本文主要是关于二极管模型的相关介绍，并着重对二极管模型进行了详尽的阐述。
二极管恒压降模型
二极管的恒压降模型在实践中使用是比较广泛的。
它对二极管伏安特性在一定程度上进行了合理的近似建模。
该模型中，使用一个理想二极管模型和直流电源串联实现。理想二极管的单向导电决定了，恒压降模型也是单向导电。在外加正向电压时，只有大于0.7V（硅管）才会产生正向导通电流。
判断二极管导通状态
如何判断电路中的二极管是否导通，其实靠的是试验法。
先将电路中的二极管拿掉，计算原位置处两端正向电压；如果大于0.7v，那么把二极管再放回原位置的话，二极管必然是导通的。
举例：
（a）图中，拿掉二极管D可知，D阳极电位为-15v，阴极电位为-12v，D正向电压为-3v，故D不导通，AO两端电压为-12V。
（b）图，同时拿掉D1，D2。
得到D1原位置处两端电压为0-（-9）=9v
得到D2原位置处两端电压为-6-（-9）=3v
两个二极管都导通吗？不一定！由于二极管导通后会导致电路中各点电位重新分配，所以将二极管接回原电路的时候要一个一个来。
D1两端压差有9V，比D2的压差要高。我们就先将D1接回原电路，此时，A点电位是-0.7v，重新计算D2处两端压差为-6-（-0.7）=-5.3v。看到了吧，此时如果将D2接回电路是不导通的。
判断输出电压波形
分析如下：
D1在ui大于3.7v时导通，D2截止，此时uo=3.7v。
D2在ui小于-3.7v导通，D1截止，此时uo=-3.7。
D1D2同时导通的情况不存在。
D1D2在-3.7《ui《3.7时，都截止，对输出uo没影响，uo=ui
二极管的各种模型
已经知道二极管是一种具有PN结的元件。在这一节，你将会学到二极管的电子符号，也能够在进行线路分析时，按照三种不同复杂度，分别采用合适的二极管替代模型。同时，本节也会介绍二极管的封装和辨识二极管的引脚的方法。
在学习完本节的内容后，你应该能够：参与讨论二极管的工作原理，并说出三种二极管的模型；识别二极管的符号，并能确认二极管的引脚；识别二极昝的不同外形结构；解释二极管的理想、实际和完整模型。
1.二极管的结构和符号
如你所知，二极管是单PN结的元件，在P型区和N型区两边分别接上金属接点和导线，如图1.31（a）所示。二极管的一半是N型半导体，而另一半是P型半导体。
目前有多种类型的二极管，本章所介绍的一般二极管或整流二极管的图标符号，则显示在图1.31（b）。N型区称为阴极（ cathode），而P型区则称为阳极（anode）。符号中的箭头所指的方向，就是传统的电流方向（与电子流的方向相反）。
（1）正向偏压下的接线方式
如果电压源是按照图1. 32（a）的方式和二极管互相连接，则称此二极管受到正向偏压的作用。电压源的正极经过一个限流电阻，再连接到二极管的阳极。电压源的负极则接到二极管的阴极。正向电流（IF）则如图所示，从二极管的阳极流向阴极。正向电压降（VF）则是因为门槛电压的存在，使得二极管的阳极成为正极，而二极管的阴极成为负极。
（2）反向偏压下的接线方式
如果电压源是按照图1. 32（b）的方式和二极管互相连接，则称此二极管受到反向偏压的作用。咆压源的负极经过线路接到二极管的阳极。电压源的正极则接到二极管的阴极。反向偏压通常不需要限流电阻，但为了线路的一致性，仍在图中绘出。反向电流可予以忽略。要注意的是整个线路的偏压（VBIAS）都消耗在二极管。
2.理想的二极管模型
理想的二极管模型（the ideal diode model）可视为一个简单的开关。对二极管施加正向偏压时，二极管就像是一个闭合的开关（on），如图1.33（a）所示。对二极管施加反向偏压时，二极管就像是一个断路的开关（off），如图1.33（b）所示。至于门槛电压、正向动态阻抗和反向电流都予以忽略。
