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      电子发烧友网>新品快讯>Vishay推出最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN

      Vishay推出最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN

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      2025-11-17 11:27:39241

      选型手册：MOT3650J N+P 增强型 MOSFET 晶体管

      仁懋电子（MOT）推出的MOT3650J是一款N+P增强型MOSFET，集成N沟道与P沟道单元，凭借超低导通电阻、低栅极电荷特性，适用于计算设备电源管理、负载开关、快速无线充电、电机驱动等场景。一
      2025-11-14 16:12:52519

      选型手册：MOT2718J P - 沟道功率 MOSFET 晶体管

      仁懋电子（MOT）推出的MOT2718J是一款P-沟道增强型功率MOSFET，凭借-20V耐压、低导通电阻及高效功率处理能力，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等场景。一、产品基本信息器件类型
      2025-11-14 16:04:15309

      选型手册：MOT2514J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

      仁懋电子（MOT）推出的MOT2514J是一款面向20V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借高密度单元设计实现的超低导通电阻，适用于DC/DC转换器、笔记本核心电源等领域。一、产品基本信息
      2025-11-14 15:51:42202

      Vishay SiRS5700DP N沟道MOSFET技术深度解析：性能优势与应用实践

      Vishay SiRS5700DP N沟道150V（D-S）MOSFET是一款TrenchFET®第五代功率MOSFET，具有非常低的R~DS~ x Q~g~ 品质因数（FOM）。Vishay
      2025-11-13 11:21:53430

      MDD MOS导通电阻对BMS系统效率与精度的影响

      在电池管理系统（BMS）中，MDD辰达半导体MOSFET作为电池组充放电的开关与保护核心元件，其导通电阻（RDS(on)）参数对系统性能有着直接且深远的影响。作为MDDFAE，在支持客户调试或可
      2025-11-12 11:02:47339

      Vishay SiEH4800EW 80V TrenchFET® 第四代N沟道功率MOSFET技术解析

      ^®^ 8mmx8mm接合无线（BWL）封装，在V~GS~ 为10V时具有0.00115Ω超低导通电阻，可最大限度地降低导通损耗并提高散热性能。Vishay/Siliconix MOSFET具有260A的最大
      2025-11-11 13:53:18343

      基于Vishay SiJK5100E N沟道MOSFET数据手册的技术解析

      Vishay/Siliconix SiJK5100E N沟道MOSFET是一款TrenchFET^®^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源电压。该MOSFET具有536W最大功耗（+25°C
      2025-11-11 13:42:26335

      选型手册：MOT6511J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

      仁懋电子（MOT）推出的MOT6511J是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、大电流承载能力及PDFN3X3-8L小型化封装，适用于电机驱动（电动工具
      2025-11-11 09:34:34187

      选型手册：MOT2914J 双 N 沟道增强型 MOSFET

      仁懋电子（MOT）推出的MOT2914J是一款双N沟道增强型MOSFET，凭借20V耐压、超低导通电阻及优异的高频开关特性，适用于DC/DC转换器、高频开关电路及同步整流等场景。一、产品基本信息器件
      2025-11-10 16:17:38296

      选型手册：MOT3920J 双 N 沟道增强型 MOSFET

      仁懋电子（MOT）推出的MOT3920J是一款双N沟道增强型MOSFET，凭借30V耐压、超低导通电阻及优异的高频开关特性，适用于DC/DC转换器、高频开关电路及同步整流等场景。一、产品基本信息器件
      2025-11-10 16:12:40305

      选型手册：MOT70R380D N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管

      仁懋电子（MOT）推出的MOT70R380D是一款N沟道超级结功率MOSFET，凭借700V耐压、低导通电阻及高频开关特性，适用于功率因数校正（PFC）、电源功率级、适配器、电机控制、DC-DC
      2025-11-10 15:42:30277

      选型手册：MOT70R280D N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管

      仁懋电子（MOT）推出的MOT70R280D是一款N沟道超级结功率MOSFET，凭借700V耐压、超低导通电阻及高频开关特性，适用于功率因数校正、开关模式电源、不间断电源等领域。一、产品基本信息器件
      2025-11-07 10:54:01164

