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电容效应于二极管的作用是什么?电容缓冲电路该如何设计?

2017年06月01日 10:48 网络整理 作者: 用户评论(0

  什么是二极管电容效应?

  二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD。

  1.势垒电容CB(Cr)

  PN结内缺少导电的载流子,其电导率很低,相当于介质;而PN结两侧的P区、N区的电导率高,相当于金属导体。从这一结构来看,PN结等效于一个电容器

  事实上,当PN结两端加正向电压时,PN结变窄,结中空间电荷量减少,相当于电容“放电”,当PN结两端加反向电压时,PN结变宽,结中空间电荷量增多,相当于电容“充电”。这种现象可以用一个电容来模拟,称为势垒电容。势垒电容与普通电容不同之处,在于它的电容量并非常数,而是与外加电压有关。当外加反向电压增大时,势垒电容减小;反向电压减小时,势垒电容增大。目前广泛应用的变容二极管,就是利用PN结电容随外加电压变化的特性制成的。

  2.扩散电容CD

  PN结正向偏置时,N区的电子向P区扩散,在P区形成一定的非平衡载流子的浓度分布,即靠近PN结一侧浓度高,远离PN结的一侧浓度低。显然,在P区积累了电子,即存贮了一定数量的负电荷;同样,在N区也积累了空穴,即存贮了一定数即正电荷。当正向电压加大时,扩散增强,这时由N区扩散到P区的电子数和由P区扩散到N区的空穴数将增多,致使在两个区域内形成了电荷堆积,相当于电容器的充电。相反,当正向电压减小时,扩散减弱,即由N区扩散到P区的电子数和由P区扩散到N区的空穴数减少,造成两个区域内电荷的减少,、这相当于电容器放电。因此,可以用一个电容来模拟,称为扩散电容。

  总之,二极管呈现出两种电容,它的总电容Cj相当于两者的并联,即Cj=CB + CD。二极管正向偏置时,扩散电容远大于势垒电容 Cj≈CD ;而反向偏置时,扩散电容可以忽略,势垒电容起主要作用,Cj≈CB 。

  电容缓冲电路该如何设计?

  功率开关是所有功率转换器的核心组件。功率开关的工作性能直接决定了产品的可靠性和效率。若要提升功率转换器开关电路的性能,可在功率开关上部署缓冲器,抑制电压尖峰,并减幅开关断开时电路电感产生的振铃。正确设计缓冲器可提升可靠性和效率,并降低EMI。在各种不同类型的缓冲器中,电阻电容(RC)缓冲器是最受欢迎的缓冲器电路。本文介绍功率开关为何需要使用缓冲器。此外还提供一些实用小技巧,助您实现最优缓冲器设计。

  什么是二极管的电容效应?

  图1: 四种基本的功率开关电路

  有多种不同的拓扑用于功率转换器、电机驱动器和电灯镇流器中。图1显示四种基本的功率开关电路。在所有四种基本电路中——事实上在大部分功率开关电路中——蓝线以内表示的是同样的开关二极管电感网络。该网络在所有这些电路中均具有相同的特性。因此,可利用图2中的简化电路进行开关瞬变时针对功率开关的开关性能分析。由于开关瞬变期间,电感电流几乎不变,因此采用电流源代替电感,如图所示。该电路的理想电压和电流开关波形同样如图2所示。

  什么是二极管的电容效应?

  图2 简化的功率开关电路及其理想开关波形

  MOSFET开关关断时,它两端的电压将上升。然而,电流IL将继续流过MOSFET,直到开关电压到达Vol。二极管导通后,电流IL开始下降。MOSFET开关导通时,情况相反,如图所示。这类开关称为“硬开关”。开关瞬变期间,必须同时支持最大电压和最大电流。因此,这种“硬开关”会使MOSFET开关承受高电压应力。

  什么是二极管的电容效应?

  图3 MOSFET开关关断瞬变时的电压过冲

  在实际电路中,开关应力要高得多,因为存在寄生电感(Lp)和寄生电容(Cp),如图4所示。由于PCB布局与走线,Cp包含开关输出电容和杂散电容。Lp包含PCB路由寄生电感和MOSFET引线电感。这些来自功率器件的寄生电感和电容组成滤波器,并在关断瞬变发生后立即产生谐振,从而将过量电压振铃叠加到器件上,如图3所示。若要抑制峰值电压,可在开关上部署一个典型RC缓冲器,如图4所示。电阻值必须接近需减幅的寄生谐振阻抗值。缓冲器电容必须大于谐振电路电容,同时又必须足够小,以便将电阻功耗保持在最低水平。

  什么是二极管的电容效应?

  图4: 电阻电容缓冲器配置

  如果功耗并非关键因素,那么有一种方法可以快速设计RC缓冲器。由经验可知,选择缓冲器电容Csnub,使其等于开关输出电容值与安装电容估算值之和的两倍。选择缓冲器电阻Rsnub , 所以:

  什么是二极管的电容效应?

  Rsnub上的功耗可估算如下(给定开关频率fs):

  什么是二极管的电容效应?

  当这一简单的经验设计不再限制峰值电压时,便可执行优化步骤。

  优化RC缓冲器: 在那些功率损耗很重要的应用中,应当采用优化设计。

  首先,测量MOSFET开关节点(SW)在关断时的振铃频率(Fring)。在MOSFET上焊接一个100 pF低ESR薄膜电容。增加电容,直到振铃频率为初始测量值的一半。现在,由于振铃频率与电路电感和电容乘积的平方根成反比,开关总输出电容(增加的电容与初始寄生电容之和)增加四倍。因此,寄生电容Cp为外部所增加电容值的1/3。现在,式通过下可获得寄生电感Lp:

  什么是二极管的电容效应?

  一旦求出寄生电感Lp和寄生电容Cp,缓冲器电阻Rsnub和电容Csnub便可根据下列计算进行选择。

  什么是二极管的电容效应?

  如果发现缓冲器电阻值过低,可对其进一步微调以降低振铃。

  Rsnub上的功耗(给定开关频率fs)等于。

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( 发表人:易水寒 )

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