制造商:Vishay
产品种类:平面电阻器 - 底架安装
RoHS:
电阻:100 Ohms
功率额定值:800 W
端接类型:Solder Pad
长度:48.26 mm
宽度:26.42 mm
2026-01-05 11:37:39
采用的是超级结工艺。超级结技术是专为配备600V以上击穿电压的高压功率半导体器件开发的，用于改善导通电阻与击穿电压之间的矛盾。采用超级结技术有助于降低导通电阻，并提高MOS管开关速度，基于该技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。
2026-01-05 06:12:51
功率损失增大，进而影响整个电路的效率和性能。本文MDD辰达半导体将探讨MOSFET开关速度不足导致功率损失的原因，并提供解决方案，以提高系统的性能和效率。一、MO
2026-01-04 10:54:34
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（1）Rds（on）和导通损耗直接相关，RDSON越小，功率MOSFET的导通损耗越小、效率越高、工作温升越低。
（2）Rds（on）时正温度系数，会随着MOSFET温度升高而变大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
探索英飞凌最新120V沟槽功率MOSFET技术：从原理到应用 在电子工程领域，功率MOSFET技术的不断创新推动着各类电力电子设备向更高效率、更高功率密度和更高系统可靠性迈进。英飞凌作为行业的领军者
2025-12-20 10:35:06517 在电子设计领域，MOSFET是不可或缺的关键元件。今天，我们来详细探讨Onsemi公司的NTMFS3D2N10MD这款N沟道功率MOSFET，看看它在实际应用中能为我们带来哪些优势。
2025-12-08 16:38:38548 
在电子设计领域，功率MOSFET是不可或缺的关键元件，它广泛应用于电源管理、电机驱动等众多领域。今天就来详细探讨安森美（onsemi）推出的一款单通道N沟道功率MOSFET——NTMFS002N10MCL。
2025-12-08 14:53:47334 
作为一名电子工程师，在为电动汽车（xEV）应用设计 DC - DC 转换器和车载充电器时，合适的功率 MOSFET 模块至关重要。今天就为大家详细解析 onsemi 的 SiC 功率 MOSFET 模块 NVXK2PR80WXT2。
2025-12-03 16:13:24632 
在电子工程师的日常设计工作中，功率 MOSFET 是一种常见且关键的元件。今天，我们要详细探讨的是 onsemi 公司的 NTMFS5H663NL 这款 N 沟道功率 MOSFET，它具有诸多出色的特性，适用于多种应用场景。
2025-12-02 15:53:58337 
在电子设计领域，功率 MOSFET 是不可或缺的关键元件，广泛应用于各类电源管理、电机驱动等电路中。今天，我们就来深入探讨一下 ON Semiconductor 推出的 NTMFD5C672NL 双 N 沟道功率 MOSFET。
2025-12-02 14:58:25273 
在电子设计领域，功率 MOSFET 是至关重要的元件，它广泛应用于各类电源管理、电机驱动等电路中。今天，我们就来详细剖析 onsemi 推出的 NVMFWS003N10MC 单通道 N 沟道功率 MOSFET，看看它有哪些独特之处。
2025-12-02 11:43:20466 
在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET 作为关键的功率器件，其性能和特性直接影响着整个电路的运行效率和稳定性。今天，我们就来详细剖析 onsemi 推出的 NVMFWS004N10MC 这款 100V、3.9mΩ、138A 的单 N 沟道功率 MOSFET。
2025-12-01 15:35:07232 
作为电子工程师，在设计过程中，选择合适的功率MOSFET至关重要。今天就来详细介绍onsemi推出的NVTYS020N08HL N沟道功率MOSFET，探讨它的特性、参数以及在实际应用中的表现。
2025-12-01 09:34:36356 
在电子设计领域，功率MOSFET的性能直接影响着整个系统的效率与稳定性。今天，我们就来深入剖析onsemi推出的NVMFWS002N10MCL这款N沟道功率MOSFET，看看它有哪些独特之处能满足工程师们的设计需求。
2025-11-28 16:12:03422 
在汽车电子领域，功率 MOSFET 模块扮演着至关重要的角色。今天，我们将深入探讨 onsemi 的 NXV08H350XT1 汽车功率 MOSFET 模块，了解其特性、应用、电气参数等方面的内容，为电子工程师们在设计相关系统时提供参考。
2025-11-28 15:20:04237 
在电子设备的设计中，功率MOSFET是至关重要的元件，它对设备的性能和效率有着深远的影响。今天，我们要深入探讨的是ON Semiconductor推出的NVMYS3D8N04CL单N沟道功率MOSFET，看看它有哪些独特的特性和优势。
2025-11-28 14:03:45181 
功率MOSFET管应用问题汇总
问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散热会比
2025-11-19 06:35:56
选型手册：MOT3520JN沟道功率MOSFET晶体管仁懋电子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、高稳定性及无铅封装特性，适用于
