电力晶体管（Giant Transistor——GTR），是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有时也称为Power BJT。但其驱动电路复杂，驱动功率大。
2024-03-07 17:06:38
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串接NPN型晶体管的情况。晶体管基极要求注入电流，产生电流的电压必须高于（Vo+Vbe），约为（Vo+1）。若基极串接一个电阻，则电阻输入端电压必须高于（Vo+1）以使电流流过。而最经济易行的方法
2024-03-06 20:49:11
紧凑型矢量光场生成系统
1，概述矢量光场可广泛应用于光学捕获和操纵、表面等离子体、光学加工、焦场工程、量子信息处理、超分辨率显微成像、光通信等方面。上海瞬渺光电近期推出的Model
2024-02-28 13:20:52
双极性晶体管是利用两种离子导电，空穴和自由电子，但是对于一个实际存在的系统，其整体上是呈现电中性的，当其中的电子或者空穴移动形成电流时，与之对应的空穴或者电子为什么不会一起随着移动？
这个问题困扰
2024-02-21 21:39:24
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
放大，似于多路比较器的输出，NPN型晶体管多发射极分别接到比较器的输出端，集电极共用一路上拉电阻连接至电源，如果多路比较器有一路导通，则该多发射极晶体管集电极输出导通拉低，电平为低电平。
不知是否是我理解的这样？
2024-01-21 13:47:56
常用的半导体元件还有利用一个PN结构成的具有负阻特性的器件一单结晶体管，请问这个单结晶体管是什么？能够实现负阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶体管在基极和集电极之间并联电容有什么作用？是为了米勒电容吗、？但是米勒电容对三极管的开通有害的时候，为什么还要并联电容？电容不是越并越大，加大了等效米勒电容？
2024-01-19 22:39:57
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
三极管功率会先上升后下降，因为电压降在下降而电流在上升。功率最大点在中间位置。
3、当基射极电流增大到一定水平，集射极电压降低到不能再降的程度时，晶体管进入饱和，此时无论基射极电流如何增大，集射极电流也
2024-01-18 16:34:45
对于一个含有晶体管，场效应管，运放的电路，该如何求解他的输入电阻和输出电阻，举例而言，在含有晶体管的电路射极跟随器中，求解输出电阻时，为什么要考虑基极的电阻和偏置电路的电阻，此时不应该在基极是二极管
2024-01-10 17:17:56
IGBT）是一种半导体器件，它将MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）的优点集于一身，具有高输入阻抗、低导通压降、高电流密度等优点。IGBT广泛应用于电力电子、轨道交通
2024-01-03 15:14:22268 
事通讯设备产品规格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管最低频率(MHz)：0最高频率(MHz)：2000最高值输出功率(W)：200增益值(分贝)：24.0效率（％）：70额定电压(V)：27类型：封装分立晶体管封装类别：法兰盘、丸状技术应用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管) 和 IGBT (绝缘栅双极晶体管) 是两种常见的功率半导体器件。它们在不同的应用场景中具有不同的特点和优势。本文将对MOSFET和IGBT进行详尽
2023-12-15 15:25:35366 晶体管的问世，是20世纪的一项重大发明，是微电子革命的先声。晶体管出现后，人们就能用一个小巧的、消耗功率低的电子器件，来代替体积大、功率消耗大的电子管了。晶体管的发明又为后来集成电路的降生吹响了号角。
2023-12-13 16:42:31427 
【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
晶体管的工作原理就像电子开关，它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关，晶体管类似于继电器，因为你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开，这对于放大器的设计很有用。
2023-11-29 16:54:55182 
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
我在进行AD8138ARM的热仿真，datasheet中只有结到环境的热阻JA的数据，我需要结到外壳的热阻Jc的数据，还有AD8138ARM放大器集成的晶体管数目是多少？
2023-11-21 06:54:43
MOSFET中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管或MOS管，可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。而功率MOSFET则指处于功率输出级的MOSFET器件，通常工作电流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
金氧半场效晶体管（MOSFET）凭借其通用性和广泛用途跻身于最受欢迎的晶体管之列。欧时电子指南将详述这类晶体管的工作机制，并提供关于使用和选择恰当MOSFET类型的实用建议。
2023-10-26 10:36:16481 
在电源与充电桩等高功率应用中，通常需要专用驱动器来驱动最后一级的功率晶体管？ 电源与充电桩等高功率应用通常需要专用驱动器来驱动最后一级的功率晶体管，主要是出于以下几个方面的考虑。 首先，最后一级
2023-10-22 14:47:33409 GTO、GTR、MOSFET和IGBT四种晶体管有何优点和缺点？ GTO、GTR、MOSFET和IGBT常被用于功率电子器件中，各有强项和弱点，本文着重阐述四种晶体管的优点和缺点。 一、 GTO
2023-10-19 17:01:256156 专业图书47-《新概念模拟电路》t-I晶体管
2023-09-28 08:04:05
电源设计者只要熟悉双极型晶体管的设计，掌握关于MOSFET管特性的基本信息，就可以很快学会使用MOSFET管进行电路设计。对电路设计者来说,决定MOSFET管特性的制造材料和固态物理结构并不太重要,这里
2023-09-28 06:33:09
上海雷卯电子有Trench工艺和平面工艺MOSFET，为什么有时候推荐平面工艺MOSFET呢，有时候推荐用Trench工艺MOSFET, 上海雷卯EMC小哥简单介绍如下。
2023-09-27 09:27:49934 
KINDERGARTEN上海雷卯电子有Trench工艺和平面工艺MOSFET，为什么有时候推荐平面工艺MOSFET呢，有时候推荐用Trench工艺MOSFET,上海雷卯EMC小哥简单介绍如下。1.
