苹果新款iPad预计将在3月底或4月发布，具体时间还需等待苹果官方确认。据多方消息透露，新款iPad将搭载最新的M3芯片，带来更加强劲的性能和能效表现。同时，新款iPad还可能配备OLED显示屏等先进技术，为用户提供更加出色的视觉体验。
2024-03-13 17:36:04
318 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 近日，全球知名的半导体及组件制造商Vishay宣布推出五款新型半桥IGBT功率模块，这些模块采用了经过改良设计的INT-A-PAK封装。新款产品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 搭载M3芯片的新款MacBook Air在北京时间2024年3月4日晚间正式发布。这次发布的新款MacBook Air在硬件配置上实现了全面升级，不仅搭载了苹果自家研发的M3芯片，更在续航、网络摄像头、Wi-Fi网络等方面进行了优化。
2024-03-11 17:23:08526 Vishay近期发布五款新型半桥IGBT功率模块，其改良设计的INT-A-PAK封装备受瞩目。这五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均运用Vishay领先
2024-03-08 11:45:51266 意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。
2024-02-23 09:38:53343 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08353 
MOSFET功率放大器是一种使用MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的电子设备，用于增强输入信号的幅度。MOSFET放大器是音频源如唱片播放器或CD播放器以及均衡器、前置放大器和扬声器等其他设备的重要组成部分。
2024-02-19 15:50:56476 
引言：EV和充电桩将成为IGBT和MOSFET最大单一产业链市场！EV中的电机控制系统、引擎控制系统、车身控制系统均需使用大量的半导体功率器件，它的普及为汽车功率半导体市场打开了增长的窗口。充电
2024-02-19 12:28:04191 
英飞凌科技股份公司近日发布了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列。这款产品采用了先进的TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ，旨在满足高压应用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 功率MOSFET是一种广泛应用于电力电子转换器的高性能开关器件。它具有高输入阻抗、低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性等特点，因此在各种高压、高频、高效率的电源系统中发挥着重要作用。 结构
2024-01-17 17:24:36294 
电子发烧友网站提供《FP6151内置内部功率MOSFET产品手册》资料免费下载
2024-01-15 14:47:23
0 英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361219 电子发烧友网站提供《AT32F435 & AT32F437入门使用指南.pdf》资料免费下载
2023-12-18 11:13:131 如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-12-06 18:22:24522 
功率MOSFET在电力电子设备中应用十分广泛，因其故障而引起的电子设备损坏也比较常见。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，对于MOSFET的进一步推广应用具有重要意义。
2023-12-04 15:57:241113 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散热会比较好？漏极、源极铜箔面积大小是否需要一样？有公式可以计算吗？
2023-12-03 09:30:40408 
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识
2023-11-23 09:06:38407 
电子发烧友网站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源.pdf》资料免费下载
2023-11-13 15:11:290 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长，导通电阻急剧增大，电流额定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
MOSFET中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管或MOS管，可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。而功率MOSFET则指处于功率输出级的MOSFET器件，通常工作电流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过
2023-11-01 08:24:31345 
1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 
功率MOSFET选型的几点经验在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的，这里不作赘述，只对实际
2023-10-26 08:02:47373 
AT32F435 & AT32F437入门使用指南旨在让用户快速使用AT32F435xx /AT32F437xx 进行项目开发，AT32F437 相较于AT32F435 增加了以太网（EMAC）功能。
2023-10-26 06:58:03
在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。
2023-10-25 10:42:27493 
AT32F435/437xx的通用功能I/O (GPIO)提供了一系列与外部环境通讯的接口，可用于MCU与其他嵌入式设备之间通过数字或模拟方式的通讯。AT32F435/437xx系列的GPIO还提
2023-10-25 08:23:14
AT32F435/437 ADC使用指南主要以ADC的特色功能进行讲解和案列解析。
2023-10-25 08:08:34
AT32F435/437 Performance Improvement描述了如何通过软件方法改善AT32F435_437的运行效能。
2023-10-25 07:37:21
AT32F435/437 EDMA使用指南本文主要就EDMA 的基本功能进行讲解和案列解析。
2023-10-25 07:24:35
AT32F435/437 Security Library Application Note主要在阐述AT32F435/437系列安全库区的应用原理、软件使用方法及范例程序。
2023-10-25 07:22:40
AT32F435/437 OTGFS Application Note主要描述AT32 OTGFS 外设特性，OTGFS 支持主机和设备模式。
