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快恢复二极管FRD的特性测试

2022年10月10日 14:17 瑞能半导体 作者:瑞能半导体 用户评论(0

作为瑞能功率半导体产品大家庭中的重要成员,快恢复二极管-FRD以其较低的正向导通压降VF和反向恢复电荷QRR,能帮助客户获得较高的系统整机效率,兼具出色的导热性能和电磁兼容特性,从而受到市场上客户的广泛青睐。事实上,快恢复二极管-FRD可以普遍地应用在开关电源,TV电源,空调电源,光伏储能逆变系统及新能源电动汽车充电桩领域。

随着FRD技术的不断进步,瑞能半导体的FRD产品也经历了从Gen1到Gen4的升级。

产品种类在不断地丰富,性能也在不断地提升,不同代际的产品可以满足不同的客户应用需求。瑞能研发工程师对器件的反向漏电流IR和EAS的能力进行了优化,进一步提高了器件的可靠性。同时,我们的Gen4 FRD在不断地诞生新的成员,以满足更多的客户对不同封装和电压电流等级的需求。

接下来我们来看一下最新推出的

Gen4 FRD BYC30MW-650PT2的

性能表现,同时我们挑选了一款市场上同样规格的主流FRD作为对比参考。

VF-IF特性曲线

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图1 VF-IF特性曲线

从VF-IF特性曲线的对比来看,BYC30MW-650PT2的正向导通压降比竞品要略低,意味着在同样的导通电流情况下,将产生更少的导通损耗,器件的温升也会降低,可提升系统工作的稳定性。

VR-IR特性曲线

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图2 VR-IR特性曲线

从VR-IR的特性曲线可以看出,BYC30MW-650PT2的漏电流比竞品要低3~5倍,同时击穿电压也显著地高于竞品,实际系统工作时,在二极管承受反向偏置时,将会降低静态损耗,提升二极管长期稳定工作的可靠性。这正是我们Gen4 FRD的一个显著的特点---漏电流低,反向击穿电压高。

EAS雪崩击穿能力

EAS是考验器件在进入雪崩状态后,能够承受的单次最大反向击穿的能力。系统在正常工作时一般不会进入到该状态,只有当系统进入异常状态,比如输出过流,输出短路,和输出过压后有可能进入到雪崩状态,此时器件如果能够承受住该能量而不损坏,那么将极大地提升系统异常状态的可靠性。

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图3 EAS能力对比测试

从上图的EAS数据可以明显看出Gen4 FRD BYC30MW-650PT2的EAS能力比竞品显著要强,这也正是我们Gen 4 FRD产品的另外一个显著的特点-----EAS雪崩能力强。

双脉冲测试评估

我们将BYC30MW-650PT2和竞品在双脉冲测试平台上进行了评估,FRD的关断的di/dt设定在650A/us,关断电流设定在20A。

BYC30MW-650PT2对IGBT开通电流的影响

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图4 CH1: IGBT 电流 CH2: IGBT电压

竞品二极管对IGBT开通电流的影响

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图5 CH1: IGBT 电流 CH2: IGBT电压

从上述的波形可以看到,竞品二极管的软度比较差,在IGBT开通时,电流会发生一些震荡,这一点是我们不希望看到的。从这一点而言,BYC30MW-650PT2比竞品性能要好。

·Gen4 FRD相关应用场景·

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光伏逆变系统MPPT

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空调电源PFC

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电动汽车充电桩

·Gen4 FRD产品列表·

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·推介总结·

通过如上二极管特性的对比测试,我们可以看到瑞能新推出的Gen4 FRD BYC30MW-650PT2的静态特性和动态特性都是要比竞品强,特别是漏电流和EAS能力表现,竞品与BYC30MW-650PT2差距明显。另外,由于BYC30MW-650PT2的软度因子比竞品要高,在系统级别的EMI表现会强于竞品。

相信通过瑞能工程师持续不断地努力,瑞能Gen4 FRD将会有越来越多的产品在光伏,开关电源,家电,新能源汽车领域大放异彩,为我国碳中和,碳达标,绿色环保事业贡献每一个瑞能人的努力。

 

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