，额定电压-60V，最大电流-5.3A - 开通电阻为58mΩ(@VGS=10V, VGS=20V) - 门极阈值电压(Vth)范围为-1~-3V
2024-03-19 14:20:45
全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08353 
：-30V- 额定电流：-7A- 静态导通电阻（RDS(ON)）：23mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压（Vth）：-1.37V**封装：** SOP
2024-02-19 16:30:29
**VBsemi SPP80P06P-H-VB****详细参数说明:**- 类型: P沟道场效应管 (P-Channel MOSFET)- 额定电压(VDS): -60V- 最大电流(ID
2024-02-19 14:20:14
近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316 通电阻(RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V门极阈值电压(Vth): -1V**详细参数说明:**1. **沟道类型:** P—Cha
2024-01-03 11:29:55
): -38A导通电阻(RDS(ON)): 61mΩ @ VGS=10V, VGS=20V门极阈值电压(Vth): -1.3V**详细参数说明:**1. **沟道类型:**
2024-01-02 16:46:12
型号：SI7617DN-VB丝印：VBQF2309品牌：VBsemi参数：- 封装：DFN8(3X3)- 沟道类型：P—Channel沟道- 额定电压：-30V- 最大电流：-45A- 开态电阻
2024-01-02 11:58:32
)- 静态导通电阻（RDS(ON)）：28mΩ (N沟道) / 51mΩ (P沟道) @ 10V, 34mΩ (N沟道) / 60mΩ (P沟道) @ 4.5V- 阈值电
2023-12-22 10:50:18
型号：SI2307CDS-T1-E3-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-30V- 最大持续电流：-5.6A- 静态导通电阻 (RDS(ON))：47m
2023-12-21 17:08:00
型号：SI4401BDY-T1-E3-VB丝印：VBA2412品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-40V- 最大持续电流：-11A- 静态导通电阻 (RDS(ON))：13m
2023-12-21 16:11:17
型号：RSR025P03TL-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：- P沟道- 最大耐压：-30V- 最大电流：-5.6A- 静态导通电阻：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V
2023-12-20 15:58:08
型号：FDN338P-NL-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：- P沟道- 最大耐压：-20V- 最大电流：-4A- 静态导通电阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V
2023-12-20 15:12:52
型号：50P06-VB丝印：VBE2625品牌：VBsemi参数：- P沟道 MOSFET- 额定电压：-60V- 最大持续电流：-50A- 静态导通电阻 (RDS(ON))：20mΩ @ 10V
2023-12-20 15:07:09
型号：SI4425BDY-T1-E3-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数：- P沟道- 最大耐压：-30V- 最大电流：-11A- 静态导通电阻：10mΩ @ 10V, 13m
2023-12-20 11:46:33
型号：SI4850DY-T1-E3-VB丝印：VBA1630品牌：VBsemi参数：- N沟道- 最大耐压：60V- 最大电流：7.6A- 静态导通电阻：27mΩ @ 10V, 32m
2023-12-20 10:44:08
型号: HM4447-VB丝印: VBA2305品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: P沟道- 额定电压: -30V (负值表示P沟道)- 最大电流: -15A (负值表示P沟道)- 静态导通电阻
2023-12-15 09:44:05
型号：SI2301CDS-T1-GE3-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：- MOSFET类型：P沟道- 额定电压：-20V- 最大电流：-4A- 导通电阻（RDS(ON)）：57m
2023-12-15 09:20:38
型号：SI2302DS-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：- MOSFET类型：N沟道- 额定电压：20V- 最大电流：6A- 导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ @ 4.5V
2023-12-14 14:52:04
型号：SI4425DY-T1-E3-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-30V- 最大连续电流：-11A- 静态开启电阻（RDS(ON)）：10m
2023-12-14 14:19:46
型号：SI2347DS-T1-GE3-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：- 类型：P沟道- 最大耐压：-30V- 最大电流：-5.6A- 静态开启电阻 (RDS(ON))：47m
2023-12-14 10:43:26
型号：SI2371EDS-T1-GE3-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：- 类型：P沟道- 额定电压（Vds）：-30V- 最大持续电流（Id）：-5.6A- 导通电阻（RDS
2023-12-14 10:40:40
