在硅中形成pn结和设置电极，这就是二极管。使用pn结的二极管，叫做普通整流二极管。改善普通整流二极管的开关特性后叫做快恢复二极管(FRD)，它不同于普通整流二极管。
在二极管中使用金属层来代替p型半导体，叫做肖特基势垒二极管(SBD)。
二极管的芯片结构：
为了在芯片切割(划片)前贴保护膜，有两种结构：
根据材料与特性，可以有以下分类：
依照应用及特性分类：
二极管的基本特性
二极管的静态特性：
二极管的动态特性(开关特性)：
普通整流二极管
使用硅pn结的二极管，为工频交流(50/60Hz)的整流而制造。
典型特性：
1，反向恢复时间长，因此不适合用于高频整流。
2，通常的整流桥是内置4至6个普通整流二极管的桥接模块。
p型半导体：
简而言之，是指具有正(Positive)电性质的半导体。
n型半导体：
简而言之，是指具有负(Negative)电性质的半导体。
pn结：
是指p型半导体区与n型半导体区相接的部分。PN结不是p型半导体与n型半导体的“粘接”，而是通过在1片硅晶片上制造p区和n区而形成。
快恢复二极管
PN 结 二极管(普通整流二极管)的高速化二极管。
当二极管从正向偏置变为反向偏置时，在一定时间会有反向电流通过。该电流叫做恢复电流，该时间叫做反向恢复时间。
是对pn结二极管采取缩短反向恢复时间(trr)对策的二极管，也叫高速二极管。
为了对开关电源等用途的几十kHz至几百kHz等高频进行整流而制造，与普通整流二极管相比，trr要小2～3个数量级。
齐纳二极管
利用二极管反向无电流通过的特性，用于构建稳压电路和吸收浪涌电压。为了与浪涌电压吸收用二极管加以区別，又叫TVS(Transient Voltage Suppressor)。
齐纳二极管充分利用了相当于普通二极管的击穿特性。
与普通二极管相反，它的电流从阴极流向阳极，通过获得稳压或吸收能量来保护电路。
新电元的齐纳二极管是硅制TVS，可保护电路免受负载突降浪涌等过电压的影响，其特点是能量耐受能力大于普通的齐纳二极管，且响应速度比压敏电阻还要快。通常齐纳二极管会随时通过微小电流以利用稳压特性，而TVS的区别在于通常无电流通过，只在紧急情况下工作。