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降低电容器的等效串联电阻 - Hi-Q Low ESR 积层陶瓷电容器的新要求

2011年05月30日 09:37 微波射频网 作者:秩名 用户评论(0
为了达成降低电容器的等效串联电阻的目的,核心技术在于金属内电极与微波介电陶瓷材料的开发,以及共烧技术的实现。以过去10年间,内电极材料由贵金属钯/银30/70 的成份,藉由银的优异导电性与比重增加、降低钯的比重,大幅改善了ESR水准。近年来一般泛用型的NPO MLCC多采用10/90 或3/97钯银成份作为内电极材料,但ESR无法再进一步有效降低,除非改用纯铜或纯银内电极。如下图所示:

  

华新科技推出射频专用Hi-Q Low ESR积层陶瓷电容器

 

  然而,纯度接近100%的银内电极导电性虽然极为优越,却会有银离子迁移(migration)的问题。由于一旦银迁移的现象产生,将导致产品可靠度与品质的问题(例如内电极短路、耐电压能力下降),于是诸多国际大厂纷纷宣告禁用纯银电极的产品。

  纯铜的材料特性有着与纯银极为接近的导电性与频率特性,却无离子迁移、导致可靠度不佳的问题。但碍于纯铜内电极制程的困难度远远高于纯银内电极系统,如下图所示,包含内电极材料、介电陶瓷材料、端电极材料、内电极电路设计与介电陶瓷共烧技术都必须有所突破,导致市场上可提供纯铜内电极高频用的MLCC目前仅有日系厂商独占一方。

  

华新科技推出射频专用Hi-Q Low ESR积层陶瓷电容器

 

  华新科技身为***电子陶瓷被动元件领导厂商,综观内部核心技术及市场需求,成功自行研发出NP0-Cu MLCC低温烧结材料系统,由高品质因子的微波介电陶瓷与导电性极佳的铜金属电极组成,并导入新式卑金属低温共烧制程(BME-Cu),与超低等效串联电阻之内电极设计,并取得多项材料与技术专利。如下图与日系厂商在高频特性的比较,可发现华新科技RF系列的NPO-Cu MLCC表现甚至超越日系厂商。

  

华新科技推出射频专用Hi-Q Low ESR积层陶瓷电容器

 

  

华新科技推出射频专用Hi-Q Low ESR积层陶瓷电容器

 

  此一系列产品的推出,不仅大幅提升***陶瓷元件的制作技术水平,更打破日商垄断的局面,能进一步与日系大厂并驾齐驱,并可提供***系统厂商相较日系供应商更快速的产品交期、经济的购得成本与即时完整的技术服务,使得通讯产业能加快产品问世速度,亦在全球性竞赛中持续保有其竞争力。

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( 发表人:叶子 )

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