2023-10-25 07:01:37
AT32F435/437时钟配置主要介绍两部分内容：1、基于雅特力提供的V2.x.x 的板级支持包来进行时钟源码的配置及修改2、如何使用配套的时钟配置工具来进行时钟路径及参数的设定，生成相应的时钟流程代码并使用。
2023-10-25 06:18:06
这篇应用笔记展示了 AT32F437 系列的各种功能，配有多个案例，每个案例均配有软硬件设计，且有详细注释及说明。这些实例涵盖了 AT32F437 大部分高级功能，并且提供很多实用级别的程序。所有实例在 MDK5 编译器下编译通过，只需下载程序到 AT-SURF-F437 开发板，即可实验验证。
2023-10-24 08:29:15
汽车电子MOSFET发展的一个最终方向是提高感测、控制和保护功率开关的性能。功率器件正集成到智能化车载系统中。现在在最低功率级别，MOSFET可以与功率器件上的感测元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 
众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率
2023-10-18 09:11:42621 
MOSFET也已经发展到了第3代，新推出的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单，可靠性得到进一步的提高。 碳化硅MOSFET的优势 相同功率等级的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，
2023-10-17 23:10:02268 
中压MOSFET，是美格纳40~200V沟槽MOSFET的尖端产品组合。 在大功率设备中，能源效率对于降低功耗和确保稳定性至关重要。利用美格纳尖端的沟槽式MOSFET技术，这些新发布的第8代150V MXT MV
2023-10-12 17:15:09736 想入手一款示波器使用频率很少 ，一个月可嫩只用一两次。
但是还是挺需要的就看了一款二手的 ，示波器觉得可以用。
但是看了一些新款的感觉功能更多 有必要选择新款的吗 ？
没用过所有需要请教一下
看了ds5000系列现在用过时吗
组要用于看看一些简单的模拟电路
和一些小的嵌入式 esp32 stm32等
2023-10-10 23:38:04
MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09:39
电子发烧友网站提供《P沟道增强模式功率MOSFET G040P04M规格书.pdf》资料免费下载
2023-09-19 17:29:110 如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54:35590 
V Vishay 推出新型 6 A、20 A 和 25 A microBRICK 同步降压稳压器，用来提高负载点 (POL) 转换器的功率密度和效率。 Vishay SiliconixSiC931
2023-09-15 10:41:09545 
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快快恢复时间（trr），以及出色的品质因数（RDS(on) x Qg），能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率
2023-09-08 06:00:53
【 2023 年 8 月 3 日，德国慕尼黑讯】 小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸
2023-09-06 14:18:431202 
功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例，详细说明了上述概念。
2023-09-06 09:14:32446 
model 3新款什么时候出 今日特斯拉发布新款Model 3焕新版25.99万 很多人都在关注model 3新款什么时候出？心心念念的Model 3焕新版今天终于来了。 今日特斯拉发布新款
2023-09-01 17:06:47808 
雪崩强度是MOSFET的一种特性。在MOSFET的漏极和源极之间施加超过VDSS的电压，但是MOSFET的性能没有被破坏。此时施加在其上的能量称为雪崩能量[Avalanche energy]，流过的电流称为雪崩电流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保证雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 
为了划分所涉及的功率并创建可以承受更多功率的器件，开关、电阻器和 MOSFET 并联连接。
2023-08-29 11:47:48302 
垂直导电平面结构功率MOSFET管水平沟道直接形成JFET效应，如果把水平的沟道变为垂直沟道，从侧面控制沟道，就可以消除JFET效应。
2023-08-28 10:10:392920 
功率MOSFET数据表参数
2023-08-24 09:13:06552 
随着现代电子设备对小型化和高效率的要求不断提高,对电源管理芯片的技术也提出了更高要求。针对此趋势,安森德半导体公司推出了新一代异步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。这款100V N沟道功率MOSFET凭借其卓越的静态和动态性能参数,将助您的设计实现更高功率密度和转换效率。
2023-08-14 15:04:45367 
这是Mosfet功率放大器5200W RMS的电路设计，原理图是单通道的。该电路使用 16x IRFP250 在 2 欧姆负载下获得 5200W RMS 功率输出。
2023-07-31 16:18:07845 
使用AT32F437板上只预留了一个USB口，只有D+ D-两根数据线，需要根据要求，切换主机或从机功能。
2023-07-31 15:04:45559 这是600W MOSFET功率放大器的电路图。该电路将为阻抗为 4 欧姆的扬声器提供超过 600 瓦的音频输出。该高功率放大器电路仅在输出级使用6个N沟道MOSFET IRFP450，即可为您提
2023-07-28 17:04:191357 
MOSFET是电路中非常常见的元件，常用于信号开关、功率开关、电平转换等各种用途。由于MOSFET的型号众多，应用面广，本文将详细介绍MOSFET选型原则以及mosfet选型要考虑的因素。
2023-07-20 16:33:44734 日前发布的Vishay General Semiconductor整流器首度采用Vishay新型Power DFN系列DFN3820A封装，占位面积3.8 mm x 2.0 mm，典型厚度仅为
2023-07-07 10:00:39447 
及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业，主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模块、IGBT、二极管
2023-07-06 16:45:02520 
研发及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业，主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模块、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
