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电子发烧友网>新品快讯>Vishay推出新款40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L

Vishay推出新款40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L

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选型手册:MOT9166T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT9166T是一款面向200V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借6mΩ超低导通电阻、114A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率系统
2025-11-10 16:01:46413

选型手册:MOT6120T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT6120T是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借1.5mΩ超低导通电阻、229A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率系统
2025-11-10 15:50:16247

选型手册:MOT10N65F N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT10N65F是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS等领域
2025-11-07 10:40:08221

选型手册:MOT12N70F N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT12N70F是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS等领域
2025-11-07 10:31:03211

选型手册:MOT9N50F N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT9N50F是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-11-07 10:23:59239

选型手册:MOT7N65AF N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT7N65AF是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力,广泛适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED
2025-11-06 16:15:37292

选型手册:MOT4N70D N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT4N70D是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-11-06 16:12:24294

选型手册:MOT5N50BD N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT5N50BD是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-11-06 16:05:07286

选型手册:MOT100N03MC N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT100N03MC是一款面向30V低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通损耗、100A大电流承载能力及优异的开关特性,适用于各类开关应用(如
2025-11-06 15:44:22300

选型手册:MOT4111T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT4111T是一款面向40V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通电阻、300A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率系统逆变器
2025-11-05 15:28:39205

选型手册:MOT15N50F 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT15N50F是一款面向500V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压,广泛适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED电源
2025-11-05 12:10:09283

选型手册:MOT4N65F 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT4N65F是一款面向650V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借低导通电阻、高输入阻抗及RoHS合规性,广泛适用于电子镇流器、电子变压器、开关模式电源等领域
2025-11-04 15:59:03238

选型手册:MOT9N50D 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT9N50D是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-11-04 15:22:12226

选型手册:MOT90N03D 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT90N03D是一款面向低压大电流DC-DC转换场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借30V耐压、超低导通损耗及优异开关特性,广泛适用于高要求DC-DC转换器、高效
2025-11-03 16:33:23497

选型手册:MOT5N50MD 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT5N50MD是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-11-03 15:26:33298

选型手册:MOT50N02D 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT50N02D是一款面向低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借20V耐压、超低导通损耗及50A大电流承载能力,广泛适用于各类开关应用(如DC-DC转换器
2025-10-31 17:36:09228

圣邦微电子推出高性能N沟道MOSFET SGMNQ12340

圣邦微电子推出 SGMNQ12340,一款 40V 耐压、低导通电阻、输入电容低、切换速度快、高性能的 N 沟道 MOSFET。该器件可应用于 VBUS 过压保护开关、AMOLED 显示控制器、电池充放电开关及 DC/DC 转换器。
2025-10-14 17:34:482209

新洁能推出增强型N沟道MOSFET系列产品

新洁能研发团队沟槽型工艺平台推出耐压30V 1mΩ级别增强型N沟道MOSFET 系列产品。
2025-08-22 18:02:351527

工程师私藏技巧:MOS管如何让你的移动电源快充又省电?HGE001N04L 低内阻1mΩ 40V 170A大电流

应对快充需求,有效减少发热和损耗。 (二)升压效率高,延长续航时长 在放电升压时,HGE001N04L 耐压40V,快关速度快,可以轻松实现 3.7V 升压至 5V/9V/12V 的高效电压转换,升压
2025-07-29 15:58:49

圣邦微电子推出N沟道功率MOSFET SGMNL12330

圣邦微电子推出 SGMNL12330,一款 30V、TDFN 封装、单 N 沟道功率 MOSFET。该器件可应用于 PWM 应用、电源负载开关、电池管理和无线充电器。
2025-07-10 17:21:522287

CSD18513Q5A 40VN 通道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册

这款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件:CSD18513Q5A 40V N 沟道 NexFET
2025-04-16 10:54:00755

CSD18512Q5B 40VN 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册

这款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件:CSD18512Q5B 40 V N 沟道 NexFET
2025-04-16 10:20:33784

CSD18510KCS 40VN 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET,单 TO-220,1.7mOhm数据手册

这款 40V、1.4mΩ、TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。 *附件:CSD18510KCS 40V N 沟道 NexFETTM 功率
2025-04-16 10:13:57763

CSD18510Q5B 40VN 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET技术手册

这款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件:CSD18510Q5B N 沟道 NexFET 功率
2025-04-16 10:05:07663

CSD18511KCS 40VN 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET技术手册

这款 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。 *附件:CSD18511KCS 40V N 沟道 NexFET 功率
2025-04-15 16:23:11772

LTS3002FJ-L N沟道增强型功率MOSFET规格书

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2025-03-24 11:29:590

LTS3002FJC-L N沟道增强型功率MOSFET规格书

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2025-03-24 11:25:250

LT3055AFN-L N沟道增强型功率MOSFET规格书

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2025-03-01 15:00:060

LTD1534RFJ-L N沟道增强型功率MOSFET规格书

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2025-03-01 14:39:470

PSMN1RO-30YLC N沟道30V 1.15 mΩ逻辑电平MOSFET规格书

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2025-02-13 14:16:450

BUK9M8R5-40HN沟道40V、8.5mΩ逻辑电平MOSFET规格书

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2025-02-13 14:16:000

BUK9M3R3-40H N沟道40V、3.3 mΩ逻辑电平MOSFET规格书

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2025-02-13 11:31:090

瑞萨电子推出新型 100V功率 MOSFET,助力多领域应用

近日,瑞萨电子公司宣布推出新型100V功率N沟道MOSFET。这款产品专为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电应用而设计,以其卓越的高电流开关性能和行业领先的技术表现成为市场焦点。新型
2025-01-13 11:41:38957

AP120N04F 120A 40V TO-220F-3L

AP120N04F40V n沟道增强模式MOSFETAP120N04F采用先进的沟槽技术提供优良的rds (ON),低栅极电荷和栅极电压低至10V。这该装置适合作为电池保护装置使用或其它开关
2025-01-10 15:14:480

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