3、肖特基二极管
以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode--SBD），简称为肖特基二极管。
肖特基二极管的优点在于：
反向恢复时间很短（10~40ns），正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲；
在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管。
因此，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率高。
肖特基二极管的弱点在于：
当反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求，因此多用于200V以下的低压场合；
反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损耗不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度。
肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（金、银、铝、钼、铂等材料制造成阻挡层）、二氧化硅消除边缘区域的电场（提高管子耐压）、N一外延层、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成。如图1和图2所示，在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。
