陶瓷电容它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。陶瓷电容按照封装不同可分为插件和贴片式！按照介质不同可分为I类瓷介电容和II类瓷介电容，通常NP0，SL0，COG是I类瓷介电容，X7R，X5R，Y5U，Y5V是II类瓷介电容， I类瓷介电容容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等变化而变化，但是一般容量都很小，而II类瓷介电容容量稳定性很差，随着温度，电压，时间变化幅度较大，所以陶瓷电容一般用在对容量稳定性要求不高的场合，如滤波等！
在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。近年来随着材料、电极和制造技术的进步，高压陶瓷电容器的发展有长足的进展，并取得广泛应用。高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。高压陶瓷电容器的用途主要分为送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备。
陶瓷电容器的分类和用途
1.陶瓷电容器按电压分类
按电压：超高压、高压、低压、交流
超高压：≥10KVdc者；
高压： ≥500Vdc，＜10KVdc者；
低压： ≥16Vdc，＜500KVdc者；
交流：特指250Vac与400Vac。即Y电容。
2.陶瓷电容器按温度特性分类
按温度特性可以分为三类：
1类：高频瓷介电容器，有NP0、SL等；
2类：高介电常数电容器，有Y5P、Y5U、Y5V等。
3类：半导体型陶瓷电容器，原则上有Y5P、Y5U、Y5V。实际上目前Y5V为主。
3.什么是温度特性
是指电容器在规定的温度范围内，相对于常温时电容器电容量的变化率。
如NP0，在-25℃-+85℃的温度区间，相对于25 ℃时，温度每变化1℃，其电容量之允许变化小于60ppm。
如Y5P，在-25℃-+85℃的温度区间，相对于25 ℃时的容量变化率允许±10%。
代 码：Y：-25 ℃；5：+85 ℃
变化率：P：±10%；
U：+22%，-56%；
V：+22%，-82%。
陶瓷电容器用途
1类：温度系数小，适用于调谐回路和需要补偿效应的电路。
2类：介电常数高，适用于旁路、耦合、隔直流和滤波电路。
3类：容量大，体积小，电压低。用于滤波、旁路、耦合电路。
交流：抗电磁干扰。
大体上来讲，在直流电路中，电容器就相当于是断路的，隔直流显现的作用就是是阻止直流通过而让交流通过
而陶瓷电容器有以下具体的几种用途一、旁路（去耦）这是为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗的通路
在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容器所处的位置不同，称呼就不一样
对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象
我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容；二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰
耦合用在耦合电路中的陶瓷电容称为耦合电容，在阻容耦合放大器和其他电容耦合电路中大量使用这种电容电路，起隔直流通交流作用，它作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路
滤波用在滤波电路中的陶瓷电容器称为滤波电容，滤波电容是会将一定频段内的信号从总信号中去除的，所以在电源电路中，整流电路将交流变成脉动的直流，而在整流电路之后接入一个较大容量的陶瓷电容，利用其充放电特性，使整流后的脉动直流电压变成相对比较稳定的直流电压
谐振用在LC谐振电路中的安规电容器称为谐振电容，LC并联和串联谐振电路中都需这种电容电路
温度补偿针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响而进行补偿，改善电路的稳定性
调谐是对与频率相关的电路进行系统调谐，比如手机、收音机、电视机
储能储能就是储存电能，用于必要的时候释放
例如相机闪光灯，加热设备等等
（现如今很多电容的储能水平已经可以接近锂电池的水准，一个电容储存的电能就可以供一个手机使用一天的时间）