型号: SI2301ADS-T1-GE3-VB丝印: VB2290品牌: VBsemi详细参数说明:- 沟道类型: P沟道- 额定电压: -20V- 最大电流: -4A- 静态导通电阻 (RDS
2023-12-14 10:20:39
型号: SI4465ADY-T1-E3-VB丝印: VBA2309品牌: VBsemi详细参数说明:- 沟道类型: P沟道- 额定电压: -30V- 最大电流: -11A- 静态导通电阻 (RDS
2023-12-14 09:18:55
型号：NCE4606-VB丝印：VBA5325品牌：VBsemi参数：- 类型：N+P沟道- 额定电压（Vds）：±30V- 最大持续电流（Id）：9A（N沟道） / -6A（P沟道）- 导通电阻
2023-12-13 17:47:59
型号：SI4948BEY-T1-E3-VB丝印：VBA4658品牌：VBsemi参数：- 类型：2个P沟道- 额定电压（Vds）：-60V- 最大持续电流（Id）：-5.3A- 导通电阻（RDS
2023-12-13 17:35:24
）- 导通电阻（RDS(ON)）：15mΩ @ 10V (N沟道) / 42mΩ @ 10V (P沟道)- 门源电压范围（Vgs）：20V（正负）- 阈值电压（V
2023-12-13 16:54:39
型号：SI1555DL-T1-GE3-VB丝印：VBK5213N品牌：VBsemi详细参数说明：- 类型：N+P沟道MOSFET- 额定电压（Vds）：±20V- 额定电流（Id）：2.5A (N
2023-12-13 15:33:24
SI4559EY-T1-E3 (VBA5638)参数说明：N+P沟道，±60V，正向电流6.5A，反向电流5A，导通电阻28mΩ@10V，34mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，正负阈值电压
2023-12-13 10:46:20
SI4435DY-T1-E3 (VBA2317)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-30V；最大电流：-7A；导通电阻：23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V；门源
2023-12-13 10:26:00
SI3442CDV (VB7322)参数说明：N沟道，30V，6A，导通电阻30mΩ@10V，40mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.2V，封装：SOT23-6。
2023-12-13 10:18:11
应用简介： Si2399DS-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET，适用于需要控制电流的应用。由于其低导通电阻（RDS(ON)），能有效降低导通损耗，在需要高效能转换
2023-12-13 10:11:37
：SI2333CDS-T1-GE3是一款适用于低电压、高电流的P沟道MOSFET。其低导通电阻和小封装适合高效能、小型化的电路。常用于电池供电设备、小型电子设备等
2023-12-09 15:05:38
SI2323CDS-T1-GE3 (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23
2023-12-09 15:03:33
SI2319CDS-T1-GE3 (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23
2023-12-09 15:02:20
SI2305CDS-T1-GE3 (VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23
2023-12-09 14:57:26
SI2305ADS-T1-GE3 (VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，门源电压范围12V(±V)，阈值电压-0.81V，封装
2023-12-09 14:55:59
SI2302DS-T1-GE3 (VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装
2023-12-09 14:53:11
SI2301DS-T1-GE3 (VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V；门源电压范围：12Vgs
2023-12-09 14:50:12
SI2301BDS-T1-GE3 (VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V；门源电压范围：12Vgs
2023-12-09 14:48:47
RU20P4C (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介
2023-12-09 14:45:43
IRFR9024NTRPBF (VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252
2023-12-08 15:25:35
AOD407 (VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用简介
2023-12-06 13:39:46
AO6801 (VB4290)参数说明：2个P沟道，-20V，-4A，导通电阻75mΩ@4.5V，100mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压-1.2~-2.2V，封装：SOT23-6
2023-12-06 12:01:38
AO3423 (VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V；门源电压范围：12Vgs (±V)阈值电压
2023-12-06 11:54:41
AO3407 (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介
2023-12-06 11:52:49
AO2301 (VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V；门源电压范围：12Vgs (±V)阈值电压
2023-12-06 11:49:17
