<特点>
1. 保持低VF特性,实现高抗浪涌电流能力
此次开发的第3代SiC-SBD“SCS3系列”,为实现高抗浪涌电流能力,采用了JBS(Junction Barrier schottky)结构。以往的结构是可有效提高抗浪涌电流能力、并改善泄漏特性的结构,而ROHM的第3代最新产品,不仅具备以往产品的特点,而且还进一步改善了第2代SiC-SBD所实现的低VF特性,将作为更高性能的产品大展身手。
2. 实现业界最低的正向电压(VF=1.35V/25℃、1.44V/150℃)
ROHM的第2代SiC-SBD,通过改善工艺和产品结构,实现了业界最低的正向电压。在高温条件下,本产品的VF值比第2代产品更低,导通损耗更低,效率更高。
3. 低泄漏电流特性
一般情况下,降低正向电压会导致反向漏电流增加,而ROHM的第3代最新SiC-SBD产品采用JBS结构,成功减少漏电流并降低正向电压。本产品在额定电压下的漏电流与第2代SiC-SBD相比,低至约1/20(650V、Tj=150℃时)。