单管IGBT，IPM和IMP的区别：
IGBT功率模块采用封装技术集成驱动、保护电路和高能芯片一起的模块，已经从复合功率模块PIM发展到了智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM等。
IGBT单管和IGBT功率模块的定义不同：
IGBT单管：分立IGBT，封装较模块小，电流通常在50A以下，常见有TO247、TO3P等封装。
IGBT模块：块化封装就是将多个IGBT集成封装在一起，即模块化封装的IGBT芯片。常见的有1in1，2in1，6in1等。
PIM模块：集成整流桥+制动单元（PFC）+三相逆变（IGBT桥）；
IPM模块：即智能功率模块，集成门级驱动及保护功能（热保护，过流保护等）的IGBT模块。
IGBT单管和IGBT功率模块的结构不同
IGBT单管为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。P+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。
IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，提高系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。
四种IGBT测量仪器是哪四种？
四种IGBT模块常规测量仪器
看了很多的IGBT 测量方法，其中不乏极具精髓的，但不怎么的全面。现在我总结介绍四招，有这四招，足以应付日常工作中的要求了。但这是在简单工具的前提下，只能说是常规测量吧。下面先摆出四大装备（排名不分先后）：
数字万用表：虽然，用它来测量有太多的局限性，但它却是我们最常用和普遍的工具之首。用它测量二极管的管压降，不仅能在一定程度上判断其好坏，还能判定它们的离散性。
数字电容表：这个可能是很多人用的比较少吧，其实我们都知道，IGBT 的容量大小是有规律的，容量大它的各种等效电容容量也将同比加大，如最重要的Cies 就是我们的测量对象。但是，官方给出的多是VGE=0V VCE=10V f=1MHZ时的参考数值，我们根本没有条件来做直接对比。我们使用的数字电容表多在800HZ 的测试频率。但这不并不影响我们的测量，我们只要总结规律，以我们现有的这种简单测试仪表也还是具有非大的靠性的，而且在一定程度上能判断各个IGBT 管的同一性。现在很多奸商以小充大来赚取暴利，所以这是一个很好的方法。万一你用上了“来历不明”的模块而爆机时有可能就是这种情况，不是你技术不好或是你维修的不够仔细，而是你碰上了李鬼模块。
模拟表：这个很多人都知道，用它来测量IGBT 的触发开通性能及关断性能。
除此之外，也是可以测试IGBT 的好坏的，如果并联二极管完好而IGBT 开路了就会触发不起来的。
晶体管直流参数测试表：耐压是IGBT 最重要的关键参数之一，但是，使用它测试IGBT 时，也是这四种测量手段中最具危险性的一种。弄不好会报废IGBT的。