用过MOS管的小伙伴都知道，其内部有一个寄生二极管，有的也叫做体二极管。
1、PMOS管做开关用，S极作电源输入，D极作输出，当Vsg大于阈值电压，MOS管导通，一般MOS管的导通内阻都很小，毫欧级别，过几安培的电流，压降也才毫伏级别，此时体二极管是截至状态的。
2、PMOS管D极接电源输入，S极接输出，D极首先通过PMOS管内部的体二极管到达S极，控制G极为0，Vsg大于阈值电压，MOS管导通，和上面一样，DS沟道压降很小，DS压差不足以使二极管导通，这时候MOS管的体二极管也是截至状态的。
如果控制G极为高电平，PMOS管会截至，D极电源输入走的是体二极管路径，一般二极管压降是要比MOS管大一些的，所以Vs会比Vd小一些。
上面场景2，在某些电路场合中经常会用到。
比如双电源供电的方案中，其中一个电压较低，接近负载电源电压，可以直接走MOS管的沟道；另外一个电压较高，如果直接导通，DS电压差不多，后端负载承受不住，这时候利用MOS管内部的体二极管，增大DS之间的压降，保证了安全。
使用场景2，我们就要考虑寄生二极管的过电流能力和压降。
这个体二极管其实就是一个普通的二极管，也能过较大的电流，比如下面这个，DS沟道能过5.8A，体二极管能过2.9A。
大多数MOS管规格书上，是不会给出MOS管体二极管相关参数的，或者给的数据比较少。
如果我们要应用在电路中，需要让厂家提供详细的数据。
他们的数据会很完整，包括不同电流下的压降，不用温度下的数据，如常温25℃，75℃等等。
审核编辑：刘清