MOSFET的漏伏安特性（输出特性）：截止区（对应GTR的截止区）;饱和区（对应于GTR的放大区）;非饱和区（对应于GTR的饱和区）。功率MOSFET在开关状态下工作，即截止区域和不饱和区之间的转换
2023-07-04 16:46:37975 
功率MOSFET的UIS雪崩损坏有三种模式：热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2023-06-29 15:40:541276 
功率 MOSFET 即金属氧化物半导体场效应晶体管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三个管脚，分别为栅极（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。
2023-06-27 17:41:20369 
UTC 10N65-ML是一款高压功率MOSFET，它结合了先进的沟槽MOSFET，设计具有更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通状态电阻和高崎岖雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
2023-06-14 16:45:450 Vishay VOMDA1271 器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平 Vishay 推出一款业内先进的新型汽车级光电压输出光耦，用于 MOSFET
2023-06-09 10:10:01426 
Vishay VOMDA1271 器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平 Vishay 推出一款业内先进的新型汽车级光伏 MOSFET 驱动器
2023-06-08 19:55:02374 
功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
我们将讨论设计MOSFET功率放大器电路时必须考虑的各种参数，还分析了双极结型晶体管（BJT）和MOSFET特性之间的差异，并了解了为什么MOSFET更适合功率放大器应用并使其更有效。
2023-06-05 09:07:19737 
Vishay MCB ISOA 器件通过 AEC-Q200 认证 采用 SOT-227 小型封装 可直接安装在散热器上 具有高脉冲处理能力 功率耗散达 120 W Vishay 推出一款通过
2023-06-03 08:25:02533 
Vertical MOSFET（垂直MOSFET） 5. Power MOSFET（功率MOSFET） 6. Junction Field Effect Transistor (JFET)（结型场效应晶体管
2023-06-02 14:15:36937 在这篇文章中，我们将讨论设计MOSFET功率放大器电路时必须考虑的各种参数。我们还分析了双极结型晶体管（BJT）和MOSFET特性之间的差异，并了解了为什么MOSFET更适合功率放大器应用并使其更有效。
2023-05-24 17:25:422111 
分享功率MOSFET驱动保护电路方案大全，希望能帮助大家
2023-05-24 10:22:02
这款简单的MOSFET功率音频放大器电路具有TL071C和2个MOSFET（IRF9530和IRF530），可在45Ω扬声器上提供高达8W的功率，在70Ω扬声器上提供高达4W的功率。该原理图
2023-05-23 16:50:331164 
半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。IGBT全称是绝缘栅极
2023-05-18 09:51:583446 
同步整流技术就是用功率MOSFET代替普通二极管或者肖特基二极管进行整流,所以,研究同步整流技术,就必须首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 
功率MOSFET的雪崩强度限值是衡量器件针对于感性负载在开关动作应用中的重要参数。 清楚地理解雪崩强度的定义，失效的现象及评估的方法是功率MOSFET电路设计必备的能力。 本文将以下面三个方面进行探讨。
2023-05-15 16:17:451133 
在功率MOSFET的数据手册中会有一个看似复杂的SOA（Safe Operation Area）图片，这个安全工作区域图告诉我们只有MOSFET工作在曲线内才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA图。
2023-05-15 16:16:311174 
数据手册就是电子元件的使用说明书，在电路设计之前，十分有必要通读数据手册，并了解产品的重要性能参数。在MOSFET的数据手册中极限值表格中的总功率损耗Ptot就是一个十分有趣的参数。说它有趣是因为
2023-05-15 16:10:25626 
功率MOSFET怎样关断？能否用PWM实现？怎样实现？
2023-05-08 16:16:27
NR系统消息SIB4/5的作用和SIB3类似，区别在于：
SIB3：仅提供与同频小区重选相关的邻区信息，包括具有特定重选参数的小区和黑名单小区信息。
SIB4： 包含与异频小区重选有关
2023-05-08 15:50:39
5G NR系统消息SIB2的作用是：提供同频、异频和系统间小区（NR–LTE）重选的公共信息及同频小区重选的特定信息。
此外，NR UE在执行小区重选测量时，可以基于小区级别和波束级别测量
2023-05-08 15:21:12
在5G NR中，SIB1 携带了是否允许UE接入小区时相关的信息，并定义其他系统信息的调度；此外，它还提供所有UE共用的无线电资源配置信息和统一接入控制所需的禁止信息。
SIB1的发送方式
2023-05-08 15:04:53
在5G NR中，SIB1 携带了是否允许UE接入小区时相关的信息，并定义其他系统信息的调度；此外，它还提供所有UE共用的无线电资源配置信息和统一接入控制所需的禁止信息。
SIB1的发送方式
2023-05-06 14:17:49
我正在尝试使用 ESP-01 驱动 MOSFET 来控制 12V 电源。附上原理图。这是我的简单代码 -
代码：全选#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288 
AM437X EVALUATION MODULE
2023-03-30 11:47:55
KIT IND DEV FOR AM437
2023-03-30 11:47:53
EVALBOARDNCP437FCT2G
2023-03-30 11:46:13
Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出加强版0805封装抗浪涌厚膜电阻器Vishay Draloric RCS0805 e3，额定功率高达0.5
2023-03-29 17:00:06694 
MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
2023-03-29 10:04:53
.437" PATCH PANEL HOLE PLUG
2023-03-23 00:55:26
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