2025-11-18 16:08:14326 
Vishay MCB HRHA充电电阻器（用于EV混合绕线技术）具有高能量/体积比，符合AEC-Q200标准。Vishay MCB HRHA充电电阻器设计用于工业和汽车电器中的预充电、放电和有源放电
2025-11-17 10:35:21348 Vishay/Sfernice PEP功率增强型薄膜片式电阻器具有39Ω至900kΩ宽电阻范围，耐受温度高达+250°C。这些电阻器设计用于大功率应用，具有低噪声、出色的稳定性、低电阻温度系数
2025-11-17 10:26:52402 
Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK ® 8 x 8LR封装。该MOSFET可为
2025-11-14 10:32:18365 
Vishay/Sfernice RCH功率电阻器设计用于安装到散热器上，并承受较高的短时过载。这些电阻器采用金属陶瓷厚膜技术制造，具有出色的特性。RCH功率电阻器为无电感电阻器，特别适合用于高频
2025-11-13 15:57:49377 
SiC544采用紧凑型4.5mm x 3.5mm MLP封装。SiC544支持高达40A的每相持续电流。内部功率MOSFET采用Vishay的先进第四代TrenchFET^®^ 技术，可最大限度地降低开关和导通损耗，实现行业领先的性能。
2025-11-13 15:00:01348 
Vishay VSMA1094750X02大功率红外发光二极管是星形产品组合的一部分，设有波长为940nm的红外发光二极管。Vishay VSMA1094750X02设计采用双堆叠发射器芯片。该器件
2025-11-13 14:52:00385 Vishay SiRS5700DP N沟道150V（D-S）MOSFET是一款TrenchFET®第五代功率MOSFET，具有非常低的R~DS~ x Q~g~ 品质因数（FOM）。Vishay
2025-11-13 11:21:53430 
Vishay/Dale IFDC-5050HZ屏蔽表面贴装器件（SMD）功率电感器采用12.3mmx12.3mmx8mm封装。这些SMD功率电感器采用屏蔽铁氧体结构，0A时电感范围为3.3μH至
2025-11-13 10:19:04391 
Vishay/Dale IFSC-3232DB-01半屏蔽SMD功率电感器采用半屏蔽绕线铁氧体结构，采用SMD封装，外形尺寸为8mm x 8mm x 4.2mm。 这些电感器在0A时的电感为0.9
2025-11-13 09:49:18381 Vishay/Dale IFSC-2020DE-01半屏蔽SMD功率电感器采用半屏蔽绕线铁氧体结构，采用6mmx6mmx4.5mm SMD封装。这些半屏蔽电感器在0A时的电感为1μH至470μH
2025-11-12 16:50:51503 Vishay VLMB2332和VLMTG2332标准SMD MiniLED采用预成型 封装，引线框架封装在明亮的白色热塑性塑料中。Vishay VLMB2332和VLMTG2332具有2.2mmx1.3mmx1.4mm的紧凑尺寸。迷你LED非常适用于设计用于苛刻环境的小型大功率产品，可靠性高。
2025-11-12 16:32:16516 Vishay/Siliconix SiJK140E N沟道40V（D-S）MOSFET采用TrenchFET^®^ 第五代功率技术。该MOSFET优化了功率效率，R~DS(on)~ 可最大限度地降低
2025-11-12 14:12:58319 Vishay/Sfernice D2TO35 SMD厚膜功率电阻器符合AEC-Q200标准，+25°C时的额定功率为35W。此系列无感电阻器采用表面贴装TO-263 (D2^^PAK) 型封装，宽
2025-11-12 10:38:47429 
Vishay/Dale WSLF1206功率金属条电阻器采用专有生产工艺，产生的电阻值低至0.3mΩ 至3mΩ 。该电阻器由固态金属锰铜和镍铬铝合金制成，带电阻元件。WSLF1206系列具有非常低
2025-11-12 10:08:01378 Vishay Semiconductors VOFD343A IGBT和MOSFET驱动器是采用加长SO-6封装的紧凑型高设计、快速开关IGBT和MOSFET驱动器。VOFD343A光耦合器
2025-11-11 16:22:341412 Vishay/Dale IFSC2020DE-02屏蔽型SMD铁氧体功率电感器采用表面贴装封装，尺寸为6mmx6mmx4.5mm。IFSC2020DE-02电感器采用绕线铁氧体磁芯，采用嵌入式铁氧
2025-11-11 15:54:40538 
Vishay/Dale IFSC-2020BZ-01半屏蔽SMD功率电感器采用薄型紧凑设计，尺寸为5mmx5mmx2mm。这些表面贴装电感器效率高，采用半屏蔽铁氧体结构。Vishay/Dale
2025-11-11 15:42:54585 
Vishay/Dale IFSC1616AH-01屏蔽型SMD铁氧体功率电感器采用薄型设计，采用绕线铁氧体磁芯，采用铁嵌入环氧树脂封装，用于磁屏蔽。该电感器的电感范围为0.33μH至330μH，采用
2025-11-11 15:36:24416 
Vishay/Dale IMSC1008AZ半屏蔽SMD功率电感器采用薄型封装，最大尺寸为2.5mmx2mmx1mm。这些表面贴装电感器采用半屏蔽、金属基结构，实现稳定的饱和。该系列还具有低磁芯损耗
2025-11-11 15:25:04328 
