去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF.这个电容的分布电感的典型值是5μH.0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用.1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF.
分布电容是指由非形态电容形成的一种分布参数。一般是指在印制板或其他形态的电路形式，在线与线之间、印制板的上下层之间形成的电容。这种电容的容量很小，但可能对电路形成一定的影响。在对印制板进行设计时一定要充分考虑这种影响，尤其是在工作频率很高的时候。也成为寄生电容，制造时一定会产生，只是大小的问题。布高速PCB时，过孔可以减少板层电容，但会增加电感。
分布电感是指在频率提高时，因导体自感而造成的阻抗增加。
耦合电容，又称电场耦合或静电耦合，是由于分布电容的存在而产生的一种耦合方式。耦合电容器是使得强电和弱电两个系统通过电容器耦合并隔离，提供高频信号通路，阻止低频电流进入弱电系统，保证人身安全。带有电压抽取装置的耦合电容器除以上作用外，还可抽取工频电压供保护及重合闸使用，起到电压互感器的作用。
耦合电容的容量大小应如何选择呢？？？
本质：耦合电容与下一级的输入电阻构成了RC高通滤波器，为了保成输入信号下限频率能通过这一“RC高通滤波器”，RC高通滤波器的下限频率不能高于输入信号的频率。
相当于选择适当的电容来设计一个高通滤波器，以保证输入信号通不衰减通过，所以电容C可用公式计算出来，下面会给出公式。
我们来看下面一个实验，电路图如下所示，输入信号为频率为1Hz，大小为10mv.可见此输入信号有两个特点，频率很低，幅度又很小。
按照常识，电容容量越大，信号的频率就可以越低，现在的输入信号频率为1Hz，那么耦合电容的容量越大越好吗？？？请看下面的实验。
实验结果：
1.输入信号频率为1Hz，幅度10mV，负载电阻300K，耦合电容先0.4uF测得输入输出波形如下图所示，黄色为输入，绿色为输出。
可见输入信号经过耦合电容后，幅度被严重衰减，由此可知耦合电容选择过小。耦合电容选择0.1uF-0.5uF期间，输入信号衰减比较严重。
结论：如果电路要求信号耦合之后不能衰减，那么耦合电容就不能小于0.5uF
2.输入信号频率为1Hz，幅度10mV，负载电阻300K，耦合电容大于等于0.5uF
输出波形如下图所示，可见只要电容大于0.5uF，信号耦合之后就不会有幅度衰减。那么是不是选择越大越好呢？？？请看实验3
3.输入信号频率为1Hz，幅度10mV，负载电阻300K，耦合电容为100uF
幅度不出现衰减，但电路反应变得非常缓慢，输入信号后等待10多秒才有输出信号。刚输入信号的前段时间，电路竟然不工作了，这是为什么呢？？？主要是因为电容太大充电时间过长，至使输出信号出现延迟，特别是输入信号幅度很小的时个就要特别注意这个问题，否则电路会变得非常缓慢。
总结：
把耦合电容加到电路中之后，耦合电容与负载电阻构成了RC高通滤波器，所以我们可根据公式来计算出耦合电容的大小即：f=1/2πRC式中π=3.14
R为负载电阻（耦合下一级电路的输入电阻）须估算下一级的输入电阻f为信号的频率
C就是我们要计算的耦合电容大小
如上面实验：负载电阻R=300K频率为1Hz由f=1/2πRC
可计算出C=0.5uf
所以C不能低于0.5uf，可选1uf.
主要是根据高通滤波器的下限频率来确定C的容量的。所以选择耦合电容时要估算出下一级的输入电阻。
提示
1.耦合电容容量太小时，低频信号通过耦合电容时就会有严重的衰减，甚至不能通过。以所制做电路时最好使用信号发生器在耦合电容输入端注入信号，用视波器来观察信号是否被严重衰减。注意频率和幅度要与实际电路大致相同。
2.耦合电容容量太大时，电路出现延迟。电路上电后要等待几十秒才有反应，特别是信号幅度很小的时候。
最佳选择：耦合电容容量应选择能保证输入信号经过耦合电容后不出现衰减的最小值容量值。