
UF2840GRF 功率 MOSFET 晶体管 5W，100-500 MHz，28VRF 功率 MOSFET 晶体管 5W，100-500 MHz，28V 特征N
2023-03-31 10:39:17
DU2860U 射频功率 MOSFET 晶体管 60W，2-175MHz，28V 射频功率 MOSFET 晶体管 60W，2-175MHz，28V
2023-03-31 10:37:00
UF28150J 射频功率 MOSFET 晶体管 150W, 100MHz-500MHz, 28V 特征DMOS结构公共源配置宽带操作的低电容
2023-03-31 10:34:44
DU2840S 射频功率 MOSFET 晶体管 40W，2-175MHz，28V 射频功率 MOSFET 晶体管
2023-03-30 18:07:32
我在设计 PCB 时犯了一个错误，我的一些晶体管在原理图上将集电极和发射极调换了。“正常”方式是有 1：基极，2：发射极，3：集电极，但我需要一个晶体管，1：基极，2：集电极，3：发射极。引脚号与此图像相关：你知道有这种封装的晶体管吗？我知道我可以将它倒置并旋转，但我想知道我是否可以正确使用一个。
2023-03-28 06:37:56
晶体管的工作原理就像电子开关，它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关，晶体管类似于继电器，因为你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开，这对于放大器的设计很有用。
2023-03-25 10:40:43671 集电极发射极间电压 : VCE 集电极电流 : IC 数字晶体管 输出电压 : VO (GND‐OUT间电压) 输出电流 : IO MOSFET 漏极源极间电压 : VDS 漏极电流 : ID
2023-03-23 16:52:27762 
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