Vishay/Dale IDCS3014铁氧体功率电感器采用屏蔽、组装的铁氧体结构，封装尺寸为7.6mmx7.6mmx3.5mm。IDCS3014系列的电感范围为3.μH至1000μH，电感容差为
2025-11-11 15:05:09391 
Vishay/Dale IFSC2020DZ-01和IFSC3232DB-02功率电感器采用表面贴装器件（SMD）端接类型和5mmx5mmx4mm尺寸封装。该电感器的电感范围为0.22μH至10μH
2025-11-11 14:22:19307 
Vishay/BLUETOOTH IHLL-0806AZ-1Z功率电感器可处理高瞬态电流尖峰而不会导致 电感饱和。该款电感器采用磁保护复合材料制造而成。IHLL-0806AZ-1Z功率电感器采用
2025-11-11 14:12:40358 
Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^®^ 第四代N沟道MOSFET设计用于高效电源开关应用。SiEH4800EW采用紧凑型PowerPAK
2025-11-11 13:53:18343 Vishay/Siliconix SiJK5100E N沟道MOSFET是一款TrenchFET^®^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源电压。该MOSFET具有536W最大功耗（+25°C
2025-11-11 13:42:26335 
Vishay IHV功率电感器是大电流和径向引线滤波电感器。这些电感器的额定电感高达200μH，最大直流电流范围为20A至60A。IHV滤波电感器在空载条件下的工作温度范围为-55°C至125°C
2025-11-11 11:23:15469 
Semiconductors SiC674采用紧凑型5mm x 5mm MLP封装。SiC674支持每相持续电流高达55A的稳压器设计。其内部功率MOSFET采用Vishay先进的TrenchFET^®^ 技术，最大限度地降低了开关和传导损耗，实现了业界领先的性能。
2025-11-11 10:25:45352 
Semiconductors SiC653A采用紧凑型5mm x 5mm MLP封装，可让稳压器每相提供高达50A的持续电流。SiC653A采用Vishay的第四代TrenchFET MOSFET技术，最大限度地降低了开关
2025-11-11 10:16:53381 
Vishay ISOA200厚膜功率电阻器是AEC-Q200合规电阻器，工作温度范围为-55°C至+150°C。Vishay ISOA200厚膜功率电阻器具有没有外部辐射的冷系统。这些无感电
2025-11-11 09:36:33388 Vishay SiC658A 50A VRPower ^®^ 集成功率级具备高效率和出色的散热性能，非常适合大电流应用。Vishay SiC658A凭借先进的MOSFET技术，可确保最佳电源转换并
2025-11-10 11:35:58464 
Vishay/BC Components器件由焊接连接的均质陶瓷PTC组成，封装在UL 94V-0认证的PPS-GF外壳中。PTCES系列包括标准240J和高能340J选项，可提供大量的浪涌功率循环。
2025-11-10 10:38:57361 
选型手册：MOT5122TN沟道功率MOSFET晶体管仁懋电子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大电流低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借120V耐压、2.0mΩ超低导通损耗
2025-11-05 15:53:52207 N沟道功率MOSFET 美容仪加湿器专用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管
2025-10-31 09:35:26
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高压N沟道功率MOSFET，具有齐纳保护功能和100%雪崩。该MOSFET还具
2025-10-27 14:24:41381 
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET是一款汽车级N通道MDmesh DM6半桥拓扑功率MOSFET，提供650V阻断电压。该功率MOSFET符合AQG
2025-10-24 09:17:32684 
PSMN1R9-80SSJ与100 V PSMN2R3-100SSJ两款开关器件能够提供增强的动态均流功能，专为需要并联多个匹配MOSFET的高功率48 V应用设计。此类应用涵盖叉车、电动滑板车、代步设备等电动交通工具的电机驱动系统，或高功率工业电机。
2025-10-10 11:22:27700 电子发烧友网站提供《FS60N03 N沟道增强型功率MOSFET数据表.pdf》资料免费下载
2025-09-23 14:59:08
0 铁路牵引变流器作为轨道交通车辆动力系统的核心部件，正朝着高可靠性、高功率密度和高效率方向发展。目前IGBT仍是铁路牵引领域的主流功率半导体器件，但是SiC MOSFET模块的应用正在加速。本文重点介绍三菱电机SiC MOSFET模块的高功率密度和低损耗设计。
2025-09-23 09:26:332066 
Texas Instruments CSD16321Q5 N沟道NexFET功率MOSFET是25V 1.9mΩ 5mm × 6mm SON NexFET™功率MOSFET，设计用于最小化功率转换损失，优化用于5V栅极驱动应用。