详细参数说明：该型号VBsemi SI4953ADY-T1-E3-VB是一款SOP8封装的P沟道MOSFET。它具有两个P沟道，工作电压为-30V，最大电流为-7A。其在10V下的导通电阻为35m
2023-11-20 17:48:10
型号 ZXMC4559DN8TA-VB丝印 VBA5638品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N+P沟道
2023-11-15 17:08:55
;-30V 工作电流 -6A 导通电阻 40mΩ（在10V下） 导通电阻 54mΩ（在4.5V下）&nbs
2023-11-15 11:56:53
-30V 额定电流 -5.2A 导通电阻 33mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V 门源
2023-11-15 11:48:58
） -30V 最大持续电流（Id） -5.6A 导通电阻（RDS(ON)） 47mΩ @ 10V
2023-11-14 10:19:12
额定电压 -20V 最大电流 -4A 静态导通电阻 (RDS(ON)) 57mΩ @ 4.5V,
2023-11-13 17:04:42
额定电压 20V 最大电流 6A 静态导通电阻 (RDS(ON)) 24mΩ @ 4.5V, 3
2023-11-13 10:54:52
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。
2023-11-09 17:39:10459 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:22319 ;最大工作电压 -40V 最大工作电流 -65A 导通电阻 10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V, 20V
2023-11-07 16:40:01
型号 SI9948AEYT1E3丝印 VBA4658品牌 VBsemi详细参数说明 极性 2个P沟道 额定电压 60V 额定电流 5.3A 开通电阻（RDS(ON)） 58m
2023-11-07 10:56:52
型号 20P03丝印 VBE2338品牌 VBsemi详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 26A 开通电阻（RDS(ON)） 33mΩ @ 10V, 46m
2023-11-06 11:24:18
型号 SI4401DDYT1GE3丝印 VBA2412品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 40V 最大电流 11A 导通电阻 13mΩ@10V, 17m
2023-11-06 11:15:08
型号 SI2323DDST1GE3 丝印 VB2355 品牌 VBsemi 参数 沟道类型 P沟道 额定电压 30V 额定电流 5.6A 导通电阻 47m
2023-11-06 11:02:58
型号 SI2323DST1GE3丝印 VB2355品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 5.6A 导通电阻 47mΩ @10V, 56m
2023-11-06 09:17:31
型号 AOD425A丝印 VBE2317品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 40A 导通电阻 18mΩ@10V, 25mΩ@4.5V
2023-11-03 14:34:40
型号 FDS4435BZNL丝印 VBA2317品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 7A 导通电阻 23mΩ@10V, 29m
2023-11-03 14:04:50
型号 ZXMP6A18DN8TA丝印 VBA4658品牌 VBsemi详细参数说明 类型 2个P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 5.3A 导通电阻 58mΩ@10V
2023-11-03 10:44:41
型号 NDS9407NL丝印 VBA2658品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 6A 导通电阻 50mΩ@10V, 61mΩ@4.5V
2023-11-03 10:01:07
型号 SI4920DYT1E3丝印 VBA3316品牌 VBsemi详细参数说明 类型 2个N沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 8.5A 导通电阻 20mΩ @10V
2023-11-02 15:19:13
型号 FDC6420CNL丝印 VB5222品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N+P沟道MOSFET 最大耐压 ±20V 最大电流 7A / 4.5A 导通电阻 20mΩ / 70m
2023-11-02 14:31:58
型号 SI2369DST1GE3丝印 VB2355品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 5.6A 导通电阻 47mΩ@10V, 56m
2023-11-02 10:57:13
Si1553CDLT1GE3详细参数说明 极性 N+P沟道 额定电压 ±20V 额定电流 2.5A (N沟道), 1.5A (P沟道) 导通电阻 130mΩ @ 4.5V (N沟道
2023-11-02 10:26:43
型号 SQD50P0615LGE3丝印 VBE2625品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 50A 导通电阻 20mΩ @10V, 25m
2023-11-02 09:28:15
型号 SI2307DST1GE3丝印 VB2355品牌 VBsemi参数说明 MOSFET类型 P沟道 额定电压(VDS)
2023-11-02 09:13:48
型号 SI3911DVT1GE3丝印 VB4290品牌 VBsemi详细参数说明 类型 2个P沟道MOSFET 最大耐压 20V 最大电流 4A 导通电阻 75mΩ @4.5V
2023-11-01 15:46:24
SI2319DST1GE3详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 5.6A 导通电阻 47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V