2023-09-27 08:02:48851 
2023年9月20日，比亚迪在日本召开新车上市发布会，推出紧凑型电动车BYD DOLPHIN。这是比亚迪在日本推出的第二款纯电动车，售价为363万日元（约合17.9万人民币）至407万日元
2023-09-22 09:46:45560 绝缘栅双极晶体管也简称为IGBT ，是传统双极结型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET)的交叉体，使其成为理想的半导体开关器件。
2023-09-06 15:12:291490 
稳定性和效率兼备，雷卯MOSFET改变您的产品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 这里介绍的电路是使用 MOSFET 输出级的放大器电路，作为基于双极晶体管的输出级的替代品。该项目适合那些想要尝试功率 MOSFET 的人。无需赘述，MOSFET 具有真空管和双极晶体管特有的声音
2023-08-24 15:47:49719 
分立晶体管是电子设计中最常见的元器件之一。该产品适用于众多应用，从简单的小信号晶体管到大型高功率器件，以及高频/高功率器件。
2023-08-16 17:08:45171 更高。这会导致电路中的负载更少。FET晶体管分为两种类型，即JFET和MOSFET。
结型场效应晶体管
JFET 代表结型场效应晶体管。这很简单，也是 FET 晶体管的初始类型，可用作电阻器、放大器
2023-08-02 12:26:53
森国科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。
2023-07-26 17:34:13355 
MRF427 NPN硅射频功率晶体管规格书
2023-07-24 14:27:53
0 MRF422射频功率晶体管规格书
2023-07-24 14:24:070 在过去的几年里，MOSFET已经成为功率开关的首选器件应用程序。虽然导通电阻显著降低，但它们通常需要驱动器级以获得最佳性能，特别是当由低电压、低电流源驱动时。这就是双极晶体管固有优势的优势所在
2023-07-24 10:01:370 MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的简称，有时候我们也会简写成MOS。下面是一个典型的MOSFET结构。
2023-07-11 10:56:241285 
产品发射区结构设计为梳状结构。晶体管版图中发射区半宽度选择为30μm。
2023-07-05 11:23:34360 
CN243 - 紧凑型扁平结构脉搏血氧仪主系统
2023-07-04 19:25:530 功率 MOSFET 即金属氧化物半导体场效应晶体管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三个管脚，分别为栅极（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
高效的400-800V充电和转换与GaNFast功率集成电路和GeneSiC沟槽辅助平面栅场效晶体管
2023-06-16 10:07:03
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
ZXTP25020CFF 产品简介DIODES 的 ZXTP25020CFF（PNP, 20V, 4.5A, SOT23F）先进的工艺能力和封装最大限度地提高了这种小外形晶体管的功率处理
2023-06-12 18:11:45
引言: 在当今科技迅猛发展的时代，高效能的功率电子器件对于各个领域的应用至关重要。润新微电子的RX65T125HS1B功率晶体管作为一款先进的产品，凭借其出色的性能和广泛的应用领域，成为了众多工程师
2023-06-12 16:48:161016 润新微电子（Runxin Microelectronics）荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管（FET），该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34686 微波晶体管按功能分类可分为微波低噪声晶体管和微波大功率晶体管，低噪声晶体管和大功率晶体管被用于设计低噪声放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271639 
机器视觉技术全球领跑者的Teledyne DALSA公司宣布推出其MicroCalibir长波红外（LWIR）紧凑型相机平台的无快门版本。
2023-06-09 09:30:43651 ZXTN25020CFH 产品简介DIODES 的 ZXTN25020CFH 先进的工艺能力和封装设计已被用于最大限度地提高这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该设备的紧凑尺寸和额定值
2023-06-08 13:24:00
ZXTN25020BFH 产品简介DIODES 的 ZXTN25020BFH 先进的工艺能力和封装设计已被用于最大限度地提高这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该设备的紧凑尺寸和额定值
2023-06-08 13:17:09
ZXTN25015DFH产品简介DIODES 的 ZXTN25015DFH 先进的工艺能力和封装设计已被用于最大限度地提高这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该设备的紧凑尺寸和额定值使其非常适合
2023-06-08 11:59:10
ZXTN25012EFH 产品简介DIODES 的 ZXTN25012EFH 先进的工艺能力和封装设计已被用于最大限度地提高这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该设备的紧凑
2023-06-08 07:07:37
ZXTN23015CFH 产品简介DIODES 的 ZXTN23015CFH 先进的工艺能力和封装设计已被用于最大限度地提高这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该设备的紧凑尺寸和额定值
2023-06-08 06:57:40