2025-09-22 15:43:41635 
Nexperia(安世半导体)近日宣布推出符合AEC-Q101标准的新款100 V MOSFET，采用紧凑型CCPAK1212(12 x 12毫米)铜夹封装。此款器件具有超低导通损耗，导通电
2025-09-18 18:19:141109 电子发烧友网为你提供()密封光隔离高速功率 MOSFET 驱动器相关产品参数、数据手册，更有密封光隔离高速功率 MOSFET 驱动器的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，密封光隔离高速功率
2025-07-09 18:30:34
在功率电子系统中，MOSFET和IGBT是两种常见的开关器件，广泛应用于中低压功率系统。它们各有优缺点，适用于不同的应用场景。作为FAE，帮助客户理解这些器件的特性、差异和应用场景，能够有效提高系统
2025-07-07 10:23:192435 
电子发烧友网为你提供()用于混合组装的光隔离高速功率 MOSFET 驱动器相关产品参数、数据手册，更有用于混合组装的光隔离高速功率 MOSFET 驱动器的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料
2025-07-03 18:34:35
什么是功率 MOSFET？
我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信号流。此外，二极管作为开关取决于信号流的方向；我们不能对其编程以通过或屏蔽一个信号
2025-06-03 15:39:43
CCG8 使用 GPIO 来控制 FET 栅极驱动器的功率吸收路径，
我可以使用 P-MOSFET 作为电源接收路径吗？
使用 N-MOSFET 作为功率吸收路径有哪些优点？
2025-05-28 06:51:33
近日，索尼（中国）有限公司正式发布新款双芯超旗舰头戴降噪耳机——WH-1000XM6。
2025-05-20 09:47:351797 引言
随着电力半导体器件的发展[1-2]，已经出现了各种各样的全控型器件，最常用的有适用于大功率场合的大功率晶体管(GTR)、适用于中小功率场合但快速性较好的功率场效应晶体管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48:50
和计算领域的功率转换效率和功率密度，显著改善了前代产品的性能。SiHK050N65E采用了先进的n-channel设计，与之前的MOSFET相比，具备48.2%的导
2025-03-27 11:49:46945 
电子发烧友网站提供《LT8623SL双通道N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-26 16:13:440 电子发烧友网站提供《LT8844SL N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-26 15:55:520 做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前英飞凌的新一代IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了.不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百
2025-03-25 13:43:17
)与电源转换技术来提高电源转换效率之外，新式功率器件在高效能转换器中所扮演的重要角色，亦不容忽视。其中，Power MOSFET 目前已广泛应用于各种电源转换器中。本文将简述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
电子发烧友网站提供《LTS3002FJ-L N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-24 11:29:590 电子发烧友网站提供《LTS7446FLM N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-24 11:13:110 电子发烧友网站提供《LTS6904SQ N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-18 17:27:000 电子发烧友网站提供《LTS7304FL N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-18 17:25:440 电子发烧友网站提供《LTS7408FL N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-18 17:23:180 电子发烧友网站提供《LTS7417SR N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-18 17:17:200 电子发烧友网站提供《LTS1010SQD N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-12 17:29:160 电子发烧友网站提供《LTS1008FJ N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-12 17:00:040 电子发烧友网站提供《LTS1008FJF N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-12 16:58:360 英飞凌(Infineon)近日宣布，扩大其辐射耐受功率MOSFET系列，新增P沟道功率MOSFET，以满足日益增长的低地球轨道(LEO)空间应用需求。这一新产品的推出，标志着英飞凌在为新一代“新空间