      ZK40P80T：P沟道MOS管中的高功率性能担当

      中科微电深耕功率器件领域，针对P沟道器件的应用痛点，推出了ZK40P80T这款高性能P沟道MOS管，以-40V耐压、-80A电流的强劲参数，搭配1.5mΩ低导通电阻与成熟Trench工艺，为反向电压控制、电池管理等场景提供了高效可靠的解决方案，重新定义了中低压P沟道MOS管的性能标准。
      2025-11-06 14:35:45244

      选型手册：MOT1793G P 沟道功率 MOSFET 晶体管

      仁懋电子（MOT）推出的MOT1793G是一款面向-100V低压大电流场景的P沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、18A大电流承载能力及PDFN小型化封装，广泛适用于DC/DC转换器等高
      2025-11-05 12:01:34245

      选型手册：MOT4025G 互补增强型 MOSFET

      仁懋电子（MOT）推出的MOT4025G是一款互补增强型MOSFET，集成N沟道与P沟道管，凭借40V耐压、超低导通电阻及优异开关特性，适用于电机驱动、DC-DC转换器等大功率场景。以下从器件特性
      2025-11-04 16:33:13496

      MOT1514J N 沟道 MOSFET 技术解析

      一、产品概述MOT1514J是仁懋电子（MOT）推出的N沟道增强型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面贴装封装，聚焦计算设备电源管理、快速/无线充电、电机驱动等场景，以超低导通电阻、低栅极电荷
      2025-10-24 16:21:14531

      MOT3712J P 沟道 MOSFET 技术解析

      一、产品概述MOT3712J是仁懋电子（MOT）推出的P沟道增强型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面贴装封装，具备高功率与电流处理能力，聚焦PWM控制、负载开关、电源管理等场景，以低导通损耗
      2025-10-24 15:59:53537

      MOT3910J 双 N 沟道增强型 MOSFET 技术解析

      均有要求的场景，在小型化布局中实现双路功率控制。二、核心参数与技术价值电压电流特性：漏源电压（VDS）最大30V，栅源电压（VGS）最大20V；连续漏极电流（ID
      2025-10-24 11:14:37282

      MOT2165J N 沟道 MOSFET 技术解析

      MOT2165J是仁懋电子（MOT）推出的一款N沟道增强型MOSFET，采用PDFN3X3封装形式，聚焦于功率开关控制、笔记本核心供电等场景，以低导通损耗、快速开关特性和小型化封装为核心技术亮点。一
      2025-10-24 10:22:08296

      圣邦微电子推出高性能N沟道MOSFET SGMNQ12340

      圣邦微电子推出 SGMNQ12340，一款 40V 耐压、低导通电阻、输入电容低、切换速度快、高性能的 N 沟道 MOSFET。该器件可应用于 VBUS 过压保护开关、AMOLED 显示控制器、电池充放电开关及 DC/DC 转换器。
      2025-10-14 17:34:482209

      FS8205 20V N 沟道增强型MOS场效应管技术手册

      电子发烧友网站提供《FS8205 20V N 沟道增强型MOS场效应管技术手册.pdf》资料免费下载
      2025-09-23 15:03:332

      TPS22995低导通电阻负载开关技术解析与应用指南

      Texas Instruments TPS22995导通电阻负载开关支持可配置上升时间，以最大限度地减小浪涌电流。该单通道负载开关包含一个可在0.4V至5.5V输入电压范围内运行的N沟道MOSFET，并且支持3.8A的最大连续电流。
      2025-09-02 14:57:49637

      si2301bds场效应管说明书资料

      P管，最大电压-20V，最大电流2.4A导通内阻0.1欧。
      2025-08-13 15:58:500

      合科泰P沟道MOSFET AO3401在智能手表中的应用

      P 沟道 MOSFET，以 SOT-23 超微型封装与 0.05Ω 低导通电阻，为智能手表电源域控制提供理想选择。
      2025-08-12 16:45:015119