ZXTN2040F 产品简介DIODES 的 ZXTN2040F 该晶体管结合了高增益、高电流操作和低饱和电压，使其成为功率 MOSFET 栅极驱动和低损耗功率开关的理想选择。
2023-06-08 06:47:03
ZXTN2038F 产品简介DIODES 的 ZXTN2038F 该晶体管结合了高增益、高电流操作和低饱和电压，使其成为功率 MOSFET 栅极驱动和低损耗功率开关的理想选择
2023-06-08 06:38:43
ZXTN2031F 产品简介DIODES 的 ZXTN2031F 先进的工艺能力和封装设计已被用于最大限度地提高这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该设备的紧凑尺寸和额定值
2023-06-07 22:58:24
ZXTN2020F 产品简介DIODES 的 ZXTN2020F 先进的工艺能力和封装设计已被用于最大限度地提高这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该设备的紧凑尺寸和额定值使其非常适合
2023-06-07 21:17:56
功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
MOSFET是金属－氧化物－半导体场效晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）
2023-05-26 17:23:471114 
Nexperia | 为什么使用双极性晶体管驱动功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
。与其他类型的晶体管相比，MOSFET具有更高的功率密度，这是一个明显的优势。此外，与BJT（双极结型晶体管）相比，MOSFET需要最少的输入电流来控制负载电流。
2023-05-24 11:19:06720 栅型场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
2023-05-20 15:19:12583 
嗨，
我正在尝试使用 2N7000 晶体管切换一些 12v 设备。整个电路工作正常，但我的 ESP 变得非常热（超过 50 C）。目前我在 GPIO 和 GND 之间只有下拉电阻。但是，我认为热量
2023-04-28 06:59:43
单结晶体管随着电容的充电放电是如何形成自激振荡脉冲的？
2023-04-26 15:07:51
差分放大电路输入共模信号时
为什么说RE对每个晶体管的共模信号有2RE的负反馈效果
这里说的每个晶体管的共模信号是指什么信号 是指输入信号 还是指ie1 ie2 uoc ?
另外为什么是负的反馈
2023-04-25 16:15:31
为什么使用双极性晶体管驱动功率LED？
2023-04-24 09:09:55413 
双极结晶体管电路输入振幅变大为什么会导致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
我正在寻找零件号“PCAL6408ABSHP”中有关工艺节点和晶体管数量的信息。NXP 网站上是否有一个位置可以找到 NXP 部件号的此类信息？
2023-04-19 09:27:44
西门子S7-200电源怎么看是继电器输出还是晶体管输出呢？
2023-04-18 10:08:03
西门子CPUSR30可以增加晶体管扩展模块控制步进电机吗？
2023-04-17 14:13:13
像蜡烛一样，功率MOSFET（功率场效应晶体管）是切换负载最常见的方式，其四周围绕着众多分立电阻器与电容器（以及用于控制功率MOSFET的双极结型晶体管（BJT）/第二个场效应晶体管）围绕的功率MOSFET）。但在多数情况下，使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。
2023-04-15 09:17:39512 
采用晶体管互补对称输出时，两管基极之间有电容相连，为什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
请问BJT工艺的线性稳压源为什么多是PNP型晶体管呢？
2023-03-31 11:56:49
有没有负触发导通正的晶体管呢？哪位大神知道请赐教。谢谢啦！
2023-03-31 11:47:46
UF2840GRF 功率 MOSFET 晶体管 5W，100-500 MHz，28VRF 功率 MOSFET 晶体管 5W，100-500 MHz，28V 特征N
2023-03-31 10:39:17
DU2860U 射频功率 MOSFET 晶体管 60W，2-175MHz，28V 射频功率 MOSFET 晶体管 60W，2-175MHz，28V
2023-03-31 10:37:00
; 产品规格零件号 UF28150J描述 射频功率 MOSFET 晶体管 150W, 100MHz-500MHz, 28V
2023-03-31 10:34:44
DU2840S 射频功率 MOSFET 晶体管 40W，2-175MHz，28V 射频功率 MOSFET 晶体管
2023-03-30 18:07:32
MOS管 N-Channel, PNP VDS=30V VGS=±8V ID=660mA RDS(ON)=580mΩ@4.5V SOT1118
2023-03-28 15:03:38
我在设计 PCB 时犯了一个错误，我的一些晶体管在原理图上将集电极和发射极调换了。“正常”方式是有 1：基极，2：发射极，3：集电极，但我需要一个晶体管，1：基极，2：集电极，3：发射极。引脚号与此图像相关：你知道有这种封装的晶体管吗？我知道我可以将它倒置并旋转，但我想知道我是否可以正确使用一个。
2023-03-28 06:37:56
晶体管的工作原理就像电子开关，它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关，晶体管类似于继电器，因为你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开，这对于放大器的设计很有用。
2023-03-25 10:40:43671 集电极发射极间电压 : VCE 集电极电流 : IC 数字晶体管 输出电压 : VO (GND‐OUT间电压) 输出电流 : IO MOSFET 漏极源极间电压 : VDS 漏极电流 : ID
2023-03-23 16:52:27762 
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