2025-03-11 11:39:53736 
电子发烧友网站提供《LTS4460FLB N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-07 13:56:390 电子发烧友网站提供《LT7904FJ-X N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-07 11:51:111 电子发烧友网站提供《LT7904FLG N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-07 11:46:310 电子发烧友网站提供《LT8810SSY共漏N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-07 09:35:150 )与电源转换技术来提高电源转换效率之外，新式功率器件在高效能转换器中所扮演的重要角色，亦不容忽视。其中，Power MOSFET 目前已广泛应用于各种电源转换器中。本文将简述Power MOSFET
2025-03-06 15:59:14
电子发烧友网站提供《LT1754SI N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-05 17:42:260 电子发烧友网站提供《LT1754SIX N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-05 17:35:490 电子发烧友网站提供《LT1811FQ N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-05 17:09:010 电子发烧友网站提供《LT1913SH N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-05 17:07:250 电子发烧友网站提供《LTD1534MFJO N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 17:26:501 电子发烧友网站提供《LTD1534MFJ N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 17:24:421 电子发烧友网站提供《LTD1534MFLD N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 17:23:362 本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET开关损耗
1 开通
2025-02-26 14:41:53
特点根据IEC 61249-2-21，无卤素定义•TrenchFET®功率MOSFET•PWM优化•100%Rg测试•符合RoHS指令2002/95/EC
2025-02-17 11:32:12
近日，碳化硅技术领域的全球领军企业Wolfspeed推出了其全新的第4代MOSFET技术平台。该平台在设计之初就充分考虑了耐久性和高效性，旨在为高功率应用带来突破性的性能表现。 作为碳化硅技术
2025-02-17 10:28:44943 苹果公司即将迎来其智能手机产品线的新成员——新款iPhone SE。据消息透露，这款新设备最早将于下周在苹果官方网站上发布，并计划在本月晚些时候正式上市销售。
2025-02-08 16:52:271503 近日，全球碳化硅（SiC）功率半导体领域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款专为中压大功率转换应用而设计的1700V SiC MOSFET系列新品。此次发布的QSiC™ 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:58994 近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半导体制造商SemiQ正式发布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，专为中压大功率转换应用设计。
2025-01-22 11:03:221221 
*附件：国产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用.pdf
2025-01-20 14:19:40
近日，瑞萨电子公司宣布推出新型100V高功率N沟道MOSFET。这款产品专为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电应用而设计，以其卓越的高电流开关性能和行业领先的技术表现成为市场焦点。新型
2025-01-13 11:41:38957 
的MOSFET技术，这是一种由半导体功率元件构成的无触点开关器件。与传统继电器相比，它无需通过物理触点来实现电路的接通与断开，而是通过微弱的控制信号来驱动功率半导体器件MOSFET。这一创新设计不仅实现了无火花、无噪声的电路切换，还从根本上避免了传统继电器中因
2025-01-08 14:12:551094
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