      中低压MOS管MDD8205数据手册

      这款20V N沟道MOSFET采用双芯片设计，基于MDD独特的器件结构，可实现低导通电阻和快速开关特性。
      2025-07-10 14:30:360

      中低压MOS管MDD50P02Q数据手册

      这款P沟道MOSFET采用MDD公司先进的沟槽型功率技术制造。该工艺经过优化，可最大限度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能和业界领先的软体二极管特性。
      2025-07-09 16:06:270

      中低压MOS管MDD30P04D数据手册

      这款P沟道MOSFET采用MDD公司先进的沟槽型功率技术制造。该工艺经过优化，可最大限度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能和同类最佳的软体二极管特性。
      2025-07-09 15:14:420

      中低压MOS管MDD02P60A数据手册

      这款60V P沟道MOSFET采用MDD独特的器件设计，实现了低导通电阻、快速开关性能以及优异的雪崩特性。• 高密度电池设计实现极低导通电阻(RDS(ON))  • 卓越的导通电阻与最大直流电流承载能力
      2025-07-09 15:05:550

      MOSFET导通电阻参数解读

      导通电阻（RDSON）指的是在规定的测试条件下，使MOSFET处于完全导通状态时（工作在线性区），漏极（D）与源极（S）之间的直流电阻，反映了MOSFET在导通状态下对电流通过的阻碍程度。
      2025-05-26 15:09:343808

      2N7002KDW SOT363：小封装、高ESD保护的N沟道MOSFET，助力精密电路设计

      2N7002KDW 是一款采用 SOT363封装 的双N沟道MOSFET，集成了ESD保护功能，兼具低导通电阻（RDS(ON)）与高耐压（60V）特性。其超小封装和低阈值电压（VTH=1.6V）使其
      2025-04-27 16:59:26

      CSD18510Q5B 40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET技术手册

      这款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件：CSD18510Q5B N 沟道 NexFET 功率
      2025-04-16 10:05:07663

      CSD25501F3 -20V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、单个 LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、栅极 ESD 保护技术手册

      这款 –20V、64mΩ、P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，可在许多手持式和移动应用中最大限度地减少占用空间。该技术能够取代标准小信号 MOSFET，同时大幅减小基底面尺寸
      2025-04-15 16:17:28609

      LT8649SY 20V互补增强型功率MOSFET规格书

      电子发烧友网站提供《LT8649SY 20V互补增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
      2025-03-26 16:11:380

      LT9004ESS 20V共漏双通道N沟道MOSFET规格书

      电子发烧友网站提供《LT9004ESS 20V共漏双通道N沟道MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
      2025-03-26 15:54:100

      纳祥科技NX7010，PIN TO PIN AP20H03DF的30V 20A双N沟道MOSFET

      NAXIANGTECHNOLOGY纳祥科技NX701030V20A双N沟道MOSFET30V20A双N沟道MOSFET纳祥科技NX7010是一款30V20A双N沟道MOSFET，它的工作原理是基于栅
      2025-03-21 15:33:20782

      ROHM推出超低导通电阻和超宽SOA范围的Nch功率MOSFET

      全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向企业级高性能服务器和AI服务器电源，开发出实现了业界超低导通电阻*1和超宽SOA范围*2的Nch功率MOSFET*3。
      2025-03-13 15:08:041206

      LT1740SI P沟道增强型功率MOSFET规格书

      电子发烧友网站提供《LT1740SI P沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
      2025-03-05 17:51:120

      LT1701SI-X P沟道增强型功率MOSFET规格书

      电子发烧友网站提供《LT1701SI-X P沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
      2025-03-04 16:43:250

      LT1702SI P沟道增强型功率MOSFET规格书

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      2025-03-04 16:01:251

      LT1701SI P沟道增强型功率MOSFET规格书

      电子发烧友网站提供《LT1701SI P沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
      2025-03-04 15:47:580

      瑞萨电子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多领域应用

      近日，瑞萨电子公司宣布推出新型100V高功率N沟道MOSFET。这款产品专为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电应用而设计，以其卓越的高电流开关性能和行业领先的技术表现成为市场焦点。新型
      2025-01-13 11:41:38957

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