2023-11-01 11:30:21
型号 AO4425丝印 VBA2311品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 11A 导通电阻 10mΩ @10V, 13mΩ @4.5V
2023-11-01 10:37:54
型号 MDD3754RH丝印 VBE2412品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 40V 最大电流 65A 导通电阻 10mΩ @10V, 13m
2023-10-31 16:14:45
型号 NTR0202PLT1G丝印 VB2290品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 20V 最大电流 4A 导通电阻 57mΩ @4.5V, 83m
2023-10-31 14:13:24
型号 2SJ668丝印 VBE2610N品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 38A 导通电阻 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V
2023-10-30 15:13:18
型号 FR5305丝印 VBE2625品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 50A 导通电阻 20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V
2023-10-30 10:03:05
型号 AP4563GH丝印 VBE5415品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N+P沟道MOSFET 最大耐压 ±40V 最大电流 50A/50A 导通电阻 15mΩ @10V
2023-10-28 16:06:13
FDG6321C详细参数说明 极性 N+P沟道 额定电压 ±20V 额定电流 2.5A / 1.5A 导通电阻 130mΩ / 230mΩ @ 4.5V, 160mΩ / 280m
2023-10-28 15:25:52
型号 FDD5614P丝印 VBE2610N品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 38A 导通电阻 61mΩ @10V, 72m
2023-10-28 11:48:41
AO6604详细参数说明 极性 N+P沟道 额定电压 ±20V 额定电流 7A / 4.5A 导通电阻 20mΩ / 70mΩ @ 4.5V, 29mΩ / 106mΩ @ 2.5V
2023-10-28 11:38:06
SI1967DH-T1-GE3详细参数说明 - 极性 2个P沟道 - 额定电压 -20V - 额定电流 -1.5A - 导通电阻 230mΩ @ 4.5V, 276mΩ @ 2.5V
2023-10-28 09:49:14
型号 SI2324DS-T1-GE3丝印 VB1102M品牌 VBsemi详细参数说明 - 类型 N沟道MOSFET- 最大耐压 100V- 最大电流 2A- 导通电阻 246m
2023-10-27 17:18:42
最大占空比和PWM频率的振荡器。它还具有开机可编程软启动时间、短路PMOS关闭和自动重新启动保护功能。
特征
精密反馈参考电压：0.5V（2%）
宽电源电压工作范围：3.6至20V
低电流消耗：3
2023-10-19 14:19:01
FP6102 20V、3A降压开关调节器芯片
一般说明
FP6102是一种用于广泛工作电压应用领域的降压开关调节器。FP6102包括高电流P-MOSFET，用于将输出电压与反馈放大器进行比较
2023-09-19 14:36:57
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
DMP2007UFG 产品简介DIODES 的 DMP2007UFG 该 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低导通电阻（RDS（ON））并保持卓越的开关性能，使其非常适合高效率电源管理
2023-09-11 19:37:32
SLH60R028E7是一款600VN沟道多层外延工艺的超结MOS，由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，故在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要
2023-08-18 08:32:56513 
SiSS23DN P沟道20V(D-S)MOSFET规格书
特征
• 沟槽场效应晶体管®功率场效应管
• 低热阻功率包®
小尺寸和低 0.75 mm 封装轮廓
• 100
2023-07-25 16:44:16
0 20V N沟道增强型MOS场效应管FS8205规格书
特点
专有的先进平面技术
高密度超低电阻设计
大功率、大电流应用
理想的锂电池应用
封装形式：SOT23-6、TSSOP-8
2023-07-03 15:18:312 PL30502是宝砾微电子推出的20V同步升压转换器，内置栅极驱动器，可断开负载。 PL30502集成了两个低导通电阻功率FET：一个7mΩ的开关FET和一个7mΩ的整流FET。PL30502
2023-05-30 14:54:09
列产品的参考资料，助力您快速了解产品各项信息。 点击下载产品参考资料 与Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎
2023-05-17 13:35:02471 
并提高可靠性。东芝实验证实，与现有SiC MOSFET相比，这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1]，可将导通电阻[2]（RonA）降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能，降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK 1212
2023-03-28 22:33:39
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