在图1.33（c）中，绘出了理想二极管的电压一电流特性曲线图。既然门槛电压和正向动态阻抗都予以忽略，因此在正向偏压下，可以假设二极管不会造成电压降，就如同位于垂直轴上的部分特性曲线所显示的含义一样。
正向电流（IF）是由所施加的偏压值和限流电阻，按照欧姆定律：
IF=VBIAS/RLIMIT （1.2）
既然反向电流可以忽略，就可假设其值为零．如图1. 33（c）中在负水平轴的部分特性曲线所示。
IR =OA
此时反向电压等于所施加的偏压电压值。
VR=VBlAS
当你在进行故障检修，或者找寻线路的工作状况时，因不需要考虑电压和电流的精确值，可以考虑改用二极管理想模型代替。
3.实际的二极管模型
实际的二极管模型（the practical diode model）是将门槛电压加入理想的开关模型。当二极管处于正向偏压下，它等于一个闭合开关再串接一个很小的等效电压源，电压源的电压等于门槛电压（0.7V），并将电压源的正极接到二极管的阳极，如图1. 34（a）所示。
这个等效电压源代表二极管在正向偏压下，在PN结上所产生的固定电压降（VF），此等效电路中的电压源并非主动电压源。
当二极管处在反向偏压时，它等于一个开路的开关，就如同理想模型，如图1. 34（b）所示。门槛电压并不会影响到反向偏压，所以不需加以考虑。
实际二极管模型的特性曲线表示在图1. 34（c）。既然门槛电压已考虑在内，而动态阻抗不予考虑，因此可以假设在正向偏压下，二极管本身拥有的电压降，如图所示，特性曲线向原点右方平行位移的部分就是这个电压。
VF=0. 7V
正向电流是依照下述公式算出，首先，将基尔霍夫电压定律应用到图1.34（a）：
VBIAS-VF-VRLIMIT=0
VRLIMIT=IFRLIMIT
代入后解出IF为：
IF=VBIAS-VF/RLIMIT
假设二极管反向电流的值为零，如图1. 34（c）中在负水平轴上的部分特性曲线所示。
IR =OA
VR=VBIAS
4.完整二极管模型
二极管的完整模型（the complete diode model）是由门槛电压，小的正向动态阻抗（rd‘）和大的内部反向阻抗（rR’）所组成。之所以要将反向阻抗考虑进来，是因为此二极管模型要考虑到反向电流，因此必须将反向电
流所流经的反向电阻包括进来。
当二极管处于正向偏压时，就可视为一个闭合的开关，再串联一个等于门槛电压的电压源和一个小的正向动态阻抗（rd‘），如图1. 35（a）所示。当二极管处于反向偏压时，就可视为一个开路的开关，再并联一个大的内部反向电阻值（rR’），如图1. 35（b）所示。门槛电压并不会影响到反向偏压，所以可以不予考虑。
完整二极管模型的特性曲线显示在图1. 35（c）。既然需要考虑门槛电压和正向动态阻抗，因此在正向偏压下，可假设二极管本身有电压降。
其中正向电压（VF）是由门褴电压加上动态阻抗上的小电压降组成，可由特性曲线图中，位于原点右方的曲线部分看出。曲线开始倾斜，是因为当电流增加时，动态阻抗上的电压降也跟着增加的缘故。对于硅二极管的完整模型，可套用下面的公式：
VF=0.7V+IFrd’ （1.4）
IF=VBIAS-0.7V/RLIMIT+rd’ （1.5）
在计算反向偏压时，也需要将反向电流和并联的内部阻抗值（rR‘）一起考虑，可由特性曲线图中，位于原点左方的部分曲线看出。CX77304-17P曲线位于击穿电压附近的部分并没有显示出来，这是因为击穿区对于大部分的二极管来说，并不是一个正常的工作区。
5.典型二极管
图1.37示出几种常见的二极管的外形结构。有几种方式在二极管上标示出阳极和阴极，都是按照封装的种类加以标示的。阴极常用环带、凸出的片状物或其他方式表示。从封装外形观察，如果看到某个引脚和外壳直接相连，则外壳就是阴极。
结语
关于二极管模型的相关介绍就到这了，希望通过本文能让你对二极管模型有更全面的认识。